KR20150142327A - 발광 소자 및 발광 소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

실시 예의 발광 소자는 기판과, 기판 위에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 발광 구조물 위에 배치되며, 수평 방향으로 이웃하는 제1 및 제2 영역을 갖는 반사층과, 반사층의 제1 영역 중 적어도 일부, 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 관통하여 제1 도전형 반도체층까지 연장 배치된 제1 전극과, 제1 전극과 발광 구조물의 측면 사이 및 및 제1 전극과 반사층의 사이에 배치된 제1 절연층과, 반사층의 제2 영역에 배치된 확산 방지층과, 제1 전극 및 확산 방지층 위에 배치된 제2 절연층 및 제2 절연층을 관통하여 제1 전극 및 확산 방지층에 각각 연결되는 제1 및 제2 본딩 층을 포함한다.

Description

발광 소자 및 발광 소자 패키지{Light Emitting Device and light emitting device package}
실시 예는 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.
이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.
발광 소자 및 발광 소자 패키지의 광학적 및 전기적 특성을 개선시키기 위한 연구가 진행되고 있다.
실시 예는 전기적 및 광학적 특성이 개선된 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.
일 실시 예에 의한 발광 소자는, 기판; 상기 기판 위에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 위에 배치되며, 수평 방향으로 이웃하는 제1 및 제2 영역을 갖는 반사층; 상기 반사층의 상기 제1 영역 중 적어도 일부, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층까지 연장 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극과 상기 발광 구조물의 측면 사이 및 및 상기 제1 전극과 상기 반사층의 사이에 배치된 제1 절연층; 상기 반사층의 상기 제2 영역에 배치된 확산 방지층; 상기 제1 전극 및 상기 확산 방지층 위에 배치된 제2 절연층; 및 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 전극 및 상기 확산 방지층에 각각 연결되는 제1 및 제2 본딩 층을 포함할 수 있다.
상기 확산 방지층과 상기 제1 절연층은 상기 반사층 위에서 상기 발광 구조물의 두께 방향에 수직한 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 확산 방지층과 상기 제1 전극은 상기 발광 구조물의 두께 방향에 수직한 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 발광 소자는 서브 마운트; 및 상기 서브 마운트 위에 수평 방향으로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속 패드를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 질화물 반도체층은 상기 제1 및 제2 금속 패드와 각각 연결될 수 있다.
상기 발광 소자는 상기 제1 본딩층과 상기 제1 금속 패드 사이에 배치되는 제1 범프부; 및 상기 제2 본딩층과 상기 제2 금속 패드 사이에 배치되는 제2 범프부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있고, 서로 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
상기 발광 구조물의 두께 방향으로 상기 확산 방지층의 제1 두께는 50 ㎚ 내지 수 ㎛일 수 있다.
상기 제2 영역에서 상기 반사층과 접하는 상기 확산 방지층의 제1 폭은 상기 제2 절연층을 관통하는 상기 제2 본딩층의 제2 폭 이상일 수 있다.
상기 확산 방지층과 상기 제1 전극은 서로 동일한 물질로 이루어질 수도 있고, 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있다.
상기 발광 구조물의 두께 방향으로 상기 확산 방지층의 제1 두께는 상기 제1 전극의 제2 두께보다 더 두꺼울 수 있다.
다른 실시 예에 의한 발광 소자는, 기판; 상기 기판 위에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 위에 배치된 반사층; 상기 반사층 위에 배치된 제1 및 제2 본딩층; 상기 반사층과 상기 제2 본딩층 사이에 국부적으로 배치된 확산 방지층; 상기 반사층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층까지 연장 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극과 상기 발광 구조물의 측면 사이 및 및 상기 제1 전극과 상기 반사층의 사이에 배치된 제1 절연층; 및 상기 제1 전극 및 상기 확산 방지층 위에 배치된 제2 절연층을 포함하고, 상기 제1 및 제2 본딩층은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 전극 및 상기 확산 방지층에 각각 연결될 수 있다.
