KR20170077367A - 자외선 발광소자 패키지 - Google Patents

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KR20170077367A
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Abstract

본 발명은 기판층, 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 상기 기판층과 상기 발광 구조물을 전기적으로 연결시키도록 구비되는 금속층 및 상기 기판층과 상기 금속층 사이에 배치되어 상기 발광 구조물에서 방출하는 광을 반사시키는 반사층을 포함하는 발광소자 패키지에 관한 것이다.

Description

자외선 발광소자 패키지{ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
실시 예는 자외선 발광 소자에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
반도체의 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있다. 또한, 발광 소자는 형광 물질을 이용하여 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현할 수 있으며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, 액정 표시 장치(LCD:Liquid Crystal Display)의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호 등에까지 발광 소자의 응용이 확대되고 있다.
최근, 자외선 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지는 생산비 절감으로 인한 저가격, 패키지 사이즈를 감소시키는 소형화에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
발광소자 패키지를 소형화 하게 되면 방열 면적이 감소되어 발광소자에서 발생한 열을 제대로 외부로 방출하지 못하게 되는 문제가 있다.
이를 위하여, 발광소자의 하부면에 배치되는 서브마운트를 제거하게 되면 하부에 발광소자에서 방출하는 자외선을 반사하는 UV 반사체가 함께 제거되게 되는 결과가 발생하여 광 출력이 감소하는 문제가 있다.
실시 예의 발광소자 패키지는 소형화를 함과 동시에 발광소자에서 발생한 열을 외부로 효과적으로 방출하며, 나아가 광 출력이 감소되는 것을 방지하는 자외선 발광소자 패키지를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
본 발명은 전술한 과제를 해결하기 위하여 기판층, 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 상기 기판층과 상기 발광 구조물을 전기적으로 연결시키도록 구비되는 금속층 및 상기 기판층과 상기 금속층 사이에 배치되어 상기 발광 구조물에서 방출하는 광을 반사시키는 반사층을 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 금속층은 상기 제1 도전형 반도체층에 전류를 공급하는 경로를 제공하는 제1 금속층 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전류를 공급하는 경로를 제공하는 제2 금속층을 포함하는 발광 소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층은 소정 간격 이격되도록 배치되고, 상기 제1 금속층의 하부면 및 상기 제2 금속층의 하부면은 상기 반사층의 상부면과 면 접촉 하도록 구비되는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 금속층의 단면적은 아래의 관계식에 의해 정해지는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
Figure pat00001
상기 수식에서 I는 허용 전류 밀도를 의미하고, k는 상수를 의미하는데 상기 금속층의 내부에서의 k는 0.024, 외부에서의 k는 0.048이며, T는 주위온도(Ambient temperature)를 기준으로 증가한 온도 및 A는 상기 금속층의 단면적을 의미한다.
또한, 상기 기판층은 산화 알류미늄(Al2O3), 질화 알류미늄(AlN) 또는 질화 규소(Si3N4)중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 반사층은 Al 또는 Teflon중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 기판층, 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 상기 기판층과 상기 발광 구조물을 전기적으로 연결시키도록 구비되는 금속층 및 적어도 일 면은 상기 금속층과 면 접촉 하고 적어도 다른 일 면은 상기 금속층과 면 접촉 하도록 배치되어 상기 발광 구조물에서 방출하는 광을 반사시키는 반사층을 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 금속층은 상기 제1 도전형 반도체층에 전류를 공급하는 경로를 제공하는 제1 금속층 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전류를 공급하는 경로를 제공하는 제2 금속층을 포함하고, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층은 소정 간격 이격되도록 배치되며, 상기 제1 금속층의 하부면 및 상기 제2 금속층의 하부면은 상기 기판층의 상부면과 면 접촉 하도록 구비되고, 상기 제1 금속층의 측면 및 상기 제2 금속층의 측면은 상기 반사층의 측면과 면 접촉하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 반사층은 Al 또는 Teflon중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 기판층, 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 상기 기판층과 상기 발광 구조물을 전기적으로 연결시키도록 구비되는 금속층 및 상기 금속층상에 배치되어 상기 발광 구조물에서 방출하는 광을 반사시키는 반사층을 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 금속층은 적어도 하나의 단차부를 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 반사층은 상기 단차부 상에 배치되며, Teflon으로 이루어지는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 단차부는 면의 방향벡터가 상기 기판층의 방향벡터와 평행한 제1 단차면 및 면의 방향벡터가 상기 기판층의 방향벡터와 수직인 제2 단차면을 포함하고, 상기 반사층의 하부면은 상기 제1 단차면과 면 접촉하고, 상기 반사층의 측면은 상기 제2 단차면과 면 접촉하도록 구비되는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 기판층, 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 상기 기판층 상에 배치되어 상기 기판층과 상기 발광 구조물을 전기적으로 연결시키도록 구비되는 금속층, 상기 기판층상에 배치되어 상기 발광 구조물에서 방출하는 광을 반사시키는 반사층을 포함하고, 상기 반사층은 적어도 둘 이상의 층 구조를 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 반사층은 하부면이 상기 기판층의 상부면과 면 접촉하도록 구비되고, 측면이 상기 금속층의 측면과 면 접촉하도록 구비되는 제1 반사층 및 하부면이 상기 제1 반사층의 상부면과 면 접촉하도록 구비되고, 측면이 상기 금속층의 측면과 면 접촉하도록 구비되는 제2 반사층을 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 제1 반사층은 Al으로 이루어지고, 상기 제2 반사층은 Teflon으로 이루어지는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
