KR20050044178A - 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 종래 발광소자의 열 방출을 위한 서브 마운트는 열전달 효율이 좋은 고가의 물질을 이용하여 형성되므로 소자의 제조 비용을 높이며, 저렴한 실리콘 기판을 이용하여 서브 마운트를 형성하는 경우에는 광 장치의 제조에 요구되는 물리적인 강도를 유지하기 위해 소정의 두께 이상을 가져야 하므로 열 전달 효율이 낮아 발광소자의 특성이 열화되는 문제점이 있었다. 또한, 고가의 열전달 물질 중 BeO는 환경 규제 물질이기 때문에 점차 사용이 제한되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 서브 마운트로 사용할 실리콘 기판의 일부를 식각하여 발광소자가 위치할 부분의 두께를 기계적 안정성이 확보될 정도까지 줄이고, 열전달 특성이 우수한 절연층을 상부에 형성한 후 발광소자의 전극과 연결될 금속 전극을 식각이 실시된 영역에서 식각이 실시되지 않은 실리콘 기판의 상부까지 연장하여 형성한 서브 마운트를 제공함으로써 서브 마운트의 물리적인 강도를 유지하면서도 얇게 형성한 실리콘 기판을 통해 발광소자의 열이 효과적으로 방열판에 전달될 수 있도록 하여 열잡음에 기인한 발광 출력의 감소, 전류의 증가, 발광소자의 수명 감소를 방지할 수 있도록 하는 것은 물론이고 서브 마운트를 저가의 실리콘으로 제조함으로써 비용을 크게 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 및 그 제조 방법{SUB MOUNT OF HEAT SINK FOR OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광소자로부터 발생하는 열을 방출시키기 위한 방열판과 발광소자 사이에 위치하는 서브 마운트를 저렴한 실리콘을 이용하여 효율적인 열절달이 가능하면서 기계적인 강도를 유지하도록 구성하여 소자의 안정성을 높이고 제조 단가를 낮추도록 한 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 광 방출 소자는 단순한 발광을 이용한 표시 장치로서 사용되었으나, 최근에는 다양한 파장 및 에너지를 가지는 광원으로서의 가능성이 연구되고 있다. 현재 활발하게 사용되는 발광소자로서는 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 발광 다이오드(Light Emitting Diode:LED)로 크게 나눌 수 있는데, LD는 광통신 분야에서 광원으로 널리 사용되고 있으며, 최근에는 컴팩트 디스크(CD) 재생기, 컴팩트 디스크 기록 재생기(CD-RW) 분야 뿐만 아니라, DVD 재생기, 레이저 디스크(LD) 재생기, 미니 디스크(MD) 재생기 등의 광 미디어 분야에서도 중요한 부품으로 사용되고 있다. 또한, LED는 일반적인 표시 장치는 물론이고 조명장치나 엘씨디(LCD) 표시장치의 백라이트 소자에도 응용되는 등 적용 영역이 점차 다양해 지고 있다.

이러한 발광소자들 중에서 최근 광 통신 장치, 광 미디어 장치, 원거리 음성 검출 장치, 원거리 포인터등에 사용하는 레이저 다이오드(LD)를 이용한 광 소자를 설명하도록 한다.

먼저, 도 1은 일반적인 LD(10)의 구조를 나타내는 단면도로서, 사파이어나 n-GaAs 등의 기판(11) 상부에 순차적으로 버퍼층(12), n-접촉(n-contact) 층(13), n-클래딩(n-cladding)층(14), 활성층(15), p-클래딩층(16), p-접촉층(17)을 화학 기상 증착 기법에 의하여 연속 증착하고, 사진 식각 공정 및 습식/건식 식각 방법에 의하여 n-접촉층(13)이 노출되도록 패터닝 한다. 이후, 형성된 구조물 상부에 절연층(18)을 증착하고 전기적인 연결을 위하여 구조물 상부의 p-접촉층(18)과 상기 과정에서 노출시킨 n-접촉층(13)의 일부가 드러나도록 패터닝한다. 그리고, 상기 노출된 p-접촉층(18)과 n-접촉층(13) 상부에 금속을 성막후 패터닝하여 p-전극(19-p)과 n-전극(19-n)을 형성한다.

