JPH10107316A - ３族窒化物半導体発光素子 - Google Patents

３族窒化物半導体発光素子

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JPH10107316A
JPH10107316A JP28151296A JP28151296A JPH10107316A JP H10107316 A JPH10107316 A JP H10107316A JP 28151296 A JP28151296 A JP 28151296A JP 28151296 A JP28151296 A JP 28151296A JP H10107316 A JPH10107316 A JP H10107316A
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light emitting
layer
electrode
diode
emitting diode
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JP28151296A
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Masayoshi Koike
正好 小池
Toshinobu Kuroyama
俊宣 黒山
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Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
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    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 【課題】３族窒化物半導体発光素子の製造工数を低減
し、効率良くウエハからチップを切り出すこと。 【解決手段】 3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=
0,X=Y=0 を含む）から成る n伝導型の n層と p伝導型の
p層とを少なくとも有した複数個の発光ダイオード10a,
10b,10c 及び10d が同一のサファイア基板上に一体的に
形成され, ワンチップ化されている。各ダイオード10a,
10b,10c 及び10d 間は溝部11により電気的に分離され,
ダイオード10c の p電極7cとダイオード10d の n電極8
d, ダイオード10d の p電極7dとダイオード10a の n電
極8a, ダイオード10a の p電極7aとダイオード10b の n
電極8bとが電気的に接続され, ダイオード10c の n電極
8cとダイオード10b の p電極7bb とがそれぞれワイヤボ
ンディングされることによりダイオード10a,10b,10c 及
び10d が直列に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同一基板上に一体
的に複数個の発光素子を備えるようにした青色発光の３
族窒化物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、青色の発光ダイオードとしてGaN 系
の化合物半導体を用いたものが知られており、直接遷移
型であることから発光効率が高いこと、光の３原色の１
つである青色を発光色とすること等から注目されてい
る。このGaN 系の化合物半導体を用いた複数個の発光ダ
イオード２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び２０ｄをステム２
７上に配設した状態の模式的平面構成を図８（ａ）に示
し、一例として発光ダイオード２０ａの拡大図を図８
（ｂ）に示す。又、他の発光ダイオード２０ｂ、２０ｃ
及び２０ｄは発光ダイオード２０ａと同様に構成されて
いる。発光ダイオード２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び２０
ｄは、それぞれ略４００μｍ角に形成されており、サフ
ァイア基板（図略）上に窒化アルミニウム又は窒化ガリ
ウムから成るバッファ層（図略）を介在させて、ｎ型の
GaN 系化合物半導体から成るｎ層２３が形成され、この
ｎ層２３の上にｐ型不純物を添加した後、電子線照射や
熱アニーリングによりｐ型化されたｐ層２４が形成され
ている。そして、ｎ層２３とｐ層２４に対してそれぞれ
電極２５、２６が形成され、この電極２５、２６とリー
ドフレームのランド（図略）とがそれぞれワイヤ２１、
２２を用いたワイヤボンディングにより電気的に接続さ
れている。このようにして発光ダイオード２０ａ、２０
ｂ、２０ｃ及び２０ｄが直列に接続され、数十ｃｄ以上
の光量が得られる構成としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、発光ダイオード２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及
び２０ｄをそれぞれ個別に切り出して電極２５、２６と
ランドとをワイヤボンディングするために、チップの切
り出し、ダイボンディング及びワイヤボンディングを行
うための工数が増加し、チップのコストが増加するとい
う問題がある。又、チップ切り出し時のダイシングによ
るウエハの切削無駄が生じると共に、用いるワイヤの数
が多いためにワイヤのコストが増加してしまう。
【０００４】本発明は上記の課題を解決するために成さ
れたものであり、その目的は、３族窒化物半導体発光素
子をウエハから効率良く切り出し、ボンディング工数を
低減させ、発光素子のコストを低減させることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の手段を採用することができる。こ
の手段によると、３族窒化物半導体(AlXGaYIn1-X-YN;X=
0,Y=0,X=Y=0 を含む)から成るｎ伝導型のｎ層とｐ伝導
型のｐ層とを少なくとも有した発光素子において、複数
個の発光素子が互いに電気的に分離されて同一基板上に
一体的に形成され、それらが表面電極パターンにより電
気的に接続される。これにより発光素子を個々に切り出
すためのダイシング工程を短縮できると共に、ダイボン
ディング及びワイヤボンディングの各工程を短縮できる
