KR20120136814A - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 서브 마운트, 제1 전극, 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자, 상기 서브 마운트의 상면에 서로 이격하여 배치되는 제1 금속층과 제2 금속층, 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층, 및 상기 서브 마운트의 상면을 덮는 제1 반사층, 상기 서브 마운트와 상기 발광 소자 사이에 배치되고, 상기 제1 전극과 상기 제1 금속층을 전기적으로 연결하는 제1 범프부, 및 상기 서브 마운트와 상기 발광 소자 사이에 배치되고, 상기 제2 전극과 상기 제2 금속층을 전기적으로 연결하는 제2 범프부를 포함한다.

Description

발광 소자 패키지{A light emitting device package}
실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 소자가 조명용으로 응용되기 위해서는 LED를 이용하여 백색광을 얻을 수 있어야 한다. 백색 반도체 발광 장치를 구현하는 방법에는 크게 3가지가 알려져 있다.
첫 번째 방법은 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색을 내는 3개의 LED를 조합하여 백색을 구현하는 방법으로서, 발광 물질로는 InGaN, AlInGaP 형광체를 이용한다. 두 번째 방법은 자외선 LED를 광원으로 이용하여 삼원색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방법으로서, InGaN/R,G,B 형광체를 발광 물질로서 이용한다. 세 번째 방법은 청색 LED를 광원으로 이용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방법이며, 일반적으로 InGaN/YAG:Ce 형광체를 발광 물질로서 이용한다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 서브 마운트; 제1 전극, 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자; 상기 서브 마운트의 상면에 서로 이격하여 배치되는 제1 금속층과 제2 금속층; 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층, 및 상기 서브 마운트의 상면을 덮는 제1 반사층; 상기 서브 마운트와 상기 발광 소자 사이에 배치되고, 상기 제1 전극과 상기 제1 금속층을 전기적으로 연결하는 제1 범프부; 및 상기 서브 마운트와 상기 발광 소자 사이에 배치되고, 상기 제2 전극과 상기 제2 금속층을 전기적으로 연결하는 제2 범프부를 포함한다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 반사층을 관통하고, 상기 제1 금속층과 상기 제1 전극 사이에 배치되는 제3 전극; 및 상기 제1 반사층을 관통하고, 상기 제2 금속층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 제4 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 반사층은 굴절률이 서로 다른 복수 개의 층들이 적층된 구조일 수 있다. 상기 복수 개의 층들은 SiO2층 및 TiO2층을 포함할 수 있다.
상기 제1 반사층은 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층 각각의 상면과 측면을 덮고, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 사이의 서브 마운트 부분을 덮을 수 있다.
상기 제1 범프부는 상기 제1 전극과 접촉하는 제1 확산 방지 접착층; 상기 제3 전극과 접촉하는 제2 확산 방지 접착층; 및 상기 제1 확산 방지 접착층과 상기 제2 확산 방지 접착층 사이에 배치되는 제1 범퍼를 포함할 수 있다. 상기 제2 범프부는 상기 제2 전극과 접촉하는 제3 확산 방지 접착층; 상기 제4 전극과 접촉하는 제4 확산 방지 접착층; 및 상기 제3 확산 방지 접착층과 상기 제4 확산 방지 접착층 사이에 배치되는 제2 범퍼를 포함할 수 있다.
상기 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제2 도전형 반도체층과 접촉하는 오믹층; 및 상기 발광 구조물의 측면을 덮는 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하고, 상기 제2 전극은 상기 오믹층과 접촉할 수 있다. 상기 절연층은 분산 브래그 반사층일 수 있다. 상기 발광 소자는 상기 절연층 상에 배치되는 금속 반사층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 금속층, 제2 금속층, 및 상기 금속 반사층은 알루미늄(Al) 또는 로듐(Rh)을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자는 자외선을 발광할 수 있다.
다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 서브 마운트; 제1 전극, 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자; 상기 서브 마운트의 상면에 서로 이격하여 배치되는 제1 금속층과 제2 금속층; 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층, 및 상기 서브 마운트의 상면을 덮는 제1 반사층; 상기 발광 소자의 측면 상에 배치되는 제2 반사층; 상기 제1 전극과 상기 제1 금속층을 전기적으로 연결하는 제1 범프부; 및 상기 제2 전극과 상기 제2 금속층을 전기적으로 연결하는 제2 범프부를 포함한다.
상기 제1 반사층 및 제2 반사층은 분산 브래그 반사층일 수 있다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 2는 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타내다.
도 3은 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 4는 제4 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 5는 제5 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 6은 제5 실시 예에 따른 반사율의 실시 예를 나타낸다.