상기와 같이 구성된 레이저 다이오드는 p-전극(19-p)과 n-전극(19-n) 사이에 전압을 인가하는 것으로 발광하게 되는데, 전압이 인가되면 p-전극(19-p)과 n-전극(19-n)으로 정공과 전자가 주입되고 활성층(15)에서 정공과 전자가 재결합하면서 광을 외부로 방출하는 원리를 이용한다.

비록 전술한 LD나 다양한 용도로 사용되는 LED는 발광 효율이 일반 전구등에 비해 대단히 높지만, 발광에 따른 발열 또한 발생하게 된다. 특히 광원으로 사용되기 위해 높은 전압과 전류가 지속적으로 가해지게 되면 상당한 열이 발생하는데, 이러한 열이 소자에 축적되면 특성 열화(광 출력 감소, 소비 전류 증가)와 수명 단축이 발생하게 된다. 광원의 정밀도가 중요한 레이저 다이오드 응용 제품에 적용되는 광 소자에서는 이러한 레이저 다이오드의 출력을 보정하기 위해서 포토 다이오드를 인접 배치하여 방출되는 광의 정도를 획득하여 레이저 다이오드의 출력을 조절하는 폐루프 제어를 이용하는 경우가 빈번하다. 이 경우 사용되는 포토 다이오드를 모니터링 포토 다이오드(MPD)라 한다.

이러한 문제를 해결하기 위해 정밀 광원으로 사용되는 광 장치는 사용되는 광 소자(LD, LED)의 열을 외부로 발산하여 소자의 열을 낮추어 주는 방열판을 사용하게 되며, 여기서는 LD를 이용하는 장치를 예로 든다.

도 2는 종래 방열판을 사용하여 LD의 발열을 방지하는 방열판 구조들을 나타낸 것으로, 도시된 바와 같이 기본적으로 LD(10)를 열전달 및 소자의 전기적 연결을 위한 서브 마운트(20)에 부착시킨 후 서브 마운트(20)를 방열판(30)에 장착하게 된다. 방열판(30)은 열방출이 쉽도록 구리나 철과 같은 금속을 이용한다. 상기 LD(10)는 에폭시나 솔더(solder)등의 접착물질을 통해 상기 서브 마운트(20)에 부착되며 상기 서브 마운트(200) 역시 에폭시나 솔더등의 접착물질을 통해 방열판(30)에 부착된다.

도 2a는 BeO 및 AlN과 같이 열전도도가 우수한 절연체를 이용하여 서브 마운트(20)를 구성한 것으로, 여기서 BeO는 열전달 효율이 우수하여 널리 사용되는 물질이지만 독성 재료이므로 환경 오염을 유발할 수 있어 점차 사용이 줄어들며 규제가 시작되는 소자이다. 또한, 고가의 재료이므로 제조 단가를 상승시키는 요인이 된다. AlN은 열 전달 효율이 우수하고 환경 친화적이지만 대단히 고가이므로 사용이 극히 제한적이다.

도 2b는 서브 마운트(20)를 형성하는 물질로 저가이며 환경 친화적인 실리콘(21)을 이용하는 경우이다. 실리콘은 반도체 물질이므로 광 소자인 LD와 방열판과의 전기적 절연을 위해 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막과 같은 물질로 이루어진 절연층(22)을 기판 전면에 형성하여야 한다. 그러나, 실리콘은 열전달 효율이 낮기 때문에 레이저 다이오드의 열을 효과적으로 방열판(30)에 전달하기 어렵다. 만일 실리콘으로 만들어진 서브 마운트의 두께를 줄이게 되면 열전달 효율은 높아질 수 있지만, 소자 장착 후 실시되는 와이어 본딩공정을 견딜 수 있는 충분한 물리적 강도를 유지할 수 없어게된다. 즉, 물리적인 강도를 고려한 두께를 유지해야 하므로 효율적인 열전달이 어렵다.

