CN108735874B - 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺 - Google Patents

热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN108735874B
CN108735874B CN201810903084.8A CN201810903084A CN108735874B CN 108735874 B CN108735874 B CN 108735874B CN 201810903084 A CN201810903084 A CN 201810903084A CN 108735874 B CN108735874 B CN 108735874B
Authority
CN
China
Prior art keywords
epoxy resin
flat
led
led luminous
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810903084.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108735874A (zh
Inventor
刘明剑
朱更生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Opcso Optoelectronics Technology Co ltd
Original Assignee
Dongguan Opcso Optoelectronics Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Opcso Optoelectronics Technology Co ltd filed Critical Dongguan Opcso Optoelectronics Technology Co ltd
Priority to CN201810903084.8A priority Critical patent/CN108735874B/zh
Publication of CN108735874A publication Critical patent/CN108735874A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108735874B publication Critical patent/CN108735874B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED及其工艺,包括如下步骤:步骤1、先将平板状的金属板材通过蚀刻工艺获得若干平板状引脚;步骤2、将热固型环氧树脂材料在步骤1获得的金属板材上进行molding成型,以获得热固型环氧树脂框架;步骤3、将LED发光晶片、集成通讯IC分别于容纳腔内焊接固定于相应平板状引脚的顶面;步骤4、将环氧树脂封装胶水滴入容纳腔内,通过高温进行固化成型,环氧树脂封装胶水在容纳腔内固化成环氧树脂封装胶水部,以对LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚进行密闭式封装;步骤5、进行切割,获得单颗式LED。藉此,提高了产品防潮性能,同时,实现产品轻薄化,无过多被动元件,产品更加节能。