또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지는, 패키지 몸체; 및 상기 패키지 몸체 위에 배치된 상기 발광 소자를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 패키지는 반사층과 본딩층 사이에 확산 방지층을 배치하여 반사층이나 에피층으로 본딩층의 구성 원자의 확산을 방지하여 반사도 저하, 전기적 특성의 악화, 및 발광 효율 저하 등의 문제를 방지할 수 있고, 확산 방지층을 반사층 위에 국부적으로 배치함으로써 박리 현상의 발생을 방지하거나 최소화시켜높은 신뢰성을 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 B-B'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자에서 하부 구조물, 제2 절연층, 및 제1 및 제2 본딩층을 제거한 일 실시 예의 평면도를 나타낸다.
도 5는 도 1 내지 도 4에 예시된 발광 소자의 특성을 설명하기 위한 예시적인 단면도이다.
도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자에서 하부 구조물과 제1 및 제2 본딩층을 제거한 다른 실시 예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 7a 내지 도 7h는 도 2에 예시된 발광 소자에서 상부 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 도 2에 예시된 발광 소자의 하부 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 9는 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 실시예의 설명에 있어서, 각 구성요소(element)의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소(element)가 상기 두 구성요소(element) 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
또한 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 구성요소(element)를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
이하, 실시 예에 의한 발광 소자에 대해 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다. 이해를 돕기 위해, 발광 소자는 플립 본딩(flip bonding)되는 것으로 가정하여 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 편의상, 각 도면에서, 발광 소자(100A, 100B)는 데카르트 좌표계(x, y, z)를 사용하여 설명하지만, 실시 예는 다른 좌표계를 이용하여 설명될 수 있음은 물론이다.
도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자(100A)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절취한 단면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 B-B'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
발광소자(100A)는 LED를 포함할 수 있으며, LED는 청색, 녹색, 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED, 자외선(UV:UltraViolet) LED, 심자외선 LED 또는 무분극 LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시 예에 의한 발광 소자(100A)는 서브 마운트(110), 기판(120), 발광 구조물(130), 반사층(140), 절연층(150), 제1 전극(162), 확산 방지층(diffusion barrier layer)(또는, 캡핑층)(164), 제1 및 제2 본딩층(또는, 칩 본딩층(chip bonding layer))(172, 174), 제1 및 제2 범프부(182, 184) 및 제1 및 제2 금속 패드(192, 194)를 포함할 수 있다.
이하, 기판(120), 발광 구조물(130), 반사층(140), 절연층(150), 제1 전극(162), 확산 방지층(또는, 제2 전극)(164), 제1 및 제2 본딩층(172, 174)을 '상부 구조물'이라 칭하고, 서브 마운트(110), 제1 및 제2 범프부(182, 184) 및 제1 및 제2 금속 패드(192, 194)를 '하부 구조물'이라 칭한다.
먼저, 상부 구조물(120 ~ 174)에 대해 다음과 같이 살펴본다.
도 2 및 도 3에 예시된 발광 소자(100A)는 상부 구조물(120 ~ 174)과 하부 구조물(110, 182 ~ 192)을 포함할 수 있다.
상부 구조물(120 ~ 174)을 설명할 때, 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이 기판(120) 아래에 각 구성 요소(130 ~ 174)가 배치된 것으로 설명하는 대신에 도 7h에 예시된 바와 같이 기판(120) 위에 상부 구조물(130 ~ 174)의 각 구성 요소가 배치된 것으로 설명한다.
기판(120)은 광 투과성을 가질 수 있다. 왜냐하면, 활성층(134)에서 방출된 광이 기판(120)을 통해 출사되도록 하기 위함이다. 예를 들어, 기판(120)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 기판(120)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.
버퍼층(미도시)은 기판(120)과 발광 구조물(130)의 사이에 배치되어 기판(120)과 발광 구조물(130) 사이의 격자 정합을 개선시키는 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층은 AlN을 포함하거나 언도프드 질화물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 버퍼층은 기판(120)의 종류와 발광 구조물(130)의 종류에 따라 생략될 수도 있다.
발광 구조물(130)은 기판(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 구조물(130)은 제1 도전형 반도체층(132), 활성층(134) 및 제2 도전형 반도체층(136)을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(132)은 기판(120)과 활성층(134) 사이에 배치되며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 특히, 제1 도전형 반도체층(132)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(132)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(132)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(132)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
활성층(134)은 제1 도전형 반도체층(132)과 제2 도전형 반도체층(136) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(134)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(136)은 활성층(134) 위에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(136)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 특히, 제2 도전형 반도체층(136)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(136)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(136)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자(100A)에서 하부 구조물(110, 182 ~ 194), 제2 절연층(154), 및 제1 및 제2 본딩층(172, 174)을 제거한 일 실시 예(100A)의 평면도를 나타낸다.
