CN108305926B - Led支架、led模组、以及led支架的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种LED支架、LED模组、以及LED支架的制造方法。其中，LED支架包括绝缘载体及引线框，该绝缘载体具有第一侧壁、第二侧壁及间隔部，该第一侧壁与该第二侧壁相对，该间隔部位于该第一侧壁与该第二侧壁之间；该引线框包括第一电极及第二电极，该第一电极及该第二电极位于该间隔部的两侧并通过该间隔部间隔绝缘，该第一电极具有相连的第一底部及第一翼部，该第一翼部从该第一底部朝该第一内侧面的方向弯折延伸且位于该第一内侧面上，该第二电极具有相连的第二底部及第二翼部，该第二翼部从该第二底部朝该第二内侧面的方向弯折延伸且位于该第二内侧面上。藉此，上述LED支架能改善反射率，并且不受树脂材质老化的影响。

Description

LED支架、LED模组、以及LED支架的制造方法
技术领域
本发明涉及一种封装基座，尤其涉及一种LED支架，LED模组、以及LED支架的制造方法。
背景技术
用于封装发光二极管芯片的封装基座，例如所称的SMD支架，在传统制造上主要是由蚀刻片与白壳所组合而成，蚀刻片可为陶瓷、铁、铜、铝等导体材质，白壳可为PPA、PCT、EMC、SMC等树脂的绝缘材质。
通常蚀刻片会蚀刻成平板状的电性正极与电性负极，再将树脂的材质注塑成型所述的白壳，以与蚀刻片结合在一起。为了便于定向发光，大多数白壳会做成杯状，这样就完成了封装基座。
当前常规的封装基座常有以下的问题:1.以杯状白壳内侧的反射面反射发光二极管芯片的光线，其反射率较低。2.白壳老化后会变黄。
因此，如何改善封装基座中白壳反射率不佳以及老化后变黄，已成为本领域技术人员欲解决的问题之一。
发明内容
本发明实施例提供一种LED支架，其包括绝缘载体及引线框，该引线框与该绝缘载体相结合固定，该绝缘载体具有第一侧壁、第二侧壁及间隔部，该第一侧壁与该第二侧壁相对，该间隔部位于该第一侧壁与该第二侧壁之间，该第一侧壁具有倾斜的第一内侧面，该第二侧壁具有倾斜的第二内侧面；该引线框包括第一电极及第二电极，该第一电极及该第二电极位于该间隔部的两侧并通过该间隔部间隔绝缘，该第一电极具有相连的第一底部及第一翼部，该第一底部与该绝缘载体的该间隔部相邻，该第一翼部从该第一底部朝该第一内侧面的方向弯折延伸且位于该第一内侧面上，该第二电极具有相连的第二底部及第二翼部，该第二底部与该绝缘载体的该间隔部相邻，该第二翼部从该第二底部朝该第二内侧面的方向弯折延伸且位于该第二内侧面上。
在一个实施例中，该绝缘载体还包括相对的第三侧壁及第四侧壁，该第三侧壁具有倾斜的第三内侧面，该第四侧壁具有倾斜的第四内侧面，该第一侧壁、该第三侧壁、该第二侧壁及该第四侧壁依次连接。
在一个实施例中，该间隔部连接于该第三侧壁与该第四侧壁之间；该第一电极还包括两个第一次翼部，该两个第一次翼部分别从该第一底部朝该第三内侧面与第四内侧面的方向弯折延伸且位于该第三内侧面及该第四内侧面上；该第二电极还包括两个第二次翼部，该两个第二次翼部分别从该第二底部朝该第三内侧面与第四内侧面的方向弯折延伸且位于该第三内侧面及该第四内侧面上。
在一个实施例中，该间隔部连接于该第一侧壁的两侧，且该间隔部形成“ㄇ”型；该第二电极还包括第三翼部及第四翼部，该第三翼部从该第二底部朝该第三内侧面的方向弯折延伸且位于该第三内侧面上，该第四翼部从该第二底部朝该第四内侧面的方向弯折延伸且位于该第四内侧面上。
在一个实施例中，该第一电极还包括第一支部，该第一支部从该第一底部朝该第一侧壁的端部的方向延伸并穿过该第一侧壁。
在一个实施例中，该第一支部从该第一底部朝该第一侧壁的端部的方向延伸，该第一支部与该第一底部的厚度相同，该第一支部从该第一侧壁的底面及侧面露出。
在一个实施例中，该第一支部从该第一底部朝该第一侧壁的端部的方向延伸，该第一支部的厚度小于该第一底部的厚度，该第一支部从该第一侧壁的侧面露出。
本发明实施例还提供一种LED支架的制造方法，所述制造方法包括下列步骤：成型多个相连的引线框，每个引线框包括第一电极及第二电极，该第一电极具有相连的第一底部及第一翼部，该第一翼部从该第一底部朝远离该第一底部的方向弯折延伸，该第二电极具有相连的第二底部及第二翼部，该第二翼部从该第二底部朝远离该第二底部的方向弯折延伸；将上述多个相连的引线框设置在模具内，在该模具内该多个相连的引线框上注塑成型多个相连的绝缘载体，每个绝缘载体具有第一侧壁、第二侧壁及间隔部，该第一侧壁与该第二侧壁相对，该间隔部位于该第一侧壁与该第二侧壁之间，该第一侧壁具有倾斜的第一内侧面，该第二侧壁具有倾斜的第二内侧面；该第一翼部位于该第一内侧面上，该第二翼部位于该第二内侧面上；及沿切口切断该多个相连的引线框及该多个相连的绝缘载体。
在一个实施例中，该成型多个相连的引线框的步骤包括蚀刻、切割及/或冲压。
在一个实施例中，该多个相连的引线框之间是通过连接支部相连，该连接支部是该第一电极的第一底部与该第二电极的第二底部分别向外延伸连接形成；在沿切口切断该多个相连的引线框过程中切断该连接支部时形成与第一电极的第一支部与第二电极的第二支部。
