JP7112596B2 - 半導体発光デバイス - Google Patents
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Description
第1の実施例
以下は制作方法を組み合わせて、本実施形態の半導体発光デバイスの構造について説明する。図2~11に本実施形態の半導体発光デバイスの製作方法における各工程によって得られる構造が示される図が示されている。
第2の実施例
第1の実施例の代替手段として、第2の電極のワイヤ・ボンディングの後下方にキャビティが出現する問題を解決するデザインとして、絶縁層109の孔の形状を従来の1個の代わりに、少なくとも2個形成することができる。図12(図7の変化例)に示されるように、孔は2個あり、2個の孔の間に所定の距離を開けることによって、ある程度の幅を有する絶縁層を実現し、2つの孔の間の絶縁層エリア(図中の破線で囲まれる大まかな範囲)は第2の電極に対する主な面のサポートもしくは全てのサポートの提供に用いられることができるので更に好ましい。即ち、上記変更により得られる最終構造の中で、第2の電極の垂直下方の中間位置は絶縁層109であり、もしくは更に、垂直下方は主に絶縁層109もしくは全てが絶縁層109になる。前記2つの孔の間の距離が、第2の電極の下側の面の半徑の半分以上であり、孔の総面積は、第1の実施例の環状孔の総面積もしくは従来の孔の総面積と同等であると更に好ましい。また、図10の代替手段として、図13に示されるように、前記孔は4つであり、そして孔の間に一定の距離があるので、4つの孔により囲まれた中央に位置する絶縁層(図中の破線で囲まれる枠の位置)の面積は、第2の電極の下側の面との面積比が少なくとも1/4以上もしくは1/2以上もしくは同等であるので、孔により囲まれた絶縁層(図中の破線で囲まれる枠の位置)は第2の電極に対する主な面のサポートもしくは全てのサポートの提供に用いられることができ、即ち、第2の電極の垂直下方の中心位置は絶縁層であり、もしくは更に第2の電極の下方が主に絶縁層もしくは全てが絶縁層である。また、絶縁層の孔の開口の面積を変更しない前提で、孔を多数個にすることにより、どの孔の開口の幅のサイズも従来の1個のみの柱状開口の孔の水平幅のサイズより小さくなるので、第2の電気的接続層の第2の部分として形成されて孔の中に充填される金属の緻密性は改善され、金属の間のキャビティは少なくなり、第2の電極のワイヤ・ボンディングの際に出現する崩壊によって第2の電極のワイヤ・ボンディングの異常が生じる問題を改善することができる。
第3の実施例
第1の実施例の代替手段として、図14に示されるように、前記基板212に少なくとも2つの半導体発光シーケンスを有することができる。該少なくとも2つの半導体発光シーケンスは互いに電気的に直列接続するが、構造としては互いに側壁が離れるほうに配置されている半導体発光シーケンスである。各半導体発光シーケンスはいずれも第1の導電タイプ半導体層204と、発光層302と、第2の導電タイプ半導体層202と、を有する。各半導体発光シーケンスの底部と基板212との間に、単一の独立した第1の電気的接続層208と第2の電気的接続層210とを有し、第1の電気的接続層208と第2の電気的接続層210とは絶縁層209により互いに絶縁される。第2の電気的接続層210としての一部の化学結合層は、基板212と第2の電気的接続層210との間に接続を形成する。直列接続を形成するため、1つの半導体発光シーケンスの第1の電気的接続層208は、隣のもう1つの半導体発光シーケンスの第2の電気的接続層210と接続し、具体的には1つの半導体発光シーケンスの第1の電気的接続層208の下方の絶縁層に孔を形成し、隣のもう1つの半導体発光シーケンスの第2の電気的接続層210は絶縁層の孔を充填しれて延伸して隣の1つの半導体発光シーケンスの第1の電気的接続層208と接触することにより、隣り合う2つの半導体発光シーケンスの直列接続を実現する。直列に接続する一つ目の半導体発光シーケンスの一側に第1の電気的接続層に接続する第1の電極213を有し、直列接続の最後の1つの半導体発光シーケンスは、第2の電気的接続層に接続する第2の電極214を有し、第1の電極213と第2の電極214とは同じ側に位置する。
第4の実施例
本発明の半導体発光デバイスは、パッケージ品、もしくは大電流が必要になるバックライト、フラッシュライトなどの応用品など、照明もしくは表示の分野に広く用いることができる。この実施例は図10に示される前記半導体発光デバイスのパッケージ構造を提供し、図15に示されるように、パッケージ基板301を提供し、該パッケージ基板301は(平面型もしくは図10の構造を取り付けるための凹部を有するパッケージ手段であり)、パッケージ基板301には導電回路層が配置され、図10の構造の基板下側は接着剤によりパッケージ基板に取り付けられる。導電回路層は互いに絶縁している少なくとも2つの部分302と303であり、第1の電極113と第2の電極114との外部とのワイヤ・ボンディング接続に用いられる。第1の電極113と第2の電極114の表面は金属リードを有するワイヤ・ボンディング端304を有し、ワイヤ・ボンディング端304は通常球形もしくは楕円体形である。ワイヤ・ボンディング端304は金属リードによって導電回路層に接続される。図10の構造の表面は、更にパッケージ樹脂もしくは蛍光粉を含むパッケージ樹脂により覆われて密封されることができる。
