JP5755102B2 - 半導体発光素子 - Google Patents

Description

本発明はフリップチップ実装用の半導体発光素子に関する。

ウェハーから切り出された半導体発光素子（以後とくに断らない限りＬＥＤ素子と呼ぶ）は、しばしば透明絶縁基板上に発光層を含む半導体層を備えた構成をとる。このようなＬＥＤ素子を回路基板に接続する際、ＬＥＤ素子に突起電極を形成し、突起電極を介してＬＥＤ素子と回路基板の電極を導電接続するフリップチップ実装が行われることがある。このフリップチップ実装は、ワイヤボンディングを使う実装方法に較べ熱伝導性や発光効率が良いという特徴がある。

ＬＥＤ素子の平面積が小さかったころは、ｎ型半導体層がｐ型半導体層から露出する領域、及びｐ型半導体層の占める領域に対し、それぞれ一箇所ずつ絶縁膜に開口部を設け、その開口部に突起電極を配置すれば済んでいた。最近のようにＬＥＤ素子の平面積が大きくなると、ＬＥＤ素子の電流分布を均一化するため、ｎ型半導体層の露出領域に形成する開口部やｐ型半導体層との接続用の開口部を複数化することがある。このような場合、中間配線を使ってｎ型半導体層の各露出領域やｐ型半導体層との接続用の開口部を接続し、それぞれ一個ずつのカソード電極及びアノード電極にまとめることがある。

例えば特許文献１の図１及び図２にはＬＥＤチップ１（ＬＥＤ素子）を配線基板４０（回路基板）にはんだ３１を介して実装した発光装置が示されている。そこでは２個のｐ電極用開口１６ｂ（ｐ型半導体層が占める領域に形成した絶縁膜の開口部）を介して第２ｐ電極１８（中間配線）が第１ｐ電極１５（ｐ型半導体層１３に積層して接続している金属層）と接続し、一個のアノード電極となっている。なおカソード電極となる第２ｎ電極１７は、配線基板４０との接続を容易にするため、第１絶縁層１６を挟んでｐ型半導体層１３が占める領域まで広がっている。

特許第４１２１５３６号公報 （図１、図２）

特許文献１のＬＥＤチップ１（ＬＥＤ素子）では、接続用部材である半田３１上に第２ｐ電極１８が積層し、第２ｐ電極１８上にｐ電極用開口１６ｂがあった。いっぱんにフリップチップ用のＬＥＤ素子では、接続用電極が保護膜（絶縁膜）の開口部と積層し、開口部において薄い金属層を介して半導体層と接続している。このＬＥＤ素子を回路基板に実装したとき、回路基板の反りや、回路基板とＬＥＤ素子の熱膨張率の違いなどにより応力が発生し、この応力が接続電極から半導体層に向かう。このとき保護膜の界面でズレが発生しやすいこと、及び薄い金属層が変形しづらいことにより、接続電極から伝わってくる応力が保護膜の開口部に集中し、開口部において様々な界面で剥離することがある。

そこで本発明は、この課題を解決するため、外部回路との接続用の電極に応力がかかってきても絶縁膜の開口部において剥離が起きにくい半導体発光素子を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の半導体発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層と、該ｐ型半導体層と該ｎ型半導体層を覆う第１の絶縁膜とを備え、該第１の絶縁膜が前記ｐ型半導体層に電流を入力させるｐ側の開口部、及び前記ｎ型半導体層から電流を引き出すｎ側の開口部を有する半導体発光素子において、
前記ｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部で前記ｐ型半導体層と接続するｐ側の中間配線、
及び前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部で前記ｎ型半導体層と接続するｎ側の中間配線と、
前記中間配線を覆う第２の絶縁膜と、
前記ｐ側の中間配線及び前記第２の絶縁膜の開口部を介して前記ｐ型半導体層と接続するｐ側の接続電極、並びに前記ｎ側の中間配線及び前記第２の絶縁膜の開口部を介して前記ｎ型半導体層と接続するｎ側の接続電極と
を備え、
電極面において、前記ｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部と前記ｐ側の接続電極、及び前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部と前記ｎ側の接続電極とが平面的に重ならず、
前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部が前記電極面の中央に存在し、
前記ｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部が複数あり、
前記複数のｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部が前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部を挟むようにして、前記複数のｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部と前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部が一列に並んでいる
ことを特徴とする。

