JP2007140453A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶パネルと、光学系と、光源とを有する液晶表示装置であって、前記光源は、正極電極と負極電極の少なくとも一方を複数個有する発光素子と、前記正極電極と負極電極の各領域にそれぞれ電気的に対応させてフリップチップ実装する配線とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【選択図】図23
Description
必要であり高精度の実装技術を要するため、高コストの工程を適用した高精細な配線基板
を準備する要請があった。このため、素子の大型化により、電極パターンを拡大すること
により、下地の配線パターンを裕度が大きく簡易実装が可能となるようにしなければなら
ない。
開発しておくことにより、大型化する手法は次のように工程を簡略化できるので容易になる。通常、新規に大型化する素子を開発するには、いくつかの工程においてホトマスクやホトリソグラフィの条件を変更し、かつエッチング工程の条件も変更する必要があり、さらには工程や条件に依存する信頼性を形成した素子に対して保証する必要があるため、信頼性を確保するのに膨大な開発のための時間を要することになる。しかしながら、本内容では作製工程における各条件は変更する必要がなく、基本的に電極用のホトマスクパターンを修正するだけで対応できる。実際においても、電極パターンを変更する際に必要な周辺の工程のホトマスクを修正するだけで対応できるので、工程の条件や管理については全く同様に対処できることが利点である。これにより、工程の簡易修正により十分対処できるので、新規に大型化する素子の開発に比べて、低コストの素子に仕上げることができる。本内容では、素子を大型化する上で、相対的にコストのかからない工程と、電極面積を大型化することによる簡易フリップチップ実装を実現することが可能となる。ワイヤボンディング実装においても、同様の効果が期待できる。
で困難であったフリップチップ実装を容易にすることができる。本内容の素子において、
最小単位の領域に構成された正極と負極は領域が分離された形状であっても、それぞれ集
合体としてそれぞれ接続できるようにして等価的に拡大できることに基づいている。素子
の電気的な接続は、素子の電極面積を増大することにより歩留まりよく確保できることに
なる。即ち、従来の小型素子は約0.3mm 角の小さな素子の中に最小電極は約0.1mm 角
の形状であるのに対して、最小単位の整数倍に素子サイズを大きくすると、最小電極の面
積でも2倍,3倍及び4倍へと増大することができる。これに沿って、基板の配線パター
ンも素子の電極面積に相応して拡大させることができるため、フリップチップ実装が容易
になる。特に素子の電極にAuや半田のバンプを形成した場合に、下地の配線基板に精度
よくフリップチップ実装することが可能となる。また分離した正極や負極をそれぞれ等価
的に面積の大きな電極として対応できるので、メッキなどのバンプを基板配線側に形成し
ても素子の電気的な接続は十分に確保できる。素子の電極面積を増大することにより配線
パターンの拡大ができることは、小型素子では高速にかつ歩留まりよく対応できなかった
フリップチップ実装の問題点を克服できることにつながる。バンプを介して素子を基板配
線に実装接続する際に、素子側或いは配線側のアライメントを通して、高速で確実なフリ
ップチップ実装が高い歩留まりで実現可能となる。これにより、本内容により大型化した
素子は、発光効率や高出力高輝度の特性を向上するだけでなく、素子を高歩留りで信頼性
のよいフリップチップ実装に導くことができるので、実装素子やパッケージ或いはモジュ
ールのコスト低減に対する効果にもつながる。
置であって、前記光源は、正極電極と負極電極の少なくとも一方を複数個有する発光素子
と、前記正極電極と負極電極の各領域にそれぞれ電気的に対応させてフリップチップ実装
する配線とを有する構成をとる。1ワイヤ実装型や2ワイヤ型のワイヤボンディング実装する素子においても、同様の構成をとることが可能である。
つの正極電極と一つの負極電極の集合体として構成される構成をとる。また、前記発光素
子は、正極電極及び負極電極が最小単位の発光素子が有する一つの正極電極と一つの負極
電極の集合体として構成されることにより、最小単位の発光素子を複数個足し合わせた光
強度を有する構成をとる。また、前記最小単位の発光素子が有する一つの正極電極と一つ
の負極電極は、前記配線に複数個並列的に実装される構成をとる。また、前記光源は前記
発光素子の発光波長に対して透明である基板を有する構成をとる。また、前記発光素子は
