JP2005019939A - フリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
フリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】前記発光ダイオード40は、n側電極及びp側電極を最小線幅のライン形態に形成し、相互等間隔を有しながら平行するよう配置して、発光面積を犠牲させることなく均一な電流拡散効果が得られ、不導体のパシベーション層上に反射膜とボンディング用電極を蒸着することによりLEDの発光効率を増大し、充分なボンディング面積を確保してSi基板61を通した熱放出特性を増加させられる。
【選択図】図6
Description
記パシベーション層と第1、第2ボンディング用電極との間に形成される反射層をさらに含むことができる。
42 バッファ層
43 発光構造物
43a n型GaNクラッド層
43b 活性層
43c p型GaNクラッド層
44 透明電極
45 p側電極
46a、46b 第1、第2n側電極
47 パシベーション層
48a、48b 第1、第2ボンディング電極
49 ボンディング部
Claims (21)
- サファイア基板と、
前記基板上に第1GaNクラッド層、活性層、第2GaNクラッド層順に形成され、前記第1GaNクラッド層の1つ以上の領域が所定の幅を有する直線形態で露出する発光構造物と、
前記発光構造物が露出した第1GaNクラッド層及び第2GaNクラッド層上に最小線幅を有するライン形態で相互平行に形成される第1、第2電極と、
前記発光構造物及び多数の電極上に形成され、一部分が穿孔されて多数の電極各々の所定領域を除いた残りの部分及び発光構造物を保護するパシベーション層と、
前記パシベーション層の上部に相互絶縁するよう形成され、各々前記パシベーションの穿孔された部分を通して第1、第2電極と接触する第1、第2ボンディング用電極と、
を有することを特徴とするフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。 - 前記発光構造物は相互対向する両側端部にライン形態で活性層及び第2GaNクラッド層がエッチングされて成ることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
- 前記第1電極は前記発光構造物の相互対向する両側端部の第1GaNクラッド層上部に各々最小線幅を有するライン形態で形成され、
前記第2電極は前記発光構造物の中央の第2GaNクラッド層上部に前記第1電極と平行な最小線幅のライン形態で形成されることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。 - 前記フリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードは前記パシベーション層と第1、第2ボンディング用電極との間に形成される反射層をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
- 前記第1、第2ボンディング用電極は反射物質とバリア(barrier)物質とボンディング物質とを有する合金から成ることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
- 前記発光ダイオードは前記基板と発光構造物との間に形成されるバッファ層をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
- 前記発光ダイオードは発光構造物の第2GaNクラッド層と第2電極との間に形成される透明電極をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
- 前記反射層はAg、Al、Pd、Rh及びその合金から成るグループから選択された物質で成ることを特徴とする請求項4に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
- 前記反射物質はAg、Al、Pd、Rh及びその合金から構成されたグループから選択されることを特徴とする請求項5に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
- 前記バリア物質はTi、W、Cr、Pt、Ni及びその合金から成るグループから選択されることを特徴とする請求項5に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
- 前記ボンディング物質はAu、Sn、In及びその合金から成るグループから選択されることを特徴とする請求項5に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
- サファイア基板上に第1GaNクラッド層、活性層、第2GaNクラッド層の順で成長させる成長段階と、
前記成長した活性層及び第2GaNクラッド層の所定領域をエッチングし、第1GaNクラッド層の所定領域を外部に露出させるエッチング段階と、
前記第2GaNクラッド層の上部に透明電極を形成する透明電極形成段階と、
前記透明電極の上部と前記第1GaNクラッド層の露出領域に、各々相互平行な最小線幅を有するライン形態で第1、第2電極を同時に形成する電極形成段階と、
前記第1、第2電極が形成された第1、第2GaNクラッド層の上部をパシベーション後、前記第1、第2電極の所定領域が露出するようパシベーション層を穿孔するパシベーション段階と、
前記パシベーション層の上部に前記穿孔部分を通して第1、第2電極に各々接触されながら互いに絶縁するよう第1、第2ボンディング用電極を形成するボンディング電極形成段階と、
を有することを特徴とするフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。 - 前記エッチング段階は前記成長したチップの相互対向する両側部から第2GaNクラッド層及び活性層までメサエッチングを施すことを特徴とする請求項12に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
- 前記電極形成段階は、第1GaNクラッド層と接触する第1電極をチップの両側端部に各々相互平行に2個形成し、第2GaNクラッド層と接触する第2電極を前記第1電極同士の間に前記第1電極と等間隔を有するよう形成することを特徴とする請求項12または13に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
- 前記電極形成段階において、第1、第2電極の線幅は約10〜20μmに形成することを特徴とする請求項12に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
- 前記製造方法は前記ボンディング電極の形成前に前記パシベーション層上に反射層を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項12に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
- 前記ボンディング電極形成段階は、反射物質とバリア物質とボンディング物質とで成るメタルで第1、第2電極を形成することを特徴とする請求項12に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
- 前記反射層はAg、Al、Pd、Rh及びその合金から成るグループから選択された物質で成ることを特徴とする請求項16に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
- 前記反射物質はAg、Al、Pd、Rh及びその合金から成るグループから選択されることを特徴とする請求項17に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
- 前記バリア物質はTi、W、Cr、Pt、Ni及びその合金から成るグループから選択されることを特徴とする請求項17に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
- 前記ボンディング物質はAu、Sn、In及びその合金から成るグループから選択されることを特徴とする請求項17に記載のフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
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