TWI415310B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

半導體發光裝置及其製造方法 [相關申請案的交互參照]

本申請案係根據並主張西元2010年2月24日提出申請之日本專利申請案第2010-039330號的優先權；其全部的內容均係引用於本文內，以供參考。

本發明係關於半導體發光裝置及其製造方法。

已知的半導體發光裝置所具有的結構是將電極設置於一包含發光層之半導體堆疊的一主要表面及位在相對側的另一主要表面上。在此種所謂之相對電極結構的情形中，係在光擷取面上形成一接合墊，以供做打線接合至一外部電路上。此一設置接合墊的部份會不利地遮擋到光線。

根據一實施例，一半導體發光裝置包含一半導體堆疊、一第一電極、一第二電極、一第一互連、一絕緣膜，以及一第二互連。半導體堆疊包含一第一主要表面、一設置於與第一主要表面相對之一側上的第二主要表面、一側面、以及一發光層。第一電極是設置於第一主要表面上。第二電極是至少設置於該半導體堆疊之第二主要表面的一週邊部份上。第一互連是設置於第一電極上。絕緣膜是設置於該半導體堆疊的該側面上。第二互連是經由該絕緣膜而設置於該半導體堆疊的該側面上。第二互連是連接至位於該半導體堆疊之第二主要表面週邊部份外側的第二電極上。

接下來將配合於圖式來說明實施例。

第1圖是此實施例之半導體發光裝置的示意剖面圖。

此實施例的半導體發光裝置包含一半導體堆疊15，其包含一發光層(一活性層)12、一用以供應電流至發光層12的互連結構部份、以及一磷層29。這些部件係如下所述地共同形成一晶圓狀態。

半導體堆疊15包含一n型半導體層11、該發光層12、以及一p型半導體層13。發光層12係設置於n型半導體層11及p型半導體層13之間。例如說，該n型半導體層11是一n型GaN層；該p型半導體層13是一p型GaN層。發光層12具有，例如說，一包含InGaN的多重量子井結構。

一絕緣膜21，例如說一氧化矽膜，係形成於半導體堆疊15的該側面上。絕緣膜21亦形成於半導體堆疊15之第一主要表面15a的週邊部份上。一p側電極22係形成為一位於第一主要表面15a上不包含週邊部份在內的大部份區域上的第一電極。p側電極22以歐姆接點電連接至p型半導體層13。

一p側互連25係設置成一位於p側電極22上的第一互連。一n側互連26係經由絕緣膜21而設置成位於半導體堆疊15之側面上的第二互連。該n側互連26自半導體堆疊15的側面突出至第一主要表面15a的p側互連25側。一絕緣體23及一樹脂27，例如說聚醯亞胺，係設置於n側互連26及p側互連25之間，以將n側互連26及p側互連25絕緣隔離開。

一n側電極28係形成為半導體堆疊15上位於與第一主要表面15a相對之一側的第二主要表面15b上的一第二電極。該n側電極28係形成於第二主要表面15b的周邊部份上。該n側電極28在表面方向上亦形成於第二主要表面15b的外側。該n側電極28中位於第二主要表面15b外側的部份係連接至n側互連26在第二主要表面15b側的一末端部份上。n側互連26及n側電極28係由金屬材料所構成。n側互連26及n側電極28係金屬接合在一起。n側電極28係以歐姆接點電連接至第二主要表面15b。

第2A圖是n側電極28之平面配置的一範例。

n側電極28係形成為第二主要表面15b周邊部份上的一連續環狀部，圍繞著第二主要表面15b的中心。設置於半導體堆疊15之側面上的n側互連26經由絕緣膜21連續地覆蓋住半導體堆疊15的周邊。

