JPWO2016157518A1 - 窒化物半導体紫外線発光素子及び窒化物半導体紫外線発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記p電極の前記保護絶縁膜で被覆されていない露出面と接触する第1メッキ電極を、更に備え、
前記半導体積層部は、前記半導体積層部の表面と平行な面内において1つの前記窒化物半導体紫外線発光素子が占有する領域を素子領域とし、前記素子領域内の一部の第1領域において、前記活性層と前記第2半導体層が前記第1半導体層上に積層し、前記素子領域内の前記第1領域以外の第2領域において、前記活性層と前記第2半導体層が前記第1半導体層上に積層しないように形成され、
前記第1領域は、平面視形状において、三方から前記第2領域を囲む凹部を有し、
前記第2領域は、前記第1領域の前記凹部に囲まれた凹部領域と、前記凹部領域以外の周辺領域が連続して構成され、
前記n電極は、前記第2領域内の前記第1半導体層上に、前記凹部領域及び前記周辺領域にまたがって形成され、
前記p電極は、前記第2半導体層の最上面に形成され、
前記保護絶縁膜は、前記半導体積層部の前記第1領域の外周側面の全面、前記第1領域と前記n電極の間の前記第1半導体層の上面、及び、前記n電極の外周端縁部の内の少なくとも前記第1領域と対向する部分を含む上面と側面を、少なくとも被覆し、且つ、前記n電極の表面の少なくとも一部及び前記p電極の表面の少なくとも一部を被覆せず露出するように、形成され、
前記第1メッキ電極は、湿式メッキ法により形成された銅または銅を主成分とする合金からなり、且つ、前記保護絶縁膜に被覆されていない前記n電極の露出面から離間して、前記p電極の露出面を含む前記第1領域の上面の全面、前記保護絶縁膜に被覆された前記第1領域の外周側面の全面、及び、前記第2領域の一部であって前記第1領域と接する境界領域を被覆するように形成されていることを第1の特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。
図1〜図3に示すように、本発光素子1は、サファイア(0001)基板2上にAlN層3とAlGaN層4を成長させた基板をテンプレート5として用い、当該テンプレート5上に、n型AlGaNからなるn型クラッド層6、活性層7、AlNモル分率が活性層7より大きいp型AlGaNの電子ブロック層8、p型AlGaNのp型クラッド層9、p型GaNのp型コンタクト層10を順番に積層した半導体積層部11を有している。n型クラッド層6が第1半導体層に相当し、電子ブロック層8、p型クラッド層9、及び、p型コンタクト層10が第2半導体層に相当する。n型クラッド層6より上部の活性層7、電子ブロック層8、p型クラッド層9、p型コンタクト層10の一部の平面視領域(第2領域R2)が、n型クラッド層6の一部表面が露出するまで反応性イオンエッチング等により除去され、n型クラッド層6上の第1領域R1に活性層7からp型コンタクト層10までの積層構造が形成されている。活性層7は、一例として、膜厚10nmのn型AlGaNのバリア層7aと膜厚3.5nmのAlGaNまたはGaNの井戸層7bからなる単層の量子井戸構造となっている。活性層7は、下側層と上側層にAlNモル分率の大きいn型及びp型AlGaN層で挟持されるダブルヘテロジャンクション構造であれば良く、また、上記単層の量子井戸構造を多層化した多重量子井戸構造であっても良い。
次に、上記第1実施形態の一変形例として、本発光素子1の第2実施形態について説明する。図10に、第2実施形態に係る本発光素子1のY方向視右半分(X≧0の領域)の素子構造の一例を模式的に示す。図10は、図8の平面図のB−B’に沿ったXZ面に平行な本発光素子1の断面図である。
次に、上記第1または第2実施形態の一変形例として、本発光素子1の第3実施形態について説明する。図11に、第3実施形態に係る本発光素子1のY方向視右半分(X≧0の領域)の素子構造の一例を模式的に示す。図11は、図8の平面図のB−B’に沿ったXZ面に平行な本発光素子1の断面図である。尚、図11に示す素子構造は、第1実施形態の一変形例としての素子構造を示しており、第2実施形態で説明したメッキ金属膜20,21は図示されていない。