本发明实施例还提供一种LED模组，其包括绝缘载体、引线框及LED芯片，该引线框与该绝缘载体相结合固定，该绝缘载体具有第一侧壁、第二侧壁及间隔部，该第一侧壁与该第二侧壁相对，该间隔部位于该第一侧壁与该第二侧壁之间，该第一侧壁具有倾斜的第一内侧面，该第二侧壁具有倾斜的第二内侧面；该引线框包括第一电极及第二电极，该第一电极及该第二电极位于该间隔部的两侧并通过该间隔部间隔绝缘，该第一电极具有相连的第一底部及第一翼部，该第一底部与该绝缘载体的该间隔部相邻，该第一翼部从该第一底部朝该第一内侧面的方向弯折延伸且位于该第一内侧面上，该第二电极具有相连的第二底部及第二翼部，该第二底部与该绝缘载体的该间隔部相邻，该第二翼部从该第二底部朝该第二内侧面的方向弯折延伸且位于该第二内侧面上；该LED芯片分别电性耦接于该第一底部与该第二底部。
上述LED支架及LED模组的引线框包括第一电极及第二电极，第一电极的第一翼部从第一底部朝第一侧壁的第一内侧面的方向弯折延伸且位于第一内侧面上，第二电极的第二翼部从第二底部朝第二侧壁的第二内侧面的方向弯折延伸且位于第二内侧面上；第一翼部和第二翼部可以覆盖绝缘载体的大部分表面，因此在组装成LED模组时，可以防止光线照射到绝缘载体造成绝缘载体变质，或者避免绝缘载体本身材料反射效率不高的问题。因此，上述LED支架能改善LED模组的反射率，且可使封装LED模组不受材料材质老化的影响，有效延长使用寿命。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本发明第一实施例LED支架的立体示意图。
图2是图1所示LED支架的俯视图。
图3是图2所示LED支架的沿III-III’剖开的剖视图。
图4是图2所示LED支架的沿IV-IV’剖开的剖视图。
图5是本发明第二实施例LED支架的立体示意图。
图6是图5所示LED支架的剖视图。
图7是本发明第三实施例LED支架的俯视图。
图8是图7所示LED支架的沿VIII-VIII’剖开的剖视图。
图9是本发明第四实施例的LED支架的剖面示意图。
图10是本发明第五实施例的LED支架的制造方法中基材的示意图。
图11是图10所示的基材沿XI-XI’剖开的剖视图。
图12是图10所示的基材形成预定图案的示意图。
图13是图12所示的形成预定图案的基材的俯视图。
图14是图12所示的基材折弯后形成多个相连的引线框的示意图。
图15是图14所示的多个相连的引线框的俯视图。
图16-18是图14所示的多个相连的引线框在模具中与多个绝缘载体相结合的过程的示意图。
图19是本发明第五实施例的LED支架的制造方法中多个LED支架的连接示意图。
图20是本发明第六实施例的LED支架的制造方法中基材的剖面示意图。
图21是图20所示的基材形成预定图案的剖面示意图。
图22是图21所示的基材折弯后形成多个相连的引线框的剖面示意图。
图23-25是图22所示的多个相连的引线框在模具中与多个绝缘载体相结合的过程的示意图。
图26是本发明第七实施例的LED支架的制造方法中多个相连的引线框示意图。
图27是本发明第七实施例的LED支架的制造方法中多个LED支架的连接示意图。
图28本发明第八实施例的LED模组的剖面示意图。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
图1是本发明第一实施例LED支架的立体示意图。图2是图1所示LED支架的俯视图。图3是图2所示LED支架的沿III-III’剖开的剖视图。图4是图2所示LED支架的沿IV-IV’剖开的剖视图。请参见图1、图2、图3与图4，本发明第一实施例的LED支架100包括引线框12与绝缘载体14。引线框12与绝缘载体14相结合固定。绝缘载体14具有第一侧壁141、第二侧壁142及间隔部145。间隔部145位于第一侧壁141与第二侧壁142之间。第一侧壁141具有倾斜的第一内侧面1412，第二侧壁142具有倾斜的第二内侧面1422。引线框12包括第一电极122及第二电极124。第一电极122及第二电极124位于间隔部145的两侧并通过间隔部145间隔绝缘。第一电极122具有相连的第一底部1222及第一翼部1224。第一底部1222与绝缘载体14的该间隔部145相邻。第一翼部1224从第一底部1222朝第一侧壁141的第一内侧面1412的方向弯折延伸且位于第一内侧面1412上。第二电极124具有相连的第二底部1242及第二翼部1244。第二底部1242与绝缘载体14的间隔部145相邻。第二翼部1244从第二底部1242朝第二侧壁142的第二内侧面1422的方向弯折延伸且位于第二内侧面1422上。
上述LED支架100的引线框12包括第一电极122及第二电极124，第一电极122的第一翼部1224从第一底部1222朝第一侧壁141的第一内侧面1412的方向弯折延伸且位于第一内侧面1412上，第二电极124的第二翼部1244从第二底部1242朝第二侧壁142的第二内侧面1422的方向弯折延伸且位于第二内侧面1422上；第一翼部1224和第二翼部1244可以覆盖绝缘载体14的大部分表面，因此在组装成LED模组时，可以防止光线直接照射到绝缘载体14，从而避免绝缘载体14发生变质发黄，或者避免绝缘载体14本身材料反射效率不高的问题。因此，上述LED支架100能改善LED模组的反射率，且可使封装LED模组不受材料材质老化的影响，有效延长使用寿命。