第10A圖是絕緣體23及樹脂27之平面配置的一範例。第10B圖是n側互連26及p側互連25之平面配置的一範例。第10A圖及第10B圖顯示出晶圓狀態。

絕緣體23是設置於p側電極22上。一開孔23a形成於絕緣體23的一部份上。樹脂27是設置於絕緣體23上而環繞著該開孔23a。樹脂27係連續地圍繞著開孔23a的周邊。

p側互連25是設置於由樹脂27加以圍繞著的區域內。p側互連25係經由該開孔23a連接至p側電極22。

n側互連26包含有位在半導體堆疊15之側面上的部份及一突出至第一主要表面15a之p側互連25側並覆蓋於絕緣體23上的焊墊部份26a。n側互連26的焊墊部份26a是設置於絕緣體23中位於樹脂27所圍繞區域外側的非開孔部份上。

p側互連25及n側互連26的焊墊部份26a是設置於第一主要表面15a與p側電極22上不互相重疊的區域內。絕緣體23是夾置於p側電極22及焊墊部份26a之間。絕緣體23及樹脂27是夾置於p側互連25與焊墊部份26a之間。位於第一主要表面15a上的二個區域係由絕緣體23及樹脂27加以分隔開。p側互連25是設置於其一區域內。n側互連26的焊墊部份26a則是另外設置於另一區域內。因此可以抑制整個裝置之厚度及平面尺寸的增大。

p型半導體層13係經由p側電極22電連接至p側互連25。n型半導體層11係經由n側電極28電連接至n側互連26。絕緣膜21是夾置於n側互連26與p型半導體層13及發光層12的側面之間，以將n側互連26與p型半導體層13及發光層12絕緣隔開。

n側互連26的上方區域是大於n側互連26與n側電極28間的接觸區域。n側互連26是該上方區域是用來做為一外部端點，用以連接一電路板或類似者。p側互連25的上方區域是大於p側互連25與p側電極22間的接觸區域。p側互連25的該上方區域是用來做為一外部端點，用以連接一電路板或類似者。

外部端點(未顯示)，例如說錫球、金屬突塊等，設置於p側互連25及n側互連26的焊墊部份26a上。此半導體發光裝置係可經由該等外部端點而電連接至一外部電路上。

根據此實施例的結構，其可以藉由將p側互連25、n側互連26的焊墊部份26a、以及絕緣體23製做成一厚柱狀結構而維持其機械強度，而不需要以一基板來支撐半導體堆疊15。在裝設於一電路基板及類似者的情形中，經由外部端點施加至半導體堆疊15上的應力可因被p側互連25、n側互連26的焊墊部份26a、以及絕緣體23所吸收而舒緩。

n側互連26及p側互連25的材料可以包括有銅、金、鎳、銀等。其中銅是較佳的，因為具有良好的導熱性、高遷移阻抗性、以及與絕緣膜良好的附著性。

磷層29是設置於半導體堆疊15的第二主要表面15b上。磷層29覆蓋住n側電極28。由發光層12發出的光線主要是要穿過n型半導體層11、第二主要表面15b、磷層29，而向外發射出去。

磷層29可以吸收由發光層12發出的光線，並發射出波長轉換過之光線。因此，可以發射出由來自發光層12的光線及磷層29的波長轉換過光線的混合光。其可以藉由例如說混合發光層12為氮化物之情形中來自發光層12的藍光及例如說來自黃光磷層29之波長轉換過光線的黃光而得到白光、燈光、以及類似者。

一由例如說樹脂所製成的透鏡30可依需要設置於磷層29上與第二主要表面15b相對之一側的表面上。

在此實施例中，p側電極22及n側電極28是分別形成於具有發光層12之半導體堆疊15中互相相對的二側上的第一主要表面15a及第二主要表面15b上。不需要將n側電極28形成於第一主要表面15a側。因此，p側電極22可以形成在第一主要表面15a上除了週邊部份以外的大部份區域內；可用於光線發射的表面積可以加大；且光度可以改善。不需要形成一種其中n型半導體層11係暴露於第一主要表面15a側鄰近於包含有發光層12及p型半導體層13之突出部的階狀結構。因此，可以抑制半導體發光裝置之平面尺寸的增大。

雖然是具有一種如同前面所述及之相對電極結構，但是用來做為與外部電路連接用的p側互連25及n側互連26二者均是設置於第一主要表面15a側。位於第二主要表面15b側的n側電極28是經由設置於半導體堆疊15側面上的n側互連26而連接至位於第一主要表面15a上的焊墊部份26a。因此，不需要在第二主要表面15b側上設置例如說打線接合用的接合墊。因此，光擷取效率不會因為接合墊遮擋住要自第二主要表面15b側擷取出之光線之故而降低。

n側互連26是由金屬材料製成，對於要自發光層12發射出的光線具有光阻擋性。n側互連26連續性地覆蓋住包含發光層12在內之半導體堆疊15的側面(周邊)。因此，來自發光層12側面的光線會被n側互連26所阻擋。雖然來自發光層12之側面的光線係無需通過磷層29而向外發射，會造成色度偏移，但此色度偏移會因n側互連26遮擋住來自該側面的光線而加以抑制。

