JP2011176145A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】対向電極構造としつつも、光の取り出し面に対するボンディング構造が不要な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、第１の主面と第１の主面に対する反対側に設けられた第２の主面と側面と発光層とを有する半導体積層体と、第１の主面に設けられた第１の電極と、第１の電極上に設けられた第１の配線と、半導体積層体の側面に設けられた絶縁膜と、絶縁膜を介して半導体積層体の側面に設けられた第２の配線と、第２の主面における少なくとも外周部に設けられると共に、第２の主面よりも外側で第２の配線と接続された第２の電極と、を備えた。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。

発光層を含む半導体積層体における一方の主面と、これとは反対側の他方の主面のそれぞれに電極を設けた構造の半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１）。このようないわゆる対向電極構造の場合、光の取り出し面に、外部回路とワイヤボンディングするためのボンディングパッドが形成され、そのボンディングパッドを設けた部分は光を遮蔽してしまう。

特開２００７−１２３５１７号公報

本発明は、対向電極構造としつつも、光の取り出し面に対するボンディング構造が不要な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。

本発明の一態様によれば、第１の主面と、前記第１の主面に対する反対側に設けられた第２の主面と、側面と、発光層とを有する半導体積層体と、前記第１の主面に設けられた第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた第１の配線と、前記半導体積層体の前記側面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記半導体積層体の前記側面に設けられた第２の配線と、前記第２の主面における少なくとも外周部に設けられると共に、前記第２の主面よりも外側で前記第２の配線と接続された第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、基板上に、発光層を有する半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体を前記基板上で複数に分離する溝を形成する工程と、前記第１の主面上に、前記第１の主面と接続された第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に、前記第１の電極と接続された第１の配線を形成する工程と、前記溝の底部及び前記溝内における前記半導体積層体の側面に、第２の配線を形成する工程と、前記第２の配線を形成した後、前記基板を除去し、前記半導体積層体における前記第１の主面に対する反対側の第２の主面及び前記第２の配線を露出させる工程と、前記基板を除去した後、前記第２の主面と前記第２の配線とを接続する第２の電極を前記第２の主面及び前記第２の配線に形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、対向電極構造としつつも、光の取り出し面に対するボンディング構造が不要な半導体発光装置及びその製造方法が提供される。

実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図。 （ａ）は同半導体発光装置における主要要素の平面レイアウトを示し、（ｂ）は他具体例の平面レイアウトを示す模式平面図。 実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 図３に続く工程を示す模式断面図。 図４に続く工程を示す模式断面図。 図５に続く工程を示す模式断面図。 図６に続く工程を示す模式断面図。 図７に続く工程を示す模式断面図。 実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図。 図９に続く工程を示す模式平面図。 実施形態に係る半導体発光装置の他の製造方法を示す模式断面図。 実施形態に係る半導体発光装置の他具体例の模式断面図。

以下、図面を参照し、実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。

本実施形態に係る半導体発光装置は、発光層（活性層）１２を含む半導体積層体１５と、発光層１２に電流を供給するための配線構造部と、蛍光体層２９とを有し、これらは後述するようにウェーハ状態で一括して形成される。

半導体積層体１５は、ｎ型半導体層１１と発光層１２とｐ型半導体層１３とを有する。発光層１２は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３との間に設けられている。例えば、ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮ層であり、ｐ型半導体層１３はｐ型ＧａＮ層である。発光層１２は、例えばＩｎＧａＮを含む多重量子井戸構造を有する。

半導体積層体１５の側面には、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜２１が形成されている。絶縁膜２１は、半導体積層体１５の第１の主面１５ａにおける外周部にも形成されている。その外周部を除く第１の主面１５ａの大部分には、第１の電極としてｐ側電極２２が形成されている。ｐ側電極２２は、ｐ型半導体層１３に対してオーミックコンタクトして電気的に接続されている。

ｐ側電極２２上には、第１の配線としてｐ側配線２５が設けられている。半導体積層体１５の側面には、絶縁膜２１を介して、第２の配線としてｎ側配線２６が設けられている。ｎ側配線２６は、半導体積層体１５の側面から第１の主面１５ａよりもｐ側配線２５側に突出している。ｎ側配線２６とｐ側配線２５との間には、例えばポリイミド等の絶縁材２３及び樹脂２７が設けられ、ｎ側配線２６とｐ側配線２５とは絶縁分離されている。