도 3은 도 2에 도시한 바와 같이 형성된 구조물(10, 20, 30)을 광 방출 장치에 가장 많이 사용되는 패키지인 TO-can(40)에 부착시킨 것으로, 도시한 바와 같이 방열 특성이 우수한 스템(41)에 LD(10)에서 전면으로 방출된 빛이 렌즈(45)의 중앙을 통과하도록 LD(10), 서브 마운트(20), 방열판(30)으로 이루어진 구조물을 위치시키고, LD(10)의 후면으로 방출된 빛이 지나는 위치에 MPD(47)를 배치시킨다. 그리고, LD(10)에 전압을 인가할 수 있도록 LD의 전극과 TO-can(40)에 부착된 전극(42)을 금속 와이어(43)를 이용하여 전기적으로 연결시키고 MPD(47)에 전극을 연결하기 위하여 TO-can(40)을 90도 돌려서 역시 금속와이어(미도시)를 이용하여 부가적인 전극(미도시)에 연결시킨 후, 봉합을 위하여 외부 케이스인 캡(44)을 씌워서 패키징을 완성한다. 도시된 바와 같이 LD(10)의 한 전극은 직접 LD(10)로부터 전극(42)에 연결되지만, 다른 전극은 서브 마운트(20)를 통해 다른 전극(42)에 연결된다는 것에 주의한다. 이는 상기 LD(10)의 크기가 작기 때문이며, 이러한 본딩 공정을 위해 상기 서브 마운트(20)의 두께는 소정의 물리적 강도를 지녀야 한다. 따라서, 저가이나 열전달 효율이 낮은 실리콘으로 서브 마운트(20)를 만드는 경우 사용되는 두께에 제한이 있으므로 발광소자가 열에 의한 영향을 받아 특성이 열화되는 경우가 발생하게 된다.

상기한 바와 같이 종래 발광소자의 열 방출을 위한 서브 마운트는 열전달 효율이 좋은 고가의 물질을 이용하여 형성되므로 소자의 제조 비용을 높이며, 저렴한 실리콘 기판을 이용하여 서브 마운트를 형성하는 경우에는 광 장치의 제조에 요구되는 물리적인 강도를 유지하기 위해 소정의 두께 이상을 가져야 하므로 열 전달 효율이 낮아 발광소자의 특성이 열화되는 문제점이 있었다. 또한, 고가의 열전달 물질 중 BeO는 환경 규제 물질이기 때문에 점차 사용이 제한되는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 서브 마운트로 사용할 실리콘 기판의 일부를 식각하여 발광소자가 위치할 부분의 두께를 기계적 안정성이 확보될 정도까지 줄이고, 열전달 특성이 우수한 절연층을 상부에 형성한 후 발광소자의 전극과 연결될 금속 전극을 식각이 실시되지 않은 실리콘 기판까지 연장하여 형성하는 것으로 서브 마운트의 물리적인 강도를 유지하면서도 열전달 효율을 높일 수 있도록 한 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기위한 본 발명은, 발광소자의 열을 방출시키기위해 발광소자와 방열판 사이를 연결하며 발광소자의 전극중 하나가 위치하는 서브 마운트에 있어서, 발광소자가 위치할 부분만 식각하여 해당 부분 두께만 선택적으로 줄인 실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판상부 전면에 형성되는 절연층과; 상기 발광소자가 위치할 영역에서 식각되지 않은 실리콘 기판 상부 절연층 영역까지 연장되면서 형성된 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 실리콘 기판 상에 마스크 패턴을 형성한 후 발광소자가 형성될 일부 영역을 식각하여 캐비티를 형성하는 단계와; 상기 마스크를 제거하고 상기 실리콘 기판 상에 절연층을 증착하는 단계와; 상기 캐비티 내부의 절연층과 식각이 실시되지 않은 실리콘 기판 상부의 절연층 사이에 이후 부착될 발광소자에 전압을 가하기 위한 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 실리콘 기판을 식각하여 캐비티를 형성하는 단계는 식각되어 잔류되는 실리콘 기판의 두께가 10㎛~300㎛의 범위가 되도록 하는 것을 특징으로 한다.