도 7은 제6 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 9a는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 9b는 도 9a에 도시된 표시 장치의 광원 부분의 단면도이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 단면도를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 서브 마운트(110), 발광 소자(120), 제1 금속층(115-1), 제2 금속층(115-2), 제1 반사층(130), 제3 전극(122), 및 제4 전극(124), 제1 범프부(140), 및 제2 범프부(150)를 포함한다.
서브 마운트(110)는 발광 소자(120)를 실장한다. 서브 마운트(110)는 패키지 몸체(package body) 또는 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board) 등으로 구현될 수 있으며, 발광 소자(100)가 플립 칩 본딩(flip chip bonding)될 수 있는 다양한 형태일 수 있다.
발광 소자(120)는 서브 마운트(110) 상에 배치되고, 제1 범프부(140) 및 제2 범프부(150)에 의하여 서브 마운트(110)와 전기적으로 연결된다.
발광 소자(120)는 기판(10), 발광 구조물(20), 오믹층(30), 절연층(40), 제1 전극(52), 및 제2 전극(54)을 포함한다. 도 1에서는 제1 전극(52) 및 제2 전극(54)이 서브 마운트(110)를 대향하도록 발광 소자(120)가 서브 마운트(110) 상에 배치되기 때문에 기판(10) 아래에 발광 구조물(20)이 배치되고, 발광 구조물(20) 아래에 오믹층(30)이 배치되고, 오믹층(30) 아래에 제2 전극(54)이 배치된다. 이하 도 1에 도시된 바에 따라 위치 관계를 설명한다.
발광 구조물(20)은 기판(10)의 일면 아래에 위치한다. 기판(10)은 투광성 기판, 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘(Si) 기판, 산화아연(ZnO) 기판, 및 질화물 반도체 기판 중 어느 하나 또는 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN, SiC, GaP, InP, Ga203, 및 GaAs 중에서 적어도 어느 하나가 적층된 템플레이트(Template) 기판일 수 있다. 도 1에서 기판(10)의 일면(12)은 서브 마운트(110)를 마주보는 기판(10)의 하면일 수 있다.
발광 구조물(20)은 복수의 3족 내지 5족 원소의 화합물 반도체층들(22,24,26)을 포함할 수 있다. 발광 구조물(20)은 제1 도전형 반도체층(22), 제1 도전형 반도체층(22) 아래에 위치하는 제2 도전형 반도체층(26), 및 제1 도전형 반도체층(22)과 제2 도전형 반도체층(26) 사이에 위치하는 활성층(24)을 포함할 수 있다.
발광 구조물(20)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다. 예컨대, 발광 구조물(20) 측면의 기울기는 기판(10)을 기준으로 0°보다 크고 90°보다 작거나 같을 수 있다.
제1 도전형 반도체층(22)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(22)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
활성층(24)은 제1 도전형 반도체층(22) 아래에 배치되며, 제2 도전형 반도체층(26) 및 제1 도전형 반도체층(22)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다. 활성층(24)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 활성층(24)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(Multi Quantum Well, MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
활성층(24)이 다중 양자 우물 구조인 경우, 활성층(24)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있다. 예컨대, 활성층(120)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 적어도 하나를 포함하는 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이때 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(26)은 활성층(24) 아래에 배치되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
활성층(24)과 제1 도전형의 반도체층(22) 사이, 또는 활성층(24)과 제2 도전형의 반도체층(26) 사이에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(clad layer, 미도시)이 형성될 수도 있으며, 클래드층은 AlGaN 또는 InAlGaN을 포함하는 반도체층일 수 있다.
상술한 설명에서는 제1 도전형 반도체층(22)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 도전형 반도체층(26)이 p형 반도체층을 포함하는 것을 예시하였으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 도전형 반도체층(22)이 p형 반도체층을 포함하고, 제2 도전형 반도체층(26)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한 제2 도전형 반도체층(26) 아래에 n형 또는 p형 반도체층이 배치될 수도 있다.
이에 따라 발광 구조물(20)은 np, pn, npn, 또는 pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 제1 도전형 반도체층(22) 및 제2 도전형 반도체층(26) 내의 도펀트의 도핑 농도는 균일할 수도 있고, 불균일할 수도 있다. 즉 발광 구조물(20)의 구조는 다양하게 변형될 수 있다.
발광 구조물(20)은 다양한 파장대의 빛을 발광 할 수 있다. 예컨대, 발광 구조물(20)은 UV 파장, 예컨대, 180nm ~ 400nm이 파장을 갖는 빛을 발광할 수 있다.