上記構成の半導体発光素子は、ｐ側又はｎ側の接続電極が中間配線を介してｐ型半導体層又はｎ型半導体層と接続し、さらにｐ側又はｎ側の接続電極がｐ側又はｎ側の開口部と積層していない。回路基板など外部から応力がかかってきたとき、まず応力が接続電極から中間配線に伝わる。このとき中間配線は比較的厚いため伸縮して応力を緩和できる。また接続配線と開口部が積層していないため応力が直接的に開口部に伝わることもない。この結果、開口部に応力が集中しなくなり、開口部において剥離が起きにくくなる。

以上のように本発明の半導体発光層素子は、回路基板など外部から応力がかかっても第１の絶縁膜の開口部において剥離が起きにくい。

本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ素子の底面図。 図１に示したＬＥＤ素子の断面図。 図１に示したＬＥＤ素子の断面図。 図１に示したＬＥＤ素子の製造工程の説明図。 本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ素子の底面図。 図５に示したＬＥＤ素子の断面図。 図５に示したＬＥＤ素子の断面図。 図５に示したＬＥＤ素子の製造工程の説明図。

以下、添付図１〜８を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発
明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
（第１実施形態）

添付図１〜４を参照して本発明の第１実施形態を詳細に説明する。
図１は本実施形態のＬＥＤ素子１０（半導体発光素子）の電極面を示す底面図である。なお、理解を容易にするため、後述の絶縁膜１６（図２、図３参照）は図示していない。ＬＥＤ素子１０の電極面にはｐ側突起電極１７（ｐ側の接続電極）とｎ側突起電極１８（ｎ側の接続電極）がある。さらにｐ側突起電極１７と垂直に交差するようにｐ側の中間配線１９が２本ある。各ｐ側の中間配線１９の右側には開口部１９ａ（ｐ側の開口部）があり、左側には開口部１９ｂ（中間配線上の開口部）がある。開口部１９ａは絶縁膜１４（第１の絶縁膜）が開口したものであり、開口部１９ａにおいてｐ型半導体層１３（図３参照）がｐ側の中間配線１９と接続する。開口部１９ｂは絶縁膜１６（第２の絶縁膜、図３参照）が開口したものであり、開口部１９ｂにおいてｐ側の中間配線１９がｐ側突起電極１７と接続する。また図中、透視部を点線で示した。

同様にｎ側突起電極１８と垂直に交差するようにｎ側の中間配線１５がある。このｎ側の中間配線１５の左側には開口部１５ａ（ｎ側の開口部）があり、右側には開口部１５ｂ（中間配線上の開口部）がある。開口部１５ａは絶縁膜１４が開口したものであり、開口部１５ａにおいてｎ型半導体層１２（図２参照）がｎ側の中間配線１５と接続する。開口部１５ｂは絶縁膜１６（図２参照）が開口したものであり、開口部１５ｂにおいてｎ側の中間配線１５がｎ側突起電極１８と接続する。

図２，３によりＬＥＤ素子１０の積層構造を説明する。
図２は図１のＡＡ線に沿って描いたＬＥＤ素子１０の断面図である。サファイア基板１１の下面にはｎ型半導体層１２が形成され、さらにｎ型半導体層１２の下面にはｐ型半導体層１３が形成されている。なおｐ型半導体層１３は、図では開口部１５ａにより二つに分断されているように見えるが、平面的には連続した一枚の層である。ｐ型半導体層１３の上面及び側面並びにｎ型半導体層１２の左右の露出部は絶縁膜１４で被覆されている。絶縁膜１４には開口部１５ａがあり、開口部１５ａにおいてｎ型半導体層１２がｐ型半導体層１３から露出し、ｎ型半導体層１２とｎ側の中間配線１５が接続している。ｎ側の中間配線１５は絶縁膜１６で覆われ、絶縁膜１６の開口部１５ｂ（図１参照）ではｎ側の中間配線１５とｎ側突起電極１８が接続している。なお開口部１５ａとｎ側突起電極１８は平面的に重ならないようにしている。絶縁膜１６の下面に形成されたｐ側突起電極１７は本図では電気的な接続はない。

