JP2011071272A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】適切な色調を得ることができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光装置は、半導体層１３と、発光層を含む半導体層１４とを積層した構造の発光素子１５と、発光素子１５の光取り出し面１２に対向して設けられた蛍光体層６１と、光取り出し面１２の反対側に設けられた配線層と、発光素子１５の側面１３ａに設けられ、発光層が発する光に対して不透明な遮光材３５とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
従来より、青色発光素子と蛍光体層とを組み合わせて白色を得る波長変換型発光ダイオードが知られている。例えば特許文献１には、多数個のＬＥＤが形成されたウェーハの上面に蛍光体層を形成後、個別チップに切断する製造方法についての言及がある。しかし、この場合、発光素子の側面から放出される光は蛍光体層を通過せず、側面から青みの強い光が放出されてしまい、所望の白色の生成が困難になる。
特開２００５−１１６９９８号公報
本発明は、適切な色調を得ることができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
本発明の一態様によれば、発光層を含む半導体層であって、第１の主面と前記第１の主面の反対側の第２の主面とを有する半導体層と、前記第１の主面に対向して設けられた蛍光体層と、前記第２の主面側に設けられ、導体と絶縁体とを有する配線層と、前記半導体層の側面に設けられ、前記発光層が発する光に対して不透明な遮光材と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、基板の主面上に、発光層を含む半導体層を形成する工程と、前記基板上の前記半導体層を複数に分離する分離溝を形成する工程と、前記半導体層における前記基板に接する第１の主面の反対側の第２の主面に、導体と絶縁体とを有する配線層を形成する工程と、前記分離溝に露出する前記半導体層の側面に、前記発光層が発する光に対して不透明な遮光材を形成する工程と、前記半導体層の前記第１の主面上に蛍光体層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、適切な色調を得ることができる半導体発光装置及びその製造方法が提供される。
本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図。 同半導体発光装置における主要要素の平面レイアウトを示す模式図。 同半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 図３に続く工程を示す模式断面図。 図４に続く工程を示す模式断面図。 図５に続く工程を示す模式断面図。 本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 本発明の他の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図。
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。
本実施形態に係る半導体発光装置は、ウェーハ状態で一括して形成される発光素子１５と配線層とを有する。発光素子１５は、第１の半導体層１３と第２の半導体層１４とを有する。第２の半導体層１４は、発光層（または活性層）をｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とで挟んだ構造を有する。第１の半導体層１３は、例えばｎ型であり、電流の横方向経路として機能する。但し、第１の半導体層１３の導電型はｎ型に限らず、ｐ型であってもよい。
第１の半導体層１３の第１の主面は光取り出し面１２として機能する。その光取り出し面１２の反対側の第２の主面に、選択的に第２の半導体層１４が設けられている。したがって、第２の半導体層１４の平面サイズは、第１の半導体層１３の平面サイズより小さい。
