JP2009048915A - Ledランプおよびledランプモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱性と、セラミックからなる基板を用いたLEDランプと配線基板との接合性が改善されたLEDランプモジュールを実現すること。
【解決手段】LEDランプモジュール10は、LEDランプ100と配線基板150とにより構成されている。LEDランプ100は、配線基板150に形成された凹部151に設置されている。LEDランプ100のセラミック基板101は、上層104と下層105の2層構造で、上層104の側面104aには外部接続端子112が形成されている。またセラミック基板101を貫通するスルーホール111が形成され、下層105裏面の全面には放熱板113が形成されている。配線基板150の凹部151近傍には板バネ状端子153が形成されている。板バネ状端子153は外部接続端子112を押圧して接触している。
【選択図】図1
【解決手段】LEDランプモジュール10は、LEDランプ100と配線基板150とにより構成されている。LEDランプ100は、配線基板150に形成された凹部151に設置されている。LEDランプ100のセラミック基板101は、上層104と下層105の2層構造で、上層104の側面104aには外部接続端子112が形成されている。またセラミック基板101を貫通するスルーホール111が形成され、下層105裏面の全面には放熱板113が形成されている。配線基板150の凹部151近傍には板バネ状端子153が形成されている。板バネ状端子153は外部接続端子112を押圧して接触している。
【選択図】図1
Description
本発明は、セラミックからなる基板にLEDチップが実装されたLEDランプ、およびそのLEDランプと配線基板とを接続したLEDランプモジュールに関するものである。
従来、セラミックからなる基板の上面にLEDチップが実装されたLEDランプは、はんだを介して配線基板と接合している。たとえば、LEDランプとして、基板の上面にLEDチップを実装し、基板の裏面に外部接続端子を設け、スルーホールを介してLEDチップと外部接続端子が接続されたものを用いる。そして、配線基板に設けられた配線と、LEDランプの外部接続端子とをはんだを介して接合することでLEDランプモジュールが構成される。
他方、はんだを用いずにLEDランプと配線基板を接続する技術が特許文献1に示されている。特許文献1では、配線基板にLEDランプを設置する凹部を設け、LEDランプを凹部に設置したときに、配線基板に設けた板バネ状端子によって、LEDランプの基板裏面もしくは上面に設けた外部接続端子を押圧して接触させることで、LEDランプと配線基板とを接続している。
特開2004−266168
しかし、セラミック基板を用いたLEDランプと配線基板とをはんだにより接合した場合、配線基板との熱膨張差が大きいため、はんだである接合部にかかる応力が非常に大きくなる。そのため、温度差の激しい環境では短時間ではんだにクラックが生じてしまい、不灯に至る場合が多い。
また、特許文献1のように、バネでLEDランプと配線基板とを接続する場合は、LEDランプと配線基板の熱膨張差を吸収することができるが、はんだを用いて接続する場合よりも放熱性が低くなってしまう。そこで、放熱性を高めるために基板の裏面に放熱板を設けることが考えられる。しかし、LEDランプの基板裏面に電極を形成する場合、LEDランプの基板裏面に電極パターンと放熱板のパターンの両方を配置することになり、複雑なパターン設計が必要となる。一方、LEDランプの基板上面に電極を形成する場合は、基板裏面全体に放熱板を設けることができ、放熱性を高めることができる。しかし、電極用マスクを基板上面に設けて封止材が覆わないようにする必要があり、LEDランプの製造工程が増してしまう。
そこで本発明の目的は、放熱性、およびセラミックからなる基板を用いたLEDランプと配線基板との接合性が改善されたLEDランプモジュール、およびそのLEDランプモジュールに使用するLEDランプを実現することにある。
第1の発明は、LEDチップと、セラミックからなり、上面にLEDチップが実装された基板と、基板の上面を覆い、LEDチップを封止する封止材と、基板の側面に形成され、LEDチップと接続する外部接続端子と、基板を貫通する放熱用の貫通孔と、基板の裏面全体に形成された放熱板と、により構成されていることを特徴とするLEDランプである。
基板上に実装されるLEDチップは1個である必要はなく、複数個であってもよい。また、LEDチップには、赤、緑、青などさまざまな発光色のものを用いることができる。
封止材に透明なものを用いてLEDチップの発光色を変えずともよいし、封止材に蛍光体を配合し、発光色を変化させるようにしてもよい。たとえば、青色発光のLEDチップを用い、蛍光体を含む封止材によって白色発光させるようにしてもよい。
封止材に透明なものを用いてLEDチップの発光色を変えずともよいし、封止材に蛍光体を配合し、発光色を変化させるようにしてもよい。たとえば、青色発光のLEDチップを用い、蛍光体を含む封止材によって白色発光させるようにしてもよい。
セラミックには、熱伝導性の高いAlNなどを用いるとよい。また、基板は多層構造であってもよい。LEDチップと基板側面に形成された外部接続端子との間の配線は、基板上面に形成して外部接続端子と連続するようにしてもよいし、基板上面と多層基板の中間に配線を形成し、スルーホールによって基板上面の配線と中間の配線を接続し、中間の配線に連続して外部接続端子を設けるようにしてもよい。
第2の発明は、第1の発明において、基板は側面に段差を有し、その段差により生じる内側側面に外部接続端子が形成されていることを特徴とするLEDランプである。
段差の形状は、上段側面が下段側面の内側、または下段側面が上段側面の内側である階段形状や、中段側面が上段側面および下段側面よりも内側である凹型形状などの形状である。上段側面が下段側面の内側である階段形状であれば、外部接続端子は上段側面に形成され、下段側面が上段側面の内側である階段形状であれば、外部接続端子は下段側面に形成され、凹型形状であれば、外部接続端子は中段側面に形成される。これらの段差は多層基板を用いることで容易に実現することができる。