由於此種半導體堆疊15之側面被金屬質的n側互連26加以覆蓋住的結構，其可以提供良好的散熱效果；且熱對於產品壽命的影響可以減低。由於磷層29有一部份會覆蓋住並與金屬質的n側電極28接觸，因此也可以改善磷層29的散熱效果。

接下來將配合第3A圖至第10B圖來說明製造此實施例半導體發光裝置的方法。第3A圖至第8B圖中顯示出晶圓狀態的示意剖面圖。第9A圖至第10B圖是晶圓狀態的示意平面圖。

如第3A圖中所示，包含有n型半導體層11、發光層12、以及p型半導體層13的半導體堆疊15是形成於一基板10的主要表面上。n型半導體層11形成於基板10上；發光層12形成於n型半導體層11上；而p型半導體層13則形成於發光層12上。例如說，在半導體堆疊15是氮化物半導體的情形中，半導體堆疊15可以是成長於藍寶石基板上的晶體。

接著，利用一未圖示出的遮罩，以例如說RIE(反應式離子蝕刻)將半導體堆疊15的一部份移除掉。因此，如第3B圖中所示，可形成一凹槽14來將該半導體堆疊15分離成多個位在基板10上的半導體堆疊15。該凹槽14貫穿過p型半導體層13、發光層12、以及n型半導體層11而到達基板10處。如第9A圖中所示，凹槽14係形成為例如說具有格狀構形的平面圖案。

接著如第4A圖中所示，將基板10上暴露出之部份的整個表面上覆蓋以例如說由氧化矽膜及類似者之類的絕緣膜21。絕緣膜21係形成於半導體堆疊15的上方表面、暴露於凹槽14側向的表面半導體堆疊15側面、以及凹槽14的底部上。

接著，使用一未圖示出之遮罩，利用例如說濕式蝕刻將位於半導體堆疊15上方表面(p型半導體層13的上方表面)上的絕緣膜21加以移除。如第4B圖中示，p側電極22形成於透過移除絕緣膜21而暴露出的p型半導體層13上。如第9A圖中所示，p側電極22係形成於p型半導體層13上方表面上除了週邊部份以外的大部份區域內。此p側電極22包含有例如說形成於p型半導體層13上的一鎳(Ni)薄膜及形成於該鎳薄膜上的銀(Ag)或鋁(Al)薄膜。

接著如第5A圖及第9B圖中所示，諸如聚醯亞胺及類似者之類的絕緣體23形成於p側電極22上。其後選擇性地製做出開孔23a。p側電極22有一部份會經由開孔23a暴露出。

接著，在基板10上暴露出的部份的整個表面上形成一供進行電鍍用的未圖示出的種金屬(例如Cu)。該種金屬係形成於p側電極22的上方表面、絕緣體23的上方表面及側面、以及位於凹槽14內之絕緣膜21的側面及底面。

在種金屬形成後，一電鍍抗蝕劑(例如樹脂)24形成於絕緣體23上環繞著開孔23a，如第5B圖及第10A圖中所示。

p側互連25及n側互連26係利用前述之種金屬做為電流路徑而以電鍍方式加以形成的，如第6A圖及第10B圖中所示。p側互連25及n側互連26可以由相同的金屬材料製成，例如銅(Cu)，並可透過電鍍而同時加以形成。

p側互連25係形成於位在由電鍍抗蝕劑24加以圍繞之區域內的p側電極22上。n側互連26係形成於位在凹槽14之側面及底部的絕緣膜21上。另外，n側互連26有一部份係形成於絕緣體23上做為焊墊部份26a。n側互連26係填入於凹槽14內並設置成高於凹槽14。焊墊部份26a形成於絕緣體23上位於由電鍍抗蝕劑24所圍繞的區域的外部。p側互連25及焊墊部份26a由絕緣體23及電鍍抗蝕劑24加以隔開。