図３は図１のＢＢ線に沿って描いたＬＥＤ素子１０の断面図である。図２との主な違いは、ｐ型半導体層１３が一枚の層で示されていることと、ｐ側の中間配線１９がｐ型半導体層１３とｐ側突起電極１７とを接続していることである。絶縁膜１４の開口部１９ａ（図１参照）ではｐ型半導体層１３とｎ側の中間配線１９が接続しており、絶縁膜１６の開口部１９ｂ（図１参照）ではｐ側の中間配線１９とｐ側突起電極１７が接続している。なお開口部１９ａとｐ側突起電極１７は平面的に重ならないようにしている。絶縁膜１６の下面に形成されたｎ側突起電極１８は本図では電気的な接続はない。

サファイア基板１１は透明絶縁基板であり厚さが８０〜１２０μｍである。ｎ型半導体層１２はＧａＮバッファ層とｎ型ＧａＮ層からなり厚さが５μｍ程度である。ｐ型半導体層１３は、反射や原子拡散防止などさまざまな機能に対応する金属多層膜とｐ型ＧａＮ層からなり厚みが１μｍ程度である。図示していないが発光層はｐ型半導体層１３とｎ型半導体層１２の境界部にあり、平面形状はｐ型半導体層１３とほぼ等しい。絶縁膜１４，１６はＳｉＯ２やポリイミドからなり厚さが数１００ｎｍ〜１μｍ程度である。ｐ側突起電極１７及びｎ側突起電極１８はＡｕ又はＣｕをコアとするバンプであり、厚さが１０〜３
０μｍである。ｐ側及びｎ側の中間配線１９，１５はＡｌ層からなり厚さが１μｍ程度である。またｐ型半導体層１３及びｎ型半導体層１２とｐ側及びｎ側の中間配線１９，１５との間に接続性を改善するための金属層を設けることがある。

図４により本実施形態のＬＥＤ素子１０の製造工程を説明する。図４はＬＥＤ素子１０の製造工程の説明図であり、（ａ）〜（ｄ）は各工程の特徴的な状態におけるＬＥＤ素子１０の電極面を示している。なおＬＥＤ素子１０は、多数のＬＥＤ素子１０が連結して配列したウェハー状態で加工されるが、説明のため単個のＬＥＤ素子１０により製造工程を示している。また透視部については点線で示している。

（ａ）は、絶縁膜１４に開口を形成する工程である。図中、絶縁膜１４には上下の辺側に２個の開口部１９ａがあり、開口部１９ａからｐ型半導体層１３が見える。また図中、絶縁膜１４の中央に１個の開口部１５ａがあり、開口部１５ａからｎ型半導体層１２が見える。このウェハーは、洗浄液、純水、ブラシなどで洗われる。

（ｂ）は、ｐ側及びｎ側の中間配線１９，１５を形成する工程であり、絶縁膜１４上に形成されたｐ側及びｎ側の中間配線１９，１５を示している。ｐ側及びｎ側の中間配線１９，１５はそれぞれ開口部１９ａ，１５ａを覆っている。製造に際し、まずウェハー全面にＡｌ層をスパッタ法で形成し、ホトリソグラフィ法でＡｌ層をｐ側及びｎ側の中間配線１９，１５にパターニングする。

（ｃ）は、絶縁膜１６を形成する工程であり、絶縁膜１６及びその開口部１９ｂ，１５ｂを示している。開口部１９ｂ，１５ｂからそれぞれｐ側及びｎ側の中間配線１９，１５が見える。まず絶縁膜１６がＳｉＯ２層ならスパッタ法、ポリイミド層なら塗布法により、ウェハー全面に絶縁膜１６を製膜し、その後ホトリソグラフィ法で開口部１９ｂ，１５ｂを形成する。

（ｄ）は、ｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８を形成する工程であり、絶縁膜１６上にｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８を形成した様子を示している。ｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８はそれぞれ開口部１９ｂ、１５ｂを覆っている。ｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８は電解メッキ法とホトリソグラフィ法を組合せて形成する。最後にウェハーを切断しＬＥＤ素子１０を得る。