도 4에서, C-C' 선을 따라 절취한 단면도는 도 2에 예시된 바와 같고, D-D' 선을 따라 절취한 단면도는 도 3에 예시된 바와 같다.
반사층(140)은 발광 구조물(130)의 제2 도전형 반도체층(136) 위에 배치될 수 있다. 또한, 반사층(140)은 수평 방향으로 이웃하는 제1 영역(A11, A12)과 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 여기서, 수평 방향이란, 발광 구조물(130)의 두께 방향인 x축 방향에 수직하는 z 방향일 수 있다.
반사층(140)은 발광 구조물(130)에서 발광된 빛을 반사할 수 있는 성질을 가진 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 제1 전극(162)은 반사층(140)의 제1 영역(A11, A12) 중 일부, 제2 도전형 반도체층(136) 및 활성층(134)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(132)까지 연장 배치될 수 있다. 즉, 제1 전극(162)은 제1 블라인드 홀(blind hole)에 매립되어 제1 도전형 반도체층(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 제1 블라인드 홀은 반사층(140)의 제1 영역(A11, A12)의 일부, 제2 도전형 반도체층(136) 및 활성층(134)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(132)까지 연장된 홀을 의미할 수 있다.
제1 전극(162)은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(162)은 도전성을 갖는 물질인 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.
제1 전극(162)은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극(162)은 전술한 금속 물질과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.
제1 전극(162)은 제1 도전형 반도체층(132)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극(162)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 만일, 제1 전극(162)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.
절연층(150)은 제1 절연층(152) 및 제2 절연층(154)을 포함할 수 있다.
제1 절연층(152)은 발광 구조물(150)의 측면과 제1 전극(162)의 사이에 배치될 수 있다. 즉, 제1 절연층(152)은 제1 전극(162)의 측면(162A)과 제2 도전형 반도체층(136)의 측면 사이에 배치되고, 제1 전극(162)의 측면(162A)과 활성층(134)의 측면 사이에 배치될 수 있다. 이로 인해, 제1 전극(162)과 제2 도전형 반도체층(136)은 전기적으로 절연되고, 제1 전극(162)은 활성층(134)과 전기적으로 절연될 수 있다.
또한, 제1 절연층(152)은 제1 전극(162)의 측면(162A)과 반사층(140) 사이에 배치될 수 있다. 이로 인해, 제1 전극(162)과 반사층(140)은 전기적으로 절연될 수 있다.
제1 절연층(152)은 SiO2, TiO2, SnO, ZnO, SixOy, SixNy, SiOxNy, ITO 또는 AZO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 확산 방지층(164)은 반사층(140)의 제2 영역(A2) 위에 배치될 수 있다. 즉, 확산 방지층(164)은 반사층(140)과 제2 본딩층(174) 사이에 국부적으로 배치될 수 있다. 반사층(140)과 제2 본딩층(174) 사이에 확산 방지층(164)이 배치됨으로써, 제2 본딩층(174)을 구성하는 물질의 원자가 반사층(140) 또는 발광 구조물(130) 중 적어도 하나로 확산됨이 방지될 수 있다.
이러한 역할을 수행하기 위해, 확산 방지층(164)은 Ni, Ti, Pt, 또는 W 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 확산 방지층(164)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행하여 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층(미도시)이 확산 방지층(164)의 상부에 형성될 수도 있다.