接著，利用例如說一溶液將電鍍抗蝕劑24加以移除；並將種金屬自已移除電鍍抗蝕劑24的絕緣體23上加以移除。因此，可將p側互連25與n側互連26間透過該種金屬的電性連接加以打破。樹脂27設置於p側互連25及n側互連26之間，如第6B圖中所示。該樹脂27係形成為與電鍍抗蝕劑24相同的平面圖案，以將絕緣體23上的p側互連25與n側互連26分隔開。

接著如第7A圖中所示，將基板10加以移除。基板10是以例如說雷射剝離法加以自半導體堆疊15上分離開。具體地說，將雷射光自背側，即與基板10上用以形成半導體堆疊15之主要表面相對的表面，朝向半導體堆疊15的第二主要表面15b照射。基板10對於雷射光而言是具有穿透性；且該雷射光所具有的波長是在半導體堆疊15的吸收範圍內。

當雷射光到達基板10與第二主要表面15b之間的界面處時，鄰近於該界面的n型半導體層11會吸收該雷射光的能量，進而分解。例如說，在該n型半導體層11是GaN的情形中，該n型半導體層11會分解成Ga及氮氣。此一分解反應會在基板10與n型半導體層11之間形成微間隙，將基板10及n型半導體層11分離開。針對整個晶圓上的多個設定區域之每一者均需進行多次的雷射光照射，以供移除基板10。

藉由移除基板10，位於凹槽14底部的絕緣膜21會暴露出，如第7A圖中所示。接著，在半導體堆疊15的第二主要表面15b及凹槽14底部的絕緣膜21上進行例如說CMP(化學機械硏磨)或回蝕，以將凹槽14底部的絕緣膜21加以移除。因此，位於凹槽14底部的n側互連26會暴露出，如第7B圖中所示。

接著，如第8A圖中所示，在暴露於第二主要表面15b側的n側互連26末端表面及第二主要表面15b位於該末端表面二側的周邊部份上形成n側電極28。該n側電極28具有一與第二主要表面15b相連的歐姆接點，並係金屬接合至n側互連26上。因此，第二主要表面15b可經由n側電極28而電性連接至n側互連26。n側電極28可包含有例如說自第二主要表面15b及n側互連26側起依序形成的一鈦(Ti)薄膜、一鋁(Al)薄膜、一鎳(Ni)薄膜、一金(Au)薄膜等。

在晶圓狀態下，n側電極28可形成為例如說沿著凹槽14的格狀構形，但具有比凹槽14寬的寬度。n側電極28中延伸至凹槽14外側的部份會接觸到第二主要表面15b的周邊部份。換言之，可針對多個相鄰而夾置凹槽14於其間的半導體堆疊15(晶片)來形成共用的n側電極28。

該n側電極28並不僅侷限於第二主要表面15b的周邊部份。如第2B圖中所示，n側電極28可形成為一種跨越第二主要表面15b的配置。在此種情形中，第二主要表面15b上的電流分佈會較為均勻；且可增加光度效益。

接著，如第8B圖中所示，將磷層29形成於第二主要表面15b上來覆蓋住n側電極28。該磷層29係藉由例如說旋轉塗佈法將具有螢光顆粒混合於液體內的樹脂加以塗佈於第二主要表面15b上後，再進行固化而形成的。

藉由在基板10自第二主要表面15b上移除後再形成該磷層29，就不會有基板10存在於磷層29與第二主要表面15b，亦即光擷取面，之間；而光擷取效率即可提升。

接下來，如第8B圖中所示，透過使用例如說雷射來切割凹槽14內的n側互連26，即可將該半導體發光裝置加以分割。由於基板10已經被移除掉，分割作業可以輕易地進行，而生產率將可提升。

另一種方式是在切割位置上設置樹脂；並將該樹脂加以切割。例如說，如第11圖中所示，在前面所述之形成電鍍抗蝕劑24時，也可以將該電鍍抗蝕劑24形成於凹槽14內。在此種狀態下進行電鍍時，n側互連26不形成於凹槽14的一部份內。

凹槽14內的電鍍抗蝕劑24可以保留下來而不加以移除，直到進行切割時。另一種方式是在移除電鍍抗蝕劑24後，將另外的樹脂設置於凹槽14內。無論是那一種情形，藉由在切割作業時，將凹槽14內的樹脂加以切割即可輕易地進行分割作業。