第１の半導体層１３の第２の主面における第２の半導体層１４が設けられていない部分には、ｎ側電極１６が設けられている。第２の半導体層１４における第１の半導体層１３と接する面の反対面にはｐ側電極１７が設けられている。
ｎ側電極１６の端部とｐ側電極１７の端部との間には、絶縁膜２１が介在されている。また、ｎ側電極１６及びｐ側電極１７の表面は、絶縁膜２２で覆われている。例えば、絶縁膜２１はシリコン酸化物であり、絶縁膜２２はポリイミドである。シリコン酸化物はポリイミドに比べて絶縁性が高く、ｎ側電極１６の端部とｐ側電極１７の端部との間にシリコン酸化物が介在することで、ｎ側電極１６とｐ側電極１７との間の短絡を確実に防止し、高い信頼性が得られる。なお、シリコン酸化物及びポリイミドは共に、本実施形態における発光層が発する光に対して透明である。
絶縁膜２２において、ｎ側電極１６及びｐ側電極１７に接する面の反対側の面には、相互に分離されたｎ側配線４１とｐ側配線４２が形成されている。ｎ側配線４１は、ｎ側電極１６に達して絶縁膜２２に形成された開口２３内にも設けられ、ｎ側電極１６と電気的に接続されている。ｐ側配線４２は、ｐ側電極１７に達して絶縁膜２２に形成された開口２４内にも設けられ、ｐ側電極１７と電気的に接続されている。例えば、ｎ側配線４１とｐ側配線４２は、絶縁膜２２表面及び開口２３、２４内壁に形成されたシード金属４０を電流経路として利用した電解めっき法によって形成される。
ｎ側電極１６、ｐ側電極１７、ｎ側配線４１、ｐ側配線４２、絶縁膜２２は、いずれも発光素子１５における光取り出し面１２の反対側に設けられ、配線層を構成する。この配線層の形成は、後述するようにウェーハ状態で一括して行われる。
図１に示す半導体発光装置は、ウェーハ状態からダイシングされて個片化されたものを示す。第１の半導体層１３において第２の半導体層１４が設けられていない部分は、ウェーハ状態で第１の分離溝３１及び第２の分離溝３２によって分断される。第１の分離溝３１はスクライブラインとして機能し、第１の分離溝３１の位置でダイシングされることで個片化される。
第１の分離溝３１の近傍である第１の半導体層１３の端部に第２の分離溝３２が形成されている。第２の分離溝３２は、スクライブラインである第１の分離溝３１で囲われる領域の内側に形成される。第２の分離溝３２内には、発光層が発する光に対して不透明な遮光材３５が設けられている。遮光材３５は、ｎ側配線４１及びｐ側配線４２と同じ金属材料からなり、シード金属４０が第２の分離溝３２内にも形成され、ｎ側配線４１及びｐ側配線４２を形成する電解めっき時に、遮光材３５を構成する金属も同時に形成される。なお、第２の分離溝３２内に形成されたシード金属４０も遮光材として機能する。
遮光材３５を構成する金属（シード金属４０も含む）は、ｐ側配線４２とは分離され電気的につながっていない。遮光材３５は、ｎ側配線４１とはつながっていても、つながっていなくてもよい。遮光材３５とｎ側配線４１とがつながっている場合、遮光材３５も第１の半導体層１３に電流を供給するｎ側配線４１として機能する。すなわち、第２の分離溝３２の側壁で遮光材３５と接続するｎ側電極１６を通じて、第１の半導体層１３に電流を供給することが可能である。
図２（ａ）は、第２の分離溝３２の平面レイアウトを示す。第１の半導体層１３は、第２の分離溝３２によって、発光領域８１とその外側の非発光領域８２とに分断される。発光領域８１におけるｎ側電極１６はｎ側配線４１と接続され、ｐ側電極１７はｐ側配線４２に接続され、それらを介して発光素子１５に電流が供給され発光する。非発光領域８２は、第１の分離溝３１と第２の分離溝３２との間に第１の半導体層１３が枠状に残されたものであり、発光層を含む第２の半導体層１４を含まず、ｎ側配線４１及びｐ側配線４２とも接続されず、発光しない。
第２の分離溝３２は、発光領域８１を枠状に囲んでいる。その第２の分離溝３２内に遮光材３５が設けられ、第２の分離溝３２に隣接する発光領域８１の側面１３ａは遮光材３５で囲まれて覆われている。