第3の発明は、第1の発明において、基板は、上面側の上層と裏面側の下層とからなる2層構造であり、上層の側面は下層の側面よりも内側に形成され、外部接続端子は、上層の側面に形成されていることを特徴とするLEDランプである。
第4の発明は、第1の発明から第3の発明によるLEDランプと、LEDランプを設置する凹部と、弾性材からなるバネ状端子とを有し、LEDランプと電気的に接続する配線基板と、で構成され、配線基板の凹部にLEDランプを設置時に、バネ状端子がLEDランプの外部接続端子を押圧して接触することで、LEDランプと配線基板とが電気的に接続する、ことを特徴とするLEDランプモジュールである。
バネ状端子の形状は、金属板の一端を固定した板バネや、金属板を湾曲させて両端を固定した板バネなどの形状を用いることができる。
第5の発明は、第4の発明において、放熱板と配線基板の凹部底面との間には、放熱グリスを介在させていることを特徴とするLEDランプモジュールである。
第1の発明のLEDランプは、貫通孔と放熱板による放熱経路と、LEDチップから外部接続端子に至る導通経路が分離された構造である。また、外部接続端子を基板側面に形成しているので、基板裏面の全面に放熱板を形成することができる。また、基板上面に外部接続端子を設ける場合に必要であった、封止材が外部接続端子を覆わないようにするマスクを設ける工程は必要がない。したがって、第1の発明のLEDランプは、高い放熱性を有し、製造工程を増やすことなく製造することができるものである。
また、第2の発明のように、基板は側面に段差を設けることで、配線基板のバネ状端子と容易に接触することができる。
また、第3の発明のように、基板を多層構造とすることで段差を容易に設けることができる。
また、第4の発明のように、LEDランプ側面の外部接続端子バネ状端子が押圧することで、LEDランプと配線基板を接続している。そのため、LEDランプと配線基板との熱膨張差をバネ状端子で吸収することができ、実装信頼性が向上する。さらに、放熱性の高いLEDランプを用いるので、バネ状端子によって接触することで配線基板と接続する場合でも、高い放熱性を維持することができる。
また、第5の発明のように、放熱グリスを放熱板と配線基板の凹部底面との間に介在させることで、放熱性をより改善することができる。
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照しながら説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
図1は、実施例1のLEDランプモジュール10の構造を示す平面図であり、図2は、LEDランプモジュール10の構造を示す断面図である。LEDランプモジュール10は、LEDランプ100と、配線基板150とにより構成されている。図3は、LEDランプ100の構造を示す平面図であり、図4は、LEDランプ100の構造を示す断面図である。
まず、LEDランプ100の構造について、図3、4を参照に説明する。
LEDランプ100は、セラミック基板101、セラミック基板101の上面にフリップチップ実装された16個の青色発光のLEDチップ102、LEDチップ102を覆う封止材103により構成されている。
セラミック基板101は、放熱性の高いAlNからなる長方形状であり、上層104と下層105の2層構造である。上層104の向かい合う1対の側面104aは、下層105の向かい合う1対の側面105aよりも内側であり、セラミック基板101の側面に段差が生じている。また、他の向かい合う1対の側面は上層104と下層105で同一の面であり、段差はない。
16個のLEDチップ102は、正方形状に配列された4個のLEDチップ102を1単位とし、さらに正方形状に4単位が配列されている。1単位を構成する4個のLEDチップ102は、互いのLEDチップのn電極が隣接するようにして配列されていて、正方形の中央部に4つのn電極が配置されている。
図5は、上層104の上面にAuメッキによって形成された配線パターンの平面図である。1単位4個のLEDチップ102の4つのn電極を並列に接続するカソード電極パターン106が4つ形成され、それを囲むように、16個のLEDチップ102の16個のp電極を並列に接続するアノード電極パターン107が形成されている。
図6は、下層105の上面にAuメッキによって形成された配線パターンの平面図である。櫛歯状のカソード電極パターン108とアノード電極パターン109がかみ合うように形成されている。4つのカソード電極パターン106とカソード電極パターン108は、4つのスルーホール110によって接続していて、これにより16個のLEDチップ102の16個のn電極が並列に接続している。また、アノード電極パターン107とアノード電極パターン109は、16個のスルーホール111によって接続している。このスルーホール111は、上層104だけでなく下層105も貫通していて、下層105の裏面側への熱の伝導性を高めている。
上層104の側面104aにはAuメッキによって外部接続端子112が形成されていて、カソード電極パターン108、アノード電極パターン109と連続している。
LEDチップ102は、エポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂からなる封止材103によって覆われている。封止材には蛍光体が配合されていて、LEDランプ100を白色発光させるようにしている。この封止材103は、上層104の上面を覆うように形成されているが、外部接続端子112は覆わないように形成されている。
また、放熱性を高めるために、セラミック基板101の下層105裏面にはAgメッキによる放熱板113が設けられている。Agのほかには、AuやCuを用いてもよい。また、メッキではなく、蒸着によって放熱板113を形成してもよい。
このLEDランプ100は、LEDチップ102から外部接続端子107に至る導通経路と、スルーホール111、放熱板113による放熱経路が分離された構成となっている。したがって、放熱板113を裏面全体に形成することができ、高い放熱性を得ることができる。また、配線や外部接続端子のパターン設計も容易となる。また、このLEDランプ100では、外部接続端子112はセラミック基板101の側面に形成されている。そのため、外部接続端子をセラミック基板上面に形成する場合のように、マスクを設けて封止材が外部接続端子を覆わないようにする工程が必要ないので、LEDランプの製造工程が複雑にならない。