半導体積層体１５における第１の主面１５ａの反対側の第２の主面１５ｂには、第２の電極としてｎ側電極２８が形成されている。ｎ側電極２８は、第２の主面１５ｂの外周部に形成されている。また、ｎ側電極２８は、第２の主面１５ｂよりも面方向の外側にも形成され、その第２の主面１５ｂの外側の部分で、ｎ側配線２６における第２の主面１５ｂ側の端部と接続されている。ｎ側配線２６とｎ側電極２８とは共に金属材料からなり、ｎ側配線２６とｎ側電極２８とは金属接合している。ｎ側電極２８は、第２の主面１５ｂに対してオーミックコンタクトし、電気的に接続されている。

図２（ａ）は、ｎ側電極２８の平面レイアウトの一例を示す。
ｎ側電極２８は、第２の主面１５ｂの中央を囲むように第２の主面１５ｂの外周部に連続してリング状に形成されている。また、半導体積層体１５の側面に設けられたｎ側配線２６は、絶縁膜２１を介して半導体積層体１５の周囲を連続して覆っている。

図１０（ａ）は、絶縁材２３及び樹脂２７の平面レイアウトの一例を示す。図１０（ｂ）は、ｎ側配線２６及びｐ側配線２５の平面レイアウトの一例を示す。なお、図１０（ａ）、（ｂ）は、ウェーハ状態を示す。

絶縁材２３は、ｐ側電極２２上に設けられ、その一部に開口２３ａが形成されている。その開口２３ａの周囲の絶縁材２３上に樹脂２７が設けられている。樹脂２７は、開口２３ａの周囲を連続して囲んでいる。

樹脂２７によって囲まれる領域にｐ側配線２５が設けられ、ｐ側配線２５は開口２３ａを通じてｐ側電極２２と接続されている。

ｎ側配線２６は、半導体積層体１５の側面に設けられた部分と、第１の主面１５ａよりもｐ側配線２５側に突出して、絶縁材２３上に広がるパッド部２６ａを有する。ｎ側配線２６のパッド部２６ａは、樹脂２７で囲まれた領域の外側の絶縁材２３の非開口部上に設けられている。

ｐ側配線２５と、ｎ側配線２６のパッド部２６ａとは、第１の主面１５ａ及びｐ側電極２２上の領域に、互いに重ならずに設けられている。ｐ側電極２２とパッド部２６ａとの間には絶縁材２３が介在し、ｐ側配線２５とパッド部２６ａとの間には絶縁材２３及び樹脂２７が介在している。第１の主面１５ａ上に、絶縁材２３及び樹脂２７によって隔てられた２つの領域を形成し、一方の領域にｐ側配線２５を、他方の領域にｎ側配線２６のパッド部２６ａを分けて設けることで、デバイス全体の厚み及び平面サイズの増大を抑制できる。

ｐ型半導体層１３は、ｐ側電極２２を介してｐ側配線２５と電気的に接続されている。ｎ型半導体層１１は、ｎ側電極２８を介してｎ側配線２６と電気的に接続されている。ｐ型半導体層１３及び発光層１２の側面と、ｎ側配線２６との間には絶縁膜２１が介在され、ｐ型半導体層１３及び発光層１２に対してｎ側配線２６は絶縁されている。

ｐ側配線２５及びｎ側配線２６のパッド部２６ａには、それぞれ、例えばはんだボール、金属バンプなどの外部端子（図示せず）が設けられ、その外部端子を介して、半導体発光装置は外部回路と電気的に接続可能である。

本実施形態の構造によれば、半導体積層体１５を基板に支持させなくても、ｐ側配線２５、ｎ側配線２６のパッド部２６ａおよび絶縁材２３をピラー状に厚くすることで機械的強度を保つことが可能となる。また、回路基板等に実装した場合に、外部端子を介して半導体積層体１５に加わる応力を、ｐ側配線２５、ｎ側配線２６のパッド部２６ａおよび絶縁材２３が吸収することで緩和することができる。