再び図１を参照すると、ｎ側配線４１の下にはｎ側金属ピラー４３が設けられている。ｐ側配線４２の下にはｐ側金属ピラー４４が設けられている。ｎ側金属ピラー４３の周囲、ｐ側金属ピラー４４の周囲、ｎ側配線４１、ｐ側配線４２および遮光材３５は、封止樹脂５１で覆われている。
また、封止樹脂５１の一部は、第１の分離溝３１内にも充填されている。第１の分離溝３１内の封止樹脂５１は、第１の分離溝３１に隣接する第１の半導体層１３の端面１３ｂを覆っている。また、第１の分離溝３１内の封止樹脂５１は、図２（ａ）に示すように、第２の分離溝３２内に設けられた遮光材３５の外側から発光領域８１の側面１３ａを囲んでいる。封止樹脂５１は、例えばカーボンブラックなどの顔料成分を含む樹脂であり、発光層が発する光に対して不透明である。したがって、第１の分離溝３１内の封止樹脂５１も遮光材として機能する。したがって、発光領域８１の側面１３ａは２重に遮光材で囲まれている。
第１の半導体層１３は、ｎ側電極１６及びｎ側配線４１を介してｎ側金属ピラー４３と電気的に接続されている。第２の半導体層１４は、ｐ側電極１７及びｐ側配線４２を介してｐ側金属ピラー４４と電気的に接続されている。ｎ側金属ピラー４３及びｐ側金属ピラー４４における封止樹脂５１から露出する下端面には、例えば図示しないはんだボール、金属バンプなどの外部端子が形成され、その外部端子を介して、前述した配線層及び発光素子１５が外部回路と接続可能である。
本実施形態の構造によれば、発光素子１５（第１の半導体層１３及び第２の半導体層１４の積層体）が薄くても、ｎ側金属ピラー４３、ｐ側金属ピラー４４および封止樹脂５１を厚くすることで機械的強度を保つことが可能となる。また、回路基板等に実装した場合に、外部端子を介して発光素子１５に加わる応力をｎ側金属ピラー４３とｐ側金属ピラー４４が吸収することで緩和することができる。ｎ側金属ピラー４３及びｐ側金属ピラー４４を支える役目をする封止樹脂５１は、回路基板等と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような封止樹脂５１として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。
また、ｎ側配線４１、ｐ側配線４２、ｎ側金属ピラー４３、ｐ側金属ピラー４４、遮光材３５の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁膜２１、２２との優れた密着性を備えた銅がより好ましい。
発光素子１５において、配線層が設けられた第２の主面側とは反対側の光取り出し面１２上には、光取り出し面１２に対向して蛍光体層６１が設けられている。蛍光体層６１は、発光層からの光を吸収し波長変換光を放出可能である。このため発光層からの光と蛍光体層６１における波長変換光との混合光が放出可能となる。例えば発光層を窒化物系とすると、その発光層からの青色光と、例えば黄色蛍光体層６１における波長変換光である黄色光との混合色として白色または電球色などを得ることができる。
本発明の実施形態によれば、第１の半導体層１３における発光領域として機能する部分の側面１３ａを遮光材３５で覆っているため、その側面１３ａからの漏れ光が蛍光体層６１を通過せずに、あるいはごく薄く通過しただけで、外部に放出されてしまうことを防止できる。この結果、所望の色調の白色光を外部に取り出すことができる。
また、遮光材３５は金属であり、発光層が発する光に対して反射性を有する。したがって、発光層から発せられ第１の半導体層１３内を側面１３ａへと向かって進む光を遮光材３５で反射させて、蛍光体層６１が設けられた光取り出し面１２側へと進ませることができ、輝度低下を抑制できる。
第２の半導体層１４の側面は絶縁膜２１で覆われているが、絶縁膜２１は例えばシリコン酸化膜であり、発光層が発する光に対して透明である。しかし、遮光材３５は、第２の半導体層１４の側面に対向する位置にも設けられて第２の半導体層１４の側面を囲んでいる。さらにその外側には、発光層が発する光に対して不透明な封止樹脂５１が設けられている。このため、第２の半導体層１４の側面から光が外部に漏れてしまうことはない。