本実施形態のＬＥＤ素子１０では、電極面において絶縁膜１４の開口部１９ａ，１５ａとｐ側及びｎ側突起電極１７，１８が、ともに平面的に重なっていなかった。しかしながらｐ側及びｎ側において両方とも同時にこの条件を満足しなくても良い。例えばｎ側の開口部とｎ側突起電極が平面的に重なり、ｐ側の開口部とｐ側突起電極が平面的に重ならなくても、ｐ側だけは応力による剥離を軽減できる。この場合、後述するように第１又は第２の絶縁膜を有機膜にしたり、ｎ側に中間配線を設けたりすると良い。

本実施形態のＬＥＤ素子１０は第２の絶縁膜１６を備えていた。第２の絶縁膜１６は、中間配線の保護や外部回路との短絡を防止するためのものなので、応力の緩和に関して必ずしも備えなくても良い。例えば回路基板に第２の絶縁膜のないＬＥＤ素子をフリップチップ実装し、電極面とともにＬＥＤ素子を樹脂で封止してしまえば信頼性や短絡に係わる問題は発生しにくくなる。

本実施形態のＬＥＤ素子１０において第１及び第２の絶縁膜１４，１６は、ＳｉＯ２のような無機膜でも、ポリイミドのような有機膜でも良かった。しかしながら応力の緩和に関して第１又は第２の絶縁膜１４，１６は有機材料であることがより好ましい。例えばＬＥＤ素子１０において絶縁膜１６を有機膜とした場合、有機膜は柔軟性が比較的大きいた
め、ｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８の直下において絶縁膜１６が応力を分散するので、開口部１９ａ，１５ａにおける金属−金属間界面への剥離力が大きく低減される。

本実施形態のＬＥＤ素子１０は接続電極としてｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８を備えていた。しかしながら接続電極は突起電極に限定されない。例えばＬＥＤ素子１０において開口部１９ｂ，１５ｂに半田との接続性が良好な薄膜金属層を形成し、これを接続電極としても良い。この場合、回路基板やマザー基板の電極とこの接続電極とは半田等により接続する。
（第２実施形態）

第１実施形態のＬＥＤ素子１０は、図１に示したようにｎ型半導体層１２から電流を取り出す部位（開口部１５ａ）が電極面の中央一箇所にあった。ＬＥＤ素子１０のサイズが比較的小さく電極面が正方形であれば、電流を等方的に分布させるのにｎ側の開口部１５ａを電極面の中央部に配置すれば良い。なおｐ型半導体層１３は金属多層膜を備えているため全体的に低抵抗化できるので開口部１９ａの位置は比較的自由に決められる。これに対し最近ではＬＥＤ素子サイズが大型化し、また電極面が長方形のものが入手できるようになってきおり、このような場合はｎ側の開口部を複数備えることがある。

また第１実施形態のＬＥＤ素子１０は、ｐ側突起電極１７とｐ側の開口部１９ａ、並びにｎ側突起電極１８とｎ側の開口部１５ａがともに平面的に重ならないようにしていた。しかしながらｐ側突起電極とｐ側の開口部、又はｎ側突起電極とｎ側の開口部の一方が平面的に重ならなくても、他方だけは開口部における応力による剥離を緩和できる。そこで図５〜８により第２実施形態として、電極面が長方形であり、複数のｎ側の開口部を備え、ｎ側の開口部の一部がｎ側突起電極と平面的に重なるＬＥＤ素子５０（半導体発光素子）を説明する。

図５は本実施形態のＬＥＤ素子５０の電極面を示す底面図である。なお、理解を容易にするため、後述の絶縁膜５６（図６、７参照）は図示していない。ＬＥＤ素子５０の電極面にはｐ側突起電極５７（ｐ側の接続電極）とｎ側突起電極５８（ｎ側の接続電極）がある。いっぱんにＬＥＤ素子のサイズが０．８ｍｍ×０．４ｍｍ程度になると、チップマウンター等の実装器で取り扱い易くなり、さらに突起電極のピッチをマザー基板の配線ピッチに合わせられるようになる。ＬＥＤ素子５０も、中間配線を利用して接続用のｐ側及びｎ側突起電極５７，５８の配置や形状を単純化し、サイズを比較的大きくすることにより、直接的にマザー基板に実装できるようにしている。すなわち、いったん回路基板（インターポーザともいう）に実装してから、この回路基板をマザー基板に実装するという手間を省いている。