由於前面所述及的程序，直到進行切割之前，均是在一起在晶圓狀態下進行的，因此不需要在分割之後針對各個裝置來做互連及封裝；且可以對於製造成本做大幅度的縮減。換言之，在進行分割作業後的狀態中，互連及封裝均是已經完成的。再者，各個裝置的平面尺寸均是近乎於裸晶片(半導體堆疊15)的平面尺寸；而且可以輕易的縮減尺寸。

藉由製做出凹槽14來分隔晶圓狀態中的多個半導體堆疊15，並於凹槽14內設置n側互連26，其可以得到一種其中在分割後之狀態下的每一半導體堆疊15的側面上均已形成有n側互連26的結構。因此，不需要在分割之後再在該等晶片之每一者的側面上形成n側互連26。

該分割作業係藉由在圍繞著該等多個由凹槽14加以分隔開之半導體堆疊15中的至少一者的位置處進行切割而完成的。例如說，該半導體發光裝置可藉由在圍繞著含有多個半導體堆疊15之區域的凹槽14的位置，如第9A圖中雙點虛線所示，加以切割而成為所謂的多晶片結構。

在此種情形中，如第8A圖中所示，該等多個半導體堆疊15具有一種其中有多個半導體堆疊15會經由設置於側面上的n側互連26加以連接在一起的結構。藉由在晶圓狀態下施行前面所述的程序，在多個相鄰而具有凹槽14夾置其間的半導體堆疊15上，可形成共用的n側互連26及共用的n側電極28；並且製造效率良好。

第12圖是另一實施例的半導體發光裝置的示意剖面圖。

在此實施例中，是以一透明電極41做為該n側電極，其中該透明電極41對於由發光層12發射之光線是透明的。例如說，ITO(氧化銦錫)即可用來做為該透明電極41。透明電極41具有歐姆接點接觸第二主要表面15b，並係經由一接觸層42連接至n側互連26。例如說，鈦(Ti)、鎳(Ni)、以及類似者，可以用來做為該接觸層42。另一種方式，例如說，在n側互連26電鍍時做為種子層用的Ti等可以用來做為該接觸層42。

藉由使用透明電極41，n側電極可以形成於第二主要表面15b的整個表面上；第二主要表面15b上的電流分佈可以更為均勻；且可以得到高光度效益。不需要對n側電極施行圖案成型；且製程可以簡化。

前文中係配合於特定的範例來說明範例性的實施例。但是，範例性實施例並不侷限於此等。在本發明的技術精神下，有多種的變化是可行的。熟知此技藝者可針對基板、半導體層、電極、互連、金屬柱、絕緣膜、樹脂材料、尺寸、結構、配置、以及類似者，進行多種相關的設計變化；且該等設計變化均係包含於屬於本發明目的之範圍內的本發明範疇內。

雖然前面已針對某些實施例來加以說明，但這些實施例僅係舉例說明而已，並非是用以限制本發明的範疇。事實上，本文中所描述的新穎裝置及方法，係可以其他多種形式來加以實施的；再者，本文中所描述的這些裝置及方法中，可進行多種的省略、替換及改變，而不會脫離本發明的精神。下附的申請專利範圍及其等效者，係供用以涵蓋該等屬於本發明範疇及精神內的形式及變化。

10．．．基板

11．．．n型半導體層

12．．．發光層

13．．．p型半導體層

14．．．凹槽

15．．．半導體堆疊

15a．．．第一主要表面

15b．．．第二主要表面

21．．．絕緣膜

22．．．p側電極

23．．．絕緣體

23a．．．開孔

24．．．電鍍抗蝕劑

25．．．p側互連

26．．．n側互連

26a．．．焊墊部份

27．．．樹脂

28．．．n側電極

29．．．磷層

30．．．透鏡

41．．．透明電極

42．．．接觸層

第1圖是一實施例之半導體發光裝置的示意剖面圖。

第2A圖顯示出該半導體發光裝置之主要組件的平面配置，而第2B圖則顯示出另一範例的平面配置。

第3A圖至第8B圖是示意剖面圖，顯示出一種製造此實施例之半導體發光裝置的方法。

第9A圖至第10B圖是示意平面圖，顯示出製造此實施例之半導體發光裝置的方法。

第11圖是一示意剖面圖，顯示出另一種製造此實施例之半導體發光裝置的方法。

第12圖此實施例之半導體發光裝置另一範例的示意剖面圖。

11．．．n型半導體層

12．．．發光層

13．．．p型半導體層

15．．．半導體堆疊

15a．．．第一主要表面

15b．．．第二主要表面

21．．．絕緣膜

22．．．p側電極

23．．．絕緣體

23a．．．開孔

25．．．p側互連

26．．．n側互連

27．．．樹脂

28．．．n側電極

29．．．磷層

30．．．透鏡

Claims (20)