ｎ側配線２６及びｐ側配線２５の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁膜との優れた密着性を備えた銅がより好ましい。

半導体積層体１５の第２の主面１５ｂには、蛍光体層２９が設けられている。また、蛍光体層２９は、ｎ側電極２８を覆っている。発光層１２から発光された光は、主にｎ型半導体層１１中を進んで第２の主面１５ｂから蛍光体層２９に進入し、蛍光体層２９を通過して、外部に放出される。

蛍光体層２９は、発光層１２からの光を吸収し波長変換光を放出可能である。このため発光層１２からの光と蛍光体層２９における波長変換光との混合光が放出可能となる。例えば発光層１２を窒化物系とすると、その発光層１２からの青色光と、例えば黄色蛍光体層２９における波長変換光である黄色光との混合色として白色または電球色などを得ることができる。

また、必要に応じて、蛍光体層２９における第２の主面１５ｂに対する反対側の面に、例えば樹脂からなるレンズ３０が設けられる。

本実施形態では、発光層１２を含む半導体積層体１５における互いに反対側に形成された第１の主面１５ａ及び第２の主面１５ｂのそれぞれにｐ側電極２２とｎ側電極２８が形成されている。第１の主面１５ａ側にはｎ側電極２８を形成するための領域を確保する必要がない。したがって、第１の主面１５ａにおける外周部を除く大部分にｐ側電極２２を形成することができ、発光に寄与する面積を大きくして輝度の向上が図れる。また、第１の主面１５ａ側に、発光層１２及びｐ型半導体層１３を含む凸部に隣接させて、ｎ型半導体層１１が露出した段構造を形成する必要がなく、その分、半導体発光装置の平面サイズの増大を抑えることができる。

前述したような対向電極構造としながらも、外部回路との接続を担うｐ側配線２５及びｎ側配線２６は、いずれも第１の主面１５ａ側に設けられている。そして、第２の主面１５ｂ側のｎ側電極２８は、半導体積層体１５の側面に設けられたｎ側配線２６を通じて、第１の主面１５ａ側のパッド部２６ａと接続されている。したがって、第２の主面１５ｂ側に、例えばワイヤボンディングのためのボンディングパッドを設ける必要がない。このため、ボンディングパッドによって第２の主面１５ｂ側から取り出される光が遮蔽されることによる光取り出し効率の低減がない。

ｎ側配線２６は金属材料からなり、発光層１２が発する光に対して遮光性を有する。そのｎ側配線２６は、発光層１２を含む半導体積層体１５の側面（周囲）を連続して覆っている。したがって、発光層１２の側面からの光をｎ側配線２６によって遮蔽することができる。発光層１２の側面からの光は蛍光体層２９を通過せずに外部に放出され、色度ずれの原因となり得るが、その側面からの光をｎ側配線２６によって遮蔽することで、色度ずれを抑制できる。

また、半導体積層体１５の側面が金属であるｎ側配線２６で覆われた構造のため、放熱性に優れ、熱による製品寿命への影響を低減できる。また、蛍光体層２９の一部が、金属であるｎ側電極２８を覆って接しているため、蛍光体層２９の放熱性も向上できる。

次に、図３（ａ）〜図１０（ｂ）を参照して、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。図３（ａ）〜図８（ｂ）は、ウェーハ状態における模式断面を示し、図９（ａ）〜図１０（ｂ）は、ウェーハ状態における模式平面を示す。

まず、図３（ａ）に示すように、基板１０の主面上に、ｎ型半導体層１１、発光層１２およびｐ型半導体層１３を含む半導体積層体１５を形成する。基板１０上にｎ型半導体層１１が形成され、ｎ型半導体層１１上に発光層１２が形成され、発光層１２上にｐ型半導体層１３が形成される。例えば、半導体積層体１５が窒化物系半導体の場合、半導体積層体１５を、サファイア基板上に結晶成長させることができる。

次に、例えば図示しないマスクを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で、半導体積層体１５の一部を除去する。これにより、図３（ｂ）に示すように、半導体積層体１５を基板１０上で複数に分離する溝１４が形成される。溝１４は、ｐ型半導体層１３、発光層１２及びｎ型半導体層１１を貫通し、基板１０に達する。また、図９（ａ）に示すように、溝１４は、例えば格子状の平面パターンで形成される。