확산 방지층(164)은 제2 본딩층(174)의 구성 원자의 확산을 방지하는 역할을 수행할 수 있을 뿐만 아니라 제2 도전형 반도체층(136)에 제2 도전형 캐리어를 공급하는 제2 전극의 역할도 수행할 수 있다. 이와 같이, 확산 방지층과 제2 전극은 단일 층 구조(164)인 것으로 설명하였으나, 제2 전극은 확산 방지층과 별개의 층으로 형성될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 확산 방지층(164)과 제1 절연층(152)은 반사층(140) 위에서 발광 구조물(130)의 두께 방향에 수직한 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 여기서, 발광 구조물(130)의 두께 방향은 x축 방향이고, x축 방향에 수직한 방향은 z축 방향일 수 있다. 따라서, 확산 방지층(164)과 제1 절연층(152)은 반사층(140) 위에서 z축 방향으로 제3 영역(A3)의 경계와 제2 영역(A2)의 경계만큼 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 확산 방지층(164)과 제1 전극(162)은 발광 구조물(130)의 두께 방향에 수직한 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 여기서, 발광 구조물(130)의 두께 방향은 x축 방향이고, x축 방향에 수직한 방향은 z축 방향일 수 있다. 따라서, 확산 방지층(164)과 제1 전극(162)은 z축 방향으로 제4 영역(A4)의 경계와 제2 영역(A2)의 경계만큼 이격되어 배치될 수 있다.
만일, 제2 본딩층(174)의 구성 원자가 반사층(140)으로 확산될 경우, 반사층(140)의 반사도가 저하될 수 있다. 또는, 제2 본딩층(174)의 구성 원자가 발광 구조물(130)로 확산될 경우, 발광 구조물(130)의 저항이 증가하여 발광 소자(100A)의 전기적 특성이 악화될 수 있을 뿐만 아니라, 발광 소자(100A)의 발광 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 실시 예에 의하면, 확산 방지층(164)이 배치됨으로 인해, 반사도 저하, 전기적 특성의 악화, 및 발광 효율 저하 등의 문제가 방지될 수 있다.
도 5는 도 1 내지 도 4에 예시된 발광 소자(100A)의 특성을 설명하기 위한 예시적인 단면도이다.
도 5를 참조하면, 확산 방지층(166)이 반사층(140)의 상부면 전체의 위에 두껍게 형성될 경우, 열적 스트레스에 기인하여 확산 방지층(166)이 반사층(140) 위에서 휘어져서 박리될 수도 있다. 확산 방지층(166)은 전도도가 높고 열 팽창 계수가 큰 물질로 이루어지므로 이러한 박리 현상이 발생할 가능성이 매우 높다.
이러한 점을 고려하여, 실시 예에 의한 발광 소자(100A)의 경우, 도 2 및 도 3을 참조하면, 확산 방지층(164)은 반사층(140)의 제1 영역(A11, A12)과 제2 영역(A2) 전체에 형성되는 대신에, 반사층(140)의 제2 영역(A2)에만 국부적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 국부적으로 제2 영역(A2)에만 배치되므로, 확산 방지층(164)이 반사층(140)으로부터 박리되지 않는다.
또한, 발광 구조물(130)의 두께 방향(예, x축 방향)으로 확산 방지층(164)의 제1 두께(t1)는 제1 전극(162)의 제2 두께(t2)보다 더 두꺼울 수 있다.
또한, 발광 구조물(130)의 두께 방향으로 확산 방지층(164)의 제1 두께(t1)가 50 ㎚보다 적을 경우 확산 방지층(164)의 제1 두께(t1)가 너무 얇아, 제2 본딩층(174)의 구성 원자의 확산을 막기 어려울 수 있다. 또한, 확산 방지층(164)의 제1 두께(t1)가 수 ㎛ 보다 클 경우, 확산 방지층(164)의 역할을 수행할 수 있음에도 너무 두꺼워 발광 소자(100A)의 전체 두께를 증가시킬 수도 있다. 따라서, 확산 방치층(164)의 제1 두께(t1)는 50 ㎚ 내지 수 ㎛일 수 있으나, 실시 예는 제1 두께(t1)에 국한되지 않는다.
또한, 확산 방지층(164)과 제1 전극(162)은 서로 동일하거나 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 확산 방지층(164)은 Ni, Ti, Pt, 또는 W로 이루어지고, 제1 전극(162)은 이와 다른 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 도 4에 예시된 발광 소자(100A)에서 확산 방지층(164)은 원형 평면 형상을 갖는 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 비록 도시되지는 않았지만, 확산 방지층(164)은 원형 이외에 타원형 평면 형상을 가질 수도 있고, 다각형 평면 형상을 가질 수도 있다.
