JP2011228380A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】角部にn側バンプ23を備えるLED素子13を、n側バンプ23が回路基板12の中心線を向くように配置し、p側バンプ24と接続する+電極15をLED素子13の実装領域をはみ出すように広くとる。このときn側及びp側バンプ23,24は金メッキバンプであり、各LED素子13は並列接続する。+電極15の幅が広がるため、発光層から発した熱が低い熱抵抗で+電極15を伝わる。
【選択図】図7
Description
前記半導体発光素子は、
該半導体発光素子の角部又は辺部に配置される第1素子電極と、
発光層と平面的に重なる第2素子電極とを有し、
前記回路基板は、
前記第1素子電極に接続する第1基板電極と、
前記第2素子電極に接続する第2基板電極とを有し、
前記半導体発光素子の前記第1素子電極が前記回路基板の中心線方向を向き、
前記第2基板電極が前記回路基板の辺に向かって前記半導体発光素子の実装領域からはみ出し、
前記半導体発光素子が並列接続していることを特徴とする。
(第1実施形態)
眺めた平面図である。下層にあるn型半導体層21は、上層にあるp型半導体層22から一部分が露出している。LED素子13の角部にあるn側バンプ23はn型半導体層21に接続し、p側バンプ24はp型半導体層22に接続している。発光層(図示せず)はn型半導体層21とp型半導体層22の境界部(積層部)にあり、平面的には概ねp型半導体層22に等しい。ここでp側バンプ24は比較的大きな領域を共通にして発光層と平面的に重なっている。なおn側バンプ23及びp側バンプ24は金バンプである。
である。金属層22bとp型GaN層22aからなるp型半導体層22は厚さが約1μmである。GaN障壁層とInGaN井戸層からなる発光層21aは厚さが60nmであり、n型GaNからなるn型半導体層21は厚さが約4μmである。
型半導体層22をほぼ覆うような形状にして熱抵抗を下げることができる。このときn側及びp側バンプ23,24と−及び+電極14,15を金錫共晶で接合すると前述のように比較的低温で接合しても耐リフロー性を高くできる。接合はハンダなど他の金属でも可能であるが、ハンダの場合、リフロー時の時間を短くしておかなければならない。
(第2実施形態)
(第3実施形態)
(第4実施形態)
11…樹脂層、
12…回路基板、
13,13d…LED素子(半導体発光素子)、
14,14d,14e,14f…−電極(第1基板電極)、
14a,15a…スルーホール電極、
14b,15b…出力電極、
15,15d,15e,15f…+電極(第2基板電極)、
16…板材、
21,21d…n型半導体層、
21a…発光層、
22…p型半導体層、
22a…p型GaN層、
22b…金属層、
23,23d…n側バンプ(第1素子電極)、
24、24d…p側バンプ(第2素子電極)、
24a…UBM層、
24b…金バンプ部、
24c…共晶層、
25…サファイア基板、
Claims (4)
- 複数の半導体発光素子を回路基板上にフリップチップ実装した半導体発光装置において、
前記半導体発光素子は、
該半導体発光素子の角部又は辺部に配置される第1素子電極と、
発光層と平面的に重なる第2素子電極とを有し、
前記回路基板は、
前記第1素子電極に接続する第1基板電極と、
前記第2素子電極に接続する第2基板電極とを有し、
前記半導体発光素子の前記第1素子電極が前記回路基板の中心線方向を向き、
前記第2基板電極が前記回路基板の辺に向かって前記半導体発光素子の実装領域からはみ出し、
前記半導体発光素子が並列接続していることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記回路基板の板材が樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記回路基板の3辺の沿って前記第2基板電極と接続する複数のスルーホールを備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記第1及び第2素子電極は電解金メッキ法により形成された金バンプであり、前記第1素子電極と前記第1基板電極、並びに前記第2素子電極と前記第2基板電極を金錫共晶で接合することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
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