前記配線により複数個直列的に実装される構成をとる。また、前記最小単位の発光素子が
、正極電極又は負極電極が集合するように周期的に配列されている構成をとる。また、前
記最小単位の発光素子は、2個又は3個又は4個ごとに周期的に配列されている構成をと
る。また、前記配線は金属基板上又はセラミック基板上に絶縁層を介して配置し、前記発
光素子は絶縁耐圧が1kV以上である構成をとる。また、前記発光素子は、黄色蛍光体と
青色発光ダイオード素子を樹脂で封止した構成である白色発光素子であるか、又は緑色と
赤色の蛍光体と青色発光ダイオード素子を樹脂で封止した構成である白色発光素子である
か、又は青色と緑色と赤色の発光ダイオード素子からなる三原色光源を樹脂で封止した構
成である白色発光素子である構成をとる。
タ用或いはテレビ用の液晶ディスプレイのバックライトとして用いることもできる。
に接続され、正極電極及び負極電極を有する複数の発光素子とを有し、前記複数の発光素
子は二以上の発光素子ごとに正極電極又は負極電極が集合するようパターン形成された構
成をとる。
る構成をとる。また、前記発光素子は前記配線にフリップチップ実装される構成をとる。
1ワイヤ実装型や2ワイヤ型のワイヤボンディング実装する素子においても同様の構成をとる。
消費電力を低減できる効果がある。これは、LED素子の電流密度分布の均一性を低下さ
せることなくサイズを大きくすることにより高輝度化するとともに、フリップチップ実装
により透明基盤側から光を取り出すことができ、ワイヤボンディング実装の素子に比べて
発光効率を2倍近く向上できることに基づく。電流効率や電力効率が2倍近くに向上でき
ると、同じ輝度を保つのに対して消費電力を低減できる。或いは効率を向上できると、よ
り少ないLED素子を搭載するだけで同じ輝度を達成できるので、LED素子の個数を減
らして消費電力を低減できる特徴がある。ワイヤボンディング実装する素子においても、
本発明の構成をとることにより、従来に比べて効率の改善と消費電力の低減が期待できる。
。これは、素子のサイズを大きくすることにより電極パターンを大きくでき、対称性のよ
い電極パターン上に形成したバンプを配線パターンにバランスよく位置合わせることがで
きるためである。相対的に小さい面積の素子に比べて、位置合わせ精度を改善することに
より、熱圧着或いは超音波圧着を用いたフリップチップ実装の歩留りを改善することがで
きた。
発する場合に比べて、製品化されている小型面積の素子用いて複数個の電極を有する大型
面積の素子とした方が明らかに低コスト化に有利となる。これは、既に製品化されている
小型の素子では、電極形成の技術や電極パターンが製品技術までに高められており、歩留
りと信頼性が十分に高められているために、工程の条件出しや素子形状の安定性があるた
めである。本発明では、電極パターンの周期性に必要なマスクを変えるだけで、全く同じ
工程の条件を適用できる。これにより、高い工程歩留りと実装歩留りを維持できることに
なる。
を両立させることが可能である。高い工程歩留りと実装歩留りを実現できることと新規な
素子構成を必要としないため、相対的に低コストで素子を形成することも可能となる。
のである。本発明の実施例における発光ダイオード素子を実装搭載する、テレビ用液晶表
示装置の断面構成を図1に示す。バックライトモジュール筐体1上に、発光ダイオードユ
ニット素子2を搭載するモジュールを構成する。発光ダイオード素子から出射されたバッ
クライト光線3は、拡散板4,正プリズムシート5,拡散フィルム6,下部偏光板7,
TV用薄膜トランジスタ及び液晶パネル8,上部偏光板9を透過して液晶パネル表示装置
を照明することになる。
ード素子の構成と実装形態が組み込まれている。図2と図3には、バックライトモジュー
ル筐体1とその上に搭載される発光ダイオードユニット素子2の断面と上面の構成を示す
。配線基板となるユニット素子を電気的に接続し、さらに外部の制御回路を接続すること
により、本発明のバックライトモジュールを動作駆動できる。また配線基板或いは外部の
制御回路において、発光ダイオード素子の信頼性を保つためにツェナーダイオード等を用
いた保護回路を組み込むことは有効である。このバックライトモジュールを構成する光源
は、図4と図5の例に示すユニット構造が周期的に繰り返された構成をとる。バックライ
トモジュールは、液晶パネルの大きさが変わっても、図4と図5に示すユニット構造を繰
り返して構成する周期数と配列を対応させて、どの大きさにも対応したバックライトモジ
ュールを構成することができる。
エポ基板10上に、発光ダイオード素子を搭載するセルパッケージ11を設けることによ