실시 예의 발광소자 패키지는 종래의 발광소자 패키지 보다 크기가 작은 보다 소형화된 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
또한, 실시 예의 발광소자 패키지는 발광소자에서 발생한 열을 보다 효율적으로 외부로 방출하는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
또한, 실시 예의 발광소자 패키지는 소형화 함과 동시에 광 출력이 향상된 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
도 1은 실시 예에 의한 자외선 발광 소자를 도시한 것이다.
도 2는 다른 실시 예의 자외선 발광 소자를 도시한 것이다.
도 3은 일 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 것이다.
도 4는 제1 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 것이다.
도 5는 제2 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 것이다.
도 6는 제3 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 것이다.
도 7은 제4 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 것이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 실시 예에 의한 자외선 발광 소자(100A)의 단면도를 나타낸다.
도 1에 도시된 자외선 발광 소자(100A)는 기판(110), 버퍼층(120), 발광 구조물(130), 제1 및 제2 전극(142, 144)을 포함한다.
기판(110)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga203, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
기판(110)과 발광 구조물(130) 간의 열 팽창 계수의 차이 및 격자 부정합을 개선하기 위해, 이들(110, 130) 사이에 버퍼층(또는, 전이층)(120)이 배치될 수 있다. 버퍼층(120)은 예를 들어 Al, In, N 및 Ga로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다. 또한, 버퍼층(120)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수도 있다.
발광 구조물(130)은 버퍼층(120) 위에 순차적으로 배치되는 제1 도전형 반도체층(132), 활성층(134) 및 제2 도전형 반도체층(136)을 포함한다.
제1 도전형 반도체층(132)은 버퍼층(120) 위에 배치되며, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(132)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 제1 도전형 반도체층(132)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(132)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
활성층(134)은 제1 도전형 반도체층(132) 위에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(132)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(136)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(134)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(134)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
활성층(134)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(134)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(134)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.
실시 예에 의하면, 활성층(134)은 자외선 파장 대역의 광을 방출한다. 여기서, 자외선 파장 대역이란, 100 ㎚ 내지 400 ㎚의 파장 대역을 의미한다. 특히, 활성층(134)은 100 ㎚ 내지 280 ㎚ 파장 대역의 광을 방출할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(136)은 활성층(134) 위에 배치되며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(136)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(136)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(136)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(132)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(136)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(132)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(136)은 n형 반도체층으로 구현할 수도 있다.
발광 구조물(130)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
실시 예에 의하면, 활성층(134)이 전술한 바와 같이 자외선 파장 대역의 광을 방출할 경우, 제2 도전형 반도체층(136)은 제2 도전형 제1 반도체층(136A)과 제2 도전형 제2 반도체층(136C)을 포함할 수 있다.
제2 도전형 제1 반도체층(136A)은 활성층(134) 위에 배치된다. 제2 도전형 제1 반도체층(136A) 및 제1 도전형 반도체층(132) 각각은 AlGaN을 포함할 수 있다. 왜냐하면, AlGaN이 GaN이나 InAlGaN보다 자외선 파장 대역의 광을 덜 흡수하기 때문이다.