第5の実施例
比較例として、この実施例の製造方法と第1の実施例の異なる点は:図16に示される構成は第1の実施例の図7に示される構造の変化例であり、絶縁層の貫通孔1091は1個であり、孔は柱状もしくは両面側の面積が均一しないテーパ状であり、第2の電気的接続層の第2の部分は貫通孔1091の中を充填し、且つ、第2の電気的接続層の第2の部分は絶縁層の孔の第2の電極の下方の中心位置を充填する。この実施例の製造方法の他の工程は第1の実施例と同じである。得られる半導体発光デバイスは図17に示されるように、第2の電極014の垂直下方の中心位置は絶縁層の中の孔を有し、該孔の構造の中に第2の電気的接続層の第2の部分が充填され、孔のサイズが大きく且つ高低差が存在するので、第2の部分の中に非常に多いキャビティが出現している。本実施例の半導体発光デバイスを第4の実施例のパッケージ構造のように作成すると、図18に示されるように、外力を用いて第2の電極014にワイヤ・ボンディングすると、第2の電極014の下方に崩壊が発生しやすく、第2の電極のワイヤ・ボンディング異常を引き起こす。
003 発光層
004 第1の導電タイプ半導体層
006 孔
007 電気的接続層
008 第1の電気的接続層
009 絶縁層
010 第2の電気的接続層
0101 第1の部分
0102 第2の部分
0103 第3の部分
012 基板
013 第1の電極
014 第2の電極
101 半導体エピタキシャル層は成長基板
102 第2のタイプの導電性半導体層
103 発光層
104 第1のタイプの導電性半導体層
105 オーミック接触層
106 鈍化層
107 反射層
108 金属ストッパー層
1081 第1の部分
1082 第2の部分
109 絶縁層
1091 貫通孔
1092 独立した絶縁層
111 化学結合層
112 基板
202 第2の導電タイプ半導体層
203 発光層
204 第1の導電タイプ半導体層
208 第1の電気的接続層
209 絶縁層
210 第2の電気的接続層
212 基板
213 第1の電極
214 第2の電極
301 パッケージ基板
302 部分
303 部分
304 ワイヤ・ボンディング端
600 孔
Claims (18)
- 基板と、基板に積層される積層構造と、第1の電極と、第2の電極と、を備えた半導体発光デバイスであって、
前記積層構造は、前記基板側から順番に第2の電気的接続層と、絶縁層と、第1の電気的接続層と、半導体発光シーケンスと、を有しており、
前記半導体発光シーケンスは、前記第1の電気的接続層側から積層される第1の導電タイプ半導体層と、発光層と、第2の導電タイプ半導体層と、を有しており、
前記第1の電極は、外部とのワイヤ・ボンディングに用いられるものであり、前記第1の電気的接続層を介して前記第1の導電タイプ半導体層に電気的に接続されており、
前記第2の電極は、外部とのワイヤ・ボンディングに用いられるものであり、前記第2の電気的接続層を介して、前記第2の導電タイプ半導体層に電気的に接続されており、
前記半導体発光シーケンスと前記第1の電極と前記第2の電極とは、前記基板の同じ側に位置しており、更に
前記第2の電気的接続層には、第1の部分と第2の部分とが含まれており、該第1の部分は前記絶縁層の前記半導体発光シーケンスから離れた一側に位置し、前記絶縁層には環状の孔が形成されており、前記第2の部分は前記絶縁層の前記一側にある前記第1の部分から前記絶縁層の前記環状の孔を通過するように延伸して前記第2の電極に接続されており、
前記絶縁層にある環状は閉じた環であり、該閉じた環の内側は独立した絶縁層ブロックであり、該独立した絶縁層ブロックと前記第2の電極の下側の面との面積比は少なくとも1/4以上であることを特徴とする半導体発光デバイス。 - 前記独立した絶縁層ブロックと前記第2の電極の下側の面との面積比は少なくとも1/2以上であり多くとも同等であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光デバイス。
- 基板と、基板に積層される積層構造と、第1の電極と、第2の電極と、を備えた半導体発光デバイスであって、
前記積層構造は、前記基板側から順番に第2の電気的接続層と、絶縁層と、第1の電気的接続層と、半導体発光シーケンスと、を有しており、
前記半導体発光シーケンスは、前記第1の電気的接続層側から積層される第1の導電タイプ半導体層と、発光層と、第2の導電タイプ半導体層と、を有しており、