次に、図３〜６を参照して、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、基板１１の主面上に第１の半導体層１３を、その上に第２の半導体層１４を形成する。第１の半導体層１３における基板１１の主面に接する面が光取り出し面１２となる。例えば、発光層が窒化物系半導体の場合、第１の半導体層１３及び第２の半導体層１４はサファイア基板上に結晶成長させることができる。その後、図示しないレジストマスクを用いて第２の半導体層１４をパターニングし、図３（ｂ）に示すように、第２の半導体層１４が第１の半導体層１３上に選択的に残される。
次に、図３（ｃ）に示すように、第２の半導体層１４上にｐ側電極１７を形成し、第１の半導体層１３上における第２の半導体層１４が存在しない部分にｎ側電極１６を形成する。
次に、第２の半導体層１４と第２の半導体層１４との間の部分に、図４（ａ）に示すように、ｎ側電極１６及び第１の半導体層１３を貫通して、基板１１の主面に達する第１の分離溝３１及び第２の分離溝３２を形成する。第１の分離溝３１及び第２の分離溝３２は、例えば図示しないマスクを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で形成される。あるいは、レーザーアブレーション法で第１の分離溝３１及び第２の分離溝３２を形成してもよい。
これら第１の分離溝３１及び第２の分離溝３２によって、第１の半導体層１３は基板１１の主面上で複数に分断される。第１の分離溝３１は、図２（ｂ）に示すように例えば格子状に形成される。図２（ａ）を参照して前述したように、第１の分離溝３１の内側に第２の分離溝３２が枠状に形成され、その第２の分離溝３２の内側の部分が発光領域８１となる。
次に、図４（ｂ）に示すように、ｐ側電極１７の端部とｎ側電極１６の端部との間に絶縁膜２１を形成し、さらにｐ側電極１７及びｎ側電極１６を覆う絶縁膜２２が形成される。絶縁膜２２は、第１の分離溝３１及び第２の分離溝３２内にも設けられる。その後、絶縁膜２２には、ｐ側電極１７に達する開口２４と、ｎ側電極１６に達する開口２３が形成される。また、第２の分離溝３２内の絶縁膜２２は除去される。第１の分離溝３１内は、絶縁膜２２が充填されたままである。
次に、絶縁膜２２の上面、開口２３、２４の内壁、第２の分離溝３２の内壁などの露出している部分全面に、シード金属４０を形成する。そして、図示しないめっきレジストを形成した後、シード金属４０を電流経路とした電解めっきを行う。
これにより、図４（ｃ）に示すように、開口２４内及びその周辺の絶縁膜２２上に、ｐ側電極１７と接続されたｐ側配線４２が形成され、開口２３内及びその周辺の絶縁膜２２上に、ｎ側電極１６と接続されたｎ側配線４１が形成される。さらに、第２の分離溝３２内には遮光材３５が形成される。
次に、図示しないめっきレジストを形成した後、シード金属４０を電流経路とした電解めっきを行い、図５（ａ）に示すように、ｐ側配線４２上にｐ側金属ピラー４４を形成し、ｎ側配線４１上にｎ側金属ピラー４３を形成する。その後、シード金属４０の露出している部分を除去し、ｐ側配線４２とｎ側配線４１とのシード金属４０を介した電気的接続を分断し、ｐ側配線４２と遮光材３５とのシード金属４０を介した電気的接続を分断する。
次に、第１の分離溝３１内の絶縁膜２２を除去した後、図５（ｂ）に示すように基板１１上の構造物を封止樹脂５１で覆う。封止樹脂５１は、ｐ側金属ピラー４４とｎ側金属ピラー４３との間に充填され、さらに、遮光材３５上及び第１の分離溝３１内に充填される。
図５（ｂ）の構造が得られた後、図６の工程が続けられる。なお、図６では、基板１１と、その基板１１上の構造物との上下方向の位置関係を図５とは逆に図示している。
図６（ａ）は、レーザーリフトオフ法による基板１１の剥離工程を示す。レーザ光Ｌは、基板１１における第１の半導体層１３が形成された主面の反対面である裏面側から第１の半導体層１３に向けて照射される。レーザ光Ｌは、基板１１に対して透過性を有し、第１の半導体層１３に対しては吸収領域となる波長を有する。