또한, 도 4에 예시된 발광 소자(100A)에서 확산 방지층(164)을 에워싸는 제1 절연층(152)은 원형 평면 형상을 갖는 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 비록 도시되지는 않았지만, 제1 절연층(152)은 확산 방지층(164)을 원형 이외에 타원형 평면 형상으로 에워쌀 수도 있고, 다각형 평면 형상으로 에워쌀 수도 있다.
또한, 도 4에 예시된 발광 소자(100A)에서 확산 방지층(164)의 평면 형상과, 그 확산 방지층(164)을 에워싸는 제1 절연층(152)의 평면 형상은 동일한 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 확산 방지층(164)과 제1 절연층(152)의 평면 형상은 서로 다를 수도 있다.
한편, 제2 절연층(154)은 제1 전극(162) 및 확산 방지층(164) 위에 배치될 수 있다. 또한, 제2 절연층(154)은 제1 전극(162)과 확산 방지층(164) 사이에서 노출된 제1 절연층(152)의 상부 및 반사층(140)의 상부에도 배치될 수도 있다.
제2 절연층(154)은 SiO2, TiO2, SnO, ZnO, SixOy, SixNy, SiOxNy, ITO 또는 AZO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 제1 절연층(152)과 제2 절연층(154)은 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있고, 서로 동일한 물질로도 이루어질 수 있지만, 실시 예는 제1 및 제2 절연층(152, 154) 각각의 재질에 국한되지 않는다.
한편, 제1 본딩층(172)은 제2 절연층(154)을 관통하여 제1 전극(162)에 전기적으로 연결되고, 제2 본딩층(174)은 제2 절연층(154)을 관통하여 확산 방지층(164)을 통해 제2 도전형 반도체층(136)에 전기적으로 연결될 수 있다.
전술한 제1 전극(162)은 제1 본딩층(172)이 활성층(134)에 제1 도전형 캐리어를 공급하는 역할을 수행하고, 확산 방지층(164)은 활성층(134)에 제2 도전형 캐리어를 공급하는 역할을 수행할 수 있다.
만일, 제1 도전형 캐리어는 전자이고 제2 도전형 캐리어가 정공일 경우, 제1 전극(162)은 발광 소자(100A)의 음극 전극에 해당하고, 확산 방지층(164)은 발광 소자(100A)의 양극 전극에 해당할 수 있다.
이와 반대로, 제1 도전형 캐리어는 정공이고, 제2 도전형 캐리어는 전자일 수 있다. 이와 같이, 확산 방지층(164)은 제2 전극으로서의 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 제1 전극(162)으로부터 공급된 제1 도전형 캐리어와 확산 방지층(164)으로부터 공급된 제2 도전형 캐리어가 활성층(134)에서 재결합하여 광이 방출될 수 있다.
또한, 확산 방지층(164)이 전술한 역할 즉, 제2 본딩층(174)의 구성 원자가 반사층(140) 또는 발광 구조물(130) 중 적어도 하나로 확산되는 것을 방지하기 위해, 제2 영역(A2)에서 반사층(140)과 접하는 확산 방지층(164)의 제1 폭(W1)은 제2 절연층(154)을 관통하는 제2 본딩층(174)의 제2 폭(W2)과 동일하거나 제2 폭(W2)보다 더 클 수 있다.
도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자(100A)에서 하부 구조물(110, 182 ~ 194)과 제1 및 제2 본딩층(172, 174)을 제거한 다른 실시 예에 의한 발광 소자(100B)의 평면도를 나타낸다.
도 4에 예시된 실시 예(100A)와 달리, 도 6에 예시된 발광 소자(100B)의 경우 제1 전극이 제1-1 전극(162-1)과 제1-2 전극(162-2)으로 구분된다. 그리고, 제1-1 전극(162-1)과 제1-2 전극(162-2)은 제1 절연층(152)에 의해 서로 전기적으로 절연될 수 있다. 이러한 차이점을 제외하면, 도 6에 예시된 발광 소자(100B)는 도 4에 예시된 발광 소자와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.
도 1에 예시된 발광 소자(100A)에서 제1 및 제2 본딩층(172, 174) 각각은 사각 평면 형상을 갖는 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 비록 도시되지는 않았지만, 제1 및 제2 본딩층(172, 174) 각각은 사각형 이외의 다각형 평면 형상을 가질 수도 있고, 원형이나 타원형 평면 형상을 가질 수도 있다.