次に、図４（ａ）に示すように、基板１０上の露出部全面を、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜２１で覆う。絶縁膜２１は、半導体積層体１５の上面、溝１４の側面に露出する半導体積層体１５の側面および溝１４の底部に形成される。

次に、図示しないマスクを用いて、半導体積層体１５の上面（ｐ型半導体層１３の上面）上の絶縁膜２１を、例えばウェット処理で除去する。そして、絶縁膜２１が除去されて露出したｐ型半導体層１３上に、図４（ｂ）に示すように、ｐ側電極２２を形成する。ｐ側電極２２は、図９（ａ）に示すように、ｐ型半導体層１３の上面における外周部を除く大部分に形成される。ｐ側電極２２は、例えば、ｐ型半導体層１３上に形成されたニッケル（Ｎｉ）膜と、このニッケル膜上に形成された銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）膜とを有する。

次に、図５（ａ）、図９（ｂ）に示すように、ｐ側電極２２上に例えばポリイミド等の絶縁材２３を形成した後、選択的に開口２３ａを形成する。開口２３ａからはｐ側電極２２の一部が露出する。

次に、基板１０上の露出部全面に、図示しないめっき用のシード金属（例えばＣｕ）を形成する。シード金属は、ｐ側電極２２の上面、絶縁材２３の上面及び側面、溝１４内の絶縁膜２１の側面及び底面に形成される。

シード金属の形成後、図５（ｂ）、図１０（ａ）に示すように、開口２３ａの周囲の絶縁材２３上にめっきレジスト（例えば樹脂）２４を形成する。

そして、上記シード金属を電流経路としためっき法により、図６（ａ）、図１０（ｂ）に示すように、ｐ側配線２５及びｎ側配線２６を形成する。ｐ側配線２５及びｎ側配線２６は、同じ金属材料、例えば銅（Ｃｕ）からなり、めっき法により同時に形成される。

ｐ側配線２５は、めっきレジスト２４によって囲まれた領域のｐ側電極２２上に形成される。ｎ側配線２６は、溝１４の側面及び底部の絶縁膜２１に形成されると共に、一部がパッド部２６ａとして絶縁材２３上にも形成される。ｎ側配線２６は溝１４内に埋め込まれると共に、溝１４上にも設けられる。パッド部２６ａは、めっきレジスト２４によって囲まれた領域の外側の絶縁材２３上に形成される。ｐ側配線２５とパッド部２６ａとは、絶縁材２３及びめっきレジスト２４によって隔てられている。

次に、めっきレジスト２４を例えば薬液で除去し、さらにめっきレジスト２４が除去された絶縁材２３上のシード金属を除去する。これにより、ｐ側配線２５とｎ側配線２６ととのシード金属を介した電気的接続が分断される。また、ｐ側配線２５とｎ側配線２６との間に、図６（ｂ）に示すように、樹脂２７を設ける。樹脂２７は、めっきレジスト２４と同じ平面パターンで形成され、絶縁材２３上でｐ側配線２５とｎ側配線２６とを隔てる。

次に、図７（ａ）に示すように、基板１０が除去される。基板１０は、例えばレーザーリフトオフ法により半導体積層体１５に対して分離される。具体的には、基板１０における半導体積層体１５が形成された主面の反対面である裏面側から半導体積層体１５の第２の主面１５ｂに向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板１０に対して透過性を有し、半導体積層体１５に対しては吸収領域となる波長を有する。

レーザ光が基板１０と第２の主面１５ｂとの界面に到達すると、その界面付近のｎ型半導体層１１はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。例えば、ｎ型半導体層１１がＧａＮの場合、Ｇａと窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板１０とｎ型半導体層１１との間に微小な隙間が形成され、基板１０とｎ型半導体層１１とが分離する。レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板１０を除去する。

基板１０の除去により、図７（ａ）に示すように、溝１４の底部の絶縁膜２１が露出する。そして、半導体積層体１５の第２の主面１５ｂ及び溝１４の底部の絶縁膜２１に対して、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）またはエッチバックを行い、溝１４の底部の絶縁膜２１を除去する。これにより、図７（ｂ）に示すように、溝１４の底部のｎ側配線２６が露出する。