図５において、ＬＥＤ素子５０の電極面にはｐ側突起電極５７と垂直に交差するようにｐ側の中間配線５９が２本ある。各ｐ側の中間配線５９の右側には開口部５９ａ（ｐ側の開口部）があり、左側には開口部５９ｂ（中間配線上の開口部）がある。開口部５９ａは絶縁膜５４（第１の絶縁膜）が開口したものであり、開口部５９ａにおいてｐ型半導体層５３（図７参照）がｐ側の中間配線５９と接続する。開口部５９ｂは絶縁膜５６（第２の絶縁膜、図７参照）が開口したものであり、開口部５９ｂにおいてｐ側の中間配線５９がｐ側突起電極５７と接続する。また図中、透視部を点線で示した。

ｐ側の中間配線５９と同様に、ｎ側突起電極５８と垂直に交差するｎ側の中間配線５５はあるが、ｐ側の中間配線５９と異なり、ｎ側の中間配線５５では両端に開口部５５ａ（ｎ側の開口部）があり、右側の開口部５５ａに隣接して開口部５５ｂ（中間配線上の開口部）がある。開口部５５ａは絶縁膜５４が開口したものであり、開口部５５ａにおいてｎ型半導体層５２（図６参照）がｎ側の中間配線５５と接続する。開口部５５ｂは絶縁膜５
６（図６参照）が開口したものであり、開口部５５ｂにおいてｎ側の中間配線５５がｎ側突起電極５８と接続する。

図６，７によりＬＥＤ素子５０の積層構造を説明する。
図６は図５のＣＣ線に沿って描いたＬＥＤ素子５０の断面図である。サファイア基板５１の下面にはｎ型半導体層５２が形成され、さらにｎ型半導体層５２の下面にはｐ型半導体層５３が形成されている。なおｐ型半導体層５３三つに分断されているように見えるが、実際には平面的に連続した一枚の層である。ｐ型半導体層５３の上面及び側面並びにｎ型半導体層５２の左右の露出部は絶縁膜５４で被覆されている。絶縁膜５４には開口部５５ａがあり、開口部５５ａにおいてｎ型半導体層５２がｐ型半導体層５３から露出し、ｎ型半導体層５２とｎ側の中間配線５５が接続している。ｎ側の中間配線５５は絶縁膜５６で覆われ、絶縁膜５６の開口部５５ｂ（図５参照）ではｎ側の中間配線５５とｎ側突起電極５８が接続している。なお図１に示したＬＥＤ素子１０と異なり、右側の開口部５５ａとｎ側突起電極５８は平面的に重なっている。絶縁膜５６の下面に形成されたｐ側突起電極５７は本図では電気的な接続はない。

図７は図５のＤＤ線に沿って描いたＬＥＤ素子５０の断面図である。図６との主な違いは、ｐ型半導体層５３が一枚の層で示されていることと、ｐ側の中間配線５９がｐ型半導体層５３とｐ側突起電極５７とを接続していることである。絶縁膜５４の開口部５９ａ（図５参照）ではｐ型半導体層５３とｐ側の中間配線５９が接続しており、絶縁膜５６の開口部５９ｂ（図５参照）ではｐ側の中間配線５９とｐ側突起電極５７が接続している。なお図１に示したＬＥＤ素子１０と同様に、開口部５９ａとｐ側突起電極５７は平面的に重ならないようにしている。絶縁膜５６の下面に形成されたｎ側突起電極５８は本図では電気的な接続はない。

サファイア基板５１、ｎ型半導体層５２、ｐ型半導体層５３、ｐ側及びｎ側の突起電極５７，５８、並びにｐ側及びｎ側の中間配線５９，５５の材質及び厚さは図１で示したＬＥＤ素子１０の場合と同じである。絶縁膜５４，５６はポリイミド等の有機膜を使用する。有機膜は無機膜に比べ柔軟性が高いので、本実施形態のように一方の突起電極（本実施形態ではｎ側突起電極５８）と開口部（本実施形態では開口部５５ｂ）が平面的に重なっても、突起電極から伝達される応力が絶縁膜の柔軟性により分散される。

図８により本実施形態のＬＥＤ素子５０の製造工程を説明する。図８はＬＥＤ素子５０の製造工程の説明図であり、（ａ）〜（ｄ）は各工程の特徴的な状態におけるＬＥＤ素子５０の電極面を示している。なおＬＥＤ素子５０は、多数のＬＥＤ素子５０が連結して配列したウェハー状態で加工されるが、説明のため単個のＬＥＤ素子５０により製造工程を示している。また透視部については点線で示している。