오믹층(30)은 제2 도전형 반도체층(26) 아래에 배치된다. 오믹층(30)은 제2 도전형 반도체층(26)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, WTi, V 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
발광 구조물(20)은 제1 도전형 반도체층(22)의 일 영역을 노출할 수 있다. 예컨대, 발광 구조물(20)은 제2 도전형 반도체층(26), 활성층, 및 제1 도전형 반도체층(22)의 일부가 식각되어 제1 도전형 반도체층(22)의 일 영역을 노출할 수 있다.
제1 전극(52)은 노출되는 제1 도전형 반도체층(22) 아래에 배치되고, 노출되는 제1 도전형 반도체층(22)과 접촉한다.
오믹층(30)은 제2 도전형 반도체층(26) 상에 배치되며, 제2 도전형 반도체층(26)과 오믹 접촉한다. 절연층(40)은 발광 구조물(20)의 상면 및 측면을 덮는다. 예컨대, 절연층(40)은 발광 구조물(20)의 측면 및 오믹층(30)을 덮을 수 있다.
또한 절연층(40)은 제1 전극(52)과 홈(210)의 측벽 사이에 배치되어, 제1 전극(52)이 활성층(24) 및 제2 도전형 반도체층(26)으로부터 전기적으로 절연되도록 할 수 있다. 제2 전극(54)은 오믹층(30) 아래에 배치된다. 제2 전극(54)은 절연층(40)을 관통하여 오믹층(30)과 접촉할 수 있다.
제1 전극(52) 및 제2 전극(54)은 전도성 금속, 예컨대, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, WTi, V 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
서브 마운트(110)는 제1 전극(52) 및 제2 전극(54) 아래에 배치된다. 서브 마운트(110)는 폴리프탈아미드(PolyPhthal Amide, PPA), 액정 고분자(Liquid Crystal Polymer, LCP), 폴리아미드9T(PolyAmide9T, PA9T), 등과 같은 수지, 금속, 감광성 유리(photo sensitive glass), 사파이어, 세라믹, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board) 등을 포함할 수 있다. 그러나 실시 예에 따른 서브 마운트(110)가 이러한 물질로 한정되는 것은 아니다.
제1 금속층(115-1) 및 제2 금속층(115-2)은 서브 마운트(110) 상면에 서로 이격하여 배치된다. 여기서 서브 마운트(110)의 상면은 발광 소자(20)에 대향하는 면일 수 있다.
제1 금속층(115-1)과 제1 전극(52)은 서로 수직 방향으로 정렬되고, 제2 금속층(155-2)과 제2 전극(54)은 서로 수직 방향으로 정렬될 수 있다. 여기서 수직 방향은 서브 마운트(110)로부터 발광 소자(120)로 향하는 방향일 수 있다.
제1 금속층(115-1) 및 제2 금속층(115-2)은 전도성 금속, 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 로듐(Rh)일 수 있다.
제1 반사층(130)은 제1 금속층(115-1), 제2 금속층(115-2), 및 서브 마운트(110)의 상면을 덮는다. 제1 반사층(130)은 발광 소자로부터 입사하는 빛을 반사시킨다.
제1 반사층(130)은 제1 금속층(115-1) 및 제2 금속층(115-2) 각각의 상면과 측면을 덮고, 제1 금속층(115-1)과 제2 금속층(115-2) 사이의 서브 마운트(110) 부분을 덮는다.
제1 반사층(130)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 개의 층을 적어도 1회 이상 교대로 적층한 복층 구조를 가지는 분산 브래그 반사층(Distributed Bragg Reflective layer)일 수 있으며, 발광 소자(120)로부터 입사되는 빛을 반사시킨다. 즉 제1 반사층(130)은 굴절률이 상대적으로 큰 제1 층 및 굴절률이 상대적으로 낮은 제2 층이 교대로 적층된 구조일 수 있다.
제1 층은 TiO2와 같은 제1 유전체층을 포함하며, 제2 층은 SiO2와 같은 제2 유전체층을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 반사층(130)은 TiO2/SiO2층이 적어도 1회 이상 적층된 구조일 수 있다. 또한 분산 브래그 반사층은 제1 금속층(115-1) 및 제2 금속층(115-2)이 산화되는 것을 방지할 수 있다. 그리고 제1층 및 제2층 각각의 두께는 λ/4이고, λ은 발광 소자에서 발생하는 광의 파장을 의미한다.
제3 전극(122)은 제1 반사층(130)을 관통하여 제1 금속층(115-1)과 접촉하고, 제4 전극(124)은 제1 반사층(130)을 관통하여 제2 금속층(115-2)과 접촉할 수 있다.