そして、図８（ａ）に示すように、露出したｎ側配線２６の第２の主面１５ｂ側の端面、およびその端面の両側の第２の主面１５ｂの外周部に、ｎ側電極２８を形成する。ｎ側電極２８は、第２の主面１５ｂとオーミックコンタクトし、ｎ側配線２６と金属接合する。したがって、第２の主面１５ｂはｎ側電極２８を介してｎ側配線２６と電気的に接続される。ｎ側電極２８は、例えば、第２の主面１５ｂ及びｎ側配線２６側から順に形成されたチタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜、金（Ａｕ）膜などを有する。

ウェーハ状態で、ｎ側電極２８は溝１４よりも広い幅で、溝１４に沿って例えば格子状に形成され、溝１４より外側にはみ出した部分が、第２の主面１５ｂの外周部に接する。すなわち、溝１４を挟んで隣接する複数の半導体積層体１５（チップ）に対して共通にｎ側電極２８を形成することができる。

なお、ｎ側電極２８は、第２の主面１５ｂの外周部だけに限らず、図２（ｂ）に示すように、第２の主面１５ｂを横切るようなレイアウトで形成してもよい。この場合、第２の主面１５ｂにおける電流分布がより均一になり、発光効率を向上させることができる。

次に、図８（ｂ）に示すように、第２の主面１５ｂに、ｎ側電極２８を覆うように蛍光体層２９を形成する。例えば、蛍光体粒子が混合された液状の樹脂をスピンコート法で第２の主面１５ｂに塗布した後、熱硬化させることで、蛍光体層２９が形成される。

第２の主面１５ｂから基板１０を除去した後に蛍光体層２９を形成することで、光取り出し面である第２の主面１５ｂと蛍光体層２９との間に基板１０が存在せず、光取り出し効率の向上を図れる。

その後、図８（ｂ）に示すように、溝１４におけるｎ側配線２６を例えばレーザーを用いて切断し、個片化された半導体発光装置が得られる。基板１０はすでに除去されているため、容易に個片化でき生産性を向上できる。

あるいは、切断位置に樹脂を設けておき、その樹脂を切断するようにしてもよい。例えば、前述しためっきレジスト２４を形成するときに、図１１に示すように、溝１４にもめっきレジスト２４を形成しておく。その状態でめっきを行うことで、溝１４の一部にはｎ側配線２６が形成されない。

そして、ダイシング時まで溝１４のめっきレジスト２４は除去しないで残しておく。あるいは、めっきレジスト２４の除去後、別の樹脂を溝１４に設けてもよい。いずれにしても、ダイシング時には、溝１４の樹脂を切断することで、容易に個片化を行うことができる。

ダイシングされるまでの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。また、個々のデバイスの平面サイズをベアチップ（半導体積層体１５）の平面サイズに近くした小型化が容易になる。

また、ウェーハ状態で、複数の半導体積層体１５に分離する溝１４を形成し、その溝１４内にｎ側配線２６を設けることで、個片化した状態ですでに個々の半導体積層体１５の側面にｎ側配線２６が形成された構造が得られる。したがって、個片化後に個々のチップに対してその側面にｎ側配線２６を形成する必要がない。

溝１４によって分離された複数の半導体積層体１５のうち少なくとも１つの半導体積層体１５を囲む位置で切断して個片化する。例えば、図９（ａ）において２点鎖線で示すように、複数の半導体積層体１５を含む領域を囲む溝１４の位置で切断し、いわゆるマルチチップ構造の半導体発光装置としてもよい。

この場合、図８（ａ）に示すように、複数の半導体積層体１５が、側面に設けられたｎ側配線２６を介してつながった構造となる。ウェーハ状態で前述した工程を行うことで、溝１４を挟んで隣接する複数の半導体積層体１５に対して共通にｎ側配線２６及びｎ側電極２８を形成することができ、製造効率がよい。