具体在本实施例中，LED支架100可为长方体中空杯状结构。其中，绝缘载体14还可包括相对的第三侧壁143及第四侧壁144。第三侧143壁具有倾斜的第三内侧面，第四侧壁144具有倾斜的第四内侧面。第一侧壁141、第三侧壁143、第二侧壁142及第四侧壁144依次连接。间隔部145连接于第三侧壁143与第四侧壁144之间，其将第三侧壁143与第四侧壁144分别分隔成两段。第一电极122还包括两个第一次翼部1226，这两个第一次翼部1226分别从第一底部1222朝第三内侧面与第四内侧面的方向弯折延伸且位于第三内侧面及第四内侧面上；即一个第一次翼部1226从第一底部1222朝第三内侧面的方向弯折延伸且位于第三内侧面上，另外一个第一次翼部1226分别从第一底部1222朝第四内侧面的方向弯折延伸且位于第四内侧面上。第二电极124还包括两个第二次翼部1246，这两个第二次翼部1246分别从第二底部1242朝第三内侧面与第四内侧面的方向弯折延伸且位于第三内侧面及第四内侧面上；即一个第二次翼部1246从第二底部1242朝第三内侧面的方向弯折延伸且位于第三内侧面上，另外一个第二次翼部1246分别从第二底部1242朝第四内侧面的方向弯折延伸且位于第四内侧面上。其中，第一翼部1224、第二翼部1244、第一次翼部1226及第二次翼部1246的弯折角度可为45-90度，优选为60-87度。
第一电极122还可包括第一支部1228。第一支部1228从第一底部1222朝第一侧壁141的端部的方向延伸并穿过第一侧壁141。具体地，第一支部1228与第一底部1222的厚度相同；第一支部1228可有两个，其中一个是朝向第一侧壁141与第三侧壁143夹角处延伸并且从第一侧壁141与第三侧壁143的侧面和LED支架100的底面露出，另外一个是朝向第一侧壁141与第四侧壁144夹角处延伸并且从第一侧壁141与第四侧壁144的侧面和LED支架100的底面露出。其中第一支部1228从第一侧壁141与第三侧壁143的侧面露出的部分、从第一侧壁141与第四侧壁144的侧面露出的部分表面未电镀，而从LED支架100的底面露出的部分，表面被施以电镀。
第二电极124还可包括第二支部1448。第二支部1448从第二底部1242朝第二侧壁142的端部的方向延伸并穿过第二侧壁142。具体地，第二支部1448与第二底部1242的厚度相同；第二支部1448可有两个，其中一个是朝向第二侧壁142与第三侧壁143夹角处延伸并且从第二侧壁142与第三侧壁143的侧面和LED支架100的底面露出，另外一个是朝向第二侧壁142与第四侧壁144夹角处延伸并且从第二侧壁142与第四侧壁144的侧面和LED支架100的底面露出。其中第二支部1448从第二侧壁142与第三侧壁143的侧面露出的部分、从第二侧壁142与第四侧壁144的侧面露出的部分表面未电镀，而从LED支架100的底面露出的部分，表面被施以电镀。
绝缘载体14可由树脂的材质所构成，例如可为PPA、PCT、EMC、SMC等树脂的材质。引线框12可包括铁、铜、铝等材质，其可以以切割、蚀刻及/或冲压等的方式形成预定的形状，然后可再在其表面镀上反射率高且兼具导电效果的金属，例如银。
图5是本发明第二实施例LED支架的立体示意图。图6是图5所示LED支架的剖视图。请参见图5与图6，本发明第二实施例的LED支架300与第一实施例的LED支架100相似，包括引线框32与绝缘载体34。引线框32与绝缘载体34相结合固定。绝缘载体34具有依次连接第一侧壁341、第三侧壁343、第二侧壁342与第四侧壁344,以及间隔部345。引线框32包括第一电极322及第二电极324。第一电极322还可包括第一底部3222、第一翼部3224、两个第一次翼部3226及第一支部3228，第二电极324还可包括第二底部3442、第二翼部3444、两个第二次翼部3446及第二支部3448。
其不同点在于，第一支部3228的厚度小于第一底部3222的厚度；第一支部3228可有两个，其中一个是朝向第一侧壁341与第三侧壁343夹角处延伸并且从第一侧壁341与第三侧壁343的侧面露出，露出部分可未被施电镀；另外一个是朝向第一侧壁341与第四侧壁344夹角处延伸并且从第一侧壁341与第四侧壁344的侧面露出，露出部分可未被施电镀。第一支部3228未从LED支架300的底面露出。第二支部3448小于第二底部3242的厚度；第二支部3448可有两个，其中一个是朝向第二侧壁342与第三侧壁343夹角处延伸并且从第二侧壁342与第三侧壁343的侧面露出，露出部分可未被施电镀；另外一个是朝向第二侧壁342与第四侧壁344夹角处延伸并且从第二侧壁342与第四侧壁344的侧面露出，露出部分可未被施电镀。第二支部3448未从LED支架300的底面露出。