제3 전극(122)은 제1 금속층(115-1) 상에 배치되고, 하면이 제1 금속층(115-1)과 접촉하며, 상면이 제1 반사층(130)으로부터 노출될 수 있다. 또한 제4 전극(124)은 제2 금속층(115-2) 상에 배치되고, 하면이 제2 금속층(115-2)과 접촉하며, 상면이 제1 반사층(130)으로부터 노출될 수 있다.
제1 범프부(140) 및 제2 범프부(150)는 서브 마운트(110) 상에 서로 이격되어 배치된다. 제1 범프부(140)는 제1 전극(52)과 제3 전극(122) 사이에 배치되고, 제1 전극(52)과 제3 전극(122)을 전기적으로 연결한다. 제2 범프부(150)는 제2 전극(54)과 제4 전극(124) 사이에 배치되고, 제2 전극(54)과 제4 전극(124)을 전기적으로 연결한다.
제1 범프부(140)는 제1 확산 방지 접착층(141), 제1 범퍼(bumper, 142), 및 제2 확산 방지 접착층(143)을 포함한다. 제1 범퍼(142)는 제1 전극(52)과 제3 전극(122) 사이에 배치되며, 제1 전극(52)과 제3 전극(122)을 전기적으로 연결한다.
예컨대, 제1 범퍼(142)의 일단은 제1 전극(52)의 상면과 전기적으로 연결되고, 나머지 다른 일단은 제3 전극(122)의 상면과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 확산 방지 접착층(142)은 제1 전극(52)과 제1 범퍼(142) 사이에 배치되고, 제1 전극(52)과 제1 범퍼(142)를 접합시킨다. 제1 확산 방지 접착층(142)은 제1 범퍼(142)와 제1 전극(52) 사이의 접착력을 향상시키고, 제1 범퍼(142)에 포함된 이온이 제1 전극(52)을 통하여 발광 구조물(20)로 침투 또는 확산하는 것을 방지하는 역할을 한다.
제2 확산 방지 접착층(143)은 제1 범퍼(142)와 제3 전극(122) 사이에 배치되고, 제1 범퍼(142)와 제3 전극(122)을 접합시킨다. 제2 확산 방지 접착층(143)은 제1 범퍼(142)와 제3 전극(122) 사이의 접착력을 향상시키고, 제1 범퍼(142)에 포함된 이온이 제3 전극(122)을 통하여 서브 마운트(110)로 침투 또는 확산하는 것을 방지하는 역할을 한다.
제2 범프부(150)는 제3 확산 방지 접착층(151), 제2 범퍼(152), 및 제4 확산 방지 접착층(153)을 포함한다. 제2 범퍼(152)는 제2 전극(54)과 제4 전극(124) 사이에 배치되며, 제2 전극(54)과 제4 전극(124)을 전기적으로 연결한다.
예컨대, 제2 범퍼(152)의 일단은 제2 전극(54)의 상면과 전기적으로 연결되고, 나머지 다른 일단은 제4 전극(124)의 상면과 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 확산 방지 접착층(151)은 제2 전극(54)과 제2 범퍼(152) 사이에 배치되고, 제2 전극(54)과 제2 범퍼(152)를 접합시킨다. 제3 확산 방지 접착층(151)은 제2 범퍼(152)와 제2 전극(54) 사이의 접착력을 향상시키고, 제2 범퍼(152)에 포함된 이온이 제2 전극(54)을 통하여 발광 구조물(20)로 침투 또는 확산하는 것을 방지하는 역할을 한다.
제4 확산 방지 접착층(153)은 제2 범퍼(152)와 제4 전극(124) 사이에 배치되고, 제2 범퍼(152)와 제4 전극(124)을 접합시킨다. 제4 확산 방지 접착층(153)은 제2 범퍼(152)와 제4 전극(124) 사이의 접착력을 향상시키고, 제2 범퍼(152)에 포함된 이온이 제4 전극(124)을 통하여 서브 마운트(110)로 침투 또는 확산하는 것을 방지하는 역할을 한다.
제1 내지 제4 확산 방지 접착층(141,143,151,153)은 Pt, Ti, W/Ti, Au 중 적어도 하나 또는 이들의 합금일 수 있다. 제1 및 제2 범프(142,152)는 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 및 주석(Sn) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일반적으로 은(Ag)을 이용하는 반사층은 UV 영역에서 반사율이 90% 정도이다. 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)는 UV 영역에서 반사율이 높은 제1 반사층(130)을 서브 마운트(110)의 상면에 배치하여, 반사율을 향상시킬 수 있다. 또한 서브 마운트(110) 상에 제1 반사층(130)을 형성하는 것이 일반적으로 발광 소자에 반사층을 형성하는 것보다 공정상 용이한 장점이 있다.