Description

热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED及其工艺
技术领域
本发明涉及LED领域技术,尤其是指一种热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED及其工艺。
背景技术
传统技术中,制作LED时,通常是采用将素材铜带冲压成设计之焊盘底板,进行电镀工艺,然后将PPA材料通过注塑机进行注塑成型(热塑型);再对已完成注塑的料带进行折弯并依要求进行裁切包装。
现有所采用的金属框架为热塑型 PPA、PCT 等材料进行注塑成型,此类封装材料因框架属于湿敏材料,极易吸湿受潮,对使用环境及保存要求较严格,在终端客户处不易管控,而受潮后的材料进行SMT工艺,极易损坏产品电气连接,引起失效;同时,热塑性金属框架,不易将产品高度降低,若降低产品高度,则易出现结构强度不佳或易断裂等不良。还有,现方案采用金属折弯,用于导电导热的引脚受限于金属引脚大小及结构限定,热量并不能有效导出;仅限定使用小功率产品,现有产品封装功率过低(通常是<0.2W),功率过高的话,会影响产品使用寿命。
因此,需要研究出一种新的技术方案来解决上述问题。
发明内容
有鉴于此,本发明针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED及其工艺,其提高了产品防潮性能,同时,实现产品轻薄化,无过多被动元件,产品更加节能。
为实现上述目的,本发明采用如下之技术方案:
一种热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED,包括有金属板、热固型环氧树脂框架、LED发光晶片、集成通讯IC及环氧树脂封装胶水部;其中:
所述金属板具有若干平板状引脚,所述热固型环氧树脂框架是molding成型于金属板上,平板状引脚的底面露于热固型环氧树脂框架的底面;所述热固型环氧树脂框架的顶端向下凹设有容纳腔,平板状引脚的顶面露于容纳腔内,LED发光晶片、集成通讯IC位于容纳腔内且分别焊接固定于相应平板状引脚的顶面,LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚之间形成电性连接;所述环氧树脂封装胶水部是经高温固化成型封装于容纳腔内,LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚被密封于环氧树脂封装胶水部内。
作为一种优选方案,所述金属板的平板状引脚具有铜基材层、自铜基材层的顶面依次向上镀设的上侧镀镍层、上侧镀银层,以及,自铜基材层的底面依次向下镀设的下侧镀镍层、下侧镀银层。
作为一种优选方案,所述若干平板状引脚分别定义为信号输入引脚、信号输出引脚、GND引脚、VDD引脚;LED发光晶片包括有红色LED发光晶片、蓝色LED发光晶片、绿色LED发光晶片;
前述集成通讯IC焊接固定于GND引脚上,蓝色LED发光晶片焊接固定于信号输出引脚上,红色LED发光晶片、绿色LED发光晶片则分别焊接固定于VDD引脚上。
一种热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED制作工艺,包括如下步骤
步骤1、先将平板状的金属板材通过蚀刻工艺获得若干平板状引脚;
步骤2、将热固型环氧树脂材料在步骤1获得的金属板材上进行molding成型,以获得热固型环氧树脂框架;其中:平板状引脚的底面露于热固型环氧树脂框架的底面;所述热固型环氧树脂框架的顶端向下凹设有容纳腔,平板状引脚的顶面露于容纳腔内;
步骤3、将LED发光晶片、集成通讯IC分别于容纳腔内焊接固定于相应平板状引脚的顶面,并将LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚之间形成电性连接;
步骤4、将环氧树脂封装胶水滴入容纳腔内,通过高温进行固化成型,环氧树脂封装胶水在容纳腔内固化成环氧树脂封装胶水部,以对LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚进行密闭式封装;
步骤5、进行切割,获得单颗式LED。
作为一种优选方案,步骤1中,对蚀刻工艺后获得若干平板状引脚的金属板材再进行电镀工艺。
作为一种优选方案,所述金属板材为铜板材,所述电镀工艺是指在铜板材的外表面先进行镀镍工艺,再进行镀银工艺,以在铜板材的顶面依次向上镀设有上侧镀镍层、上侧镀银层,以及,在铜板材的的底面依次向下镀设有下侧镀镍层、下侧镀银层。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知:
一、解决现有产品湿敏等级过高,不易终端应用的问题;采用本发明之技术方案,湿敏等级由原来的MSL6级至少可以提升到MSL4级;热固型材料较热塑性材料具有更高气密性,产品之湿敏等级则会更低,更易被终端所接受;热固型环氧树脂框架与环氧树脂封装胶水部属于同体系材料,相邻体系材料在受冷热冲时,所反应之内应力则相近,更能有效防护内部发光晶体及键合材料免受冲击,增强产品之可靠性;
二、解决现有产品封装高度过高,不易使用在小间距且高度空间有限的产品中;以及,解决现有产品封装功率过低问题(<0.2W)使用热固性框架,产品功率可用于0.5W以上,具有更高导热性,解决小间距高亮度难题;以实现产品轻薄化,无过多被动元件,产品之能效比更加高效,减少电能损耗在被动元件上,产品更加节能;本发明中,产品具有较高导电导热特性。
为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对本发明进行详细说明。
附图说明
图1是本发明之实施例的俯视图;
图2是本发明之实施例的仰视图;
图3是本发明之实施例的侧视图。
