JP2013089667A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】p型半導体層13及びn型半導体層12とp側及びn側の突起電極17,18はそれぞれ中間配線19,15で接続している。さらに絶縁層14のp側及びn側の開口部19a,15aとp側及びn側の突起電極17,18とは平面的に重ならない。この結果、開口部19a,15aには応力が集中しなくなり、開口部19a,15aにおける剥離が起きにくくなる。
【選択図】図1
Description
前記p側の開口部で前記p型半導体層と接続するp側の中間配線、又は前記n側の開口部で前記n型半導体層と接続するn側の中間配線と、
前記p側の中間配線を介して前記p型半導体層と接続するp側の接続電極、又は前記n側の中間配線を介して前記n型半導体層と接続するn側の接続電極と
を備え、
前記p側の開口部と前記p側の接続電極、又は前記n側の開口部と前記n側の接続電極とが平面的に重ならないことを特徴とする。
前記p側の中間配線と接続するp側の接続電極及び前記n側の中間配線と接続するn側の接続電極と
を備え、
前記p側の開口部と前記p側の接続電極並びに前記n側の開口部と前記n側の接続電極とが平面的に重ならないようにしても良い。
明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
(第1実施形態)
図1は本実施形態のLED素子10(半導体発光素子)の電極面を示す底面図である。なお、理解を容易にするため、後述の絶縁膜16(図2、図3参照)は図示していない。LED素子10の電極面にはp側突起電極17(p側の接続電極)とn側突起電極18(n側の接続電極)がある。さらにp側突起電極17と垂直に交差するようにp側の中間配線19が2本ある。各p側の中間配線19の右側には開口部19a(p側の開口部)があり、左側には開口部19b(中間配線上の開口部)がある。開口部19aは絶縁膜14(第1の絶縁膜)が開口したものであり、開口部19aにおいてp型半導体層13(図3参照)がp側の中間配線19と接続する。開口部19bは絶縁膜16(第2の絶縁膜、図3参照)が開口したものであり、開口部19bにおいてp側の中間配線19がp側突起電極17と接続する。また図中、透視部を点線で示した。
図2は図1のAA線に沿って描いたLED素子10の断面図である。サファイア基板11の下面にはn型半導体層12が形成され、さらにn型半導体層12の下面にはp型半導体層13が形成されている。なおp型半導体層13は、図では開口部15aにより二つに分断されているように見えるが、平面的には連続した一枚の層である。p型半導体層13の上面及び側面並びにn型半導体層12の左右の露出部は絶縁膜14で被覆されている。絶縁膜14には開口部15aがあり、開口部15aにおいてn型半導体層12がp型半導体層13から露出し、n型半導体層12とn側の中間配線15が接続している。n側の中間配線15は絶縁膜16で覆われ、絶縁膜16の開口部15b(図1参照)ではn側の中間配線15とn側突起電極18が接続している。なお開口部15aとn側突起電極18は平面的に重ならないようにしている。絶縁膜16の下面に形成されたp側突起電極17は本図では電気的な接続はない。
0μmである。p側及びn側の中間配線19,15はAl層からなり厚さが1μm程度である。またp型半導体層13及びn型半導体層12とp側及びn側の中間配線19,15との間に接続性を改善するための金属層を設けることがある。
め、p側及びn側の突起電極17,18の直下において絶縁膜16が応力を分散するので、開口部19a,15aにおける金属−金属間界面への剥離力が大きく低減される。
(第2実施形態)
6(図6参照)が開口したものであり、開口部55bにおいてn側の中間配線55がn側突起電極58と接続する。
図6は図5のCC線に沿って描いたLED素子50の断面図である。サファイア基板51の下面にはn型半導体層52が形成され、さらにn型半導体層52の下面にはp型半導体層53が形成されている。なおp型半導体層53三つに分断されているように見えるが、実際には平面的に連続した一枚の層である。p型半導体層53の上面及び側面並びにn型半導体層52の左右の露出部は絶縁膜54で被覆されている。絶縁膜54には開口部55aがあり、開口部55aにおいてn型半導体層52がp型半導体層53から露出し、n型半導体層52とn側の中間配線55が接続している。n側の中間配線55は絶縁膜56で覆われ、絶縁膜56の開口部55b(図5参照)ではn側の中間配線55とn側突起電極58が接続している。なお図1に示したLED素子10と異なり、右側の開口部55aとn側突起電極58は平面的に重なっている。絶縁膜56の下面に形成されたp側突起電極57は本図では電気的な接続はない。
bを示している。開口部59b,55bからそれぞれp側及びn側の中間配線59,55が見える。まずポリイミドをウェハー全面に塗布し、その後ホトリソグラフィ法で開口部59b,55bを形成する。
11,51…サファイア基板、
12,52…n型半導体層、
13,53…p型半導体層、
14,54…絶縁膜(第1の絶縁膜)、
15,55…n側の中間配線、
15a,55a…開口部(p側の開口部)、
15b,55b…開口部(中間配線上の開口部)、
16,56…絶縁膜(第2の絶縁膜)、
17,57…p側突起電極(p側の接続電極)、
18,58…n側突起電極(n側の接続電極)、
19,59…p側の中間配線、
19a,59a…開口部(n側の開口部)、
19b,59b…開口部(中間配線上の開口部)。
Claims (5)
- p型半導体層とn型半導体層と、該p型半導体層と該n型半導体層を覆う第1の絶縁膜とを備え、該第1の絶縁膜が前記p型半導体層に電流を入力させるp側の開口部、及び前記n型半導体層から電流を引き出すn側の開口部を有する半導体発光素子において、
前記p側の開口部で前記p型半導体層と接続するp側の中間配線、又は前記n側の開口部で前記n型半導体層と接続するn側の中間配線と、
前記p側の中間配線を介して前記p型半導体層と接続するp側の接続電極、又は前記n側の中間配線を介して前記n型半導体層と接続するn側の接続電極と
を備え、
前記p側の開口部と前記p側の接続電極、又は前記n側の開口部と前記n側の接続電極とが平面的に重ならないことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記p側の中間配線及び前記n側の中間配線と、
前記p側の中間配線と接続するp側の接続電極及び前記n側の中間配線と接続するn側の接続電極と
を備え、
前記p側の開口部と前記p側の接続電極並びに前記n側の開口部と前記n側の接続電極とが平面的に重ならないことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1の絶縁膜が有機膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
- 前記中間配線上の開口部を除き、前記中間配線を覆う第2の絶縁膜を備えていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記第2の絶縁膜が有機膜であることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。
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