上述第一支部3228与第二支部3448仅部分从绝缘载体34的侧面露出，其他部分皆被绝缘载体34所包覆，由此引线框32与绝缘载体34的结合力可以进一步提升，从而提升引线框32与绝缘载体34之间的连接强度。
进一步地，第一翼部3224与两个第一次翼部3226厚度可小于第一底部3222的厚度，及第二翼部3444与两个第二次翼部3446厚度可小于第二底部3442的厚度。
图7是本发明第三实施例LED支架的俯视图。图8是图7所示LED支架的沿VIII-VIII’剖开的剖视图。请参见图7与图8，本发明第三实施例的LED支架500与第一实施例的LED支架100相似，包括引线框52与绝缘载体54。引线框52与绝缘载体54相结合固定。绝缘载体54具有依次连接第一侧壁541、第三侧壁543、第二侧壁542与第四侧壁544,以及间隔部545。引线框52包括第一电极522及第二电极524。
其不同点在于，间隔部545连接于该第一侧壁541的两侧，且间隔部545形成“ㄇ”型，且“ㄇ”型间隔部545开口一侧朝向第一侧壁541，“ㄇ”型间隔部545的两相对边分别位于第三侧壁和第四侧壁上用以间隔绝缘第一电极522和第二电极524；第一电极522具有一个与第一底部5222相连的第一翼部5224，第二电极524具有与第二底部5242相连的第二翼部5244、第三翼部5246及第四翼部5247。其中，第一翼部5224朝第一侧壁541的第一内侧面的方向弯折延伸且位于第一内侧面上，第二翼部5244朝第二侧壁542的第二内侧面的方向弯折延伸且位于第二内侧面上，第三翼部5246朝第三侧壁543的第三内侧面的方向弯折延伸且位于第三内侧面上，第四翼部5247朝第四侧壁544的第四内侧面的方向弯折延伸且位于第四内侧面上。具体而言，第一底部5222与该“ㄇ”型间隔部545的内侧紧邻，第三翼部5246、第二底部5242、第四翼部5247分别与“ㄇ”型间隔部545的外侧紧邻。
此外，第一电极522还可包括第一支部，第二电极524还可包括第二支部，第一支部及/或第二支部可分别采用上述实施例的结构，本实施例中不再赘述。
图9是本发明第四实施例的LED支架的剖面示意图。请参见图9，本发明第四实施例的LED支架500’与第三实施例的LED支架500相似，其不同点在于，在LED支架500’的引线框52’的第一电极522’和第二电极524’中，第一支部的厚度小于第一底部的厚度，第二支部小于第二底部的厚度，第一翼部5224’厚度小于第一底部5222’的厚度，及第二翼部5444’、第三翼部与第四翼部厚度分别小于第二底部5442’的厚度。
图10是本发明第五实施例的LED支架的制造方法中基材的示意图。图11是图10所示的基材沿XI-XI’剖开的剖视图。图12是图10所示的基材形成预定图案的示意图。图13是图12所示的形成预定图案的基材的俯视图。图14是图12所示的基材折弯后形成多个相连的引线框的示意图。图15是图14所示的多个相连的引线框的俯视图。图16-18是图14所示的多个相连的引线框在模具中与多个绝缘载体相结合的过程的示意图。图19是本发明第五实施例的LED支架的制造方法中多个LED支架的连接示意图。请参见图10至图19，本发明第五实施例还提供一种LED支架的制造方法，其包括以下步骤。
步骤一，如图15所示，成型多个相连的引线框62，每个引线框62包括第一电极622及第二电极624。第一电极622具有相连的第一底部6222及第一翼部6224。第一翼部6224从第一底部6222朝远离第一底部6222的方向弯折延伸。第二电极624具有相连的第二底部6242及第二翼部6244。第二翼部6244从第二底部6242朝远离第二底部6242的方向弯折延伸。弯折的角度可为45-90度，优选为60-87度。
特别的，在本实施例中，引线框62以九个为例，第一电极622还可包括两个第一次翼部6226与第一支部6228，第一次翼部6226与第一支部6228分别与第一底部6222相连；第二电极624还包括两个第二次翼部6246与第二支部6448，第二次翼部6246与第二支部6448分别与第二底部6242相连。
步骤二，如图16与19所示，将上述多个相连的引线框62设置在模具61内，在该模具61内在这些相连的引线框62上注塑成型多个绝缘载体64。每个绝缘载体64具有第一侧壁641、第二侧壁642及间隔部645。第一侧壁641与第二侧壁642相对，间隔部645位于第一侧壁641与第二侧壁642之间。第一侧壁641具有倾斜的第一内侧面，第二侧壁642具有倾斜的第二内侧面。第一翼6224部位于第一内侧面上，第二翼部6244位于第二内侧面上。
特别地，在本实施例中，每个绝缘载体64还可包括相对的第三侧壁643及第四侧壁644。第三侧643壁具有倾斜的第三内侧面，第四侧壁644具有倾斜的第四内侧面。第一侧壁641、第三侧壁643、第二侧壁642及第四侧壁644依次连接。间隔部645连接于第三侧壁643与第四侧壁644之间，其将第三侧壁与第四侧壁分别分隔成两段。