제2 도전형 제2 반도체층(136C)은 제2 도전형 제1 반도체층(136A) 위에 배치된다. 제2 도전형 제2 반도체층(136C)은 제2 전극(144)으로부터 활성층(134)으로 정공을 원할히 공급하여 자외선 발광 소자(100A)의 전기적 특성을 개선시키는 역할을 한다. 예를 들어, 제2 도전형 제2 반도체층(136B)은 GaN 또는 InAlGaN을 포함할 수 있다.
만일, 제1 도전형이 n형이고 제2 도전형이 p형인 경우, 제2 도전형 제1 반도체층(136A)은 전자 차단층(EBL:Electron Blocking Layer)의 역할을 수행할 수 있다. 또는, 이러한 전자 차단층의 역할을 하는 제2 도전형 제1 반도체층(136A)은 AlGaN/AlGaN 초격자층 구조를 가질 수도 있고, AlGaN 벌크 층 구조를 가질 수도 있다.
또한, 활성층(134)에서 방출된 광이 제2 도전형 제1 반도체층(136A)에서 흡수되지 않고 투과될 수 있도록, 제2 도전형 제1 반도체층(136A)의 에너지 밴드갭은 활성층(134)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다. 이를 위해, 활성층(134)에서 방출된 광의 파장에 따라 달라지지만, 제2 도전형 제1 반도체층(136A)에 포함된 알루미늄의 함량비는 0.3 이상일 수 있다.
또한, 제2 도전형 반도체층(136)은 제2 도전형 제3 반도체층(136B)을 더 포함할 수 있다. 제2 도전형 제3 반도체층(136B)은 제2 도전형 제1 반도체층(136A)과 제2 도전형 제2 반도체층(136C) 사이에 배치된다. 예를 들어, 제2 도전형 제3 반도체층(136B)은 적어도 하나의 AlGaN층을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 도전형 제3 반도체층(136B)이 복수의 AlGaN층을 포함할 경우, 복수의 AlGaN층의 알루미늄 농도는 구배를 가질 수도 있고 변조될 수도 있다.
한편, 제1 전극(142)은 메사 식각(Mesa etching)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(132) 위에 배치된다. 제1 전극(142)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행하여 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층이 제1 전극(142)의 아래에 배치될 수도 있다.
제2 전극(144)은 제2 도전형 제2 반도체층(136C) 위에 배치된다. 제1 및 제2 전극(142, 144) 각각은 활성층(134)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(132, 136) 상에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(142, 144) 각각은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.
특히, 제2 전극(144)은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 제2 전극(144)은 전술한 금속 물질과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다. 제2 전극(144)은 제2 도전형 GaN층(126C)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다.
또한, 제2 전극(144)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 만일, 제2 전극(144)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.
도 2은 플립 본딩 구조를 갖는 다른 실시 예에 의한 자외선 발광 소자(100B)의 단면도를 나타낸다.
도 1에 예시된 자외선 발광 소자(100A)는 수평형 구조이기 때문에, 활성층(134)에서 방출된 광은 제2 도전형 반도체층(136)과 제2 전극(144)을 통해 출사된다. 이를 위해, 제2 도전형 반도체층(136)과 제2 전극(144)은 투광성을 갖는 물질로 이루어지고, 제1 도전형 반도체층(132), 버퍼층(120) 및 기판(110)은 투광성이나 비투광성을 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.
그러나, 도 2에 예시된 자외선 발광 소자(100B)는 플립 칩 본딩 구조이기 때문에, 활성층(134)에서 방출된 광은 기판(110), 버퍼층(120) 및 제1 도전형 반도체층(132)을 통해 출사된다. 이를 위해, 기판(110), 버퍼층(120) 및 제1 도전형 반도체층(132)은 투광성을 갖는 물질로 이루어지고, 제2 도전형 반도체층(136)과 제2 전극(144)은 투광성이나 비투광성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 도 1에 예시된 자외선 발광 소자(100A)와 달리, 도 2에 예시된 자외선 발광 소자(100B)는 플립 칩 본딩 구조이므로, 제1 및 제2 범프(162A, 162B), 서브 마운트(164), 보호층(166) 및 제1 및 제2 금속층(또는, 전극 패드)(168A, 168B)을 더 포함한다. 이러한 차이점을 제외하면, 도 2에 예시된 자외선 발광 소자(100B)는 도 1에 예시된 자외선 발광 소자(100A)와 동일하므로 중복되는 부분에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하며 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.
