KR102474695B1 - 발광소자 - Google Patents

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주현승
임우식
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쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Abstract

실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 일부 영역에서 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 제1 발광 셀과 제2 발광 셀; 상기 노출된 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 표면에 각각 배치된 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극; 상기 제1 발광 셀의 제1 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제1 전극과, 상기 제2 발광 셀의 제2 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제2 전극과, 상기 제1 발광 셀의 제2 컨택 전극과 상기 제2 발광 셀의 제1 컨택 전극에 각각 전기적으로 접촉하는 공통 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 및 공통 전극의 사이에 배치된 절연성 지지층을 포함하는 발광소자를 제공한다.

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}
실시예는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수 개의 발광 셀을 가진 발광소자에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
발광소자는 구조에 따라 수평형 발광소자, 수직형 발광소자 및 플립 칩 발광소자 등으로 나뉘며, 하나의 발광소자 내에 복수 개의 발광 셀이 포함될 수도 있다.
도 1은 종래의 발광소자의 단면도이고, 도 2는 종래의 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자의 단면도이다.
도 1의 발광소자는 기판(110) 상에 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)이 배치되고, 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126)의 표면에는 제1 전극(152)과 제2 전극(156)이 배치될 수 있다.
도시된 수평형 발광소자는 다양한 어플리케이션에서 복수 개가 구비될 수 있는데, 제조 비용이나 모듈의 사이즈가 커질 수 있다. 따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 복수 개의 발광 구조물을 포함하는 발광소자(200)를 양산하기도 한다.
도 2의 발광소자(200)는 기판(210) 상에 2개의 발광 구조물(220)이 서로 이격되어 배치되고, 각각의 발광 구조물(220)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하여 이루어진다.
각각의 발광 구조물(220)에는 절연층(240)이 배치되고, 제1 도전형 반도체층(222)과 제2 도전형 반도체층(226) 상에는 절연층(240)의 오픈 영역이 형성되어 오픈된 영역에 전극(250, 252, 256)이 배치될 수 있다. 그리고, 하나의 발광 구조물의 제1 도전형 반도체층(222)과 다른 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층(226)은 하나의 전극(250)으로 연결될 수 있다.
도 2의 발광소자(200)는 2개의 발광 구조물(220)이 배치되어 모듈의 부피 증가를 줄이면서도 광량을 증가시킬 수 있다.
그러나, 도 2의 발광소자(200)는 2개의 발광 구조물을 연결하는 연결 전극(250)이 배치되는데, 금속 등 도전성 물질로 이루어진 연결 전극(250)의 면적이 증가하여 광반사가 늘어나고 연결 전극(250)에 흐르는 전류량이 증가하고 발열 또한 증가할 수 있다.
실시예는 광량이 증가하되 전류량과 발열량도 증가하지 않는 복수의 발광 구조물을 구비한 발광소자를 제공하고자 한다.
실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 일부 영역에서 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 제1 발광 셀과 제2 발광 셀; 상기 노출된 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 표면에 각각 배치된 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극; 상기 제1 발광 셀의 제1 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제1 전극과, 상기 제2 발광 셀의 제2 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제2 전극과, 상기 제1 발광 셀의 제2 컨택 전극과 상기 제2 발광 셀의 제1 컨택 전극에 각각 전기적으로 접촉하는 공통 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 및 공통 전극의 사이에 배치된 절연성 지지층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
제1 컨택 전극은 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층의 표면의 제1 영역과 접촉할 수 있다.
제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 전기적으로 차단하는 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층의 표면의 제2 영역과 접촉할 수 있다.
제2 컨택 전극은 상기 제2 도전형 반도체층의 표면의 제1 영역과 접촉할 수 있다.
제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 전기적으로 차단하는 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 제2 도전형 반도체층 표면의 제2 영역과 접촉할 수 있다.
제1 컨택 전극은, 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 상기 제1 발광 셀과 제2 발광 셀 중 적어도 하나의 표면이 이루는 형상과 동일한 형상으로 배치될 수 있다.
제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극 중 적어도 하나와 상기 제1 전극과 제2 전극 및 공통 전극 중 적어도 하나의 사이에 배치되는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.
제1 전극은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 컨택 전극과 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있다.
