JP5943731B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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x,12yが形成されている領域による損失は変わることがない。またフリップチップ実装したときは、回路基板側に出射する光を回路基板上に形成した反射電極で反射し、回路基板の上方に向かわせることになるが、前述したように延伸部22a,22x,22yの透過率が高くないことにより発光効率の損失を招く。なお発光素子がフェイスアップ実装用なので、延伸部22a,22x,22y自身の反射利率はふつう高くしない。
とする。
体層32bはp型GaN層32d(図4参照)とITO層32e(図4参照)からなり厚さが1μm程度である。図示していないが発光層はp型半導体層32bとn型半導体層32cの境界部にあり、平面形状はp型半導体層32bとほぼ等しい。絶縁保護膜32aはSiO2からなり厚さが数100nm〜1μm程度である。p側突起電極33,34並びにn側突起電極35はAu又はCuをコアとするバンプであり、電解メッキ法で形成し厚さが10〜30μm程度である。
2bを被覆し、Al反射層を含むUBM層33aを備えたp側突起電極33,34及びn側突起電極35を形成したものである(図1、図2参照)。すなわちLEDダイ30は、フェイスアップ実装用のLEDダイ50に対し、最後の部分の製造工程を変更しフリップチップ向けに転用したものである。すでに絶縁保護膜の着いたLEDダイ50しか入手できない場合は、p側及びn側の電極パターン52,51並びに補助電極53を備えたまま、絶縁保護膜に小径の開口(図2の開口36に相当するもの)を追加し、その後p側及びn側の突起電極を形成しても良い。
31…サファイヤ基板(透明絶縁基板)、
32…半導体層、
32a…絶縁保護膜、
32b…p型半導体層、
32c…n型半導体層、
32d…p型GaN層、
32e…ITO層、
33,34…p側突起電極、
33a…アンダーバンプメタル層、
33b…コア層、
33c…共晶層、
35…n側突起電極、
36…開口、
37…開口、
38…p型半導体層の開口、
51…n電極パターン、
52…p電極パターン、
53…補助用電極。
Claims (4)
- 透明絶縁基板の下面にn型半導体層、p型半導体層、絶縁保護膜、n側及びp側突起電極を有する半導体発光素子において、
前記絶縁保護膜は、前記p側突起電極及びn側突起電極が形成される領域を除いて下面が外部に露出し、前記p型半導体層と前記p側突起電極を接続させるための複数の開口を備え、
前記開口は、前記p側突起電極が形成される領域に均等に配置され、
前記p側突起電極は、前記絶縁保護膜と接する部分に反射層として機能するAl層を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記p型半導体層の角部と前記p側突起電極の角部が近接し、前記p側突起電極の角部に前記開口が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記透明絶縁基板の下面において、中心部に前記n側突起電極が配置され、前記n側突起電極を挟むように複数のp側突起電極が配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁保護膜がSiO2であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
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