한편, 하부 구조물(110, 182 ~ 194)에 대해 첨부된 도 2 및 도 3을 참조하여 다음과 같이 살펴본다.
제1 및 제2 금속 패드(192, 194)는 서브 마운트(110) 위에 수평 방향(예, z축 방향)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.
서브 마운트(110)는 AlN, BN, 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 반도체 기판으로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지 않고 열적 특성을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.
만일, 서브 마운트(110)가 Si으로 이루어지는 경우, 제1 및 제2 전극 패드(192, 194)과 서브 마운트(110) 사이에 보호층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 보호층은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 발광 구조물(130)의 제1 및 제2 질화물 반도체층(132, 136)은 제1 및 제2 범프부(182, 184)를 통해 제1 및 제2 금속 패드(192, 194)와 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 범프부(182)는 제1 본딩층(172)과 제1 금속 패드(192) 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 제1 금속 패드(192)는 제1 범프부(182), 제1 본딩층(172) 및 제1 전극(162)을 통해 제1 질화물 반도체층(132)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 비슷하게 제2 범프부(184)는 제2 본딩층(174)과 제2 금속 패드(194) 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 제2 금속 패드(194)는 제2 범프부(184), 제2 본딩층(174) 및 확산 방지층(164)을 통해 제2 질화물 반도체층(136)과 전기적으로 연결될 수 있다.
비록 도시되지는 않았지만, 제1 본딩부(172)와 제1 범프부(182) 사이에 제1 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제1 전극 패드(192)와 제1 범프부(182) 사이에 제1 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제1 상부 범프 금속층과 제1 하부 범프 금속층은 제1 범프부(182)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다. 이와 비슷하게 제2 본딩부(174)와 제2 범프브(184) 사이에 제2 상부 범프 금속층(미도시)이 더 배치되고, 제2 전극 패드(194)와 제2 범프부(184) 사이에 제2 하부 범프 금속층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 여기서, 제2 상부 범프 금속층과 제2 하부 범프 금속층은 제2 범프부(184)가 위치할 자리를 표시하는 역할을 수행한다.
경우에 따라, 제1 및 제2 범프부(182, 184)의 역할을 제1 및 제2 본딩층(172, 174)이 각각 수행할 경우, 제1 및 제2 범프부(182, 184)는 생략될 수도 있다.
이하, 도 1 및 도 2에 예시된 발광 소자(100A)의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 발광 소자(100A)는 다른 방법에 의해서도 제조될 수 있다.
도 7a 내지 도 7h는 도 2에 예시된 발광 소자(100A)에서 상부 구조물(120 ~ 174)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 7a에 예시된 바와 같이, 기판(120)을 준비한다. 기판(120)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이후, 도 7b에 예시된 바와 같이, 발광 구조물(130)은 기판(120) 위에 제1 도전형 반도체층(132), 활성층(134) 및 제2 도전형 반도체층(136)을 순차적으로 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 발광 구조물(130)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이후, 발광 구조물(130) 위에 반사층(140)을 형성한다. 반사층(140)은 Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.
이후, 도 7c를 참조하면, 반사층(140)의 제1 영역(A11, A12)의 일부와, 제2 도전형 반도체층(136)과, 활성층(134)을 관통하고 제1 도전형 반도체층(132)까지 연장되는 제1 블라인드 홀(OP1)을 형성한다.
이후, 도 7d를 참조하면, 제1 블라인드 홀(OP1)의 측부에 제1 절연층(152)을 형성한다. 이때, 제1 블라인드 홀(OP1)의 저면의 제1 도전형 반도체층(132)은 노출시킨다.
이후, 도 7e를 참조하면, 노출된 반사층(140)의 상부에 마스크 패턴(M)을 형성한다. 이때, 마스크 패턴(M)은 확산 방지층(164)이 형성될 영역과 제1 전극(162)이 형성될 영역을 오픈시킬 수 있다.
이후, 도 7f에 예시된 바와 같이, 마스크 패턴(M)을 이용하여 통상의 사진 식각 공정을 통해 확산 방지층(164)과 제1 전극(162)을 형성한 후, 마스크 패턴(M)을 제거한다.