제2 전극은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제2 컨택 전극과 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있다.
공통 전극은, 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 컨택 전극 및 상기 제2 컨택 전극과 각각 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있다.
제1 발광 셀과 제2 발광 셀의 사이에서, 상기 제1 절연층이 노출될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자는 복수 개의 발광 셀이 배치되므로 활성층에서 방출되는 광량이 증가하나, 접촉 전극과 전극 등이 발광 셀의 하부에 배치되어 광을 차단하지 않을 수 있다.
그리고, 인접한 발광 셀에 연결된 공통 전극이 발광소자의 내부에 배치되고 절연성 지지층에 의하여 보호될 수 있다.
도 1은 종래의 발광소자의 단면도이고,
도 2는 종래의 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자의 단면도이고,
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이고,
도 4는 실시예에 따른 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자의 단면도이고,
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 발광소자의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
실시예에 따른 발광소자들은 박막 플립 칩(Thin film flip chip) 발광소자일 수 있으며, GaN 등으로 이루어지는 발광 구조물의 성장 공정 후에 기판을 제거하여 제조될 수 있다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자(300)는 제1 도전형 반도체층(322)과 제2 도전형 반도체층(326), 및 제1 도전형 반도체층(322)과 제2 도전형 반도체층(326) 사이의 활성층(324)을 포함하는 발광 구조물(320)과, 제1 도전형 반도체층(322)과 제2 도전형 반도체층(326)에 각각 전기적으로 연결된 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)과, 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)을 전기적으로 분리하는 제1 절연층(330)과, 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)에 각각 전기적으로 연결된 제1 전극(362)과 제2 전극(366)과, 제1 전극(362)과 제2 전극(366)의 사이에 배치된 절연성 지지층(370)과, 제1 컨택 전극(342)과 제2 컨택 전극(346)과 제1 전극(362)과 제2 전극(366)의 사이에 배치되는 제2 절연층(335)과, 제1 전극(362)과 제2 전극(366)의 하부에 각각 배치되는 제1 전극 패드(382)와 제2 전극 패드(388)을 포함할 수 있다.
도 3의 발광소자(300)는 기판(미도시)에서 발광 구조물(320)을 성장하고, 발광 구조물(320) 상에 제1 전극(362)과 제2 전극(366)을 도금 등의 방법으로 성장한 후, 기판을 제거하여 제조될 수 있다.
상술한 구조의 발공소자는 기판 등에 의한 광흡수가 발생하지 않고, 발광 구조물(320)의 전면적에서 고루 광이 방출되어 광효율이 우수할 수 있다.
도 4는 실시예에 따른 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자의 단면도이다.
본 실시예에 따른 발광소자는 도 3의 발광소자(300)를 복수 개 직렬로 연결하여 배치될 수 있으며, 2개의 발광 셀(300A, 300B)이 도시되고 있으나 더 많은 개수의 발광 구조물이 배치될 수 있다.
발광 셀(300A, 300B)들은 동일한 공정에서 성장된 후 에칭 공정 등으로 서로 분리된 것일 수 있으며, 서로 동일한 조성 및 형상을 가질 수 있다.
발광 셀(300A, 300B)은 각각 발광 구조물(320)을 포함하는데, 발광 구조물(320)은 각각 제1 도전형 반도체층(322)과 활성층(324) 및 제2 도전형 반도체층(326)을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(322)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(322)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(322)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(322)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1 도전형 반도체층(322)의 표면에는 요철이나 패턴이 형성되어, 활성층(324)에서 방출되는 광의 추출 효과를 향상시킬 수 있다.
활성층(324)은 제1 도전형 반도체층(322)과 제2 도전형 반도체층(326) 사이에 배치되며, 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
활성층(324)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(326)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(326)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(326)은 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaNAlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 반도체층(326)이 AlxGa(1-x)N으로 이루어질 수 있다.
제2 도전형 반도체층(326)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(326)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
발광 구조물(320)의 일부 영역에서, 제2 도전형 반도체층(326)으로부터 활성층(324)이 식각 내지 제거되어 제1 도전형 반도체층(322)이 노출될 수 있는데, 이때 제1 도전형 반도체층(322)의 일부도 식각될 수 있다.