レーザ光Ｌが基板１１と第１の半導体層１３との界面に到達すると、その界面付近の第１の半導体層１３はレーザ光Ｌのエネルギーを吸収して分解する。例えば、第１の半導体層１３がＧａＮの場合、Ｇａと窒素ガスに分解する。Ｇａは第１の半導体層１３側に残る。この分解反応により、基板１１と第１の半導体層１３との間に微小な隙間が形成され、基板１１と第１の半導体層１３とが分離する。
また、第１の分離溝３１内に設けられた封止樹脂５１および第２の分離溝３２内に設けられた遮光材３５も、レーザ光Ｌのエネルギーを受けて、基板１１に対して分離する。
レーザ光Ｌの照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板１１を剥離する。基板１１の剥離後、図６（ｂ）に示すように、光取り出し面１２上に蛍光体層６１を形成する。光取り出し面１２と蛍光体層６１との間に基板１１が存在しないことで、光取り出し効率を向上できる。
その後、スクライブラインである第１の分離溝３１に沿ってダイシングし、図６（ｃ）に示すように、ウェーハ状態から個片化する。ダイシングの手段としては、例えばダイヤモンドブレード等を用いた機械切削、レーザ照射、高圧水などの手段を用いることが可能である。あるいは、第１の分離溝３１に対して応力を与えて第１の分離溝３１に沿って割断することも可能である。ダイシング時、基板１１はすでに除去されているので個片化が容易である。
ダイシングされるまでの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、低コストでの生産が可能となる。また、ウェーハレベルで、配線層、封止樹脂５１、金属ピラー４３、４４などのパッケージ構造が形成されるため、半導体発光装置全体の平面サイズをベアチップ（発光素子１５）の平面サイズに近くした小型化が容易になる。
ここで、第２の分離溝３２が基板１１側にまで掘り込まれていると、基板１１側にまで遮光材（金属）３５が食い込んで設けられることになり、レーザーリフトオフ時に遮光材３５と基板１１との分離が困難になることが懸念される。したがって、遮光材３５と基板１１との分離を容易にする観点から、第２の分離溝３２は第１の半導体層１３を貫通するにとどまり基板１１に対しては形成されないことが望ましい。同様に、第１の分離溝３１における封止樹脂５１と基板１１との分離を容易にする観点から、第１の分離溝３１は第１の半導体層１３を貫通するにとどまり基板１１に対しては形成されないことが望ましい。
レーザ光Ｌは、例えば一つの発光素子１５ごとに照射される。このとき、レーザ光Ｌの照射範囲の縁部７０が第１の分離溝３１に位置するようにする。図６（ａ）、図２（ｂ）において、レーザ光Ｌの照射範囲の縁部７０を破線で示す。その縁部７０の内側の略四角い領域が、１ショットのレーザ光照射範囲である。
レーザ光Ｌの照射範囲の縁部７０は、それより内側の領域よりもレーザ光Ｌの強度が低くなる傾向にある。したがって、レーザ光Ｌの照射範囲の縁部７０は、金属よりも低いエネルギーで基板１１に対して分離する樹脂に位置させることが望ましい。そこで、本実施形態では、遮光材３５を設けた第２の分離溝３２の外側にさらに第１の分離溝３１を形成し、その第１の分離溝３１内に封止樹脂５１を設けている。そして、この第１の分離溝３１内の封止樹脂５１にレーザ光Ｌ照射範囲の縁部７０を位置させることで、強度が低下しがちな縁部７０であっても基板１１を剥離しやすくでき、製造性を向上させることができる。
レーザ光Ｌの照射時、第１の半導体層１３が急激に分解することで気化したガスが発生する。このとき、高い圧力のガスによって発光素子１５が衝撃を受け、クラック、結晶転移、破砕などが生じてしまうことが起こり得る。第１の半導体層１３の分解により発生したガスは、基板１１と第１の半導体層１３との間に生じた隙間を介して面方向に拡散することができる。しかし、レーザ光Ｌの照射範囲の外側はレーザ加熱されずに固相の状態であるので、その固相部分によってガスの拡散が規制され、照射範囲の縁部７０でガス圧力が高くなりやすい。また、レーザ光Ｌの照射部と未照射部との間のエネルギー差、温度差、相の違いなどによって、レーザ光Ｌの照射範囲の縁部７０には大きな応力が作用しやすい。したがって、特にレーザ光Ｌの照射範囲の縁部７０で発光素子１５にダメージが生じやすい。