도 7e 및 도 7f의 경우, 확산 방지층(164)과 제1 전극(162)을 동일한 물질로 형성할 경우의 공정 단면도이지만, 확산 방지층(164)과 제1 전극(162)을 서로 다른 물질로 형성하기 위해 도 7e와 도 7f에 도시된 공정을 변형할 수 있다. 즉, 통상의 사진 식각 공정을 통해 확산 방지층(164)을 먼저 형성한 이후에 제1 전극(162)을 형성할 수도 있고, 제1 전극(162)을 먼저 형성한 이후에 확산 방지층(164)을 형성할 수도 있다.
이후, 도 7g에 예시된 바와 같이, 제2 절연층(154)을 도 7f에 예시된 결과물의 상부에 형성한다. 즉, 제2 절연층(154)을 제1 전극(162), 확산 방지층(164) 및 노출된 반사층(140)과 제1 절연층(152)의 상부 전체에 걸쳐 형성한다. 이후, 제2 절연층(154)을 통상의 사진 식각 공정에 의해 식각하여 제2 블라인드 홀(OP2)을 형성한다.
이후, 도 7h에 예시된 바와 같이, 제2 블라인드 홀(OP2)을 매립하여 제1 및 제2 본딩층(172, 174)을 형성한다. 또한, 도 7h에 도시된 결과물에 대해 랩핑(lapping) 및 폴리싱(polishing) 공정을 수행할 수도 있다.
도 8a 및 도 8b는 도 2에 예시된 발광 소자(100A)의 하부 구조물(110, 182 ~ 194)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 7a 내지 도 7h에 예시된 공정이 진행되는 동안, 하부 구조물(110, 182 ~ 194)을 제조하는 공정이 동시에 진행될 수 있다.
도 8a를 참조하면, 서브 마운트(110) 위에 제1 및 제2 금속 패드(192, 194)를 형성한다. 서브 마운트(110)는 AlN, BN, 탄화규소(SiC), GaN, GaAs, Si 등의 반도체 기판으로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지 않고 열적 특성을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.
제1 및 제2 금속 패드(192, 194)는 서브 마운트(110) 위에 수평 방향으로 서로 이격되도록 형성된다.
만일, 서브 마운트(110)가 Si로 이루어질 경우, 제1 및 제2 금속 패드(192, 194)를 형성하기 이전에 서브 마운트(110)의 상부에 보호층(미도시)을 더 형성할 수도 있다. 이 경우 보호층을 형성한 후에, 보호층의 상부에 제1 및 제2 금속 패드(192, 194)가 형성된다.
이후, 도 8b를 참조하면, 제1 및 제2 금속 패드(192, 194) 위에 제1 및 제2 범프부(182, 184)를 각각 형성한다.
이후, 도 8b에 예시된 하부 구조물 위에 도 7h에 예시된 상부 구조물을 배치하여 도 2에 예시된 발광 소자(100A)를 완성한다. 즉, 기판(120)이 탑 측으로 배치되도록 도 7h에 예시된 결과물을 회전시킨 후 도 8b에 예시된 결과물과 결합시킨다. 이때, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 범프부(182)에 의해 제1 본딩층(172)과 제1 금속 패드(192)가 결합되고, 제2 범프부(182)에 의해 제2 본딩층(174)과 제2 전극 패드(194)가 결합될 수 있다.
이하, 도 2에 예시된 발광 소자(100A)를 포함하는 발광 소자 패키지의 구성 및 동작을 설명한다.
도 9는 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)의 단면도를 나타낸다.
도 9에 예시된 발광 소자 패키지(200A)는 발광 소자(100A), 헤더(210), 한쌍의 리드(lead)선(222, 224), 접착부(230), 몰딩 부재(240), 제1 및 제2 와이어(252, 254) 및 측벽부(260)를 포함할 수 있다.
발광 소자(100A)는 도 1 및 도 2에 예시된 발광 소자로서, 동일한 참조부호를 사용하여 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 그러나, 도 6에 예시된 발광 소자(100B)가 도 9에 예시된 바와 같이 구현될 수 있음은 물론이다.
서브 마운트(110)는 접착부(230)에 의해 헤더(210)에 연결된다. 접착부(230)는 솔더 또는 페이스트 형태일 수 있다. 발광 소자(100A)의 제1 및 제2 금속 패드(192, 194)는 제1 및 제2 와이어(252, 254)에 의해 한쌍의 리드선(222, 224)과 각각 연결된다. 서로 전기적으로 분리되는 한쌍의 리드선(222, 224)을 통해 발광 소자(100A)에 전원이 제공된다.
몰딩 부재(240)는 측벽부(260)에 의해 형성된 캐비티에 채워져 발광 소자(100A)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩 부재(240)는 형광체를 포함하여, 발광 소자(100A)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.
여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.
해드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100A, 100B: 발광 소자 110: 서브 마운트
120: 기판 130: 발광 구조물
132: 제1 도전형 반도체층 134: 활성층
136: 제2 도전형 반도체층 140: 반사층
150, 152, 154: 절연층 162: 제1 전극
164: 확산 방지층 172, 174: 본딩층
182, 184: 범프부 192, 194: 금속 패드
200A: 발광 소자 패키지 210: 헤더
222, 224: 리드선 230: 접착부
240: 몰딩 부재 252, 254: 와이어
260: 측벽부

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 발광 구조물 위에 배치되며, 수평 방향으로 이웃하는 제1 및 제2 영역을 갖는 반사층;
    상기 반사층의 상기 제1 영역 중 적어도 일부, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층까지 연장 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극과 상기 발광 구조물의 측면 사이 및 및 상기 제1 전극과 상기 반사층의 사이에 배치된 제1 절연층;
    상기 반사층의 상기 제2 영역에 배치된 확산 방지층;
    상기 제1 전극 및 상기 확산 방지층 위에 배치된 제2 절연층; 및
    상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 전극 및 상기 확산 방지층에 각각 연결되는 제1 및 제2 본딩 층을 포함하는 발광 소자.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 확산 방지층과 상기 제1 절연층은 상기 반사층 위에서 상기 발광 구조물의 두께 방향에 수직한 방향으로 서로 이격되어 배치된 발광 소자.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 확산 방지층과 상기 제1 전극은 상기 발광 구조물의 두께 방향에 수직한 방향으로 서로 이격되어 배치된 발광 소자.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 발광 소자는
    서브 마운트; 및
    상기 서브 마운트 위에 수평 방향으로 이격되어 배치된 제1 및 제2 금속 패드를 더 포함하고,
    상기 제1 및 제2 질화물 반도체층은 상기 제1 및 제2 금속 패드와 각각 연결되는 발광 소자.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 발광 소자는
    상기 제1 본딩층과 상기 제1 금속 패드 사이에 배치되는 제1 범프부; 및
    상기 제2 본딩층과 상기 제2 금속 패드 사이에 배치되는 제2 범프부를 더 포함하는 발광 소자.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 서로 다른 물질로 이루어진 발광 소자.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 서로 동일한 물질로 이루어진 발광 소자.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 발광 구조물의 두께 방향으로 상기 확산 방지층의 제1 두께는 50 ㎚ 내지 수 ㎛인 발광 소자.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 제2 영역에서 상기 반사층과 접하는 상기 확산 방지층의 제1 폭은 상기 제2 절연층을 관통하는 상기 제2 본딩층의 제2 폭 이상인 발광 소자.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 확산 방지층과 상기 제1 전극은 서로 동일한 물질로 이루어진 발광 소자.
  11. 제1 항에 있어서, 상기 확산 방지층과 상기 제1 전극은 서로 다른 물질로 이루어진 발광 소자.
  12. 제1 항에 있어서, 상기 발광 구조물의 두께 방향으로 상기 확산 방지층의 제1 두께는 상기 제1 전극의 제2 두께보다 더 두꺼운 발광 소자.
  13. 기판;
    상기 기판 위에 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 발광 구조물 위에 배치된 반사층;
    상기 반사층 위에 배치된 제1 및 제2 본딩층;
    상기 반사층과 상기 제2 본딩층 사이에 국부적으로 배치된 확산 방지층;
    상기 반사층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층까지 연장 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극과 상기 발광 구조물의 측면 사이 및 및 상기 제1 전극과 상기 반사층의 사이에 배치된 제1 절연층; 및
    상기 제1 전극 및 상기 확산 방지층 위에 배치된 제2 절연층을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 본딩층은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 전극 및 상기 확산 방지층에 각각 연결된 발광 소자.
  14. 패키지 몸체; 및
    상기 패키지 몸체 위에 배치된 제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
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