JP2015188109A - 半導体発光素子 - Google Patents
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沿って強い発光が現れ好ましくない状況になることがある。
前記ストリートライン上に金属膜を備えた遮光部材を有し、
前記半導体層を被覆する第1保護膜と、前記第1保護膜上に形成される中間配線と、前記第1保護膜及び前記中間配線を被覆する第2保護膜と、前記第2保護膜上に形成される突起電極を備え、
前記第1保護膜の開口部で前記半導体層と前記中間配線が接続し、前記第2保護膜の開口部で前記中間配線と前記突起電極が接続し、
前記金属膜が前記中間配線と等しい材料からなっている
ことを特徴とする。
前記半導体発光素子が連結して配列したウェハーを準備する準備工程と、
前記ウェハーの前記ストリートラインに遮光部材を配置する遮光部材配置工程と、
前記ストリートラインに沿って前記ウェハーを切断し、前記半導体発光素子に個片化する個片化工程とを備えることを特徴とする。
共通電極膜を前記ウェハーに形成する共通電極膜形成工程と、
突起電極を形成する領域に開口部を備えた第1のレジスト膜を前記共通電極膜上に形成する第1レジスト膜形成工程と、
電解メッキ法により前記突起電極を形成するメッキ工程と、
前記レジスト膜を剥離した後、前記ストリートライン上に第2のレジスト膜を形成する第2レジスト膜形成工程と、
前記突起電極と前記第2のレジスト膜をエッチチングマスクとして前記共通電極膜をパターニングする共通電極パターニング工程と
を備えていても良い。
中間配線と前記ストリートライン上に配置する金属膜を同時に形成する中間配線パターニング工程と、
前記中間配線と接続する突起電極を形成する突起電極形成工程と
を備えていても良い。
(第1実施形態)
添付図1〜4を参照して本発明の第1実施形態を詳細に説明する。図1は本実施形態のLED素子10(半導体発光素子)の電極面を示す底面図である。LED素子10の電極面にはp側突起電極13とn側突起電極14がある。LED素子10の電極面の周囲には金属膜11,12(遮光部材)が存在する。金属膜11と金属膜12は四つのスリット18で分離している。なお金属膜12はn側突起電極14と接続している。またスリット18からはサファイア基板17(透明絶縁基板)が見える。p側突起電極13はp型半導体層15の占める領域内にあり、p型半導体層15の端部は金属膜11で覆われている。図中、p型半導体層15の右上隅に切りかけ部があり、ここからn型半導体層16が露出している。n型半導体層16には金属膜12の一部とn側突起電極14が積層している。なお図1では保護膜21(図2参照)を図示していない。
板17が積層している。p型半導体層15及びn型半導体層16の露出部は保護膜21で被覆されている。保護膜21は2個の開口部があり、p型半導体層15が保護膜21から露出する開口部では金属膜22(アンダーバンプメタル層)を介してp側突起電極13が接続している。同様にn型半導体層16が保護膜21から露出する開口部では金属膜12の一部(アンダーバンプメタル層)を介してn側突起電極14が接続している。
けられているのに対しn型半導体層16の露出部には反射層がない。このため露出部から電極面側に向かう光が洩れたり、n側突起電極14で吸収されたりする。これに対し金属膜12をn側突起電極14と接続するようにしてn型半導体層16の露出部を覆わせるようにすると、前述の光がサファイア基板17側に戻るようになり、洩れ光による不具合も減り、さらに輝度が上昇する。
(第2実施形態)
第1実施形態のLED素子10は、図1に示したようにn側突起電極14が電極面の角部にあった。しかしながらLED素子のサイズが大型化してくると電流分布の偏りをさけるためn型半導体層との電気的接続部を半導体層の中央部に移動したり、複数化したりすることがある。またLED素子を直接的にマザー基板へ実装する場合、マザー基板の配線ピッチに適合するよう、層間絶縁膜や中間配線を使ってLED素子の接続電極を配置し直すことがある。そこで第2実施形態として、n型半導体層との電気的接続部が半導体層の中央部にあり、接続電極を配置しなおしたLED素子50を図5〜9を参照して説明する。
層55は重なっている。図の右側も同様に金属膜52がストリートライン63及びp型半導体層55の端部を覆っている。
11,12,51,52…金属膜(遮光部材)、
13,53…p側突起電極、
14,54…n側突起電極、
15,55…p型半導体層、
16,56…n型半導体層、
17,57…サファイア基板(透明絶縁基板)、
18,58…スリット、
21,61,62…保護膜、
22…金属膜(アンダーバンプメタル層)、
23,63…ストリートライン、
31,81…ウェハー、
32…共通電極膜、
33…第1のレジスト膜、
34…第2のレジスト膜、
64…p側の中間配線、
65…n側の中間配線、
82,83,85,86…開口部、
84…Al層。
Claims (3)
- 透明絶縁基板上に形成された半導体層と、前記半導体層の周囲にウェハーから切り出す際の切りしろになったストリートラインとを備える半導体発光素子において、
前記ストリートライン上に金属膜を備えた遮光部材を有し、
前記半導体層を被覆する第1保護膜と、前記第1保護膜上に形成される中間配線と、前記第1保護膜及び前記中間配線を被覆する第2保護膜と、前記第2保護膜上に形成される突起電極を備え、
前記第1保護膜の開口部で前記半導体層と前記中間配線が接続し、前記第2保護膜の開口部で前記中間配線と前記突起電極が接続し、
前記金属膜が前記中間配線と等しい材料からなっている
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記金属膜は少なくとも2分割していることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記金属膜はアルミニウムからなる反射層を含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
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