次に、配線基板150およびLEDランプモジュール10の構造について、図1、2を用いて説明する。なお、図1、2においてLEDランプ100の構成は簡略化して示している。
配線基板150は、AlまたはCuからなるベース基板155と、ベース基板155上面に絶縁層156を介してAuメッキによって形成された配線152と、で構成されている。ベース基板155にAl、Cuを用いるのは、Alは比較的熱伝導性が高く、軽いことに利点があり、CuはAlよりさらに熱伝導性が高いことに利点があるからである。また、配線基板150には、LEDランプ100を設置する凹部151が形成されている。凹部151近傍には板バネ状端子153が形成され、その板バネ状端子153の一端は配線と接続し固定されている。他端は固定されておらず、配線基板150の面方向に可動で応力を加えることができる。
凹部151には、LEDランプ100が設置されている。凹部151はセラミック基板101の下層105の形状にほぼ一致しているため、LEDランプ100の上層104よりも上側は配線基板150より突出している。これにより突出した外部接続端子112を板バネ状端子153が押圧し、接触している。また、LEDランプ100裏面の放熱板113と、凹部151の底面の間には、放熱グリス154を介在させている。このとき、放熱板113と凹部151の底面は固定されない方が、熱応力が生じないため好ましい。放熱グリス154には、たとえば、シリコーン樹脂を母材として、母材に熱伝導性の高い金属もしくは酸化亜鉛(ZnO)、酸化アルミニウム(AlN)などの粒子を分散させたものを用いる。
以上のように、実施例1のLEDランプモジュール10は、はんだを用いずにバネによる接触によってLEDランプと配線基板を接続しているため、LEDランプと配線基板の熱膨張差を吸収することができ、実装信頼性が向上する。さらに、LEDランプとして放熱性の高いものを用いているので、バネによるLEDランプと配線基板との接続の場合であっても放熱性が確保される。
実施例1では、封止材に蛍光体を配合し、LEDチップに青色発光のものを用いることでLEDランプの発光色を白色としているが、赤、緑、青などの各種発光色のLEDチップを用い、封止材に蛍光体を配合しないでLEDチップの発光色をそのまま利用するLEDランプであってもよい。
また、実施例1では、基板を上層と下層の2層構造とし、上層側面を下層側面よりも内側とすることで段差を設けているが、他の手段により段差を設けてもよい。たとえば、基板を上層、中間層、下層の3層構造とし、中間層の側面を上層および下層側面よりも内側とすることで、基板側面に凹型の段差を設けるようにしてもよい。
また、バネ状端子の構造は実施例1で示したものに限るものではなく、LEDランプ側面の外部接続端子を押圧できる構造のバネであればよい。たとえば、板状の端子を湾曲して両端を固定した板バネ状の端子であってもよい。
本発明は、照明装置などに用いることができる。
10:LEDランプモジュール
100:LEDランプ
101:セラミック基板
102:LEDチップ
103:封止材
104:セラミック基板の上層
105:セラミック基板の下層
106、108:カソード電極パターン
107、109:アノード電極パターン
110、111:スルーホール
112:外部接続端子
113:放熱板
150:配線基板
151:凹部
152:配線
153:板バネ状端子
154:放熱グリス
155:ベース基板
156:絶縁層
100:LEDランプ
101:セラミック基板
102:LEDチップ
103:封止材
104:セラミック基板の上層
105:セラミック基板の下層
106、108:カソード電極パターン
107、109:アノード電極パターン
110、111:スルーホール
112:外部接続端子
113:放熱板
150:配線基板
151:凹部
152:配線
153:板バネ状端子
154:放熱グリス
155:ベース基板
156:絶縁層
Claims (5)
- LEDチップと、
セラミックからなり、上面に前記LEDチップが実装された基板と、
前記基板の上面を覆い、前記LEDチップを封止する封止材と、
前記基板の側面に形成され、前記LEDチップと接続する外部接続端子と、
前記基板を貫通する放熱用の貫通孔と、
前記基板の裏面全体に形成された放熱板と、
により構成されていることを特徴とするLEDランプ。 - 前記基板は側面に段差を有し、その段差により生じる内側側面に外部接続端子が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のLEDランプ。
- 前記基板は、その基板上面側の上層と裏面側の下層とからなる2層構造であり、
前記上層の側面は前記下層の側面よりも内側に形成され、
前記外部接続端子は、前記上層の側面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のLEDランプ。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のLEDランプと、
前記LEDランプを設置する凹部と、弾性材からなるバネ状端子とを有し、前記LEDランプと電気的に接続する配線基板と、で構成され、
前記配線基板の前記凹部に前記LEDランプを設置時に、前記バネ状端子が前記LEDランプの前記外部接続端子を押圧して接触することで、前記LEDランプと前記配線基板とが電気的に接続する、
ことを特徴とするLEDランプモジュール。 - 前記放熱板と前記配線基板の前記凹部底面との間には、放熱グリスを介在させていることを特徴とする請求項4に記載のLEDランプモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007215252A JP2009048915A (ja) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | Ledランプおよびledランプモジュール |