（ａ）は、絶縁膜５４を形成する工程である。図中、絶縁膜５４には上下の辺側に２個の開口部５９ａがあり、開口部５９ａからｐ型半導体層５３が見える。また図中、絶縁膜５４には左右方向の中心線（図示せず）上に２個の開口部５５ａがあり、開口部５５ａからｎ型半導体層５２が見える。このウェハーは、洗浄液、純水、ブラシなどで洗われる。

（ｂ）は、ｐ側及びｎ側の中間配線５９，５５を形成する工程であり、絶縁膜５４上に形成されたｐ側及びｎ側の中間配線５９，５５を示している。ｐ側及びｎ側の中間配線５９，５５はそれぞれ開口部５９ａ，５５ａを覆っている。製造に際し、まずウェハー全面にＡｌ層をスパッタ法で形成し、ホトリソグラフィ法でＡｌ層をｐ側及びｎ側の中間配線５９，５５にパターニングする。

（ｃ）は、絶縁膜５６を形成する工程であり、絶縁膜５６及びその開口部５９ｂ，５５
ｂを示している。開口部５９ｂ，５５ｂからそれぞれｐ側及びｎ側の中間配線５９，５５が見える。まずポリイミドをウェハー全面に塗布し、その後ホトリソグラフィ法で開口部５９ｂ，５５ｂを形成する。

（ｄ）は、ｐ側及びｎ側の突起電極５７，５８を形成する工程であり、絶縁膜５６上にｐ側及びｎ側の突起電極５７，５８を形成した様子を示している。ｐ側及びｎ側の突起電極５７，５８はそれぞれ開口部５９ｂ、５５ｂを覆っている。ｐ側及びｎ側の突起電極５７，５８は電解メッキ法とホトリソグラフィ法を組合せて形成する。最後にウェハーを切断しＬＥＤ素子５０を得る。

１０，５０…ＬＥＤ素子（半導体発光素子）、
１１，５１…サファイア基板、
１２，５２…ｎ型半導体層、
１３，５３…ｐ型半導体層、
１４，５４…絶縁膜（第１の絶縁膜）、
１５，５５…ｎ側の中間配線、
１５ａ，５５ａ…開口部（ｐ側の開口部）、
１５ｂ，５５ｂ…開口部（中間配線上の開口部）、
１６，５６…絶縁膜（第２の絶縁膜）、
１７，５７…ｐ側突起電極（ｐ側の接続電極）、
１８，５８…ｎ側突起電極（ｎ側の接続電極）、
１９，５９…ｐ側の中間配線、
１９ａ，５９ａ…開口部（ｎ側の開口部）、
１９ｂ，５９ｂ…開口部（中間配線上の開口部）。

Claims (1)

1. ｐ型半導体層とｎ型半導体層と、該ｐ型半導体層と該ｎ型半導体層を覆う第１の絶縁膜とを備え、該第１の絶縁膜が前記ｐ型半導体層に電流を入力させるｐ側の開口部、及び前記ｎ型半導体層から電流を引き出すｎ側の開口部を有する半導体発光素子において、
   前記ｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部で前記ｐ型半導体層と接続するｐ側の中間配線、及び前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部で前記ｎ型半導体層と接続するｎ側の中間配線と、
   前記中間配線を覆う第２の絶縁膜と、
   前記ｐ側の中間配線及び前記第２の絶縁膜の開口部を介して前記ｐ型半導体層と接続するｐ側の接続電極、並びに前記ｎ側の中間配線及び前記第２の絶縁膜の開口部を介して前記ｎ型半導体層と接続するｎ側の接続電極と
   を備え、
   電極面において、前記ｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部と前記ｐ側の接続電極、及び前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部と前記ｎ側の接続電極とが平面的に重ならず、
   前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部が前記電極面の中央に存在し、
   前記ｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部が複数あり、
   前記複数のｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部が前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部を挟むようにして、前記複数のｐ側の前記第１の絶縁膜の開口部と前記ｎ側の前記第１の絶縁膜の開口部が一列に並んでいる
   ことを特徴とする半導体発光素子。
   

Images