步骤三，如图19所示，沿切口682、684切断该多个相连的引线框62及多个相连的绝缘载体64，从而形成单个LED支架。其中LED支架结构可与本发明实施例一中LED支架100相同或相似。其中，切口682、684可为切线。
具体在本实施例中，多个相连的引线框62可包括铁、铜、铝等材质，其可以以切割、蚀刻及/或冲压等的方式形成预定的形状，然后可再在其表面镀上反射率高且兼具导电效果的金属，例如银。
请参见图10-15，在多个相连的引线框62的成型过程中，其可包含以下步骤。
首先是提供片状基材620，该片状基材620上可镀有反射率高且兼具导电效果的金属，如图10与图11所示。片状基材620可为矩形平板状，其各处厚度相同。
接着，在上述片状基材620形成预定图案6202，如图12与图13所示。所述预定图案6202可以通过蚀刻或切割来形成。预定图案6202可定义出第一电极622及第二电极624的结构。预定图案6202可包括切痕6203和孔洞6204，例如在用于形成翼部或支部的周围形成的是切痕，在用于形成第一电极622和第二电极624的之间部分则形成通孔。
接着，将蚀刻或切割成特定图案后的片状基材进冲压折弯，形成上述第一电极622及第二电极624，如图14与图15所示。其中，成型后的多个相连的引线框62之间可以通过连接支部6447相连。连接支部6447可以通过第一电极622的第一底部6222与第二电极624的第二底部6242分别向外延伸形成，当连接支部6447被切断后，即可形成第一电极622的第一支部6228或第二电极624的第二支部6448。此外，在冲压折弯时，可冲压使得第一电极622的第一翼部6224与两个第一次翼部6226以及第二电极624的第二次翼部6246与两个第二次翼部6246的弯折至预定角度，所述预定角度可为45-90度，优选为60-87度。
绝缘载体64的材质可为树脂，例如可为PPA、PCT、EMC、SMC等树脂的材质。如图16-18所示，将多个相连的引线框62设置在模具61内后，可从模具的注入口将液化树脂注入到模具61内所设置的预定空间，待树脂固化后形成与多个相连的引线框62相结合固定的多个相连的绝缘载体64。具体在本实施例中，模具61可包括上模612和下模614。上模612的周边可设有围挡6122，上模612的中部形成有与翼部、次翼部相对应的凹槽6124。凹槽6124的一个侧壁用于与对应翼部或次翼部的一个表面相紧密贴合。凹槽6124的深度D可等于或者大于翼部、次翼部的高度H，优选是大于翼部、次翼部的高度H。下模614用于与引线框62的底部相贴合；可选的，下模614的周边也可以设有围挡。下模614与上模612相配合，可夹持引线框62，注塑时可防止树脂材料从周边漏出。
上述LED支架的制造过程中，引线框62的中折弯形成的第一翼部6224和第二翼部6244在与绝缘载体64结合后，可以覆盖绝缘载体64的大部分表面，因此在组装成LED模组时，可以防止光线照射到绝缘载体64造成绝缘载体64变质，或者避免绝缘载体64本身材料反射效率不高的问题。进一步，多个引线框62之间可以通过连接支部6447相连，因此在制造过程中，可以同时将多个相连的引线框62放入模具中同时在这些引线框62形成多个相应绝缘载体64，有利于提高生产的效率。
图20是本发明第六实施例的LED支架的制造方法中基材的剖面示意图。图21是图20所示的基材形成预定图案的剖面示意图。图22是图21所示的基材折弯后形成多个相连的引线框的剖面示意图。图23-25是图22所示的多个相连的引线框在模具中与多个绝缘载体相结合的过程的示意图。请参见图20至图25，本发明第六实施例还提供一种LED支架的制造方法，其与第五实施例的LED支架的制造方法相似，其不同点在于：所采用的片状基材720各片厚度并不是均匀相等，而是后续对应制作成翼部、次翼部和连接部的部分厚度小于后续对应制作为底部的部分。即在成型多个相连的引线框72时，使得引线框72在第一电极722中，第一翼部、第一次翼部及第一支部的厚度小于第一底部的厚度；在第二电极724中，第二翼部、第二次翼部及第二支部的厚度小于第二底部的厚度。
请参见图20-22，具体来说，在多个相连的引线框72的成型过程中，其可包含以下步骤。
首先是提供片状基材720，该片状基材720上可镀有反射率高且兼具导电效果的金属，如图20所示。片状基材720各处厚度不同。
接着，在上述片状基材720形成预定图案7202，如图21与22所示。所述预定图案7202可以通过蚀刻或切割来形成。预定图案7202可定义出第一电极722及第二电极724的结构。预定图案7202可包括切痕或者孔洞7204，例如在用于形成翼部或支部的周围形成的是切痕，在用于形成第一电极722及第二电极724的之间部分则形成通孔。
可以理解，在其他实施例中，第一电极722的第一翼部、第一次翼部及第一支部的厚度与第二电极724的第二翼部、第二次翼部及第二支部的厚度也可以在形成预定图案7202后再形成，例如通过蚀刻或切削的方式来形成。