또한 실시 예는 UV 영역의 빛을 발생하는 발광 소자로서, 제2 도전형 반도체층(26)과 제2 전극(54) 사이에 전도층, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide)을 포함하지 않는다. 왜냐하면, 이와 같은 전도층은 UV 영역의 빛을 잘 흡수하기 때문이다.
도 2는 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 단면도를 나타내다. 도 1에 도시된 실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략한다.
도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 서브 마운트(110), 발광 소자(120-1), 제1 금속층(115-1), 제2 금속층(115-2), 제1 반사층(130), 제3 전극(122), 및 제4 전극(124), 제1 범프부(140), 및 제2 범프부(150)를 포함한다.
발광 소자(120-1)는 기판(10), 발광 구조물(20), 오믹층(30), 절연층(40), 제1 전극(52), 제2 전극(54), 및 제2 반사층(60)을 포함한다.
제2 반사층(60)은 절연층(40) 상에 배치되며, 발광 소자(20)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
제2 반사층(60)은 자외선 반사율이 좋은 알루미늄(Al), 또는 Rh일 수 있다. 또는 제2 반사층(60)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 개의 층을 적어도 1회 이상 교대로 적층한 복층 구조를 가지는 분산 브래그 반사층(Distributed Bragg Reflective layer)일 수 있다. 제2 반사층(60)은 발광 소자(120)의 측면으로 입사되는 빛을 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 3은 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)의 단면도를 나타낸다. 도 1에 도시된 실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 제3 실시 예의 발광 소자(120-2)에 포함된 절연층(210)은 제1 반사층이다. 예컨대, 절연층(210)은 굴절률이 서로 다른 SiO2층과 TiO2층이 적층된 구조일 수 있으며, 적어도 한 쌍의 SiO2층 및 TiO2층을 포함할 수 있다. 이때 SiO2층의 두께는 파장과 물질 계수에 따라 한정될 수 있다. 예컨대, SiO2의 두께는 65.9nm, TiO2의 두께는 37.6nm일 수 있다. 절연층(210)은 발광 소자(20)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)는 UV 영역에서 반사율이 높은 제1 반사층(130)을 서브 마운트(110)의 상면에 배치하여, 반사율을 향상시킬 수 있다. 또한 서브 마운트(110) 상에 제1 반사층(130)을 형성하는 것이 일반적으로 발광 소자에 반사층을 형성하는 것보다 공정상 용이한 장점이 있다.
도 4는 제4 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(400)의 단면도를 나타낸다. 도 1에 도시된 실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지(400)는 서브 마운트(110), 발광 소자(120-1), 제1 금속층(115-1), 제2 금속층(115-2), 제3 반사층(310), 제3 전극(122), 및 제4 전극(124), 제1 범프부(140), 및 제2 범프부(150)를 포함한다.
제4 실시 예의 제3 반사층(310)은 제1 DBR층(130-1) 및 제2 DBR층(130-2)을 포함하며, 발광 소자(120)로부터 입사되는 빛을 반사한다. 제1 DBR층(130-1) 및 제2 DBR층 각각은 SiO2 및 TiO2층이 적층된 층일 수 있다.
제1 DBR층(130-1) 및 제2 DBR층(130-2) 각각의 두께는 파장과 물질 계수에 따라 한정될 수 있다. 예컨대, 제1 DBR층(130-1) 및 제2 DBR층(130-2) 각각에 포함되는 SiO2의 두께는 65.9nm이고, TiO2의 두께는 37.6nm일 수 있다.
도 5는 제5 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(500)의 단면도를 나타낸다. 도 1에 도시된 실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 발광 소자 패키지(500)는 서브 마운트(110), 발광 소자(120-1), 제1 금속층(115-1), 제2 금속층(115-2), 제4 반사층(410), 제3 전극(122), 및 제4 전극(124), 제1 범프부(140), 및 제2 범프부(150)를 포함한다.
제5 실시 예의 제4 반사층(410)은 제1 DBR층(130-1), 제2 DBR층(130-2), 및 제3 DBR층(130-3)을 포함하며, 발광 소자(120)로부터 입사되는 빛을 반사한다. 제1 내지 제3 DBR층들(130-1,130-2,130-3) 각각은 SiO2 및 TiO2층이 적층된 층일 수 있다.
도 6은 제5 실시 예에 따른 반사율의 실시 예를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 발광 소자가 발생하는 빛의 파장이 300nm ~ 400nm인 영역에서 제1 반사층의 반사율은 제1 실시 예, 제2 실시 예, 및 제3 실시 예 순서로 크다. 또한 300nm ~ 400nm 영역에서 제5 실시 예의 제4 반사층(410)은 97% 이상의 반사율을 가질 수 있다.