り構成される。このセルパッケージは、図6と図7に示す上面と断面からなる。セルパッ
ケージは、まず素子配線基板12上に、各発光ダイオード素子用の配線13を設け、金バ
ンプ14を介して、青色発光ダイオード素子15,緑色発光ダイオード素子16,緑色発
光ダイオード素子17,赤色発光ダイオード素子18をフリップチップ実装し、その後反
射板19を設け、透明樹脂20で封止することにより形成される。図8には、別の形態で
ある発光ダイオード素子の実装封止形態を示す。図8において、発光ダイオード素子周辺
の実装形態以外は、図7に示すセルパッケージと同様である。図8では、まず各発光ダイ
オード素子15,16,17,18をそれぞれ土台となる、基板或いはサブマウント或い
は支持体21上の配線22に対して、金バンプ14を介して実装搭載しておき、次に透明
樹脂或いは微粒子含有樹脂23により封止した個別実装素子を作製しておく。この個別実
装素子を図7に示すセルパッケージに搭載して、図7と同様にして別のセルパッケージと
することもできる。このような個別実装素子を作製しておくことは、次の二つの特徴効果
がある。一つには、個別に実装してあることにより、各発光ダイオード素子に特性の分布
ばらつきが生じていても、各素子の特性を検査により分別し把握しておくことにより、特
性の分布を管理して各素子を振り分けることができる。即ち、バックライトモジュールに
おいて、各素子を特性レベルに応じて、輝度及び色度を考慮して、照明度や色調を液晶パ
ネル表示装置全体で調整した分配が可能となる。液晶パネル中央部を輝度が高く色調を精
度よく調合した素子により配列し、液晶パネル周辺部に特性のランクの低い素子により構
成するという配分ができる。このような素子の配置や配分を要求される照明度や色調の仕
様に応じて設計管理ができることになる。二つめとして、個別に実装する際に、素子を封
止する透明樹脂において、屈折率の高い樹脂を使用するか、或いは屈折率の高い微粒子を
導入した樹脂を使用することにより、各素子からの光取り出し効率を向上させることがで
きる。これにより、各素子自体では外部に取り出すことができていなかった素子内部の発
光成分を取り出すことができるので、素子の外部量子効率を向上させることができる効果
がある。
すように、発光ダイオード素子の断面構成は従来と同様であり、フリップチップ実装が可
能な素子構成をとる。図9に示すのは、青色或いは緑色の発光ダイオード素子の断面であ
る。通常、サファイア単結晶基板或いはGaN単結晶基板24上に、GaNバッファ層
25,GaN層26,n型GaN/AlGaN超格子層27,n型GaN/AlGaNガ
イド層28,InGaN/GaN/AlGaN多重量子井戸発光層29,p型GaN/
AlGaNガイド層30,p型GaN/AlGaN超格子層31,p型GaN/AlGaN
層32,p型GaN層33を結晶成長し、その後ホトリソグラフィーのリフトオフと電極
蒸着によりp側正極電極34を設ける。その後、ホトリソグラフィーとエッチング工程に
より、層7までエッチング加工し、次に厚膜のn側負極電極35を設ける。これにより、
フリップチップ実装に適用できる、高さがそろっている正極電極34と負極電極35を設
ける。青色と緑色の発光ダイオード素子は、InGaN/GaN/AlGaN多重量子井
戸発光層29におけるInGaN量子井戸層のIn組成を主として調整することにより達
成することができる。また図10には、赤色の発光ダイオード素子の断面を示す。通常、
作製工程において、最終工程で透明基板或いはGaP基板となる基板36に対して、作製
工程の途中で貼り合わせることになる次の半導体層を設けることにより素子が作製される
。結晶成長では、p型AlGaInP層37,p型GaInP/AlGaInP層38,
GaInP/AlGaInP多重量子井戸発光層39,n型AlGaInP層40,n型
GaInP/AlGaInP層41を形成し、その後ホトリソグラフィーのリフトオフと
電極蒸着によりn側負極電極42を設ける。その後、ホトリソグラフィーとエッチング工
程により、層38までエッチング加工し、次に厚膜のp側正極電極43を設ける。これに
より、フリップチップ実装に適用できる、高さがそろっている負極電極42と正極電極
43を設ける。上記により、赤色発光ダイオード素子が作製される。
成とする。しかしながら、電極構成やパターンについては以下のような構成を特徴とする
。従来の素子における電極構成とパターンについて、図11と図12を用いて説明する。
図11には、小面積である例として、0.3mm 四方のサイズを有する素子において、図