그리고, 노출된 제1 도전형 반도체층(322)에는 제1 접촉 전극(342)이 접촉하고, 제2 도전형 반도체층(326)에는 제2 접촉 전극(346)이 배치될 수 있으며, 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)은 제1 절연층(330)에 의하여 전기적으로 차단될 수 있다.
제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)은 제1 전극(362)과 제2 전극(366)에 각각 전기적으로 접촉할 수 있으며, 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)은 각각 n-타입과 p-타입의 오믹 전극으로 작용할 수 있으며, 제2 접촉 전극(346)은 반사층으로 작용할 수도 있다.
제1 컨택 전극(342)이 접촉하는 제1 도전형 반도체층(322)의 표면을 제1 영역이라 하고, 제1 절연층(330)과 접촉하는 제1 도전형 반도체층(322)의 표면을 제2 영역이라 할 수 있다.
제1 컨택 전극(342)은 제2 도전형 반도체층(326)과 활성층(342)이 제거되어 제1 발광 셀(300A)과 제2 발광 셀(300B)의 하부 표면이 이루는 형상과 동일한 형상을 이룰 수 있다. 여기서, 동일한 형상이라 함은 발광 셀(300A, 300B)의 볼록하고 오목한 영역에 따라 제1 컨택 전극(342)도 볼록하고 오목한 영역을 가짐을 뜻한다.
그리고, 제2 컨택 전극(346)이 접촉하는 제2 도전형 반도체층(326)의 표면을 제1 영역이라 하고, 제1 절연층(330)과 접촉하는 제2 도전형 반도체층(326)의 표면을 제2 영역이라 할 수 있다.
제1 전극(362)과 제2 전극(366)은 동일한 재료, 예를 들면 금속로 이루어질 수 있고, 시드층(seed layer)로부터 도금의 방법으로 성장될 수 있고, 시드층으로부터 성장된 층을 편의상 도금층이라 할 수 있다.
제1 전극(362)과 제2 전극(366)의 구조를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1 전극(362)은 제1 발광 셀(300A)의 제1 컨택 전극(342)에 전기적으로 접촉하고, 제2 전극(366)은 제2 발광 셀(300B)의 제2 컨택 전극(346)에 전기적으로 접촉하고, 공통 전극(360)이 제1 발광 셀(300A)의 제2 컨택 전극(346)과 제2 발광 셀(300B)의 제1 컨택 전극(342)에 각각 전기적으로 접촉할 수 있다.
제2 절연층(335)은 제1 컨택 전극(342)과 제2 컨택 전극(346) 중 어느 하나와 제1 전극(362)과 제2 전극(366) 및 공통 전극(360) 중 하나의 사이에 배치될 수 있다.
제1 절연층(330)과 제2 절연층(335)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있으며, 일 예로 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.
제1 전극(362)은 제2 절연층(335)을 관통하여 제1 컨택 전극(342)과 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있고, 제2 전극(366)은 제2 절연층(335)을 관통하여 제2 컨택 전극(346)과 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있으며, 공통 전극(360)은 제2 절연층(335)을 관통하여 제2 발광 셀(300B)의 제1 도전형 반도체층(322)과 접촉하는 제1 컨택 전극(342) 및 제1 발광 셀(300A)의 제2 도전형 반도체층(325)과 접촉하는 제2 컨택 전극(346)과 각각 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있다.
제1 전극(362)과 제2 전극(366)과 공통 전극(360)의 사이에 절연성 지지층(370)이 배치될 수 있다. 절연성 지지층(370)은 절연성 물질 예를 들면 레진(resin)으로 이루어질 수 있고, 상세하게는 실리콘 또는 에폭시계의 복합체 재료(예를 들면, 몰딩 화합물)로 이루어질 수 있다. 절연성 지지층(370)의 열팽창 계수와 탄성 계수 등은 발광 구조물(120)의 열팽창 계수 또는 탄성 계수와 유사할 수 있다.
제1 전극(362)과 제2 전극(366)과 공통 전극(360)에는 각각 제1 전극 패드(382)와 제2 전극 패드(386)과 제3 절연층(380)이 배치될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자는 2개의 발광 셀(300A, 300B)을 포함하나, 한 쌍의 제1 전극 패드(382)와 제2 전극 패드(386)에만 외부의 회로 기판 등에서 전류가 공급될 수 있다.