附图标识说明:
1、热固型环氧树脂框架 2、集成通讯IC
3、信号输入引脚 4、信号输出引脚
5、GND引脚 6、VDD引脚
7、红色LED发光晶片 8、蓝色LED发光晶片
9、绿色LED发光晶片 10、防呆凹位。
具体实施方式
请参照图1至图3所示,其显示出了本发明之实施例的具体结构。
一种热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED,包括有金属板、热固型环氧树脂框架1、LED发光晶片、集成通讯IC2及环氧树脂封装胶水部;其中:
所述金属板具有若干平板状引脚,所述热固型环氧树脂框架1是molding成型于金属板上,平板状引脚的底面露于热固型环氧树脂框架1的底面;通常,所述平板状引脚的底面与热固型环氧树脂框架1的底面保持大致齐平。所述热固型环氧树脂框架1的顶端向下凹设有容纳腔,平板状引脚的顶面露于容纳腔内,LED发光晶片、集成通讯IC位于容纳腔内且分别焊接固定于相应平板状引脚的顶面,LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚之间形成电性连接;所述环氧树脂封装胶水部是经高温固化成型封装于容纳腔内, LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚被密封于环氧树脂封装胶水部内。所述环氧树脂封装胶水部与容纳腔的内侧壁面形成密封式连接。
本实施例中,所述金属板的平板状引脚具有铜基材层、自铜基材层的顶面依次向上镀设的上侧镀镍层、上侧镀银层,以及,自铜基材层的底面依次向下镀设的下侧镀镍层、下侧镀银层。
所述若干平板状引脚分别定义为信号输入引脚3、信号输出引脚4、GND引脚5、VDD引脚6;LED发光晶片包括有红色LED发光晶片7、蓝色LED发光晶片8、绿色LED发光晶片9;
前述集成通讯IC2焊接固定于GND引脚5上,蓝色LED发光晶片8焊接固定于信号输出引脚4上,红色LED发光晶片7、绿色LED发光晶片9则分别焊接固定于VDD引脚6上。
接下来,介绍一种热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED制作工艺,包括如下步骤:
步骤1、先将平板状的金属板材通过蚀刻工艺获得若干平板状引脚;该步骤1中,对蚀刻工艺后获得若干平板状引脚的金属板材再进行电镀工艺。优选地,所述金属板材为铜板材,所述电镀工艺是指在铜板材的外表面先进行镀镍工艺,再进行镀银工艺,以在铜板材的顶面依次向上镀设有上侧镀镍层、上侧镀银层,以及,在铜板材的的底面依次向下镀设有下侧镀镍层、下侧镀银层;
步骤2、将热固型环氧树脂材料在步骤1获得的金属板材上进行molding成型,以获得热固型环氧树脂框架1;其中:平板状引脚的底面露于热固型环氧树脂框架1的底面;所述热固型环氧树脂框架1的顶端向下凹设有容纳腔,平板状引脚的顶面露于容纳腔内;容纳腔整体呈上大下小的碗状结构,容纳腔具有四个圆弧形拐角部位;对应下述设置有防呆凹位10的那个角位处的圆弧形拐角,其圆弧半径比另三个圆弧形拐角的圆弧半径大,另三个圆弧形拐角的圆弧半径通常是设计为相同,这样,方便区分。对比图1和图2,可知,平板状引脚露于容纳腔内时,相邻平板状引脚的间距较小;而平板状引脚露于热固型环氧树脂框架1的底面时,相邻平板状引脚的间距较大,也就是说热固型环氧树脂框架1的底部对平板状引脚的底面进行了部分遮挡式包覆,热固型环氧树脂框架1会填满相邻平板状引脚的间隙,热固型环氧树脂框架1的底部对各个平板状引脚的周边进行了包覆,仅在侧面给每个平板状引脚留下延伸至热固型环氧树脂框架1的底部侧面的窄小部位未遮住;热固型环氧树脂框架1的顶部对整个金属板材的周缘进行整环式包覆;因此,在确保产品薄型化的前提下,有效加强了热固型环氧树脂框架1与金属板材之间的结构牢固度、紧密度,提高了产品质量。以及,此处,在热固型环氧树脂框架1大致呈矩形结构,在热固型环氧树脂框架1的顶部的一个角位处设置有防呆凹位10;
步骤3、将LED发光晶片、集成通讯IC2分别于容纳腔内焊接固定于相应平板状引脚的顶面,并将LED发光晶片、集成通讯IC2、平板状引脚之间形成电性连接;
步骤4、将环氧树脂封装胶水滴入容纳腔内,通过高温进行固化成型,环氧树脂封装胶水在容纳腔内固化成环氧树脂封装胶水部,以对LED发光晶片、集成通讯IC2、平板状引脚进行密闭式封装;
步骤5、进行切割,获得单颗式LED;利用水刀沿设计切割道进行切割、分粒,最后进行光色电分选编带,真空包装入库。
本发明的设计重点在于,其主要是解决了现有产品湿敏等级过高,不易终端应用的问题;采用本发明之技术方案,湿敏等级由原来的MSL6级至少可以提升到MSL4级;热固型材料较热塑性材料具有更高气密性,产品之湿敏等级则会更低,更易被终端所接受;热固型环氧树脂框架与环氧树脂封装胶水部属于同体系材料,相邻体系材料在受冷热冲时,所反应之内应力则相近,更能有效防护内部发光晶体及键合材料免受冲击,增强产品之可靠性;
以及,解决现有产品封装高度过高,不易使用在小间距且高度空间有限的产品中;以及,解决现有产品封装功率过低问题(<0.2W)使用热固性框架,产品功率可用于0.5W以上,具有更高导热性,解决小间距高亮度难题;以实现产品轻薄化,无过多被动元件,产品之能效比更加高效,减少电能损耗在被动元件上,产品更加节能;本发明中,产品具有较高导电导热特性。
还有,本发明专利申请中,在确保产品薄型化的前提下,有效加强了热固型环氧树脂框架与金属板材之间的结构牢固度、紧密度,提高了产品质量。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明的技术范围作任何限制,故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (6)