图26是本发明第七实施例的LED支架的制造方法中多个相连的引线框示意图。图27是本发明第七实施例的LED支架的制造方法中多个LED支架的连接示意图。请参见图26与图27，本发明第七实施例还提供一种LED支架的制造方法，其与第五实施例的LED支架的制造方法相似，包括以下步骤。
步骤一，如图26所示，成型多个相连的引线框82，每个引线框82包括第一电极822及第二电极824。第一电极822具有相连的第一底部8222及第一翼部8224。第一翼部8224从第一底部8222朝远离第一底部8222的方向弯折延伸。第二电极824具有相连的第二底部8242及第二翼部8244。第二翼部8244从第二底部8242朝远离第二底部8242的方向弯折延伸。
特别的，在本实施例中，第一电极822还可包括第一支部8228，第一支部8228与第一底部8222相连；第二电极624还包括第三翼部8246、第四翼部8247与第二支部8448，第三翼部8246、第四翼部8247与第二支部6448分别与第二底部8242相连。
步骤二，如图27所示，将上述多个相连的引线框82设置在模具内，在该模具内在这些相连的引线框82上注塑成型多个绝缘载体84。每个绝缘载体84具有第一侧壁841、第二侧壁842及间隔部845。第一侧壁841与第二侧壁842相对，间隔部845位于第一侧壁841与第二侧壁842之间。第一侧壁841具有倾斜的第一内侧面，第二侧壁842具有倾斜的第二内侧面。第一翼8224部位于第一内侧面上，第二翼部8244位于第二内侧面上。
特别地，在本实施例中，每个绝缘载体84还可包括相对的第三侧壁843及第四侧壁844。第三侧843壁具有倾斜的第三内侧面，第四侧壁844具有倾斜的第四内侧面。第一侧壁841、第三侧壁843、第二侧壁842及第四侧壁844依次连接。间隔部845连接于第三侧壁843与第四侧壁844之间，间隔部845形成“ㄇ”型，且“ㄇ”型间隔部845开口一侧朝向第一侧壁841，“ㄇ”型间隔部845的两相对边分别位于第三侧壁和第四侧壁上。第三翼部8246位于第三内侧面843上，第四翼部8247位于第四内侧面844上。具体而言，第一底部8222与该“ㄇ”型间隔部845的内侧紧邻，第三翼部8246、第二底部8242、第四翼部8247分别与“ㄇ”型间隔部845的外侧紧邻。
步骤三，沿切口882、884切断该多个相连的引线框82及多个相连的绝缘载体84，从而形成单个LED支架，如图27所示。其中LED支架结构可与本发明第三实施例中LED支架500相同或相似。
图28本发明第八实施例的LED模组的剖面示意图。请参见图28，本发明第五实施例的LED模组包括绝缘载体94、引线框92及LED芯片96。其中绝缘载体94与引线框92所形成的LED与上述LED支架100相似。LED芯片96分别电性耦接于第一电极922的第一底部9222与第二电极924的第二底部9242。
综上所诉，上述LED支架及LED模组的引线框包括第一电极及第二电极，第一电极的第一翼部从第一底部朝第一侧壁的第一内侧面的方向弯折延伸且位于第一内侧面上，第二电极的第二翼部从第二底部朝第二侧壁的第二内侧面的方向弯折延伸且位于第二内侧面上；第一翼部和第二翼部可以覆盖绝缘载体的大部分表面，因此在组装成LED模组时，可以防止光线照射到绝缘载体致使绝缘载体变质，或者避免绝缘载体本身材料反射效率不高的问题。因此，上述LED支架能改善LED模组的反射率，且可使封装LED模组不受材料材质老化的影响，有效延长使用寿命。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种LED支架，其包括绝缘载体及引线框，该引线框与该绝缘载体相结合固定，其特征在于，该绝缘载体具有第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁及间隔部，该第一侧壁与该第二侧壁相对，该第三侧壁与该第四侧壁相对，该间隔部位于该第一侧壁与该第二侧壁之间，该第一侧壁具有倾斜的第一内侧面，该第二侧壁具有倾斜的第二内侧面；该引线框包括第一电极及第二电极，该第一电极及该第二电极位于该间隔部的两侧并通过该间隔部间隔绝缘，该第一电极具有相连的第一底部及第一翼部，该第一底部与该绝缘载体的该间隔部相邻，该第一翼部从该第一底部朝该第一内侧面的方向弯折延伸且位于该第一内侧面上，该第二电极具有相连的第二底部及第二翼部，该第二底部与该绝缘载体的该间隔部相邻，该第二翼部从该第二底部朝该第二内侧面的方向弯折延伸且位于该第二内侧面上，
其中，
该第一电极的第一底部的下表面从该LED支架的底部露出并与该绝缘载体的底部平齐；
该第二电极的第二底部的下表面从该LED支架的底部露出并与该绝缘载体的底部平齐；
该第一电极还包括第一支部，该第一支部自该第一底部朝向该第一侧壁与该第三侧壁或该第四侧壁的第一夹角处向外延伸，并且该第一支部远离该第一底部的侧表面与该绝缘载体的外侧面平齐；
该第二电极还包括第二支部，该第二支部自该第二底部朝向该第二侧壁与该第三侧壁或该第四侧壁的第二夹角处向外延伸，并且该第二支部远离该第一底部的侧表面与该绝缘载体的外侧面平齐。
2.如权利要求1所述的LED支架，其特征在于，该第三侧壁具有倾斜的第三内侧面，该第四侧壁具有倾斜的第四内侧面，该第一侧壁、该第三侧壁、该第二侧壁及该第四侧壁依次连接。