실시 예는 서브 마운트(110) 상에 배치되는 제4 반사층(410)에 의하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 특히 발광 소자(110) 아래에 위치하는 제1 금속층(122)과 제2 금속층(124) 사이에 해당하는 서브 마운트(110)의 영역에도 제3 반사층(130)이 배치되기 때문에 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한 실시 예는 제4 반사층(410)이 제1 금속층(122)과 제2 금속층(124)을 덮기 때문에 제1 금속층(122)과 제2 금속층(124)의 산화를 방지할 수 있다.
도 7은 제6 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다. 도 1에 도시된 실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지(600)는 서브 마운트(110), 발광 소자(120), 제1 금속층(115-1), 제2 금속층(115-2), 제5 반사층(130-1), 제3 전극(122), 및 제4 전극(124), 절연층(135), 제1 범프부(140), 및 제2 범프부(150)를 포함한다. 발광 소자 패키지(600)는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)에 추가적으로 절연부(135)를 더 포함한다.
제1 금속층(115-1) 및 제2 금속층(115-2)은 서브 마운트(110) 상면에 서로 이격하여 배치되고, 제5 반사층(130-1)은 제1 금속층(115-1) 및 제2 금속층(115-2) 각각의 상면과 측면을 덮고, 제1 금속층(115-1)과 제2 금속층(115-2) 사이의 서브 마운트(110) 부분을 덮는다.
제5 반사층(130-1)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 개의 층을 적어도 1회 이상 교대로 적층한 복층 구조를 가지는 분산 브래그 반사층(Distributed Bragg Reflective layer)일 수 있으며, 발광 소자(120)로부터 입사되는 빛을 반사시킨다.
제5 반사층(130-1)은 굴절률이 상대적으로 큰 제1 층 및 굴절률이 상대적으로 낮은 제2 층이 교대로 적층된 구조일 수 있다. 이때 제1 층은 AlGaAs와 같은 제1 반도체층을 포함하며, 제2 층은 AlAs와 같은 제2 반도체층을 포함할 수 있다. 예컨대, 제5 반사층(130-1)은 AlGaAs/AlAs층이 적어도 1회 이상 적층된 구조일 수 있다.
또한 상기 제5 반사층(130-1)은 금속 물질, 예컨대, Al 또는 Rh를 포함하는 금속 반사층일 수 있다.
제3 전극(122)은 제1 금속층(115-1) 상에 배치되고, 제4 전극(124)은 제2 금속층(115-2) 상에 배치될 수 있다.
절연층(135)은 제5 반사층(130-1)과 제1 금속층(115-1) 사이, 제5 반사층(130-1)과 제2 금속층(115-2), 제5 반사층(130-1)과 제3 전극(122) 사이, 및 제5 반사층(130-1)과 제4 전극(124) 사이에 배치되며, 제5 반사층(130-1)이 제1 금속층(115-1), 제2 금속층(115-2), 제3 전극(122), 및 제4 전극(124)과 전기적으로 접촉하는 것을 방지하여 발광 소자 패키지(600)가 쇼트(short)되는 것을 방지할 수 있다. 제6 실시 예는 제5 반사층(130-1)에 의하여 발광 소자 패키지의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 8을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과 광원(7500)이 내장되는 하우징(700)과 광원(750)의 열을 방출하는 방열부(740) 및 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.
하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함한다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.
하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비되며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.
광원(750)은 기판(754) 상에 구비되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함한다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다. 복수 개의 발광 소자 패키지는 상술한 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.
광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.
도 9a는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타내고, 도 9b는 도 8a에 도시된 표시 장치의 광원 부분의 단면도이다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 표시 장치는 백라이트 유닛 및 액정 표시 패널(860), 탑 커버(Top cover, 870), 고정부재(850)를 포함한다.
백라이트 유닛은 바텀 커버(Bottom cover, 810)와, 바텀 커버(810)의 내부의 일측에 마련되는 발광 모듈(880)과, 바텀 커버(810)의 전면에 배치되는 반사판(820)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(880)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(830)과, 도광판(30)의 전방에 배치되는 광학 부재(840)를 포함한다. 액정 표시 장치(860)는 광학 부재(840)의 전방에 배치되며, 탑 커버(870)는 액정 표시 패널(860)의 전방에 마련되며, 고정 부재(850)는 바텀 커버(810)와 탑 커버(870) 사이에 배치되어 바텀 커버(810)와 탑 커버(870)를 함께 고정시킨다.