12には、大面積の例として、1mm四方サイズを有する素子において、下地となる発光ダ
イオード素子の半導体層44に対して設ける正極電極45及び負極電極46の電極パター
ンを示す。これらの素子では、電極パターンが異なり、それぞれの素子において、電流が
素子全体にできるだけ均一に保てるように電極パターンと配置がなされている。しかしな
がら、大面積の素子では、発光領域の面積を増大させる電極構成と均一な電流を得るため
の電極構成とが相反して、トレードオフの関係にある。このため、大面積の素子では、小
面積の素子よりも、相対的に不均一な電流分布となり、発光効率は大面積の素子の方が低
下するという状況にある。発光領域の面積は大きいため、電流密度は小さくなり、より大
きな電流を流すことができることになり、効率は低下するが高輝度は達成できることにな
る。他方、一つの素子辺りの輝度は相対的に小さくなるが、発光効率が高い条件下で動作
させるには、小面積の素子の方が有利である。この状況について図13を用いて説明する
。図13は、小面積と大面積の素子において、相対的な光出力と印加電流の関係を計算し
た例を示した結果である。小面積の素子では、低い電流の動作条件、例えば図13では
100mA以下では効率が高く高出力で高輝度が得られている。他方、高い電流の動作条
件、例えば図13では100mA以上において、小面積の素子は放熱性が十分ではなく効
率が低下して、大面積の素子に特性上逆転している。このような状況を考慮すると、小面
積の素子をできるだけ低い電流の動作条件下で使用し、発光効率を高く保つことが、より
低消費電力でバックライトモジュールを駆動できることになる。また発光効率が高い動作
条件下で使用できるので、実装する素子の数を適切に設定でき最小限に抑えることができ
る。このことはより低消費電力とともに、低コスト技術となり低コストのバックライトモ
ジュールを構成できることに貢献できることになる。即ち、発光効率の高い素子を設計し
最小限の素子数により、素子を配置構成したバックライトモジュールは低消費電力と低コ
ストの両立化を図ることが可能となる。
以下に詳細を述べる。図14は、従来技術における発光ダイオード素子を形成してあるウ
エハ上の電極構成とパターンを示し、図15には、本発明実施例における発光ダイオード
素子ウエハ上の電極構成とパターンを示す。各素子の構成最小単位は、小面積用の電極構
成とパターンを示している。本実施例では、小面積の素子における各電極パターンと配置
を図15のように構成した。図9と図10に示される素子の断面における結晶層の構成は
全く同様である。図15では、電極配置構成を正極電極及び負極電極をそれぞれ集めた形
を構成しており、正極電極及び負極電極の集合体を形成できるようになっている。正極電
極及び負極電極の集合体の中心から見ると、点対称の電極配置となっていることが見てと
れる。上記のように電極を集合体として形成できることは、フリップチップ実装を行う際
に、小面積の素子で障害となっていた実装精度を緩和することができる。即ち、小面積の
素子の実装で必要とされた高精細な配線パターンが必要でなくなり、配線を半導体プロセ
ス技術を適用しなくても、印刷技術等の簡易な配線形成技術が適用できることになるので
、スループットや実装歩留りが向上する効果がある。これらのことは、低コストでモジュ
ールを形成できることに集約でき、バックライトモジュールを低価格で形跡できる低コス
ト化技術に対して貢献する。またこのように構成することは、それぞれの電極パターンを
作製する際に、ホトリソグラフィーとエッチング工程のマスクパターンを修正するだけで
対応できる。そのほかは、全く従来技術と同様の工程を経て作製することが可能であるの
で、特に肯定的に困難な支障はない。
下に示すような種類にして素子を構成することができる。図16や図17では、小面積の
発光領域2つ分で構成した素子が構成できており、電極の配置はそれぞれの形になり、そ
れらに応じた配線基板により実装対応ができることになる。また図13,図19及び図
20では、小面積の発光領域4つ分で構成した素子が構成できており、電極の配置はそれ
ぞれの形になり、それらに応じた配線基板により実装対応ができることになる。ここで、
図21と図22において、発光領域が一つ分で従来の小面積に相当する素子に対して、発
光領域がそれぞれ2つ分と4つ分の素子における電流や消費電力に依存した相対光出力を
調べた計算結果を示し、素子の発光効率について相対比較を行ってみる。図21及び図
22において、発光領域が一つ分である従来の素子において光出力が飽和するレベルでは
、発光領域がそれぞれ2つ分と4つ分の素子の光出力が飽和しておらず、動作電流及び消