서브 마운트(164)는 예를 들어 AlN, BN, 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 반도체 기판으로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지 않고 열전도도가 우수한 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 또한, 서브 마운트(164) 내에 제너 다이오드 형태의 정전기(ESD:Electro Static Discharge) 방지를 위한 소자가 포함될 수도 있다.
제1 및 제2 금속층(168A, 168B)은 서브 마운트(164) 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1 범프(162A)는 제1 금속층(168A)과 제1 전극(142) 사이에 배치되고, 제2 범프(162B)는 제2 금속층(168B)과 제2 전극(144) 사이에 배치된다.
제1 전극(142)은 제1 범프(162A)를 통해 서브 마운트(164)의 제1 금속층(168A)에 연결되며, 제2 전극(144)은 제2 범프(162B)를 통해 서브 마운트(164)의 제2 금속층(168B)에 연결된다.
비록 도시되지는 않았지만, 제1 전극(142)과 제1 범프(162A) 사이에 제1 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제1 금속층(168A)와 제1 범프(162A) 사이에 제1 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제1 상부 범프 금속층과 제1 하부 범프 금속층은 제1 범프(162A)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다. 이와 비슷하게 제2 전극(144)과 제2 범프(162B) 사이에 제2 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제2 금속층(168B)와 제2 범프(162B) 사이에 제2 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제2 상부 범프 금속층과 제2 하부 범프 금속층은 제2 범프(162B)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다.
만일, 서브 마운트(164)가 Si과 같이 전기적 전도성을 갖는 물질로 구현된 경우, 도 2에 예시된 바와 같이 제1 및 제2 금속층(168A, 168B)와 서브 마운트(164) 사이에 보호층(166)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 보호층(166)은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
도 3은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 단면도이다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 발광 소자(100B), 기판층(210), 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B), 절연물(230), 제1 및 제2 와이어(242, 244) 및 몰딩 부재(250)를 포함한다. 발광 소자(100B)는 도 8에 예시된 발광 소자로서, 동일한 참조부호를 사용하여 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 도 8에 예시된 자외선 발광 소자(100B) 이외에 도 2 또는 도 9에 예시된 발광 소자(100A, 100C) 중 어느 하나가 도 10에 예시된 바와 같이 발광 소자 패키지(200)로 구현될 수 있음은 물론이다.
제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)는 기판층(210) 위에 배치된다. 여기서, 기판층(210)은 인쇄 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board)일 수 있으나 이에 국한되지 않는다. 발광 소자(100B)가 자외선 광을 방출할 경우 방열 특성을 향상시키기 위해, 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)는 알루미늄 재질로 구현될 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
도 3에서 서브 마운트(164)는 제2 패키지 몸체(220B) 위에 배치된 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 서브 마운트(164)는 제2 패키지 몸체(220B)가 아니라 제1 패키지 몸체(220A) 위에 배치될 수도 있다. 자외선 발광 소자(100B)의 제1 및 제2 금속층(168A, 168B)은 제1 및 제2 와이어(242, 244)에 의해 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)에 각각 연결된다. 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)가 전기적 전도성을 갖는 알루미늄 재질로 구현될 경우, 절연물(230)은 제1 패키지 몸체(220A)와 제2 패키지 몸체(220B)를 전기적으로 서로 분리시키는 역할을 한다.
제1 도전형 반도체층(132)은 제1 전극(142), 제1 범프(162A), 제1 금속층(168A), 제1 와이어(242) 및 제1 패키지 몸체(220A)를 통해 기판층(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 도전형 반도체층(136)은 제2 전극(144), 제2 범프(162B), 제2 금속층(168B), 제2 와이어(244) 및 제2 패키지 몸체(220B)를 통해 기판층(210)과 전기적으로 연결될 수 있다.
몰딩 부재(250)는 제1 및 제2 패키지 몸체(220A, 220B)에 의해 형성된 캐비티에 채워져 자외선 발광 소자(100B)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(250)는 형광체를 포함하여, 자외선 발광 소자(100B)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
전술한 바와 같이 최근에는 자외선 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지는 생산비 절감으로 인한 저가격, 패키지 사이즈를 감소시키는 소형화에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
또한, 도 3에 도시된 실시 예의 발광소자 패키지는 서브 마운트(164)를 포함하고 있기 때문에 발광소자(100B)에서 발생하는 열이 외부로 방출되는 열 방출 경로(Thermal path)가 긴 문제가 있었다.