도광판(830)은 발광 모듈(880)에서 방출되는 광이 면광원 형태로 출사되도록 안내하는 역할을 하고, 도광판(830)의 후방에 배치되는 반사판(820)은 발광 모듈(880)에서 방출된 광이 도광판(830)방향으로 반사되도록 하여 광 효율을 높이는 역할을 한다. 다만, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(830)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다. 여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(830)은 발광 모듈(880)에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
광학 부재(840)가 도광판(830)의 상부에 구비되어 도광판(830)에서 출사되는 빛을 소정 각도로 확산시킨다. 광학 부재(840)는 도광판(830)에 의해 인도된 빛을 액정 표시 패널(860) 방향으로 균일하게 조사되도록 하다. 광학 부재(840)로는 확산 시트, 프리즘 시트 또는 보호 시트 등의 광학 시트가 선택적으로 적층되거나, 마이크로 렌즈 어레이를 사용할 수도 있다. 이때, 복수 개의 광학 시트를 사용할 수도 있으며, 광학 시트는 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지 또는 실리콘 수지 등과 같은 투명 수지로 이루어질 수 있다. 그리고, 상술한 프리즘 시트 내에 형광 시트가 포함될 수도 있음은 상술한 바와 동일하다.
광학 부재(840)의 전면에는 액정 표시 패널(860)이 구비될 수 있다. 여기서, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있음은 당연하다. 바텀 커버(810) 상에는 반사판(820)이 놓이게 되고, 반사판(820)의 위에는 도광판(830)이 놓이게 된다. 그리하여 반사판(820)은 방열부재(미도시)와 직접 접촉될 수도 있다. 발광 모듈(880)은 발광 소자 패키지(882) 및 인쇄회로기판(881)을 포함한다. 발광 소자 패키지(882)는 인쇄회로기판(881) 상에 실장된다. 여기서 발광 소자 패키지(881)은 상술한 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.
인쇄회로기판(881)은 브라켓(812) 상에 접합될 수 있다. 여기서, 브라켓(812)은 발광 소자 패키지(882)의 고정 외에 열방출을 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 있고, 도시되지는 않았으나, 브라켓(812)과 발광 소자 패키지(882) 사이에는 열 패드가 구비되어 열 전달을 용이하게 할 수 있다. 그리고, 브라켓(812)는 도시된 바와 같이 'ㄴ'자 타입으로 구비되어, 가로부(812a)는 바텀 커버(810)에 의하여 지지되고, 세로부(812b)는 인쇄회로기판(881)을 고정할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10: 기판 20: 발광 구조물
22: 제1 도전형 반도체층 24: 활성층
26: 제2 도전형 반도체층 30: 오믹층
40: 절연층 52: 제1 전극
54: 제2 전극 60: 금속 반사층
110: 서브 마운트 120: 발광 소자
130: 제1 반사층 140: 제1 범프부
141,143,151,153: 확산 방지 접착층 142,152: 범퍼
150: 제2 범프부 115-1: 제1 금속층
115-2: 제2 금속층 122: 제3 전극
124: 제4 전극.

Claims (13)

  1. 서브 마운트;
    제1 전극, 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자;
    상기 서브 마운트의 상면에 서로 이격하여 배치되는 제1 금속층과 제2 금속층;
    상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층, 및 상기 서브 마운트의 상면을 덮는 제1 반사층;
    상기 서브 마운트와 상기 발광 소자 사이에 배치되고, 상기 제1 전극과 상기 제1 금속층을 전기적으로 연결하는 제1 범프부; 및
    상기 서브 마운트와 상기 발광 소자 사이에 배치되고, 상기 제2 전극과 상기 제2 금속층을 전기적으로 연결하는 제2 범프부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사층을 관통하고, 상기 제1 금속층과 상기 제1 전극 사이에 배치되는 제3 전극; 및
    상기 제1 반사층을 관통하고, 상기 제2 금속층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 제4 전극을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 반사층은,
    굴절률이 서로 다른 복수 개의 층들이 적층된 구조인 발광 소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 반사층은,
    상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층 각각의 상면과 측면을 덮고, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 사이의 서브 마운트 부분을 덮는 발광 소자 패키지.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 범프부는,
    상기 제1 전극과 접촉하는 제1 확산 방지 접착층;
    상기 제3 전극과 접촉하는 제2 확산 방지 접착층; 및
    상기 제1 확산 방지 접착층과 상기 제2 확산 방지 접착층 사이에 배치되는 제1 범퍼를 포함하며,
    상기 제2 범프부는,
    상기 제2 전극과 접촉하는 제3 확산 방지 접착층;
    상기 제4 전극과 접촉하는 제4 확산 방지 접착층; 및
    상기 제3 확산 방지 접착층과 상기 제4 확산 방지 접착층 사이에 배치되는 제2 범퍼를 포함하는 발광 소자 패키지.