次に、上記第1乃至第3実施形態の一変形例として、本発光素子1の第4実施形態について説明する。図12に、第4実施形態に係る本発光素子1のY方向視右半分(X≧0の領域)の素子構造を模式的に示す。図12は、図8の平面図のB−B’に沿ったXZ面に平行な本発光素子1の断面図である。尚、図12に示す素子構造は、第1実施形態の一変形例としての素子構造を示しており、第2実施形態で説明したメッキ金属膜20,21及び第3実施形態で説明した紫外線反射層22は図示されていない。
次に、上記第1または第2実施形態の一変形例として、本発光素子1の第5実施形態について説明する。上記第1または第2実施形態の本発光素子1では、保護絶縁膜14は、紫外線を透過するSiO2膜またはAl2O3膜等で形成されている。しかし、保護絶縁膜14が紫外線を透過する材質で形成されている場合は、第3実施形態で説明した紫外線反射層22を設けることで、発光効率が改善され得るが、一方、第1メッキ電極15と第2メッキ電極16の間隙部23に充填される樹脂の組成によっては、第4実施形態で説明した不都合が生じ得るため、不透明絶縁膜24を設けることで当該不都合を予防し得る。
図13に、サブマウント30(基台に相当)に本発光素子1をフリップチップ実装方法により載置してなる窒化物半導体紫外線発光装置(以下、適宜「本発光装置」と称する)の一構成例の概略断面図を模式的に示す。図13において、本発光素子1は、上下が反転して、つまり、第1及び第2メッキ電極15,16の各上面が下向きになって、サブマウント30上に載置されている。本発光素子1は、上記第1乃至第5実施形態で説明した素子構造またはそれらを組み合わせた素子構造を有し、ダイシングされチップ状態となったものを使用する。尚、図13では、一例として第1実施形態で説明した本発光素子1を使用する場合の断面構造(図8の平面図のB−B’に沿ったXZ面に平行な断面)を例示している。また、図13及び後述する図14及び図15に示すXYZ座標軸は、本発光素子1を基準に表示しているため、+Z方向が図中下向きとなっている。
以下に、上記第1乃至第6実施形態の変形例につき説明する。
2: サファイア基板
3: AlN層
4: AlGaN層
5: テンプレート
6: n型クラッド層(n型AlGaN)
7: 活性層
7a: バリア層
7b: 井戸層
8: 電子ブロック層(p型AlGaN)
9: p型クラッド層(p型AlGaN)
10: pコンタクト層(p型GaN)
11: 半導体積層部
12: p電極
13: n電極
14: 保護絶縁膜
15: 第1メッキ電極
16: 第2メッキ電極
17: 第1開口部
18: 第2開口部
19: シード膜
20,21:メッキ金属膜
22: 紫外線反射層
23: 第1メッキ電極と第2メッキ電極の間隙部
24: 不透明絶縁膜
30: サブマウント
31: 基材
32: 第1金属電極配線
32a: 第1電極パッド
32b: 第1配線部
33: 第2金属電極配線
33a: 第2電極パッド
34b: 第3配線部
34: 側壁部
35: 封止樹脂
36: レンズ
37,38:リード端子
101: サファイア基板
102: 下地層(AlN)
103: n型クラッド層(n型AlGaN)
104: 多重量子井戸活性層
105: 電子ブロック層(p型AlGaN)
106: p型クラッド層(p型AlGaN)
107: pコンタクト層(p型GaN)
108: p電極
109: n電極
BL: 第1領域と第2領域の境界線
C: 凹部領域と周辺領域の境界
R1: 第1領域
R2: 第2領域
R3: 凹部領域
R4: 周辺領域
前記p電極の前記保護絶縁膜で被覆されていない露出面と接触する第1メッキ電極を、更に備え、
前記半導体積層部は、前記半導体積層部の表面と平行な面内において1つの前記窒化物半導体紫外線発光素子が占有する領域を素子領域とし、前記素子領域内の一部の第1領域において、前記活性層と前記第2半導体層が前記第1半導体層上に積層し、前記素子領域内の前記第1領域以外の第2領域において、前記活性層と前記第2半導体層が前記第1半導体層上に積層しないように形成され、
前記第1領域は、平面視形状において、三方から前記第2領域を囲む凹部を有し、
前記第2領域は、前記第1領域の前記凹部に囲まれた凹部領域と、前記凹部領域以外の周辺領域が連続して構成され、
前記n電極は、前記第2領域内の前記第1半導体層上に、前記凹部領域及び前記周辺領域にまたがって形成され、
前記p電極は、前記第2半導体層の最上面に形成され、