상기와 같은 방법으로 실시되는 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 4는 본 발명 일 실시예의 구조를 보이는 사시도로서, 도시한 바와 같이 비교적 두꺼운 실리콘 기판(21)에서 발광소자(10)가 장착되는 부분을 제거하여 캐비티(cavity)를 형성한 것을 알 수 있다. 즉, 발광소자(10)가 위치하는 부분의 실리콘 기판(21) 두께를 줄여 이후 실리콘 기판(21)의 하부에 연결될 방열판으로의 열전달이 용이하도록 한 본 발명의 특징이 명백히 드러나고 있다. 그리고, 실리콘 기판(21) 상부에는 반도체인 실리콘과 그 상부에 장착될 발광소자(10) 사이의 절연을 위해 절연층(23)이 형성되어 있으며, 그 상부 일부에는 발광소자(10)에 전압을 제공하기위한 전극층(24)이 형성되어 있다. 상기 전극층(24)은 소자가 장착될 캐비티 영역에서 제거되지 않은 실리콘 기판(21) 상의 절연층(23)까지 연장되어 있는데, 캐비티 영역에 형성된 전극 부분에 발광소자(10)가 장착되면 발광소자(10)의 일측 전극이 상기 전극(24)과 전기적으로 연결된다. 그로인해 두꺼운 실리콘 기판(21) 영역 상부에 형성된 전극층(24)(패드)을 외부 전원 접합(와이어 본딩)용 패드로 사용할 수 있게 된다. 즉, 발광소자(10)가 형성될 실리콘 기판(21) 부분의 두께가 얇더라도 와이어 본딩 공정 중에 충격이 가해지는 부분은 실리콘 기판(21)의 두꺼운 부분이므로 해당 충격을 견딜 수 있게 된다. 또한, 이러한 구조는 얇은 실리콘 기판 부분을 둘러싸는 두꺼운 실리콘 기판 부분에 의해 기계적 강도가 얇은 실리콘 기판 만으로 이루어지는 경우보다 높아지게 된다.

따라서, 비록 실리콘 물질 자체가 열전달 효율이 높지 않더라도 그 두께가 얇기 때문에 발생하는 열을 실리콘 기판(21)에 부착되는 방열판으로 빠르게 전달할 수 있다. 이를 통해 두꺼운 실리콘 기판으로 서브 마운트를 구성하는 경우에 비해 열 전달 효율을 높일 수 있으므로 열에 의해 발광소자(10)의 효율이나 특성의 열화 및 전류가 증가하는 현상을 방지할 수 있다.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명 일 실시예의 제조 과정을 보이는 수순단면도로서, 도시한 바와 같이 실리콘 기판(21)을 적절히 식각하는 것으로, 장착될 발광소자(10)의 열을 효과적으로 하부 방열판에 전달하면서도 기계적인 강도를 유지할 수 있도록 한다.

먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이 서브 마운트(20)로 사용할 실리콘 기판(21)상하부에 화학 기상 증착을 비롯한 방법으로 마스크층(22)을 형성한 후 그 일부를 건식 식각하여 발광소자(10)가 위치할 부분을 정의한다.