しかし、本実施形態では、前述したように第１の分離溝３１にレーザ光Ｌの照射範囲の縁部７０を位置させてレーザ光Ｌの照射を行う。第１の分離溝３１には半導体層１３、１４が存在せず、半導体層１３、１４がダメージを受けるのを防ぐことができる。また、第１の半導体層１３において第１の分離溝３１に隣接する部分は、第２の分離溝３２によって発光領域と分断された非発光領域であるので、その部分にダメージがおよんでも発光素子１５の特性には影響しない。さらに、第１の分離溝３１と第２の分離溝３２との間の半導体層１３が、レーザーリフトオフ時、ダイシング時の応力や衝撃に対する緩衝層として機能し、発光領域に対して加わる応力や衝撃を緩和することができる。なお、第１の分離溝３１と第２の分離溝３２との間に、半導体層１３を残すことに限らず、空所にしてもよい。
あるいは、図７（ａ）、（ｂ）に示す第２実施形態のように、金属である遮光材３６のすぐ外側を封止樹脂５１が覆う構造としてもよい。
この場合、図７（ａ）に示すように、ウェーハ状態で第１の半導体層１３を分断する分離溝３７を形成する。その後、ｎ側配線４１及びｐ側配線４２を、シード金属４０を電流経路とした電解めっき法で形成するときに、分離溝３７に隣接する第１の半導体層１３の側面にも金属を析出させ遮光材３６を形成する。その後、封止樹脂５１の形成時に、分離溝３７内にも封止樹脂５１を充填する。そして、分離溝３７内の封止樹脂５１の部分で、図７（ｂ）に示すようにダイシングして個片化する。
本実施形態においても、第１の半導体層１３及び第２の半導体層１４の側面が遮光材３６で覆われ、さらにその外側にも発光層が発する光に対して不透明な封止樹脂５１が設けられているため、第１の半導体層１３及び第２の半導体層１４の側面からの漏れ光が蛍光体層６１を通過せずに、あるいはごく薄く通過しただけで、外部に放出されてしまうことを防止できる。この結果、所望の色調の白色光を外部に取り出すことができる。
また、レーザーリフトオフ時には、分離溝３７内の封止樹脂５１にレーザ光Ｌ照射範囲の縁部を位置させることで、強度が低下しがちなレーザ光Ｌ照射範囲の縁部であっても基板１１を剥離しやすくでき、製造性を向上させることができる。
また、遮光材３６を覆う封止樹脂５１が、レーザーリフトオフ時、ダイシング時の応力や衝撃に対する緩衝層として機能し、第１の半導体層１３及び第２の半導体層１４に対して加わる応力や衝撃を緩和することができる。
次に、図８を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。
本実施形態では、基板１１をすべて除去しないで、薄く研削した上で残すようにしている。また、本実施形態では、図８（ａ）に示すように、第１の分離溝３１を、基板１１の主面側の一部にまで堀り込ませて形成しておく。
封止樹脂５１を形成した後、基板１１の裏面側から基板１１を研削する。この研削は、図８（ｂ）に示すように、基板１１の主面側に形成された第１の分離溝３１に達するまで行う。基板１１は例えば数十μｍ程度残される。
その後、図８（ｃ）に示すように、第１の分離溝３１の位置でダイシングし個片化する。本実施形態では、基板１１を薄層化して残すことにより、基板１１をすべて除去する構造よりも機械的強度を高めることができ、信頼性の高い構造とすることができる。また、基板１１が残っていることで、個片化した後の反りを抑制でき、回路基板等への実装が容易になる。
また、第１の分離溝３１を基板１１の主面側にも形成し、基板１１の裏面研削時には第１の分離溝３１に達するまで研削することで、図８（ｂ）に示すように、基板１１は第１の分離溝３１によって分断される。このため、第１の分離溝３１の位置でダイシングすれば、剛直な基板１１がない部分を切断することになるため、生産性を高めることができる。
第１の半導体層の側面は、図９（ａ）に示すように遮光材３９として金属のみによって覆われる構造であってもよい。図９（ａ）の構造では、ウェーハ状態で第１の半導体層１３を分断する分離溝３８が形成された後、ｎ側配線４１及びｐ側配線４２を形成する電解めっき時に分離溝３８内にも金属を析出させ、第１の半導体層１３の側面を覆う遮光材３９を形成する。