  6. 제3항에 있어서,
    복수 개의 층들은 SiO2층 및 TiO2층을 포함하는 발광 소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는,
    제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 제2 도전형 반도체층과 접촉하는 오믹층; 및
    상기 발광 구조물의 측면을 덮는 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하고, 상기 제2 전극은 상기 오믹층과 접촉하는 발광 소자 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 절연층은 분산 브래그 반사층인 발광 소자 패키지.
  9. 제8항에 있어서, 상기 발광 소자는,
    상기 절연층 상에 배치되는 금속 반사층을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 금속층, 제2 금속층, 및 상기 금속 반사층은,
    알루미늄(Al) 또는 로듐(Rh)을 포함하는 발광 소자 패키지.
  11. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는,
    자외선을 발광하는 발광 소자 패키지.
  12. 서브 마운트;
    제1 전극, 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자;
    상기 서브 마운트의 상면에 서로 이격하여 배치되는 제1 금속층과 제2 금속층;
    상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층, 및 상기 서브 마운트의 상면을 덮는 제1 반사층;
    상기 발광 소자의 측면 상에 배치되는 제2 반사층;
    상기 제1 전극과 상기 제1 금속층을 전기적으로 연결하는 제1 범프부; 및
    상기 제2 전극과 상기 제2 금속층을 전기적으로 연결하는 제2 범프부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 반사층과 상기 제1 금속층 사이, 및 제1 반사층과 제2 금속층 사이에 배치되는 절연층을 더 포함하며,
    상기 제1 반사층 및 제2 반사층은 금속 반사층 또는 분산 브래그 반사층인 발광 소자 패키지.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101446732B1 (ko) * 2013-01-10 2014-10-06 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20150004569A (ko) * 2013-07-03 2015-01-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20150012950A (ko) * 2013-07-26 2015-02-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR20160014341A (ko) * 2014-07-29 2016-02-11 에피스타 코포레이션 광전소자 및 그 제조방법
KR20160049252A (ko) * 2014-10-27 2016-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US9466768B2 (en) 2012-01-13 2016-10-11 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with a light-reflecting face
KR20170011823A (ko) * 2015-07-24 2017-02-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20170071305A (ko) * 2015-12-15 2017-06-23 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20170077367A (ko) * 2015-12-28 2017-07-06 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광소자 패키지
KR20170082899A (ko) * 2016-01-07 2017-07-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US10529893B2 (en) 2014-07-03 2020-01-07 Epistar Corporation Optoelectronic device and method for manufacturing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050052741A (ko) * 2003-12-01 2005-06-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광장치
KR20050070459A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 주식회사 이츠웰 수직형 전극 구조를 가지는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20060028920A (ko) * 2004-09-30 2006-04-04 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드
KR20090080217A (ko) * 2008-01-21 2009-07-24 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050052741A (ko) * 2003-12-01 2005-06-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광장치
KR20050070459A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 주식회사 이츠웰 수직형 전극 구조를 가지는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20060028920A (ko) * 2004-09-30 2006-04-04 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드
KR20090080217A (ko) * 2008-01-21 2009-07-24 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9466768B2 (en) 2012-01-13 2016-10-11 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with a light-reflecting face
KR101446732B1 (ko) * 2013-01-10 2014-10-06 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20150004569A (ko) * 2013-07-03 2015-01-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20150012950A (ko) * 2013-07-26 2015-02-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US11908975B2 (en) 2014-07-03 2024-02-20 Epistar Corporation Optoelectronic device and method for manufacturing the same
US11011679B2 (en) 2014-07-03 2021-05-18 Epistar Corporation Optoelectronic device and method for manufacturing the same
US10529893B2 (en) 2014-07-03 2020-01-07 Epistar Corporation Optoelectronic device and method for manufacturing the same
KR20160014341A (ko) * 2014-07-29 2016-02-11 에피스타 코포레이션 광전소자 및 그 제조방법
EP3016152B1 (en) * 2014-10-27 2019-05-15 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting apparatus including the package
US9559264B2 (en) 2014-10-27 2017-01-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light emitting apparatus including the package
JP2016086159A (ja) * 2014-10-27 2016-05-19 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びそれを含む発光装置
KR20160049252A (ko) * 2014-10-27 2016-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR20170011823A (ko) * 2015-07-24 2017-02-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20170071305A (ko) * 2015-12-15 2017-06-23 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20170077367A (ko) * 2015-12-28 2017-07-06 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광소자 패키지
KR20170082899A (ko) * 2016-01-07 2017-07-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지

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