図１２は、他の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。
本実施形態では、ｎ側電極として、発光層１２が発する光に対して透明な透明電極４１を用いている。例えば、透明電極４１として、ＩＴＯ（indium Tin Oxide）を用いることができる。透明電極４１は、第２の主面１５ｂに対してオーミックコンタクトし、ｎ側配線２６に対してはコンタクト層４２を介して接続されている。コンタクト層４２としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などを用いることができる。あるいは、ｎ側配線２６のめっき時のシード層として用いた例えばＴｉなどをコンタクト層４２として用いることもできる。

透明電極４１を用いることで、ｎ側電極を第２の主面１５ｂの全面に形成することができ、第２の主面１５ｂにおける電流分布をより均一にすることができ、高い発光効率が得られる。また、ｎ側電極をパターニングする必要がなく、プロセスが簡素化する。

以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。基板、半導体層、電極、配線、金属ピラー、絶縁膜、樹脂の材料、サイズ、形状、レイアウトなどに関して当業者が各種設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。

１０…基板、１２…発光層、１４…溝、１５…半導体積層体、１５ａ…第１の主面、１５ｂ…第２の主面、２１…絶縁膜、２２…ｐ側電極、２３…絶縁層、２５…ｐ側配線、２６…ｎ側配線、２７…樹脂、２８…ｎ側電極、２９…蛍光体層、４１…透明電極

Claims (12)

1. 第１の主面と、前記第１の主面に対する反対側に設けられた第２の主面と、側面と、発光層とを有する半導体積層体と、
   前記第１の主面に設けられた第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた第１の配線と、
   前記半導体積層体の前記側面に設けられた絶縁膜と、
   前記絶縁膜を介して前記半導体積層体の前記側面に設けられた第２の配線と、
   前記第２の主面における少なくとも外周部に設けられると共に、前記第２の主面よりも外側で前記第２の配線と接続された第２の電極と、
   を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記第２の配線は、前記側面から前記第１の主面よりも前記第１の配線側に突出していることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
3. 前記第２の配線は、前記第１の電極との間に絶縁材を介在させて前記第１の電極に対向するパッド部を有することを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置。
4. 前記第２の配線は、前記絶縁膜を介して前記半導体積層体の周囲を連続して覆っていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
5. 前記第２の電極は、前記第２の主面の中央を囲むように、前記第２の主面の前記外周部に連続して形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
6. 基板上に、発光層を有する半導体積層体を形成する工程と、
   前記半導体積層体を前記基板上で複数に分離する溝を形成する工程と、
   前記第１の主面上に、前記第１の主面と接続された第１の電極を形成する工程と、
   前記第１の電極上に、前記第１の電極と接続された第１の配線を形成する工程と、
   前記溝の底部及び前記溝内における前記半導体積層体の側面に、第２の配線を形成する工程と、
   前記第２の配線を形成した後、前記基板を除去し、前記半導体積層体における前記第１の主面に対する反対側の第２の主面及び前記第２の配線を露出させる工程と、
   前記基板を除去した後、前記第２の主面と前記第２の配線とを接続する第２の電極を前記第２の主面及び前記第２の配線に形成する工程と、
   を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
7. 前記溝内の前記第２の配線を切断して個片化する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項６記載の半導体発光装置の製造方法。
8. 前記溝内に樹脂を形成する工程と、
   前記樹脂を切断して個片化する工程と、
   をさらに備えたことを特徴とする請求項６記載の半導体発光装置の製造方法。
9. 複数の前記半導体積層体を含む領域を囲む前記溝の位置で切断して個片化する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
10. 前記第１の配線と前記第２の配線とを、めっき法により同時に形成することを特徴とする請求項６〜９のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
11. 前記第１及び第２の配線を形成する工程は、
    前記第１の電極を覆う絶縁材を形成する工程と、
    前記絶縁材に開口を形成し、前記第１の電極の一部を露出させる工程と、
    露出された前記第１の電極上に前記第１の配線を形成する工程と、
    前記絶縁材における非開口部上に前記第２の配線を形成する工程と、
    を有することを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
12. 前記溝は前記基板上で格子状に形成され、前記溝によって分離された個々の前記半導体積層体の周囲を前記第２の配線で連続して覆うことを特徴とする請求項６〜１１のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。

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