또한, 발광소자의 하부면에 배치되는 서브 마운트(164)를 제거하게 되면 수평 방향으로 광을 주로 방출하는 자외선 발광소자(100B)에서 방출된 자외선을 반사하는 UV 반사체 역할을 하는 서브 마운트(164)가 제거되기 때문에 광 효율이 감소되는 문제가 있었다.
따라서, 이하 도 4 내지 도 7을 참고하여 발광소자 패키지에서 서브 마운트(164)를 제거하여 발광소자 패키지 자체의 크기를 줄여 패키지의 소형화를 구현함과 동시에 광 효율 또한 증가시키는 발광소자 패키지를 제안한다.
도 4는 제1 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 실시 예의 발광소자 패키지는 도 3에 도시된 발광소자 패키지와 달리 서브 마운트(164)를 포함하지 않도록 구비될 수 있다.
실시 예의 발광소자 패키지는 발광소자(100B)와 기판층(210)을 전기적으로 연결시키는 적어도 하나의 금속층(168A, 168B), 상기 적어도 하나의 금속층(168A, 168B)의 일면에 배치되며 자외선을 반사시키는 반사층(169) 및 상기 반사층(169)의 일면에 배치되는 기판층(210)을 포함할 수 있다.
상기 기판층(210)은 세라믹으로 이루어질 수 있다.
예컨대, 기판층(210)은 산화 알류미늄(Al2O3), 질화 알류미늄(AlN) 및 질화 규소(Si3N4)를 포함할 수 있다.
적어도 하나의 금속층(168A, 168B)은 제1 범프(162A)와 전기적으로 연결되도록 구비되어 제2 도전형 반도체층(132)에 전류를 공급하는 제1 금속층(168A) 및 제2 범프(162B)와 전기적으로 연결되도록 구비되어 제1 도전형 반도체층(136)에 전류를 공급하는 제2 금속층(168B)를 포함할 수 있다.
제1 금속층(168A) 및 제2 금속층(168B)은 전도성 재질로 구비될 수 있다.
예컨대, 제1 금속층(168A) 및 제2 금속층(168B)은 Cu로 이루어질 수 있다.
실시 예의 적어도 하나의 금속층(168A, 168B)의 단면적은 아래의 수식에 의해 정해질 수 있다.
Figure pat00002
상기 수식에서 I는 허용 전류 밀도를 의미하고, k는 상수를 의미하는데 금속층(168A, 168B)의 내부에서의 k는 0.024, 외부에서의 k는 0.048이며, T는 주위온도(Ambient temperature)를 기준으로 증가한 온도 및 A는 금속층(168A, 168B)의 단면적을 의미한다.
반사층(169)은 금속층(168A, 168B)의 하부면에 배치되어 발광소자(100B)에서 방출한 자외선을 반사시킬 수 있다.
전술한 바와 같이 도 3에 도시된 발광소자 패키지에서는 서브 마운트(164)가 자외선을 반사시키는 역할을 하였으나, 실시 예의 발광소자 패키지는 서브 마운트(164)가 존재 하지 않기 때문에 자외선을 반사시키기 위하여 금속층(168A, 168B)의 하부면에 반사층(169)을 배치하여 발광소자(100B)에서 방출하는 자외선을 상부 또는 측면을 향하여 반사시키는 효과가 있다.
자외선의 반사 효율을 증가시켜 광 추출 효율을 상승시키기 위하여 실시 예의 상기 반사층(169)는 자외선 반사율이 80% 이상인 물질로 이루어질 수 있다.
예컨대, 반사층(169)는 Al 또는 테프론(Teflon)으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 반사층(169)이 Al으로만 이루어진 경우에는 발광소자(100B)에서 방출된 UV에 의해 변질될 우려가 있기 때문에 실시 예의 반사층(169)은 Ti와 같은 금속이나 유전체 등 UV로부터 반사층(169)을 보호하는 보호층(미도시)을 상부에 더 포함하도록 구비될 수 있다.