3.如权利要求2所述的LED支架，其特征在于，该间隔部连接于该第三侧壁与该第四侧壁之间；该第一电极还包括两个第一次翼部，该两个第一次翼部分别从该第一底部朝该第三内侧面与第四内侧面的方向弯折延伸且位于该第三内侧面及该第四内侧面上；该第二电极还包括两个第二次翼部，该两个第二次翼部分别从该第二底部朝该第三内侧面与第四内侧面的方向弯折延伸且位于该第三内侧面及该第四内侧面上。
4.如权利要求2所述的LED支架，其特征在于，该间隔部连接于该第一侧壁的两侧，且该间隔部形成“ㄇ”型；该第二电极还包括第三翼部及第四翼部，该第三翼部从该第二底部朝该第三内侧面的方向弯折延伸且位于该第三内侧面上，该第四翼部从该第二底部朝该第四内侧面的方向弯折延伸且位于该第四内侧面上。
5.如权利要求1所述的LED支架，其特征在于，该第一支部与该第一底部的厚度相同，该第一支部从该第一侧壁的底面及侧面露出。
6.如权利要求1所述的LED支架，其特征在于，该第一支部的厚度小于该第一底部的厚度，该第一支部从该第一侧壁的侧面露出。
7.一种LED支架的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步骤：成型多个相连的引线框，每个引线框包括第一电极及第二电极，该第一电极具有相连的第一底部及第一翼部，该第一翼部从该第一底部朝远离该第一底部的方向弯折延伸，该第二电极具有相连的第二底部及第二翼部，该第二翼部从该第二底部朝远离该第二底部的方向弯折延伸；
将上述多个相连的引线框设置在模具内，在该模具内该多个相连的引线框上注塑成型多个相连的绝缘载体，每个绝缘载体具有第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁及间隔部，该第一侧壁与该第二侧壁相对，该第三侧壁与该第四侧壁相对，该间隔部位于该第一侧壁与该第二侧壁之间，该第一侧壁具有倾斜的第一内侧面，该第二侧壁具有倾斜的第二内侧面；该第一翼部位于该第一内侧面上，该第二翼部位于该第二内侧面上；及
沿切口切断该多个相连的引线框及该多个相连的绝缘载体，
其中，
该第一电极的第一底部的下表面从该LED支架的底部露出并与该绝缘载体的底部平齐；
该第二电极的第二底部的下表面从该LED支架的底部露出并与该绝缘载体的底部平齐；
该第一电极还包括第一支部，该第一支部自该第一底部朝向该第一侧壁与该第三侧壁或该第四侧壁的第一夹角处向外延伸，并且该第一支部远离该第一底部的侧表面与该绝缘载体的外侧面平齐；
该第二电极还包括第二支部，该第二支部自该第二底部朝向该第二侧壁与该第三侧壁或该第四侧壁的第二夹角处向外延伸，并且该第二支部远离该第一底部的侧表面与该绝缘载体的外侧面平齐。
8.如权利要求7所述的LED支架的制造方法，其特征在于，该成型多个相连的引线框的步骤包括蚀刻、切割及/或冲压。
9.如权利要求7所述的LED支架的制造方法，其特征在于，该多个相连的引线框之间是通过连接支部相连，该连接支部是该第一电极的第一底部与该第二电极的第二底部分别向外延伸连接形成；在沿切口切断该多个相连的引线框过程中切断该连接支部时形成与第一电极的第一支部与第二电极的第二支部。
10.一种LED模组，其包括LED支架和LED芯片，该LED支架包括绝缘载体和引线框，该引线框与该绝缘载体相结合固定，其特征在于，该绝缘载体具有第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁及间隔部，该第一侧壁与该第二侧壁相对，该第三侧壁与该第四侧壁相对，该间隔部位于该第一侧壁与该第二侧壁之间，该第一侧壁具有倾斜的第一内侧面，该第二侧壁具有倾斜的第二内侧面；该引线框包括第一电极及第二电极，该第一电极及该第二电极位于该间隔部的两侧并通过该间隔部间隔绝缘，该第一电极具有相连的第一底部及第一翼部，该第一底部与该绝缘载体的该间隔部相邻，该第一翼部从该第一底部朝该第一内侧面的方向弯折延伸且位于该第一内侧面上，该第二电极具有相连的第二底部及第二翼部，该第二底部与该绝缘载体的该间隔部相邻，该第二翼部从该第二底部朝该第二内侧面的方向弯折延伸且位于该第二内侧面上；该LED芯片分别电性耦接于该第一底部与该第二底部，
其中，
该第一电极的第一底部的下表面从该LED支架的底部露出并与该绝缘载体的底部平齐；
该第二电极的第二底部的下表面从该LED支架的底部露出并与该绝缘载体的底部平齐；
该第一电极还包括第一支部，该第一支部自该第一底部朝向该第一侧壁与该第三侧壁或该第四侧壁的第一夹角处向外延伸，并且该第一支部远离该第一底部的侧表面与该绝缘载体的外侧面平齐；
该第二电极还包括第二支部，该第二支部自该第二底部朝向该第二侧壁与该第三侧壁或该第四侧壁的第二夹角处向外延伸，并且该第二支部远离该第一底部的侧表面与该绝缘载体的外侧面平齐。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110858616B (zh) * 2018-08-24 2021-03-19 广东锐陆光电科技有限公司 Led支架加工方法及led支架