1. 一種半導體發光裝置，包含：一半導體堆疊，包含一第一主要表面、一設置於與該第一主要表面相對之一側上的第二主要表面、一側面、以及一發光層；一第一電極，設置於該第一主要表面上；一第二電極，設置於該第二主要表面的外部上，其中該第二電極的一部份突出超過該第二主要表面；一第一互連，設置於該第一電極上；一絕緣膜，設置於該半導體堆疊的該側面上；以及一第二互連，經由該絕緣膜設置於該半導體堆疊的該側面上且設置於突出超過該第二主要表面的該第二電極的該部份上，該第二互連係在該半導體堆疊的該第二主要表面的該週邊部份外側連接至該第二電極上。
2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二互連自該側面突出至該第一主要表面的該第一互連側。
3. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中該第二互連包含一焊墊部份，與該第一電極相對，一絕緣體夾置於該焊墊部份與該第一電極之間。
4. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二互連係經由該絕緣膜而完全環繞著該半導體堆疊的一周邊。
5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二電極係連續性地形成於該第二主要表面的該週邊部份上，以圍繞該第二主要表面的一中心。
6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二電極對於自該發光層發射出來的光線是透光的。
7. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中該第二電極是經由一接觸層連接至該第二互連。
8. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二電極與該第二互連係金屬接合。
9. 如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包含一磷層，覆蓋該第二電極，並與該第二主要表面相對。
10. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中該磷層亦設置於該第二互連的下方。
11. 一種製造半導體發光裝置的方法，包含：形成一半導體堆疊於一基板上，該半導體堆疊包含一發光層；形成一凹槽，以將該半導體堆疊在該基板上分隔成多個；形成一絕緣膜於該凹槽上；形成一第一電極於第一主要表面上，該第一電極係連接至該第一主要表面；形成一第一互連於該第一電極上，該第一互連係連接至該第一電極；經由該凹槽內的該絕緣膜而形成一第二互連於該凹槽之一底部及該半導體堆疊的一側面上；在形成該第二互連後，將該基板移除，以在與該第一主要表面相對的一側上暴露出該第二互連及該半導體堆疊 的一第二主要表面；以及在移除該基板後，形成一第二電極於該第二互連上，該第二電極突出超過該第二主要表面且將該第二主要表面連接至該第二互連。
12. 如申請專利範圍第11項之方法，進一步包含藉由切割該凹槽內的該第二互連而進行分割作業。
13. 如申請專利範圍第11項之方法，進一步包含：形成另一凹槽於該第二互連上；形成樹脂於該另一凹槽內；以及藉由切割該樹脂而進行分割作業。
14. 如申請專利範圍第11項之方法，進一步包含藉由在圍繞著一包含多個該半導體堆疊之區域的該凹槽進行切割而進行分割作業。
15. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該第一互連及該第二互連係以電鍍方式同時加以形成。
16. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該等第一及第二互連的形成包含：形成一絕緣體覆蓋該第一電極；藉由形成一開孔於該絕緣體中，以暴露出該第一電極的一部份；形成該第一互連於該暴露出的第一電極上；以及形成該第二互連於該絕緣體的一非關孔部份上。
17. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該凹槽在該基板上形成為一格狀構形，而該第二互連係連續性地環繞 由該凹槽加以分隔開之該等半導體堆疊每一者的一周邊。
18. 如申請專利範圍第11項之方法，其中一透明電極形成於該第二主要表面上做為該第二電極，該透明電極對於自該發光層發射出的光線是透光的。
19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該透明電極是形成於整個該第二主要表面上。
20. 如申請專利範圍第11項之方法，進一步包含：在形成該第二電極後，形成一磷層覆蓋住該第二電極，並與該第二主要表面相對。