費電力ともに、約半分以下に低減できていることが見出される。例えば、動作電流が従来
の素子で100mAのとき、発光領域が2つ分と4つ分の素子では、同じ光出力を得るに
はそれぞれ70mA,63mAで達成できることになる。即ち、それぞれ動作電流におい
て、30%及び36%低減できる効果がある。このことは消費電力の低減効果にもつなが
る。このことから、小面積の素子を用いて、発光領域を増大させていくことは、電流分布
を均一に保ちながら、発光効率を向上できる手法として有効であることが見出される。ま
た光出力の飽和レベルを改善し、高出力で高輝度の素子を達成できる。上記動作電流の低
減できる効果や高出力を達成できる効果の割合としては、従来の素子から発光領域を2つ
分にしたときに大きな値で得られ、非常に有効な手段と構成であることが判る。
ついて説明する。図23,図24は、発光領域が2つ分の素子における配線基板とフリッ
プチップ実装搭載する形態について示し、図25,図26及び図27と図28は、発光領
域が4つ分の素子における配線基板とフリップチップ実装搭載する形態について示してい
る。それぞれの素子は、負極電極用配線47と正極用配線48に相対して、フリップチッ
プ実装搭載されている。この際、基板配線は印刷技術で形成できる範囲のパターン幅とな
っており、フリップチップ実装が簡易に対応できている。さらにバンプを素子の電極側に
形成することにより、実装精度に裕度をもって対処でき、スループットや実装歩留りを向
上することが可能である。例えば実装がより困難となる電極の孤立パターンを構成するよ
うな場合でも、図27において示されるように、素子の負極電極46が集合体として相対
的に広い面積を有するので、フリップチップ実装する領域は配線と対応でき、基板上面で
も配線をとることができることになり、また図28において示されるように、基板にヴィ
アホールを空け基板裏面へ負極電極に対する配線を設けることが可能となってくる。この
ため、フリップチップ実装の対応にバリエーションと実装裕度が生じるとともに、図28
のように基板面と垂直に電極と配線をとることにより、基板や筐体への放熱性を向上させ
ることにも貢献するので有効である。
4及び図5のダイオード素子の等価回路で見てみる。図4及び図5において、各発光ダイ
オード素子を直列に接続して動作させる場合には、図29に示したようなダイオードの等
価回路になる。図29(a)に示す従来素子では4つの素子が直列に接続されている状態
であるのに対し、発光領域が2つ分及び4つ分の素子ではそれぞれ図29(b)及び(c)
に相当する等価回路となる。図29(a)(b)(c)において、ユニット構造に対して
同じ定電流で動作させた時には、発光領域が2つ分及び4つ分の素子ではそれぞれ各発光
領域に流れる電流が1/2及び1/4になることに相当する。このため、一つあたりの発
光領域にはより低い電流が印加されることになるので、発光効率が相対的に向上すること
になる。このことの効果は、図21と図22で述べた通りである。しかしながら、発光領
域を増加させることになるので、実効的に素子の数を増大させることにつながるので、実
効的な素子の数から見た効果について説明する。図30には、従来素子の面積で換算した
素子の実効的な数を横軸にとり、消費電力を縦軸にとって計算した結果を実線で示す。こ
れらの計算結果の中で、例えば従来素子を500個使用してバックライトモジュールを構
成したときには、素子の平均した動作電流が100mAであるとすると、発光効率の向上
を考慮して、発光領域が2つ分の素子では70mAの動作電流になり、発光領域が4つ分
の素子では63mAの動作電流になる。このことは、発光領域が2つ分の素子では消費電
力が約30%低減でき、発光領域が4つ分の素子では消費電力が約40%低減できること
に相当する。このように、発光領域が2つ分の素子や発光領域が4つ分の素子では、実効
的な素子数を増やして素子サイズを増大することにより、動作電流や消費電力を低減でき
るとみなされるものの、図12のように素子構成や電極構成を全く変更して素子サイズを
大きくする場合に比べて、発光効率を高く保てる点で有利であり必要最小限の素子面積で
構成できることで有効であるといえる。さらに実装精度を緩和し、スループットや歩留り
向上を図れるので、電気的特性の安定性と放熱特性の改善など、性能向上と低コストの両
立を図る優位な技術となる。図30において、発光領域が2つ分の素子や発光領域が4つ
分の素子では、発光効率が向上でき低電流動作となる効果と、素子の配置配列を光学設計
により最適化することにより、素子数を実効的に低減することに対しても適用することが