前記第1の電極は、外部とのワイヤ・ボンディングに用いられるものであり、前記第1の電気的接続層に介して前記第1の導電タイプ半導体層に電気的に接続されており、
前記第2の電極は、外部とのワイヤ・ボンディングに用いられるものであり、前記第2の電気的接続層を介して、前記第2の導電タイプ半導体層に電気的に接続されており、
前記半導体発光シーケンスと前記第1の電極と前記第2の電極とは、前記基板の同じ側に位置しており、更に
前記第2の電気的接続層には、第1の部分と第2の部分とが含まれており、該第1の部分は前記絶縁層の一側に位置し、前記第2の部分は前記絶縁層の前記一側にある前記第1の部分から前記絶縁層にある少なくとも2つの孔を通過するように絶縁層の他の一側まで延伸して前記第2の電極に接続され、前記第2の電気的接続層の前記第2の部分は、前記第2の電極の下方の中心位置に設置されておらず、
前記少なくとも2つの孔により囲まれる中央エリアにおける絶縁層と前記第2の電極の下側の面との面積比は少なくとも1/4以上であることを特徴とする半導体発光デバイス。 - 前記第2の電極の下方の中心位置に絶縁層が含まれてサポートを形成することを特徴とする請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記第2の電極の下方の面積と絶縁層の前記孔の総面積比は少なくとも4/5以上であり多くとも同等であることを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記孔は柱状またはテーパ状であることを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記絶縁層の孔は前記第2の電極の垂直下方における中心より周縁側寄りの場所もしくは前記第2の電極の垂直下方以外の場所に位置することを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記第2の電極の下方の面は、中心から周縁までの少なくとも半分の半径範囲が前記絶縁層の表面に重なることを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 更に、前記半導体発光シーケンスの中に少なくとも1つの孔が形成され、該孔の開口は前記第1の導電タイプ半導体層の一側に位置し、該孔の底部は前記第2の導電タイプ半導体層であり、
前記第1の電気的接続層及び前記絶縁層は前記第1の導電タイプ半導体層の一側に位置し、且つ、前記孔の開口を露出させ、前記第2の電気的接続層は更に前記半導体発光シーケンスの中に形成される前記少なくとも1つの孔を充填する第3の部分を更に含み、該孔の側壁は前記絶縁層により絶縁することを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。 - 前記第1の電極と前記第2の電極の底部は同一の高さ位置にあることを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記絶縁層の前記第1の電気的接続層と前記第2の電気的接続層との間にある厚さは100nm~5000nmであることを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記絶縁層の前記第1の電気的接続層と前記第2の電気的接続層との間にある厚さは500nm~5000nmであることを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記絶縁層のモース硬度は少なくとも6以上であることを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記第1の電気的接続層もしくは前記第2の電気的接続層は、単一もしくは複数の金属により積層されて形成されることを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記第1の電気的接続層はオーミック接触層と反射層とを有することを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記第2の電気的接続層はオーミック接触層と化学結合層とを有することを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記第2の電気的接続層の前記第2の部分は、少なくとも1種類の金属もしくは金属合金を含むことを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
- 前記絶縁層は、窒化ケイ素と酸化ケイ素と酸化アルミニウムとからなる群により選ばれた少なくとも1種類の成分を含むことを特徴とする請求項1または請求項3に記載の半導体発光デバイス。
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