前記保護絶縁膜は、前記半導体積層部の前記第1領域の外周側面の全面、前記第1領域と前記n電極の間の前記第1半導体層の上面、及び、前記n電極の外周端縁部の内の少なくとも前記第1領域と対向する部分を含む上面と側面を、少なくとも被覆し、且つ、前記n電極の表面の少なくとも一部及び前記p電極の表面の少なくとも一部を被覆せず露出するように、形成され、
前記第1メッキ電極は、銅または銅を主成分とする合金からなり、且つ、前記保護絶縁膜に被覆されていない前記n電極の露出面から離間して、前記p電極の露出面を含む前記第1領域の上面の全面、前記保護絶縁膜に被覆された前記第1領域の外周側面の全面、及び、前記第2領域の一部であって前記第1領域と接する境界領域を被覆するように形成されていることを第1の特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。
Claims (17)
- 1または複数のn型AlGaN系半導体層からなる第1半導体層と、1または複数のAlNモル分率が0以上のAlGaN系半導体層からなる活性層と、1または複数のp型AlGaN系半導体層からなる第2半導体層を積層してなる半導体積層部、1または複数の金属層からなるn電極、1または複数の金属層からなるp電極、及び、保護絶縁膜を備えてなる窒化物半導体紫外線発光素子であって、
前記p電極の前記保護絶縁膜で被覆されていない露出面と接触する第1メッキ電極を、更に備え、
前記半導体積層部は、前記半導体積層部の表面と平行な面内において1つの前記窒化物半導体紫外線発光素子が占有する領域を素子領域とし、前記素子領域内の一部の第1領域において、前記活性層と前記第2半導体層が前記第1半導体層上に積層し、前記素子領域内の前記第1領域以外の第2領域において、前記活性層と前記第2半導体層が前記第1半導体層上に積層しないように形成され、
前記第1領域は、平面視形状において、三方から前記第2領域を囲む凹部を有し、
前記第2領域は、前記第1領域の前記凹部に囲まれた凹部領域と、前記凹部領域以外の周辺領域が連続して構成され、
前記n電極は、前記第2領域内の前記第1半導体層上に、前記凹部領域及び前記周辺領域にまたがって形成され、
前記p電極は、前記第2半導体層の最上面に形成され、
前記保護絶縁膜は、前記半導体積層部の前記第1領域の外周側面の全面、前記第1領域と前記n電極の間の前記第1半導体層の上面、及び、前記n電極の外周端縁部の内の少なくとも前記第1領域と対向する部分を含む上面と側面を、少なくとも被覆し、且つ、前記n電極の表面の少なくとも一部及び前記p電極の表面の少なくとも一部を被覆せず露出するように、形成され、
前記第1メッキ電極は、湿式メッキ法により形成された銅または銅を主成分とする合金からなり、且つ、前記保護絶縁膜に被覆されていない前記n電極の露出面から離間して、前記p電極の露出面を含む前記第1領域の上面の全面、前記保護絶縁膜に被覆された前記第1領域の外周側面の全面、及び、前記第2領域の一部であって前記第1領域と接する境界領域を被覆するように形成されていることを特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子。 - 前記第2領域の前記凹部領域の全てが、前記保護絶縁膜を介して、前記第1メッキ電極で被覆されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 前記第1メッキ電極は、前記保護絶縁膜に被覆されていない前記n電極の露出面から、75μm以上離間していることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 前記保護絶縁膜は、前記p電極の外周端縁部の上面と側面、及び、前記第2半導体層の最上面の前記p電極で被覆されていない露出面を、更に被覆することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 少なくとも前記保護絶縁膜に被覆されていない前記n電極の露出面上に、前記湿式メッキ法により形成された銅または銅を主成分とする合金からなる第2メッキ電極を更に備え、