できるので、本発明の実施例では素子数低減と低コスト化技術に対して有効となり得る。
晶パネル表示装置だけでなく、パーソナルコンピュータ用液晶パネルのバックライト光源
やカーナビゲーションのバックライト光源にも適用できる。
オード素子ウエハから切り出す形状は任意の形状で対応できる。配線基板は、切り出した
発光ダイオード素子の電極パターン構成に合わせて構成すれば適用できる。例えば、図
31(a)(b)(c)のように、発光ダイオード素子ウエハから切り出す周期を大きく
して、大面積の発光ダイオード素子とすることができる。特別に、大きな素子用に電極構
成やプロセス工程を変更することは必要がない。即ち、小面積の素子用に電極構成とプロ
セス工程を対応させておけば、小面積の素子から大面積の素子まで同一ウエハから形成で
きることになる。サイズの小さな素子や大きな素子は、用途に応じて使い分けることで対
応させることができる。同一ウエハからの素子サイズにより、用途の対応や開拓が可能と
なる。
出す形状は三角形やひし形や十字形相当の形状にも形成できる。このため、新規な用途に
形状を合わせて、対応させることができる。同一ウエハからの素子形状により、用途の対
応や開拓が可能となる。
く、文字やモニタ用などにおいて新規の表示装置にも適用できる。
成する。バックライト光源に適用する発光ダイオード素子は、基本的に実施例1で説明し
た素子の電極パターンを構成することとフリップチップ実装することを前提としている。
携帯電話用の液晶パネル表示装置は、図33のように示される。液晶パネル画素49に対
して、本発明の発光ダイオードユニット素子50を光源とするバックライトモジュールを
構成し、フィルム配線51と駆動回路52を通してバックライトを動作させる。図34と
図35には、本発明の発光ダイオード素子パッケージ53を配線及びフィルム上に搭載し
て、バックライト光線55を導光板56に通して液晶パネル表示装置を照明する構成を示
す。バックライト光線55が、逆プリズムシート57,拡散フィルム58,下部偏光板
59,携帯電話用薄膜トランジスタ及び液晶パネル60,上部偏光板61を透過すること
により、携帯電話用液晶パネル表示装置を構成する。本実施例の発光ダイオードユニット
素子は、図36と図37の上面と断面に示される構成である。発光ダイオード素子のセル
パッケージは、図38と図39に示される構成をとる。セルパッケージ構成は、実施例1
の図7及び図8と同様であるが、青色発光ダイオード素子に対して、黄色蛍光体などから
なる蛍光体を含有させた樹脂62を追加させて構成している。これにより白色発光ダイオ
ード素子を構成することができる。或いは、発光ダイオード素子に対して、青色,緑色及
び赤色の3原色の発光ダイオード素子を実装して、実施例1と同様な構成とすることも可
能である。実施例1において説明したように、素子を封止する透明樹脂において、屈折率
の高い樹脂を使用するか、或いは屈折率の高い微粒子を導入した樹脂を使用することによ
り、各素子からの光取り出し効率を向上させることもできる。これにより、素子の外部量
子効率を向上させることができる効果がある。
能向上の点では、素子の発光効率を向上させることにより、動作電流と消費電力を低減で
きる。さらに実装精度を緩和し、スループットや歩留り向上を図れるので、電気的特性の
安定性と放熱特性の改善など、性能向上と低コストの両立を図る優位な技術となる。また
、素子の配置配列を光学設計により最適化することにより、素子数を実効的に低減するこ
とにも有効であり、素子数低減と低コスト化技術に対して効果的である。
けでなく、情報通信機器の表示装置や小型及び超小型表示装置のバックライト光源にも適
用できる。
る。バックライト光源に適用する発光ダイオード素子は、基本的に実施例1で説明した素
子の電極パターンを構成することとフリップチップ実装することを前提としている。砲弾
型のパッケージでは、リードフレーム63において素子から出射した発光成分を反射させ
るカップ形状反射板に形成しておき、両側のリードフレームに素子をフリップチップ実装
し、その後透明樹脂64を砲弾型の形状に金型を用いて形成する。本素子は、白色発光ダ
イオード素子とすることもでき、或いは発光ダイオード素子に対して、青色,緑色及び赤
色の3原色の発光ダイオード素子を実装して構成することもできる。実施例1において説
明したように、素子を封止する透明樹脂において、屈折率の高い樹脂を使用するか、或い
は屈折率の高い微粒子を導入した樹脂を使用することにより、各素子からの光取り出し効
率を向上させることもできる。これにより、素子の外部量子効率を向上させることができ
る効果がある。