이상, 도 4에서 살펴본 바와 같이 실시 예의 발광소자 패키지는 도 3에 도시된 발광소자 패키지와 달리 서브 마운트(164)를 제거하여 발광소자 패키지의 크기를 줄일 수 있어 패키지의 소형화를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 서브 마운트(164)를 제거함과 동시에 기판층(210)상에 발광소자(100B)를 직접 배치하여 전기적으로 연결시킴으로 인하여 제1와이어 및 제2 와이어(242, 244)를 제거 할 수 있고, 발광소자(100B)와 기판층(210)을 제1 와이어 및 제2 와이어(242, 244)를 이용하여 연결시키는 공정을 생략 할 수 있기 때문에 생산비가 절감되는 효과 또한 존재한다.
나아가, 반사층(169)을 기판층(210)과 금속층(168A, 168B)의 사이에 배치하여 발광소자(100B)에서 방출하는 자외선을 반사시킴으로 인하여 광 추출 효율을 증가시키는 효과가 있다.
도 5는 제2 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 것이다.
도 4에서 서술한 발광소자 패키지와 기본적인 구성은 동일하도록 구비될 수 있기 때문에 이하 차이점만을 서술하도록 한다.
도 5에 도시된 제2 실시 예의 발광소자 패키지는 기판층(210), 상기 기판층(210)상에 배치되는 반사층(169) 및 금속층(168A, 168B)를 포함할 수 있다.
기판층(210)상에 반사층(169)이 배치되고, 상기 반사층(169)상에 금속층(168A, 168B)이 배치되는 도 4에 도시된 제1 실시 예와 달리 도 5에 도시된 제2 실시 예의 발광소자 패키지는 기판층(210)상에 금속층(168A, 168B)이 면 접촉 하도록 배치될 수 있고, 금속층(168A, 168B)를 제외한 나머지 부분에 반사층(169)이 배치되도록 구비될 수 있다.
실시 예의 발광소자 패키지의 금속층(168A, 168B)의 일 면은 기판층(210)과 면 접촉하도록 구비될 수 있고, 다른 일 면은 반사층(169)과 면 접촉하도록 구비될 수 있다.
또한, 상기 반사층(169)이 Al으로만 이루어진 경우에는 발광소자(100B)에서 방출된 UV에 의해 변질될 우려가 있기 때문에 실시 예의 반사층(169)은 Ti와 같은 금속이나 유전체 등 UV로부터 반사층(169)을 보호하는 보호층(미도시)을 상부에 더 포함하도록 구비될 수 있다.
보다 자세하게는, 상기 금속층(168A, 168B)의 하부면과 기판층(210)의 상부면이 면 접촉하도록 배치되고, 상기 금속층(168A, 168B)의 측면과 반사층(169)의 측면이 면 접촉하도록 배치될 수 있으며, 제1 금속층(168A)과 제2 금속층(168B)는 서로 소정 간격 이격 되도록 배치될 수 있다.
금속층(168A, 168B)과 기판층(210)사이에 다른 구성이 배치되지 않으므로 인하여 금속층(168A, 168B)에서 발생하는 열의 이동 경로가 보다 단축되는 효과가 있다.
예컨대, 제1 실시 예의 발광소자 패키지에서는 금속층(168A, 168B)에서 발생한 열이 반사층(169) 및 기판층(210)을 통하여 외부로 방출되는 반면, 도 5에 도시된 제2 실시 예의 발광소자 패키지에서는 금속층(168A, 168B)에서 발생한 열이 바로 기판층(210)만을 통하여 외부로 방출되어 방열 경로(Thermal path)를 단축시켜 방열 효율을 보다 증가시킬 수 있다.
도 6는 제3 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 것이다.
도 6을 참조하면, 제3 실시 예의 발광소자 패키지는 기판층(210), 상기 기판층(210)상에 배치되는 금속층(168A, 168B) 및 상기 금속층(168A, 168B)상에 배치되는 반사층(169)을 포함할 수 있다.
상기 금속층(168A, 168B)는 적어도 하나의 단차부(1683)를 포함할 수 있다.
상기 단차부(1683)는 단차부(1683)의 하부면을 형성하는 제1 단차면(1681) 및 단차부(1683)의 측면을 형성하는 제2 단차면(1682)를 포함할 수 있다.
제1 단차면(1681)의 방향벡터는 기판층(210)의 방향벡터와 평행하도록 구비될 수 있고, 제2 단차면(1682)의 방향벡터는 기판층(210)의 방향벡터와 수직하도록 구비될 수 있다.