前記第1メッキ電極と前記第2メッキ電極が相互に離間していることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。 - 前記第1メッキ電極と前記第2メッキ電極の各表面が夫々平坦化されており、前記各表面の前記半導体積層部の表面に垂直な方向の高さ位置が揃っていることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 前記第1メッキ電極と前記第2メッキ電極間の離間距離が75μm以上であることを特徴とする請求項5または6に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 前記第1メッキ電極と前記第2メッキ電極の各表面に、少なくとも最上面に金を含む1層または多層のメッキ金属膜が形成されていることを特徴とする請求項5〜7の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 前記第1メッキ電極の外周の全てが、前記保護絶縁膜を介して前記n電極上に位置していることを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 前記第1メッキ電極は、前記凹部領域の前記半導体積層部の前記第1領域の外周側面で囲まれた窪み内を充填して形成され、前記第1メッキ電極の上面の全面が平坦であることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 前記湿式メッキ法が電解メッキ法であり、前記保護絶縁膜と前記第1メッキ電極の間に前記電解メッキ法で使用した給電用のシード膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 前記保護絶縁膜が、前記活性層から出射する紫外線を透過する絶縁材料で形成された透明絶縁膜であり、
前記保護絶縁膜と前記シード膜の間に、前記シード膜の紫外線反射率より高い反射率で、前記紫外線を反射する紫外線反射層が設けられていることを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。 - 前記保護絶縁膜が、前記活性層から出射する紫外線を透過する絶縁材料で形成された透明絶縁膜であり、
前記第1メッキ電極と前記n電極の露出面の間の前記保護絶縁膜上の少なくとも一部に、前記活性層から出射する紫外線を透過しない絶縁材料で形成された不透明絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜12の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。 - 前記保護絶縁膜が、前記活性層から出射する紫外線を透過しない絶縁材料で形成された不透明絶縁膜であることを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載の窒化物半導体紫外線発光素子。
- 絶縁性基材の表面に2以上の電極パッドを含む所定の平面視形状の金属膜が形成された基台上に、請求項1〜14の何れか1項に記載の少なくとも1つの窒化物半導体紫外線発光素子を、前記第1メッキ電極が前記電極パッドと対向するように載置して、前記第1メッキ電極と対向する前記電極パッドの間が電気的且つ物理的に接続していることを特徴とする窒化物半導体紫外線発光装置。
- 前記窒化物半導体紫外線発光素子が、少なくとも前記保護絶縁膜に被覆されていない前記n電極の露出面上に、前記湿式メッキ法により形成された銅または銅を主成分とする合金からなる第2メッキ電極を更に備え、
前記第1メッキ電極と前記第2メッキ電極が相互に離間しており、
1つの前記窒化物半導体紫外線発光素子において、前記第1メッキ電極と1つの前記電極パッドの間が電気的且つ物理的に接続し、前記第2メッキ電極と他の1つの前記電極パッドの間が電気的且つ物理的に接続していることを特徴とする請求項15に記載の窒化物半導体紫外線発光装置。 - 前記基台が、第1電極パッドと前記第1電極パッドと電気的に分離した少なくとも1つの第2メッキ電極からなる1組の前記電極パッドを複数組備え、
前記基台上に、前記窒化物半導体紫外線発光素子が複数載置され、
1つの前記窒化物半導体紫外線発光素子の前記第1メッキ電極は、前記1組の前記電極パッドの前記第1電極パッドと、1つの前記窒化物半導体紫外線発光素子の前記第2メッキ電極は、前記1組の前記電極パッドの前記第2電極パッドと、夫々電気的且つ物理的に接続していることを特徴とする請求項16に記載の窒化物半導体紫外線発光装置。
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