1.一种热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED,其特征在于:包括有金属板、热固型环氧树脂框架、LED发光晶片、集成通讯IC及环氧树脂封装胶水部;其中:
所述金属板具有若干平板状引脚,所述热固型环氧树脂框架是molding成型于金属板上,平板状引脚的底面露于热固型环氧树脂框架的底面;所述热固型环氧树脂框架的顶端向下凹设有容纳腔,平板状引脚的顶面露于容纳腔内,LED发光晶片、集成通讯IC位于容纳腔内且分别焊接固定于相应平板状引脚的顶面,LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚之间形成电性连接;所述环氧树脂封装胶水部是经高温固化成型封装于容纳腔内,LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚被密封于环氧树脂封装胶水部内。
2.根据权利要求1所述的热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED,其特征在于:所述金属板的平板状引脚具有铜基材层、自铜基材层的顶面依次向上镀设的上侧镀镍层、上侧镀银层,以及,自铜基材层的底面依次向下镀设的下侧镀镍层、下侧镀银层。
3.根据权利要求1所述的热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED,其特征在于:所述若干平板状引脚分别定义为信号输入引脚、信号输出引脚、GND引脚、VDD引脚;LED发光晶片包括有红色LED发光晶片、蓝色LED发光晶片、绿色LED发光晶片;
前述集成通讯IC焊接固定于GND引脚上,蓝色LED发光晶片焊接固定于信号输出引脚上,红色LED发光晶片、绿色LED发光晶片则分别焊接固定于VDD引脚上。
4.一种热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED制作工艺,其特征在于:包括如下步骤
步骤1、先将平板状的金属板材通过蚀刻工艺获得若干平板状引脚;
步骤2、将热固型环氧树脂材料在步骤1获得的金属板材上进行molding成型,以获得热固型环氧树脂框架;其中:平板状引脚的底面露于热固型环氧树脂框架的底面;所述热固型环氧树脂框架的顶端向下凹设有容纳腔,平板状引脚的顶面露于容纳腔内;
步骤3、将LED发光晶片、集成通讯IC分别于容纳腔内焊接固定于相应平板状引脚的顶面,并将LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚之间形成电性连接;
步骤4、将环氧树脂封装胶水滴入容纳腔内,通过高温进行固化成型,环氧树脂封装胶水在容纳腔内固化成环氧树脂封装胶水部,以对LED发光晶片、集成通讯IC、平板状引脚进行密闭式封装;
步骤5、进行切割,获得单颗式LED。
5.根据权利要求4所述的热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED制作工艺,其特征在于:步骤1中,对蚀刻工艺后获得若干平板状引脚的金属板材再进行电镀工艺。
6.根据权利要求5所述的热固型封装支架与嵌入式通讯IC集成封装的LED制作工艺,其特征在于:所述金属板材为铜板材,所述电镀工艺是指在铜板材的外表面先进行镀镍工艺,再进行镀银工艺,以在铜板材的顶面依次向上镀设有上侧镀镍层、上侧镀银层,以及,在铜板材的的底面依次向下镀设有下侧镀镍层、下侧镀银层。
CN201810903084.8A 2018-08-09 2018-08-09 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺 Active CN108735874B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810903084.8A CN108735874B (zh) 2018-08-09 2018-08-09 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810903084.8A CN108735874B (zh) 2018-08-09 2018-08-09 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108735874A CN108735874A (zh) 2018-11-02
CN108735874B true CN108735874B (zh) 2024-02-13