제1 단차면(1681) 및 제2 단차면(1682)에 의해 형성되는 단차부(1683)상에는 발광소자(100B)에서 발광한 광을 반사시키는 반사층(169, 170)이 배치될 수 있다.
상기 반사층(169, 170)은 제1 금속층(168A)의 단차부(1683)상에 배치되는 제1 반사층(169) 및 제2 금속층(168B)의 단차부(1683)상에 배치되는 제2 반사층(170)을 포함할 수 있다.
제1 반사층(169) 및 제2 반사층(170)은 서로 동일한 재질로 이루어질 수도 있고, 서로 다른 재질로 이루어 질 수도 있다.
예컨대, 제1 반사층(169)는 Al으로 이루어지고, 제2 반사층(170)은 Teflon으로 이루어질 수 있다.
또한, 반대로 제1 반사층(169)은 Teflon으로 이루어지고, 제2 반사층(170)은 Al으로 이루어 질 수도 있다.
또한, 제1 반사층(169) 및 제2 반사층(170) 모두 Al으로 이루어질 수도 있고, 제1 반사층(169) 및 제2 반사층(170) 모두 Teflon으로 이루어질 수도 있다.
또한, 상기 반사층(169)이 Al으로만 이루어진 경우에는 발광소자(100B)에서 방출된 UV에 의해 변질될 우려가 있기 때문에 실시 예의 반사층(169)은 Ti와 같은 금속이나 유전체 등 UV로부터 반사층(169)을 보호하는 보호층(미도시)을 상부에 더 포함하도록 구비될 수 있다.
다만, 상술한 반사층(169, 170)의 재질은 일 예를 설명하기 위한 예시일 뿐이며 사용자는 발광소자(100B)에서 방출하는 광을 반사시킴으로 인하여 광 추출 효율을 증대시키기 위하여 다양하게 변형 가능하며, 이는 본 발명의 권리범위를 제한하는 것도 아니다.
도 7은 제4 실시 예의 발광소자 패키지를 도시한 것이다.
도 7을 참조하면, 제4 실시 예의 발광소자 패키지는 기판층(210), 상기 기판층(210)상의 적어도 일부분에 배치되는 금속층(168A, 168B), 상기 기판층(210)상의 적어도 다른 일부분에 배치되는 제1 반사층(169) 및 제1 반사층(169)상에 배치되는 제2 반사층(170)을 포함할 수 있다.
상기 금속층(168A, 168B)의 적어도 하나의 면은 기판층(210)과 면 접촉 하도록 구비될 수 있고, 상기 금속층(168A, 168B)의 적어도 하나의 다른 면은 반사층(169, 170)과 면 접촉 하도록 구비될 수 있다.
예컨대, 금속층(168A, 168B)의 하부면은 기판층(210)의 상부면과 면 접촉 하도록 구비될 수 있고, 금속층(168A, 168B)의 측면은 제1 반사층(169)의 측면 및 제2 반사층(170)의 측면과 모두 면 접촉 하도록 구비될 수 있다.
제1 반사층(169)은 Al으로 이루어질 수 있고, 제2 반사층(170)은 Teflon으로 이루어 질 수 있다.
Al으로 이루어진 제1 반사층(169)만 구비되고, 제1 반사층(169)의 상부에 배치되는 제2 반사층(170)이 구비되지 않는다면, Al의 산화로 인하여 제1 반사층(169)이 산화되는 문제가 발생 할 수 있다.
따라서, Al으로 이루어진 제1 반사층(169)의 상부에 산화 방지 역할을 하는 Teflon으로 이루어진 제2 반사층(170)을 배치 함으로 인하여 발광소자(100B)에서 방출하는 자외선 광의 추출 효율을 증가시킴과 동시에 제1 반사층(169)의 산화를 방지하여 내구성 또한 증대시키는 효과가 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 유닛은 자동차 조명, 야외 조명, 디스플레이 패널의 백라이트 유닛, 지시등이나 신호등 같은 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.
여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.