제1 발광 셀(300A)과 제2 발광 셀(300B)의 사이의 영역을 채널 영역(channel layer)라 할 수 있는데, 채널 영역에서 제1 절연층(330)이 상부로 노출될 수 있다.
상술한 실시예에 따른 발광소자는 복수 개의 발광 셀(300A, 300B)이 배치되므로 활성층(324)에서 방출되는 광량이 증가하나, 접촉 전극과 전극 등이 발광 셀(300A, 300B)의 하부에 배치되어 광을 차단하지 않을 수 있다.
또한, 도 2의 연결 전극(250)과 유사한 본 실시예의 공통 전극(360)은 발광소자의 내부에 배치되고 절연성 지지층(370)에 의하여 보호될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 발광소자의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5a는 인접한 발광 셀(300A, 300B)이 직렬로 연결되고 있으며, 도 4의 실시예의 발광 셀들과 제1,2 전극 및 공통 전극을 도시하고 있다. 도 5b는 교류 전원에 의하여 구동되는 발광 셀(300A, 300B)과 제1,2 전극의 배치를 도시하고 있으며, 도 5c는 서로 병렬로 연결된 발광 셀(300A, 300B)과 제1,2 전극을 도시하고 있다.
상술한 발광소자들은 서브 마운트나 회로 기판 등에 범프(bump)를 통하여 전기적으로 연결되어 구동 전류를 공급받을 수 있다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 발광소자의 둘레에는 실리콘 등을 포함하는 몰딩부가 배치되어 발광소자를 보호할 수 있고, 몰딩부 내에는 형광체가 포함되어 발광소자에서 방출되는 제1 파장 영역의 광에 의하여 형광체가 여기되어 형광체로부터 제2 파장 영역의 광이 방출될 수 있다.
상술한 발광소자는 조명 시스템의 광원으로 사용될 수 있는데, 일예로 영상표시장치의 백라이트 유닛과 조명 장치에 사용될 수 있다.
영상표시장치의 백라이트 유닛으로 사용될 때 에지 타입의 백라이트 유닛으로 사용되거나 직하 타입의 백라이트 유닛으로 사용될 수 있고, 조명 장치에 사용될 때 등기구나 벌브 타입의 광원에 사용될 수도 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200, 300: 발광소자
110, 210: 기판 120, 220, 320: 발광 구조물
240: 절연층 250: 연결 전극
300A: 제1 발광 셀 300B: 제2 발광 셀
330: 제1 절연층 335: 제2 절연층
342: 제1 접촉 전극 346: 제2 접촉 전극
360: 공통 전극 362: 제1 전극
366: 제2 전극 370: 절연성 지지층
380: 제3 절연층 382: 제1 전극 패드
386: 제2 전극 패드

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  7. 제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 일부 영역에서 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 제1 발광 셀과 제2 발광 셀;
    상기 노출된 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 표면에 각각 배치된 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극;
    상기 제1 발광 셀의 제1 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제1 전극과, 상기 제2 발광 셀의 제2 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제2 전극과, 상기 제1 발광 셀의 제2 컨택 전극과 상기 제2 발광 셀의 제1 컨택 전극에 각각 전기적으로 접촉하는 공통 전극;
    상기 제1 전극과 제2 전극 및 공통 전극의 사이에 배치된 절연성 지지층; 및
    상기 제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 전기적으로 차단하는 제1 절연층을 포함하고,
    상기 제1 컨택 전극은 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층의 표면의 제1 영역과 접촉하고,
    상기 제1 절연층은 상기 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층의 표면의 제2 영역과 접촉하고,
    상기 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극 중 적어도 하나와 상기 제1 전극과 제2 전극 및 공통 전극 중 적어도 하나의 사이에 배치되는 제2 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 컨택 전극과 적어도 하나의 영역에서 접촉하고,
    상기 제2 전극은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제2 컨택 전극과 적어도 하나의 영역에서 접촉하고,
    상기 공통 전극은, 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 컨택 전극 및 상기 제2 컨택 전극과 각각 적어도 하나의 영역에서 접촉하고,
    상기 제1 발광 셀과 제2 발광 셀의 사이에서, 상기 제1 절연층이 노출되는 발광소자.
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