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JP2007215252A JP2009048915A (ja) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | Ledランプおよびledランプモジュール |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2009048915A true JP2009048915A (ja) | 2009-03-05 |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228380A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2012234983A (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-29 | Funai Electric Co Ltd | Led光源装置、及びled光源装置を備えた液晶テレビジョン受像装置 |
JP2013045786A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Kyocera Corp | 発光装置 |
DE102012105176A1 (de) * | 2012-06-14 | 2014-01-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP2014029947A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2014120544A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置 |
JP2015088707A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社タムラ製作所 | 発光装置 |
JP2016072475A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | セラミックスパッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
WO2016157518A1 (ja) * | 2015-04-03 | 2016-10-06 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体紫外線発光素子及び窒化物半導体紫外線発光装置 |
CN106739465A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 上海舜哲机电科技有限公司 | 一种led芯片 |
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2007
- 2007-08-21 JP JP2007215252A patent/JP2009048915A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228380A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2012234983A (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-29 | Funai Electric Co Ltd | Led光源装置、及びled光源装置を備えた液晶テレビジョン受像装置 |
JP2013045786A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Kyocera Corp | 発光装置 |
US9589939B2 (en) | 2012-06-14 | 2017-03-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
DE102012105176A1 (de) * | 2012-06-14 | 2014-01-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102012105176B4 (de) | 2012-06-14 | 2021-08-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP2014029947A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2014120544A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置 |
JP2015088707A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社タムラ製作所 | 発光装置 |
JP2016072475A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | セラミックスパッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
WO2016157518A1 (ja) * | 2015-04-03 | 2016-10-06 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体紫外線発光素子及び窒化物半導体紫外線発光装置 |
US9812611B2 (en) | 2015-04-03 | 2017-11-07 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element and nitride semiconductor ultraviolet light-emitting device |
CN106739465A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 上海舜哲机电科技有限公司 | 一种led芯片 |
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