그 다음, 도 5b에 도시한 바와 같이 상기 마스크층(22)을 이용하여 실리콘 기판(21)을 일부 습식 식각하는 것으로 발광소자(10)가 위치할 캐비티를 형성한다. 이경우, 식각되는 부분의 실리콘 기판(21)의 두께가 얇아질 수록 기판 하부에 접촉할 방열판으로의 열전달이 효과적이므로 공정이 가능한 범위 내에서 충분하게 식각을 실시한다. 식각 후 잔류하는 실리콘 기판(21)의 두께는 10㎛ ~ 300㎛ 범위가 되도록 하는 것이 바람직하다. 이후, 상기 마스크층(22)을 제거하고 노출된 실리콘 기판(21) 상부에 절연층(23)을 전기적인 절연이 가능할 정도로 형성한다. 이때 그 두께는 1000Å~수㎛의 범위가 되도록 하는 것이 바람직하다. 상기 절연층(23)은 열 전달계수가 큰 AlN, ZnO 또는 BeO를 스퍼터링 이나 기상층착을 통해 형성할 수 있으며, 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막 등으로 형성할 수 있다. 비록 절연층(23)으로 고가의 AlN, ZnO 또는 BeO를 이용하는 경우라도 서브 마운트 전체를 이러한 고가의 물질로 형성하는 것이 아니므로 제조 단가는 획기적으로 줄어들게 된다. 하지만, BeO는 환경 규제 물질이므로 사용을 자제하는 것이 바람직하다.

그 다음, 도 5c에 도시된 바와 같이 상기 형성된 절연층(23) 상부에 리프트-오프(lift-off) 또는 금속 식각 공정을 통하여 전극층(24)을 형성하는데, 실리콘 기판(21)을 식각한 캐비티 부분과 식각이 이루어지지 않은 두꺼운 실리콘 기판(21) 부분상에 금속 패드를 형성한 후 서로 연결되는 구조로 패터닝한다. 이를 통해 물리적으로 발광소자(10)의 전극을 외부와 연결하는 경우 발생하는 물리적인 충격이 얇은 두께로 형성된 실리콘 기판(21) 영역에 미치지 않도록 한다.

그 다음, 도 5d에 도시된 바와 같이 발광소자(10)를 위치시킬 부분의 전극층(24) 상에 고정 및 전기적 연결을 위한 솔더 혹은 도전성 접착물(도전성 에폭시)로 접착층(25)을 형성한다. 이를 통해 기본적인 서브 마운트가 완성된다.

도 5e는 상기 서브 마운트에 발광소자(10)를 위치시킨 것으로, 도시된 바와 같이 상기 형성된 접착층(25) 상에 발광소자(10)를 접합한다. 상기 접착층(25)이 솔더라면 발광소자(10) 정렬 후 가열하여 접합을 실시한다.

도 6은 상기 도 5에 도시한 방법을 통해 제조한 서브 마운트에 방열판(30)을 부착한 것으로, 도시한 바와 같이 발광소자(10)와 방열판(30) 사이에 형성된 실리콘 기판(21)의 두께가 얇아 열전달 효율이 높다.

도 7은 상기 도 6과 같은 서브 마운트가 부착된 방열판을 장착한 발광소자 패키지의 사시도를 보인다. 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예를 통해 형성한 서브 마운트에 부착된 발광소자(10)(LD 또는 LED)에서 전면으로 방출되는 빛이 렌즈(45)의 중앙을 통과하도록 방열 특성이 우수한 스템(41)에 위치시키고, 상기 발광소자(10)의 후면으로 방출되는 빛이 지나는 위치에 MPD(47)를 배치시킨다. 그리고, 발광소자(10)의 상부에 형성된 전극과 서브 마운트(20) 상에 형성된 전극을 TO-can(40)에 부착된 전극(42)과 금속 와이어(43)를 이용하여 전기적으로 연결시킨다. 그리고, 광의 세기를 측정하기위한 MPD(47)에 전극을 연결하기 위하여 TO-can(40)을 90도 돌려서 역시 금속와이어(미도시)를 이용하여 전기적으로 연결시킨 후, 봉합을 위하여 캡(44)을 씌워서 패키징을 완성한다.