Family

ID=63942519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810903084.8A Active CN108735874B (zh) 2018-08-09 2018-08-09 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108735874B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109287078B (zh) * 2018-11-20 2021-06-04 美智光电科技股份有限公司 铁基材线路板的制造方法、铁基材线路板和光源组件

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201430161Y (zh) * 2009-06-17 2010-03-24 宁波升谱光电半导体有限公司 一种led器件的封装结构
JP2010074124A (ja) * 2008-08-18 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体装置、光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法及びこのパッケージ基板を用いた光半導体装置の製造方法
TW201205899A (en) * 2010-07-30 2012-02-01 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting device package and method of manufacturing the same
CN202434510U (zh) * 2011-12-14 2012-09-12 四川柏狮光电技术有限公司 一种全彩贴片式发光二极管
CN203733831U (zh) * 2013-12-25 2014-07-23 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led封装支架模组及其单体、led封装结构
CN104505455A (zh) * 2014-12-19 2015-04-08 苏州天微工业技术有限公司 Led灯丝及其成型方法
CN106410022A (zh) * 2015-07-31 2017-02-15 佛山市国星光电股份有限公司 一种led封装器件的制造方法及led封装器件
CN209087897U (zh) * 2018-08-09 2019-07-09 东莞市欧思科光电科技有限公司 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010074124A (ja) * 2008-08-18 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体装置、光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法及びこのパッケージ基板を用いた光半導体装置の製造方法
CN201430161Y (zh) * 2009-06-17 2010-03-24 宁波升谱光电半导体有限公司 一种led器件的封装结构
TW201205899A (en) * 2010-07-30 2012-02-01 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting device package and method of manufacturing the same
CN202434510U (zh) * 2011-12-14 2012-09-12 四川柏狮光电技术有限公司 一种全彩贴片式发光二极管
CN203733831U (zh) * 2013-12-25 2014-07-23 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led封装支架模组及其单体、led封装结构
CN104505455A (zh) * 2014-12-19 2015-04-08 苏州天微工业技术有限公司 Led灯丝及其成型方法
CN106410022A (zh) * 2015-07-31 2017-02-15 佛山市国星光电股份有限公司 一种led封装器件的制造方法及led封装器件
CN209087897U (zh) * 2018-08-09 2019-07-09 东莞市欧思科光电科技有限公司 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"热固性支架封装 LED 器件性能研究";张顺;《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》;全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN108735874A (zh) 2018-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI528508B (zh) 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
US6770498B2 (en) LED package and the process making the same
KR100986211B1 (ko) 금속기판과 금속기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한표면실장형 엘이디 패키지
CN102072422A (zh) 大功率led光源模块封装结构
EP2399302A2 (en) Compact molded led module
US20120187437A1 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package
US7985001B2 (en) LED light fixture and method for manufacturing the same
TWI415309B (zh) Preform Molded Polycrystalline Bearing Modules with Lead Frame Type
CN102856464B (zh) 发光二极管封装结构及封装方法
US10211140B2 (en) Electronic device with die being sunk in substate
CN202308051U (zh) Led封装支架及led器件
CN108735874B (zh) 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺
US8716734B2 (en) Light emitting diode package having a portion of reflection cup material covering electrode layer on side surfaces of substrate
CN206340542U (zh) 一种qfn表面贴装式rgb‑led封装模组
CN104103734A (zh) 发光二极管封装结构
US20140061697A1 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
CN103367605A (zh) 一种薄膜型led器件及其制造方法
CN102779919B (zh) 半导体封装结构
CN209087897U (zh) 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led
CN112951968B (zh) 一种户外全彩显示屏smd led器件
TW201403888A (zh) 發光二極體的製造方法
CN104124320B (zh) 发光二极管
CN202150484U (zh) Led光源模块封装用凸杯底座结构
CN103094450A (zh) Led封装支架、led器件及led器件的制造方法
CN108695419A (zh) 一种具有白墙围挡的csp灯珠及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: No. 3 Shangmei Road, Qishi Town, Dongguan City, Guangdong Province, 523000

Applicant after: DONGGUAN OPCSO OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 523000 Lianxing Industrial Zone, Jiuwei Village, Qishi Town, Dongguan City, Guangdong Province

Applicant before: DONGGUAN OPCSO OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant