TWI766196B

TWI766196B - 半導體發光裝置

Info

Publication number: TWI766196B
Application number: TW108137193A
Authority: TW
Inventors: 安田俊輝; 丸山俊
Original assignee: 日商牛尾電機股份有限公司
Priority date: 2019-10-16
Filing date: 2019-10-16
Publication date: 2022-06-01
Also published as: TW202118085A

Abstract

本發明的課題，係提供可抑制有引起物理性破損之虞的變性反應的半導體發光裝置。解決手段的半導體發光裝置，係具備於氮化物半導體基板(11)的第1面上形成包含發光層(12b)的半導體層(12)，且於氮化物半導體基板(11)之與第1面相反側的第2面上形成電極(第一電極)(13)所成的半導體發光元件(10A)、載置半導體發光元件(10A)的次底座(20)、及將電極(13)接合於次底座(20)的接合層(30)。氮化物半導體基板(11)的第2面整面從接合層(30)隔開。

Description

半導體發光裝置

本發明係關於具備氮化物半導體發光元件的半導體發光裝置。

先前，公知於GaN等地氮化物半導體基板的第1面上，形成包含發光層的氮化物半導體層所成的氮化物半導體發光元件。於此種氮化物半導體發光元件中，於氮化物半導體基板之與第1面相反側的第2面上形成第一電極，於氮化物半導體層上形成第二電極。例如於專利文獻1，作為氮化物半導體基板揭示使用n型GaN基板的GaN系半導體雷射。該GaN系半導體雷射係於n型GaN基板上具有半導體層，於n型GaN基板的背面(與半導體層相反側之面)具有n型電極。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2006-128558號公報

如前述專利文獻1所記載的氮化物半導體發光元件，於氮化物半導體基板之背面的一部分，有存在未形成電極的露出部分之狀況。如此，將氮化物半導體基板之背面的一部分露出的氮化物半導體發光元件，以向上接合方式接合於次底座時，前述露出部分會與接合次底座與氮化物半導體發光元件的焊錫等之接合層接觸。於是，因為氮化物半導體發光元件的長期間使用，氮化物半導體基板之露出部分與接合層的接觸部分可能發生變性反應。此時所產生的反應物，係形成時引起體積膨脹，因為起因於該體積膨脹的應力，會引起電極金屬及半導體層、接合層等的破裂或剝離等之物理性破損。因此，本發明的課題係提供可抑制有引起物理性破損之虞的變性反應的半導體發光裝置。

為了解決前述課題，本發明的半導體發光裝置，具備：半導體發光元件，係於氮化物半導體基板的第1面上形成包含發光層的半導體層，且於與前述氮化物半導體基板的前述第1面相反側的第2面上形成電極所成；次底座，係載置前述半導體發光元件；及接合層，係將前述電極接合於前述次底座；前述氮化物半導體基板的前述第2面整面從前述接合層隔開。如此，半導體發光裝置係氮化物半導體基板的第2面整面不與接合層接觸的構造，故可抑制氮化物半導體基板與接合層的接觸部分中發生有引起物理性破損之虞的變性反應。

又，於前述的半導體發光裝置中，前述氮化物半導體基板的前述第2面整面並未露出亦可。

如此，氮化物半導體基板的第2面整面被接合層以外的構件覆蓋的話，可適切抑制氮化物半導體基板與接合層的接觸。

進而，於前述的半導體發光裝置中，前述電極，係具備：第1電極部分，係接觸前述氮化物半導體基板的前述第2面；及第2電極部分，係連繫於前述第1電極部分之與前述第2面相反側，且寬度比前述第1電極部分狹窄；前述第2電極部分接觸前述接合層亦可。

此時，可在氮化物半導體基板與接合層之間設置物理距離，可迴避氮化物半導體基板與接合層的接觸。

又，於前述的半導體發光裝置中，前述電極，係具備：第1電極部分，係接觸前述氮化物半導體基板的前述第2面；及第2電極部分，係連繫於前述第1電極部分之與前述第2面相反側，且寬度比前述第1電極部分狹窄；障壁電極，係形成於前述第2電極部分之與前述第1電極部分相反側之面上；前述障壁電極接觸前述接合層亦可。

此時，可適切抑制與接合層的接觸部分之變性反應物的生成。

進而，於前述的半導體發光裝置中，前述電極係形成於前述氮化物半導體基板的前述第2面整面亦可。

如此，利用設為電極覆蓋氮化物半導體基板的第2面整面的構造，可容易且適切迴避氮化物半導體基板與接合層的接觸。

又，前述的半導體發光裝置中，前述電極，係形成於前述氮化物半導體基板的前述第2面之一部分；更具備：絕緣層，係形成於前述第2面之未形成前述電極的區域亦可。

此時，即使氮化物半導體基板的第2面存在未形成電極的區域之狀況中，也可藉由絕緣層覆蓋該區域，可適切迴避氮化物半導體基板與接合層的接觸。

又進而，前述的半導體發光裝置中，前述氮化物半導體基板，係具備：前述半導體層側的第1基板部分；及第2基板部分，係位於前述次底座側，寬度比前述第1基板部分狹窄；前述電極形成於前述第2基板部分的前述次底座側整面亦可。

此時，即使氮化物半導體基板的第2面存在未形成電極的區域之狀況中，也可在該區域與接合層之間設置物理距離，可適切迴避氮化物半導體基板與接合層的接觸。

又，於前述的半導體發光裝置中，前述電極的厚度，係比前述接合層的厚度還厚亦可。此時，電極不會埋沒於接合層，可迴避氮化物半導體基板與接合層的接觸。進而，於前述的半導體發光裝置中，前述接合層的寬度，係比前述電極的寬度還寬廣亦可。此時，可一邊迴避氮化物半導體基板與接合層的接觸，一邊適切接合氮化物半導體發光元件與次底座。又，於前述的半導體發光裝置中，前述接合層的寬度，係前述電極的寬度以下亦可。此時，可適切迴避氮化物半導體基板與接合層的接觸。

依據本發明，可設為不使氮化物半導體基板的第2面整面與接合層接觸的構造，可抑制有引起物理性破損之虞的變性反應。

以下，依據圖面來說明本發明的實施形態。 (第一實施形態) 圖1係揭示第一實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。本實施形態的半導體發光裝置係具備半導體發光元件10A與次底座20。於本實施形態中，半導體發光元件10A係在安裝於半導體發光裝置即半導體雷射裝置，被供給所定注入電流時，射出雷射光的半導體雷射元件。

半導體發光元件10A係具備具有第1面及第2面的氮化物半導體基板(以下，僅稱為「半導體基板)11。半導體基板11係例如藉由氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)等之氮化物半導體所構成。在本實施形態中，針對半導體基板11是GaN基板的狀況進行說明。於半導體基板11的第1面上，形成半導體層12。再者，於本實施形態中，半導體基板11的第1面係圖1中的上面。又，半導體基板11的第2面係與第1面相反側之面，亦即圖1中的下面。

半導體層12係具有於半導體基板11上，至少以第一導電層12a、發光層(活性層)12b及第二導電層12c的順序層積的構造。第一導電層12a係n型被覆層(例如n-AlGaN)，第二導電層係p型被覆層(例如p-AlGaN)。又，發光層12b係具有例如以GaInN所構成之多量子井結構。又，半導體發光元件10A係具備形成於半導體基板11的第2面上(半導體基板11之與半導體層12相反側之面上)的n側電極(第一電極)13，與於半導體層12上隔著絕緣膜16形成的p側電極(第二電極)14。第一電極13係例如由Ti/Al/Mo/Ti/Pt/Au所成的多層電極層，第二電極14係例如由Pd/Ti/Pt/Au/Mo/Au所成的多層電極層。

進而，半導體發光元件10A係於半導體層12內，具備發光部15。發光部15係對應發光層12b的特定區域。又，於第一導電層12a及第二導電層12c中位於比發光層12b更離開半導體基板11之側的層(圖1中為第二導電層12c)，形成有條狀的脊部17。該脊部17係用以壓縮電流的電流壓縮部。前述特定區域係發光層12b之對應前述電流壓縮部的區域。

然後，半導體發光元件10A係隔著接合層30接合於次底座20。在此，接合層30係例如Au-Sn所成的焊錫層。次底座20的本體部係例如可使用氮化鋁(AlN)所構成。再者，次底座20的本體部可考慮放熱性、絕緣性、與半導體發光元件10A的線膨脹係數差及成本等來適當選擇。於次底座20的表面，藉由金(Au)形成未圖示的電極配線，半導體發光元件10A係於其電極配線上，隔著接合層30以向上接合方式接合。也就是說，設置於半導體發光元件10A的半導體基板11之第2面側的表面之第一電極13的表面成為接合面，接合於次底座20。藉此，第一電極13與次底座20的電極配線電性導通。

於本實施形態中，第一電極13的電極寬度係與半導體基板11的寬度相等，接合層30的寬度係比第一電極13及半導體基板11的寬度還寬廣。又，次底座20的寬度係比接合層30的寬度還寬廣。在此，前述寬度係圖1之左右方向的寬度(與空腔方向正交之方向的寬度)。例如，第一電極13及半導體基板11的寬度可設為200μm，接合層30的寬度可設為400μm，次底座20的寬度可設為800μm。又，在本實施形態中，第一電極13的厚度(合計厚度)比接合層30的厚度還薄。例如，第一電極13的厚度(合計厚度)可設為500nm，接合層30的厚度可設為2μm～3μm。

如此，於本實施形態的半導體發光元件10A中，第一電極13係形成於於半導體基板11的第2面整面，半導體基板11的第2面整面不會接觸接合層30，亦即從接合層30隔開。也就是說，半導體基板11並未與接合層30接觸。圖8係揭示使用作為比較例的半導體發光元件110的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。再者，於圖8中，對於具有與半導體發光元件10A相同構造的部分附加與圖1相同的符號，以下，僅針對與圖1構造不同之部分進行說明。半導體發光元件110係具備寬度比半導體基板11狹窄的第一電極113。因此，於半導體基板11的第2面之外周部，存在未形成第一電極113的露出部分111，該露出部分111與接合層30接觸。再者，第一電極113可藉由與圖1的第一電極13相同的材料構成。

半導體基板11的露出部分111係例如用於半導體發光元件110的形狀辨識。半導體發光元件係切斷1張晶圓所形成。此時，需要辨識出半導體發光元件的形狀，於晶圓的切斷位置設置缺口進行劈開。因此，為了辨識出半導體發光元件的形狀，有對應切換半導體基板的第2面側之電極後的半導體發光元件的形狀來形成的狀況。此時，於切斷後的半導體發光元件中，於第2面上形成寬度比半導體基板還狹窄的電極。

然而，將此種半導體發光元件110，透過接合層30，藉由向上接合方式接合於次底座20時，長期間動作中，於半導體基板11的露出部分111與接合層30的接觸部分中會發生變性反應。於是，如圖9所示，於該接觸部分中形成層狀的變性反應部131。該變性反應部131係藉由形成過程中的體積膨脹，朝向半導體發光元件110的內側的方向施加應力，有因為該應力導致半導體發光裝置破損之虞。例如，因為前述應力，接合層30會發生裂痕132。有接合層30剝離，或半導體發光元件110從次底座20脫離之虞。又，也有引起電極金屬的剝離、半導體基板11的破裂等之虞。

相對於此，本實施形態之半導體發光元件10A係具有半導體基板11的第2面整面從接合層30隔開的構造。具體來說，於半導體基板11的第2面整面形成第一電極13，半導體基板11的第2面整面並未露出。如此，半導體基板11的第2面並未與接合層30接觸。所以，可迴避半導體基板11與接合層30的接觸，可抑制圖9所示般的變性反應部131的發生。結果，可抑制半導體發光裝置的物理性破損的發生。又，於本實施形態的半導體發光裝置中，接合層30以伸出比第一電極13的邊緣部更外側之方式形成。如此，接合層30的寬度可設為比第一電極13的寬度更寬廣。在本實施形態中，可一邊迴避半導體基板11與接合層30的接觸以抑制前述的變性反應，一邊將半導體發光元件10A適切接合於次底座20。

(第二實施形態) 接著，針對本發明的第二實施形態進行說明。圖2係揭示第二實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。本實施形態的半導體發光裝置係具備半導體發光元件10B與次底座20。半導體發光元件10B係具有將上述之第一實施形態的半導體發光元件10A的第一電極13提高的構造。

具體來說，半導體發光元件10B係更具備連結於第一電極13之與半導體基板11的第2面相反側之面，電極寬度比第一電極13狹窄的第三電極13a。然後，半導體發光元件10B係第三電極13a的表面成為接合面，隔著接合層30接合於次底座20。第三電極13a係例如可藉由Au電鍍所構成。

在此，第三電極13a的厚度可設為比接合層30的厚度還厚。再者，接合層30的厚度為2μm～3μm時，第三電極13a的厚度為5μm以下亦可(但是至少超過3μm)。又例如，第一電極13及半導體基板11的寬度可設為200μm，第三電極13a的電極寬度可設為140μm，接合層30的寬度可設為400μm，次底座20的寬度可設為800μm。

再者，第一電極13與第三電極13a一體形成亦可。亦即，形成於半導體基板11的第2面上的電極，作為具備連接該第2面整面的第1電極部分，與連繫於第1電極部分之與前述第2面相反側，寬度比第1電極部分狹窄的第2電極部分，且第2電極部分接觸接合層30的構造亦可。又，在本實施形態中，已針對第一電極13形成於半導體基板11的第2面整面的狀況進行說明，但是，第一電極13形成於半導體基板11的第2面的一部分亦可。亦即，前述第1電極部分，係接觸半導體基板11的第2面的一部分的構造亦可。

如以上所說明般，本實施形態的半導體發光元件10B係具有具備連接半導體基板11的第2面的第一電極13，與連繫於第一電極13之與第2面相反側，寬度比第一電極13狹窄的第三電極13a，且使第三電極13a接合於接合層30的構造。如此，利用提高半導體基板11的第2面上的第一電極13，可隔開物理距離來配置半導體基板11與接合層30。又，此時，利用使第三電極13a的厚度成為比接合層30的厚度更厚，在將半導體發光元件10B接合於次底座20時，可讓第三電極13a不會埋沒於接合層30，半導體基板11不會連接接合層30。所以，可確實迴避半導體基板11與接合層30的接觸。

(第三實施形態) 接著，針對本發明的第三實施形態進行說明。圖3係揭示第三實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。本實施形態的半導體發光裝置係具備半導體發光元件10C與次底座20。半導體發光元件10C係具有對於上述之第二實施形態的半導體發光元件10B追加障壁電極13b的構造。

具體來說，於第三電極13a之與第一電極13相反側之面，形成障壁電極13b。障壁電極13b係藉由不與接合層30產生反應的材料所構成。例如，障壁電極13b可作為由Ti/Pt/Au所成的多層電極層亦可。在此，障壁電極13b的電極寬度係與第三電極13a的電極寬度同等。又，障壁電極13b的厚度(合計厚度)例如可設為500nm。關於其他構件的寬度及厚度，與上述之第二實施形態相同亦可。

如以上所說明般，本實施形態的半導體發光元件10C係具備連接半導體基板11的第2面的第一電極13、連結於第一電極13之與第2面相反側，寬度比第一電極13狹窄的第三電極13a、形成於第三電極13a之與第一電極13相反側之面上的障壁電極13b。然後，半導體發光元件10C係具有使障壁電極13b接合於接合層30的構造。如此，利用提高半導體基板11的第2面上的電極，與上述之第二實施形態同樣地，可隔開物理距離來配置半導體基板11與接合層30，可迴避半導體基板11與接合層30的接觸。又，半導體發光元件10C係使障壁電極13b接合於接合層30，故可防止接合層30滲入電極。

(第四實施形態) 接著，針對本發明的第四實施形態進行說明。圖4係揭示第四實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。本實施形態的半導體發光裝置係具備半導體發光元件10D與次底座20。半導體發光元件10D係具有將上述之第一實施形態的半導體發光元件10A的第一電極13的電極寬，設為比半導體基板11的寬度還狹窄，且於半導體基板11的第2面與接合層30對向的空間配置絕緣層(絕緣膜)18的構造。

具體來說，第一電極13係形成於半導體基板11的第2面的一部分，於半導體基板11的第2面，存在未形成第一電極13的電極非形成區域。然後，於該電極非形成區域，形成有絕緣層18。絕緣層18係藉由不與接合層30產生反應的材料所構成。在此，第一電極13的電極寬度係比半導體基板11的寬度還狹窄，第一電極13與絕緣層18的合計寬度係與半導體基板11的寬度相等。又，絕緣層18的厚度與第一電極13的厚度相等。關於其他構件的寬度及厚度，與上述之第一實施形態相同亦可。

如以上所說明般，本實施形態之半導體發光元件10D係具備配置於半導體基板11的第2面與接合層30對向之空間的絕緣層18。藉此，絕緣層18保護半導體基板11的露出部，可確實迴避半導體基板11與接合層30的接觸。

(第五實施形態) 接著，針對本發明的第五實施形態進行說明。圖5係揭示第五實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。本實施形態的半導體發光裝置係具備半導體發光元件10E與次底座20。半導體發光元件10E係具有於半導體基板11設置切削加工部11a，且將第一電極13的電極寬度設為比半導體基板11的寬度更狹窄的構造。

具體來說，半導體基板11係具有半導體層12側的第1基板部分，與次底座20側的第2基板部分，第2基板部分係寬度比第1基板部分還狹窄。然後，於半導體基板11的第2基板部分之次底座20側整面，形成第一電極13，第一電極13與接合層30接觸。於該圖5所示的半導體基板11中，與第1面相反側的第2面係包含於第1基板部分中與接合層30對向的露出面11b，與於第2基板部分中形成第一電極13之面。亦即，在半導體基板11的第2面中未形成第一電極13的電極非形成區域(露出面11b)與接合層30之間形成空間。

如以上所說明般，本實施形態之半導體發光元件10E的半導體基板11係具有半導體層12側的第1基板部分，與位於次底座20側，寬度比第1基板部分還狹窄的第2基板部分。然後，半導體發光元件10E係具有於半導體基板11的第2基板部分之次底座20側整面，形成第一電極13的構造。如此，藉由對半導體基板11進行切削加工，可取得半導體基板11的露出部與接合層30之間的物理距離。所以，可迴避半導體基板11與接合層30的接觸。

(第六實施形態) 接著，針對本發明的第六實施形態進行說明。圖6係揭示第六實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。本實施形態的半導體發光裝置係具備半導體發光元件10F與次底座20。半導體發光元件10F係具有將上述之第一實施形態的半導體發光元件10A的第一電極13的電極寬，設為比半導體基板11的寬度還狹窄，且將接合層30的寬度設為第一電極13的電極寬度以下的構造。

具體來說，第一電極13係形成於半導體基板11的第2面的一部分，於半導體基板11的第2面，存在未形成第一電極13的電極非形成區域11c。然後，在該電極非形成區域11c與次底座20之間，形成空間。亦即，電極非形成區域11c係與次底座20對向，未與接合層30對向。再者，圖6係揭示第一電極13的電極寬度與接合層30的寬度相等的範例，接合層20的寬度比第一電極13的電極寬度還挾窄亦可。

又，於本實施形態中，已針對將接合層30的寬度設為第一電極13的電極寬度以下的狀況進行說明，但是，接合層30的寬度係接合於該接合層30之電極的電極寬度以下亦可。例如，圖2所示的半導體發光元件10B的狀況中，將接合層30的寬度設為第三電極13a的電極寬度以下亦可。又，圖3所示的半導體發光元件10C的狀況中，將接合層30的寬度設為障壁電極13b的電極寬度以下亦可。

如以上所說明般，於本實施形態之半導體發光裝置中，接合層30的寬度可設為形成於半導體基板11的第2面上之電極的寬度以下。如此，利用縮小接合層30的塗布區域，即使半導體基板11的第2面存在露出部分的狀況中，也可確實迴避半導體基板11與接合層30的接觸。

(第七實施形態) 接著，針對本發明的第七實施形態進行說明。圖7係揭示第七實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。本實施形態的半導體發光裝置係具備半導體發光元件10G與次底座20。半導體發光元件10G係具有將上述之第一實施形態的半導體發光元件10A的第一電極13的電極寬，設為比半導體基板11的寬度還狹窄，且將第一電極13的寬度設為比接合層30的厚度還厚的構造。

具體來說，第一電極13係形成於半導體基板11的第2面的一部分，於半導體基板11的第2面，存在未形成第一電極13的電極非形成區域11c。然後，在該電極非形成區域11c與接合層30之間，形成空間。

如以上所說明般，本實施形態之半導體發光元件10G的第一電極13的厚度比接合層30的厚度還厚。如此，利用加厚提高第一電極13，可隔開物理距離來配置半導體基板11與接合層30。所以，即使半導體基板11的第2面存在露出部分的狀況中，也可確實迴避半導體基板11與接合層30的接觸。再者，在本實施形態中，已針對於半導體基板11的第2面存在電極非形成區域11c的狀況進行說明，但是，於半導體基板11的第2面不存在電極非形成區域11c時，將形成於半導體基板11的第2面上之電極的厚度，設定為比接合層30的厚度還厚亦可。

(實施例) 接著，針對為了確認本發明的效果所進行之實施例進行說明。針對作為比較例使用圖8所示之半導體發光元件110的半導體發光裝置，與作為實施例使用圖3所示之半導體發光元件10C的半導體發光裝置，確認時期間使用之變性反應部的發生之有無。圖10係揭示使用圖8所示之半導體發光元件110的半導體發光裝置的長期間使用時之剖面的圖，圖11係揭示使用圖3所示之半導體發光元件10C的半導體發光裝置的長期間使用時之剖面的圖。針對各半導體發光裝置進行加速試驗，分別以SEM(掃描式電子顯微鏡)放大半導體發光元件的剖面，結果如圖10所示般，可確認於半導體發光元件110，半導體基板11與接合層30的接觸部分形成變性反應部131。另一方面，如圖11所示，在半導體發光元件10C中，無法確認到如圖10所示的變性反應部。也就是說，在前述實施例中，可抑制有引起物理性破損之虞的變性反應，可確認到獲得長期信賴性。

10A~10G:半導體發光元件 11:氮化物半導體基板 11a:切削加工部 12:半導體層 12a:第一導電層 12b:發光層 12c:第二導電層 13:n側電極(第一電極) 13a:第三電極 13b:障壁電極 14:p側電極(第二電極) 15:發光部 16:絕緣膜 17:脊部 18:絕緣層 20:次底座 30:接合層

[圖1]揭示第一實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。 [圖2]揭示第二實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。 [圖3]揭示第三實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。 [圖4]揭示第四實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。 [圖5]揭示第五實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。 [圖6]揭示第六實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。 [圖7]揭示第七實施形態的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。 [圖8]揭示先前的半導體發光裝置之構造例的剖面圖。 [圖9]說明先前的半導體發光裝置之問題點的圖。 [圖10]揭示比較例的半導體發光裝置之長期間使用時的剖面的圖。 [圖11]揭示實施例的半導體發光裝置之長期間使用時的剖面的圖。

10A:半導體發光元件

11:氮化物半導體基板

12:半導體層

12a:第一導電層

12b:發光層(活性層)

12c:第二導電層

13:n側電極(第一電極)

14:p側電極(第二電極)

15:發光部

16:絕緣膜

17:脊部

20:次底座

30:接合層

Claims

一種半導體發光裝置，其特徵為具備：半導體發光元件，係於氮化物半導體基板的第1面上形成包含發光層的半導體層，且於前述氮化物半導體基板之與前述第1面相反側的第2面上形成電極所成；次底座，係載置前述半導體發光元件；及接合層，係將前述電極接合於前述次底座；前述氮化物半導體基板的前述第2面整面從前述接合層隔開；前述電極，係具備：第1電極部分，係接觸前述氮化物半導體基板的前述第2面；及第2電極部分，係連繫於前述第1電極部分之與前述第2面相反側，且寬度比前述第1電極部分狹窄；前述第2電極部分接觸前述接合層。
如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光裝置，其中，前述氮化物半導體基板的前述第2面整面並未露出。
如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光裝置，其中，前述電極，係形成於前述氮化物半導體基板的前述第 2面整面。
如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光裝置，其中，前述電極的厚度，係比前述接合層的厚度還厚。
如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光裝置，其中，前述接合層的寬度，係比前述電極的寬度還寬廣。
如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光裝置，其中，前述接合層的寬度，係前述電極的寬度以下。
一種半導體發光裝置，其特徵為具備：半導體發光元件，係於氮化物半導體基板的第1面上形成包含發光層的半導體層，且於前述氮化物半導體基板之與前述第1面相反側的第2面上形成電極所成；次底座，係載置前述半導體發光元件；及接合層，係將前述電極接合於前述次底座；前述氮化物半導體基板的前述第2面整面從前述接合層隔開；前述電極，係具備：第1電極部分，係接觸前述氮化物半導體基板的前述第2面；及第2電極部分，係連繫於前述第1電極部分之與前述第2面相反側，且寬度比前述第1電極部分狹窄；障壁電極，係形成於前述第2電極部分之與前述第1電極部分相反側之面上；前述障壁電極接觸前述接合層。
一種半導體發光裝置，其特徵為具備：半導體發光元件，係於氮化物半導體基板的第1面上形成包含發光層的半導體層，且於前述氮化物半導體基板之與前述第1面相反側的第2面上形成電極所成；次底座，係載置前述半導體發光元件；及接合層，係將前述電極接合於前述次底座；前述氮化物半導體基板的前述第2面整面從前述接合層隔開；前述電極，係形成於前述氮化物半導體基板的前述第2面之一部分；更具備：絕緣層，係形成於前述第2面之未形成前述電極的區域。
一種半導體發光裝置，其特徵為具備：半導體發光元件，係於氮化物半導體基板的第1面上形成包含發光層的半導體層，且於前述氮化物半導體基板之與前述第1面相反側的第2面上形成電極所成；次底座，係載置前述半導體發光元件；及接合層，係將前述電極接合於前述次底座；前述氮化物半導體基板的前述第2面整面從前述接合層隔開；前述氮化物半導體基板，係具備：前述半導體層側的第1基板部分；及第2基板部分，係位於前述次底座側，寬度比前述第1基板部分狹窄；前述電極形成於前述第2基板部分的前述次底座側整面。