해드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 발광 소자 110: 반사부
130: 기판 140: 버퍼층
150: 발광 구조물 152: 제1 도전형 반도체층
154: 활성층 156: 제2 도전형 반도체층
162: 제1 전극 164: 제2 전극
200: 발광 소자 패키지 169: 제1 반사층
170: 제2 반사층 210: 기판층

Claims (16)

  1. 기판층;
    기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 기판층과 상기 발광 구조물을 전기적으로 연결시키도록 구비되는 금속층; 및
    상기 기판층과 상기 금속층 사이에 배치되어 상기 발광 구조물에서 방출하는 광을 반사시키는 반사층;을 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서
    상기 금속층은,
    상기 제1 도전형 반도체층에 전류를 공급하는 경로를 제공하는 제1 금속층; 및
    상기 제2 도전형 반도체층에 전류를 공급하는 경로를 제공하는 제2 금속층;을 포함하는 발광 소자 패키지.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층은 소정 간격 이격되도록 배치되고,
    상기 제1 금속층의 하부면 및 상기 제2 금속층의 하부면은 상기 반사층의 상부면과 면 접촉 하도록 구비되는 발광소자 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 금속층의 단면적은 아래의 관계식에 의해 정해지는 발광소자 패키지.
    Figure pat00003

    상기 수식에서 I는 허용 전류 밀도를 의미하고, k는 상수를 의미하는데 상기 금속층의 내부에서의 k는 0.024, 외부에서의 k는 0.048이며, T는 주위온도(Ambient temperature)를 기준으로 증가한 온도 및 A는 상기 금속층의 단면적을 의미한다.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 기판층은 산화 알류미늄(Al2O3), 질화 알류미늄(AlN) 또는 질화 규소(Si3N4)중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반사층은 Al 또는 Teflon중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.
  7. 기판층;
    기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 기판층과 상기 발광 구조물을 전기적으로 연결시키도록 구비되는 금속층; 및
    적어도 일 면은 상기 금속층과 면 접촉 하고 적어도 다른 일 면은 상기 금속층과 면 접촉 하도록 배치되어 상기 발광 구조물에서 방출하는 광을 반사시키는 반사층을 포함하는 발광소자 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 금속층은,
    상기 제1 도전형 반도체층에 전류를 공급하는 경로를 제공하는 제1 금속층; 및
    상기 제2 도전형 반도체층에 전류를 공급하는 경로를 제공하는 제2 금속층;을 포함하고,
    상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층은 소정 간격 이격되도록 배치되며,
    상기 제1 금속층의 하부면 및 상기 제2 금속층의 하부면은 상기 기판층의 상부면과 면 접촉 하도록 구비되고,
    상기 제1 금속층의 측면 및 상기 제2 금속층의 측면은 상기 반사층의 측면과 면 접촉하는 발광소자 패키지.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 반사층은 Al 또는 Teflon중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.
  10. 기판층;
    기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 기판층과 상기 발광 구조물을 전기적으로 연결시키도록 구비되는 금속층; 및
    상기 금속층상에 배치되어 상기 발광 구조물에서 방출하는 광을 반사시키는 반사층을 포함하는 발광소자 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 금속층은 적어도 하나의 단차부를 포함하는 발광소자 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 단차부 상에 배치되며, Teflon으로 이루어지는 발광소자 패키지.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 단차부는,
    면의 방향벡터가 상기 기판층의 방향벡터와 평행한 제1 단차면; 및
    면의 방향벡터가 상기 기판층의 방향벡터와 수직인 제2 단차면을 포함하고,
    상기 반사층의 하부면은 상기 제1 단차면과 면 접촉하고, 상기 반사층의 측면은 상기 제2 단차면과 면 접촉하도록 구비되는 발광소자 패키지.
  14. 기판층;
    기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 기판층 상에 배치되어 상기 기판층과 상기 발광 구조물을 전기적으로 연결시키도록 구비되는 금속층;
    상기 기판층상에 배치되어 상기 발광 구조물에서 방출하는 광을 반사시키는 반사층을 포함하고,
    상기 반사층은 적어도 둘 이상의 층 구조를 포함하는 발광소자 패키지.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 반사층은,
    하부면이 상기 기판층의 상부면과 면 접촉하도록 구비되고, 측면이 상기 금속층의 측면과 면 접촉하도록 구비되는 제1 반사층; 및
    하부면이 상기 제1 반사층의 상부면과 면 접촉하도록 구비되고, 측면이 상기 금속층의 측면과 면 접촉하도록 구비되는 제2 반사층;을 포함하는 발광소자 패키지.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 반사층은 Al으로 이루어지고, 상기 제2 반사층은 Teflon으로 이루어지는 발광소자 패키지.
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