能向上の点では、素子の発光効率を向上させることにより、動作電流と消費電力を低減で
きる。さらに実装精度を緩和し、スループットや歩留り向上を図れるので、電気的特性の
安定性と放熱特性の改善など、性能向上と低コストの両立を図る優位な技術となる。また
、素子の配置配列を光学設計により最適化することにより、素子数を実効的に低減するこ
とにも有効であり、素子数低減と低コスト化技術に対して効果的である。
緑色二つ及び赤色の3原色の発光ダイオード素子を同一の砲弾型透明樹脂に封止して小型
の砲弾型発光ダイオード素子を作製し、多数の砲弾型発光ダイオード素子を集積すること
により、直接光源画素とした大画面のディスプレイ装置とすることができる。
けでなく、情報通信機器の表示装置、本実施例の発光ダイオードを直接光源画素として集
積した大型や超大型のテレビ用途のディスプレイ装置としても適用できる。
(a)(b)(c)及び図62(a)(b)(c)は、それぞれ(a)本実施例のLED素子を示す上面図、(b)配線基板上でのワイヤボンディング実装を示す上面図、(c)配線基板上でペースト接着樹脂72を用いてダイボンディング実装してある構成を示す。これらは、素子構成と電極構成を考慮して、また高原の用途に応じて、設計対応することができる。
74とp側半導体層73において、発光層74は負極電極71を設けるためにエッチング加工により分離されており、n側半導体層75は横方向にはアイソレーション分離溝を設けることにより、左側と右側の領域は電気的に分離された構成となっている。また、図
64では、ワイヤボンディング実装を簡易にしてワイヤの本数を低減するために、n側半導体層に蒸着する負極電極71を共通化している。このような実装構成は、素子の特性や構成,配線基板や高原の用途に応じて、設計仕様とすることができる。
示装置や携帯電話やパソコン用などの中小型液晶表示装置に対するバックライトモジュー
ル及びバックライト光源として適用できる。
…バックライト光線、4…拡散板、5…正プリズムシート、6,58…拡散フィルム、7
,59…下部偏光板、8…TV用薄膜トランジスタ及び液晶パネル、9,61…上部偏光
板、10…絶縁層付金属基板或いはセラミック基板或いはガラエポ基板、11…発光ダイ
オード素子を搭載するセルパッケージ、12…素子配線基板、13,22…配線、14…
金バンプ、15…青色発光ダイオード素子、16,17…緑色発光ダイオード素子、18
…赤色発光ダイオード素子、19…反射板、20,64…透明樹脂、21…基板或いはサ
ブマウント或いは支持体、23…透明樹脂或いは微粒子含有樹脂、24…サファイア単結
晶基板或いはGaN単結晶基板、25…GaNバッファ層、26…GaN層、27…n型
GaN/AlGaN超格子層、28…n型GaN/AlGaNガイド層、29…InGaN/GaN/AlGaN多重量子井戸発光層、30…p型GaN/AlGaNガイド層、
31…p型GaN/AlGaN超格子層、32…p型GaN/AlGaN層、33…p型
GaN層、34,43,45,70…正極電極、35,42,46,71…負極電極、36…透明基板或いはGaP基板、37…p型AlGaInP層、38…p型GaInP/
AlGaInP層、39…GaInP/AlGaInP多重量子井戸発光層、40…n型AlGaInP層、41…n型GaInP/AlGaInP層、44…発光ダイオード半導体層、47…負極電極用配線、48…正極電極用配線、49…携帯電話用液晶パネル画素、51…フィルム配線、52…駆動回路、53…発光ダイオード素子パッケージ、54…配線及びフィルム、56…導光板、57…逆プリズムシート、60…携帯電話用薄膜トランジスタ及び液晶パネル、62…蛍光体含有樹脂、63…リードフレーム、64…砲弾型封止樹脂、65…1ワイヤ実装型発光ダイオード素子、66…Auワイヤ、67…2ワイヤ型発光ダイオード素子、68…発光ダイオード素子基板、69…透明電極、72…ペースト接着樹脂、73…p側半導体層、74…半導体発光層、75…n側半導体層、76…バックライト筐体、77…セルパッケージ。
Claims (22)
- 液晶パネルと、
光学系と、
光源とを有する液晶表示装置であって、