第１の半導体層１３の側面を、発光層が発する光に対して反射性を有する金属で覆うことで、発光層から発せられ第１の半導体層１３内を側面へと向かって進む光を遮光材３９で反射させて、蛍光体層６１が設けられた光取り出し面１２側へと進ませることができ、輝度低下を抑制できる。
あるいは、第１の半導体層の側面は、図９（ｂ）に示すように、遮光材として封止樹脂５１のみによって覆われる構造であってもよい。図９（ｂ）の構造では、ウェーハ状態で第１の半導体層１３を分断する分離溝３８が形成された後、封止樹脂５１の形成時に、分離溝３８内にも封止樹脂５１を充填する。
レーザーリフトオフ時には、分離溝３８内の封止樹脂５１にレーザ光Ｌ照射範囲の縁部を位置させることで、強度が低下しがちなレーザ光Ｌ照射範囲の縁部であっても基板１１を剥離しやすくでき、製造性を向上させることができる。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。基板、発光素子、電極、配線層、金属ピラー、絶縁膜、封止樹脂の材料、サイズ、形状、レイアウトなどに関して当業者が各種設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
１１…基板、１２…光取り出し面、１３…第１の半導体層、１４…第２の半導体層、１５…発光素子、１６…ｎ側電極、１７…ｐ側電極、２１，２２…絶縁膜、３１…第１の分離溝、３２…第２の分離溝、３５，３６，３９…遮光材、４１…ｎ側配線、４２…ｐ側配線、４３…ｎ側金属ピラー、４４…ｐ側金属ピラー、５１…封止樹脂、６１…蛍光体層、７０…レーザ光の照射範囲の縁部、８１…発光領域、８２…非発光領域

Claims (5)

  1. 発光層を含む半導体層であって、第１の主面と前記第１の主面の反対側の第２の主面とを有する半導体層と、
    前記第１の主面に対向して設けられた蛍光体層と、
    前記第２の主面側に設けられ、導体と絶縁体とを有する配線層と、
    前記半導体層の側面に設けられ、前記発光層が発する光に対して不透明な遮光材と、
    を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記遮光材は、金属、樹脂またはこれらの積層体であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 基板の主面上に、発光層を含む半導体層を形成する工程と、
    前記基板上の前記半導体層を複数に分離する分離溝を形成する工程と、
    前記半導体層における前記基板に接する第１の主面の反対側の第２の主面に、導体と絶縁体とを有する配線層を形成する工程と、
    前記分離溝に露出する前記半導体層の側面に、前記発光層が発する光に対して不透明な遮光材を形成する工程と、
    前記半導体層の前記第１の主面上に蛍光体層を形成する工程と、
    を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  4. 前記半導体層の前記第２の主面側に、前記配線層の前記導体と接続する金属ピラーを形成する工程と、前記金属ピラーの周囲を覆う封止樹脂を形成する工程と、をさらに備え、
    前記封止樹脂の形成時に、前記封止樹脂の一部を前記遮光材として前記半導体層の前記側面のまわりに形成することを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置の製造方法。
  5. 前記分離溝は、ウェーハ状態の前記半導体層を複数の発光素子に分離するためのスクライブラインである第１の分離溝と、前記第１の分離溝の近傍に形成される第２の分離溝とを有し、
    前記第１の分離溝に樹脂を設け、前記第２の分離溝に前記遮光材として金属を設けることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置の製造方法。
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