전술한 바와 같이, 본 발명을 일실시예에서 제안하는 서브 마운트는 발광소자가 연결되는 부분의 실리콘 기판의 두께를 줄이고 다른 부분은 원래의 기판 두께를 유지함으로써 기계적으로 안정되고 소자에서 발생되는 열을 방열판으로 효과적으로 전달할 수 있어 발광소자의 특성을 유지할 수 있으며, 실리콘의 가격이 저렴하고 다른 소자와의 집적이 가능하므로 소자의 활용성을 높이고 제조 비용을 줄일 수 있게 된다.

상기한 바와 같이 본 발명 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 및 그 제조 방법은 서브 마운트로 사용할 실리콘 기판의 일부를 식각하여 발광소자가 위치할 부분의 두께를 기계적 안정성이 확보될 정도까지 줄이고, 열전달 특성이 우수한 절연층을 상부에 형성한 후 발광소자의 전극과 연결될 금속 전극을 식각이 실시된 영역에서 식각이 실시되지 않은 실리콘 기판의 상부까지 연장하여 형성한 서브 마운트를 제공함으로써 서브 마운트의 물리적인 강도를 유지하면서도 얇게 형성한 실리콘 기판을 통해 발광소자의 열이 효과적으로 방열판에 전달될 수 있도록 하여 열잡음에 기인한 발광 출력의 감소, 전류의 증가, 발광소자의 수명 감소를 방지할 수 있도록 하는 것은 물론이고 서브 마운트를 저가의 실리콘으로 제조함으로써 비용을 크게 줄일 수 있는 효과가 있다.

도 1은 일반적인 레이저 다이오드의 구조를 보이는 단면도.

도 2는 레이저 다이오드가 장착된 서브 마운트 및 방열판의 구조를 보이는 예들.

도 3은 일반적인 광소자 패키지의 단면도.

도 4는 본 발명 일 실시예에 따른 방열판 서브 마운트 구조를 보이는 사시도.

도 5a내지 도5e는 본 발명 일 실시예의 제조과정을 도시한 수순단면도.

도 6은 본 발명 일실시예에 의한 서브 마운트가 부착된 방열판의 단면도.

도 7은 본 발명 일실시예에 따른 서브 마운트를 이용한 광소자 패키지의 단면도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

10: 레이저 다이오드 20: 서브 마운트

21: 실리콘 기판 22: 마스크층

23: 절연층 24: 전극층

25: 접착물질 30: 방열판

40: 광소자 패키지(TO-can)

Claims (6)

1. 발광소자의 열을 방출시키기위해 발광소자와 방열판 사이를 연결하며 발광소자의 전극중 하나가 위치하는 서브 마운트에 있어서, 발광소자가 위치할 부분만 식각하여 해당 부분 두께만 선택적으로 줄인 실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판상부 전면에 형성되는 절연층과; 상기 발광소자가 위치할 영역에서 식각되지 않은 실리콘 기판 상부 절연층 영역까지 연장되면서 형성된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트.
2. 제 1항에 있어서, 상기 절연막은 열전달 계수가 큰 AlN, ZnO 또는 BeO로 이루어지며 그 두께는 1000Å~수㎛인 것을 특징으로 하는 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트.
3. 제 1항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 이루어지며 그 두께는 1000Å~수㎛인 것을 특징으로 하는 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트.
4. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 상부 절연층 영역 상에 형성된 전극 패드는 발광소자에 제공될 전압을 제공하기위한 외부 전극과 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트.
5. 실리콘 기판 상에 마스크 패턴을 형성한 후 발광소자가 형성될 일부 영역을 식각하여 캐비티를 형성하는 단계와; 상기 마스크를 제거하고 상기 실리콘 기판 상에 절연층을 증착하는 단계와; 상기 캐비티 내부의 절연층과 식각이 실시되지 않은 실리콘 기판 상부의 절연층 사이에 이후 부착될 발광소자에 전압을 가하기 위한 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 제조 방법.
6. 제 5항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 식각하여 캐비티를 형성하는 단계는 식각되어 잔류되는 실리콘 기판의 두께가 10㎛~300㎛의 범위가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 광 소자를 위한 방열판 서브 마운트 제조 방법.