前記光源は、正極電極と負極電極の少なくとも一方を複数個有する発光素子と、前記正極電極と負極電極の各領域にそれぞれ電気的に対応させて実装する配線とを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記発光素子が有する正極電極又は負極電極は、同一基板上で分割された最小単位の発光素子が有する、一つの正極電極又は一つの負極電極の集合体として構成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項2に記載の液晶表示装置において、前記発光素子は、正極電極及び負極電極が最小単位の発光素子が有する一つの正極電極と一つの負極電極の集合体として構成されることにより、最小単位の発光素子を複数個足し合わせた光強度を有することを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2に記載の液晶表示装置において、前記最小単位の発光素子が有する一つの正極電極と一つの負極電極は、前記配線に複数個並列的に実装されることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1に記載の液晶表示装置において、前記光源は前記発光素子の発光波長に対して透明である基板を有することを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2に記載の液晶表示装置において、前記発光素子は前記配線により複数個直列的に実装されることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2に記載の液晶表示装置において、前記最小単位の発光素子が、正極電極又は負極電極が集合するように周期的に配列されていることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項7に記載の液晶表示装置において、前記最小単位の発光素子は、2個又は3個又は4個ごとに周期的に配列されていることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2に記載の液晶表示装置において、前記配線は金属基板上に絶縁層を介して配置し、前記発光素子は絶縁耐圧が1kV以上であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2に記載の液晶表示装置において、前記配線はセラミック基板上に絶縁層を介して配置し、前記発光素子は絶縁耐圧が1kV以上であるすることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2に記載の液晶表示装置において、前記発光素子は、黄色蛍光体と青色発光ダイオード素子を樹脂で封止した構成である白色発光素子であるか、又は緑色と赤色の蛍光体と青色発光ダイオード素子を樹脂で封止した構成である白色発光素子であるか、又は青色と緑色と赤色の発光ダイオード素子からなる三原色光源を樹脂で封止した構成である白色発光素子であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2に記載の液晶表示装置において、前記光源を携帯電話用やパーソナルコンピュータ用或いはテレビ用の液晶ディスプレイのバックライトとして用いることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1に記載の液晶表示装置において、前記発光素子は前記配線にフリップチップ実装することを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2に記載の液晶表示装置において、前記最小単位の発光素子が有する一つの正極電極と一つの負極電極は、前記配線に複数個並列的に実装され、かつ並列回路を形成することを特徴とする液晶表示装置。
- 基板と、前記基板上に配置する複数の配線と、前記配線に接続され、正極電極及び負極電極を有する複数の発光素子とを有し、前記複数の発光素子は二以上の発光素子ごとに正極電極又は負極電極が集合するようパターン形成されたことを特徴とする光源。
- 前記パターン形成された二以上の発光素子ごとに、前記配線にパターン接続されることを特徴とする請求項15に記載の光源。
- 前記発光素子は前記配線にフリップチップ実装されることを特徴とする請求項15に記載の光源。
- 前記パターン形成された二以上の発光素子ごとに前記配線に直列接続されると共に、前記パターン形成を構成する発光素子は前記配線に並列接続されることを特徴とする請求項15に記載の光源。
- 前記パターン形成された発光素子は、2個又は3個又は4個の発光素子で構成されることを特徴とする請求項15に記載の光源。
- 請求項15に記載の光源と、液晶パネルとを有する液晶表示装置。
- 前記発光素子は前記配線にワイヤボンディング実装されることを特徴とする請求項1に記載の光源。
- 前記発光素子は前記配線にワイヤボンディング実装されることを特徴とする請求項15に記載の光源。
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