CN110875404A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 芜湖聚飞光电科技有限公司 一种引线框架、支架及其制作方法、发光器件、发光装置
CN109065696A (zh) * 2018-10-29 2018-12-21 博罗县正润光电有限公司 一种led新型支架
DE102019119390A1 (de) * 2019-07-17 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zur herstellung eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003152228A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Ｌｅｄ用ケース及びｌｅｄ発光体
JP5122172B2 (ja) * 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101273083B1 (ko) * 2007-06-21 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광장치
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101007131B1 (ko) * 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
TW201031014A (en) * 2009-02-03 2010-08-16 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device and fabrication method thereof
US20120061695A1 (en) * 2009-03-24 2012-03-15 Kang Kim Light-emitting diode package
JP2012028699A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法
JP2012142410A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置
CN102769088B (zh) * 2011-05-05 2015-05-06 光宝新加坡有限公司 表面黏着型发光二极管封装结构及其制造方法
KR101873997B1 (ko) * 2011-06-24 2018-08-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
CN103000783A (zh) * 2011-09-19 2013-03-27 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
US20130161670A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Sheng-Yang Peng Light emitting diode packages and methods of making
KR20130124856A (ko) * 2012-05-07 2013-11-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
KR102042150B1 (ko) * 2012-09-13 2019-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
KR101504331B1 (ko) * 2013-03-04 2015-03-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
TWI513068B (zh) * 2013-07-12 2015-12-11 Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd 發光二極體結構、發光二極體結構的金屬支架、及承載座模組
DE102015109876A1 (de) * 2015-06-19 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP6394634B2 (ja) * 2016-03-31 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
JP6558389B2 (ja) * 2017-03-17 2019-08-14 日亜化学工業株式会社 リードフレーム

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