ので、チップ形成に要する工数を大幅に低減させること
ができる。又、用いるワイヤの数を低減できるので、ワ
イヤコストを低減させることができる。又、ダイシング
によるきりしろを低減できるので、ウエハから効率よく
チップを切り出すことができる。
【０００６】又、請求項２に記載の手段によれば、各発
光素子間に溝部を形成することによりその溝部で各発光
素子を容易に電気的に分離することができる。
【０００７】請求項３に記載の手段によれば、各発光素
子間に形成された溝部に樹脂剤が充填されることにより
各発光素子を電気的に分離できると共に、この樹脂剤上
に表面電極パターンを形成することでメサ型の発光ダイ
オードを形成することができる。
【０００８】請求項４に記載の手段によれば、窒素イオ
ンを注入することにより高抵抗領域を形成し、この高抵
抗領域によって各発光素子間を電気的に分離することが
できる。
【０００９】請求項５に記載の手段によれば、複数個の
発光素子が表面電極パターンにより電気的に直列接続さ
れることにより、低電流で光量の大きい発光素子を得る
ことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係わるワンチップ
に形成された発光ダイオード１０の構成を示した模式図
であり、図１（ａ）がその平面構成を、図１（ｂ）がチ
ップ拡大図をそれぞれ示している。又、図２が図１
（ｂ）におけるＡ−Ａ断面を示し、図３が図１（ｂ）に
おけるＢ−Ｂ断面を示している。発光ダイオード１０は
４つの発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０
ｄから成り、同一基板上に一体的に形成され、矩形状に
ワンチップに形成されている。発光ダイオード１０ａ、
１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄはそれぞれｎ電極８ａ、８
ｂ、８ｃ及び８ｄと、ｐ電極７ａ、７ｂ、７ｃ及び７ｄ
とを有し、各発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及
び１０ｄのそれぞれの間には十字状の溝部１１が形成さ
れている。この溝部１１により、各発光ダイオード１０
ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄのそれぞれの間が電気的
に分離されている。又、発光ダイオード１０ｃのｐ電極
７ｃと発光ダイオード１０ｄのｎ電極８ｄ、発光ダイオ
ード１０ｄのｐ電極７ｄと発光ダイオード１０ａのｎ電
極８ａ、発光ダイオード１０ａのｐ電極７ａと発光ダイ
オード１０ｂのｎ電極８ｂとがそれぞれｐ電極７ｃ、７
ｄ及び７ａの表面パターンにより電気的に直列に接続さ
れている。そして、発光ダイオード１０ｂのｐ電極７ｂ
ｂ及び発光ダイオード１０ｃのｎ電極８ｃが、それぞれ
ワイヤ１２及び１３を用いたワイヤボンディングによ
り、ステム１７内に配設された図略のリード線と電気的
に接続され、そのリード線を介して図略の外部電源に接
続されている。
【００１１】次に、発光ダイオード１０の断面構造につ
いて図２及び図３を用いて説明する。図２は、発光ダイ
オード１０ｃ及び１０ｄの断面構造を模式的に示してい
る。発光ダイオード１０ｃ、１０ｄは同一のサファイア
基板１を有しており、そのサファイア基板１上に膜厚50
0 ÅのAl0.1Ga0.83In0.07Nのバッファ層２が形成されて
いる。そのバッファ層２の上には、膜厚約2.0 μｍ、電
子濃度2 ×1018/cm3のシリコン（Si) ドープのGaN から
成る高キャリア濃度ｎ+ 層３が形成されている。そし
て、高キャリア濃度ｎ+ 層３の上の電極８ｃ、８ｄ及び
SiO2層１４を形成する部分を除いた領域には、順に、膜
厚約2.0 μｍ、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープ
の(Al0.47Ga0.53)0.9In0.1N から成る高キャリア濃度ｎ
+ 層４、膜厚約0.5μｍ、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)
及びシリコン(Si)ドープの(Al0.3Ga0.7)0.94In0.1Nから
成るｐ伝導型の発光層５、膜厚約1.0 μｍ、ホール濃度
5 ×1017/cm3、マグネシウム濃度1×1020/cm3のマグネ
シウムドープの(Al0.47Ga0.53)0.9In0.1Nから成るｐ層
６１、膜厚約0.2 μｍ、ホール濃度5 ×1017/cm3、マグ
ネシウム濃度1 ×1020/cm3のマグネシウムドープのGaN
から成る第２コンタクト層６２、膜厚約500 Å、ホール
濃度 2×1017/cm3、マグネシウム濃度2 ×1020/cm3のマ
グネシウムドープのGaN から成る第１コンタクト層６３
が形成されている。
【００１２】そして、第１コンタクト層６３に接続する
電極７ｃ、７ｄと高キャリア濃度ｎ+ 層３の露出面に接
続する電極８ｃ、８ｄが形成されている。電極７ｃ、７
ｄは第１コンタクト層６３上に一様に厚さ２０Åに形成
されたチタン(Ti)から成る層７１と厚さ６０Åに形成さ
れたニッケル(Ni)から成る層７２とを有しており、この
２つの層７１、７２は透明電極として機能する。電極８
ｃ、８ｄは、高キャリア濃度ｎ+ 層３に接合する厚さ５
００Åのアルミニウム(Al)から成る層８１と厚さ５００
０Åのチタン(Ti)から成る層８２と厚さ１．５μｍの金
(Au)から成る層８３との３層構造で構成されており、こ
のうち電極８ｃはワイヤ１３がボンディングされるパッ
ドとして機能する。
【００１３】発光ダイオード１０ｃと１０ｄとの間に
は、サファイア基板１に達するだけの深さを有した溝部
１１が形成されており、この溝部１１上と、層３の電極
８ｃ、８ｄの形成領域を除いた部分と、層６３の電極７
ｃ、７ｄの形成領域を除いた部分にはSiO2層１４が形成
されている。発光ダイオード１０ｃの第１コンタクト層
６３上に形成された電極７ｃが、同時に溝部１１上を横
切って発光ダイオード１０ｄの電極８ｄ上に形成される
ことで発光ダイオード１０ｃと１０ｄとが電気的に接続
されている。このようにして発光ダイオード１０ｃ、１
０ｄの断面が構成されている。又、発光ダイオード１０
ａの断面も発光ダイオード１０ｃ、１０ｄと同様に構成
されており、図示していないが電極７ｄと電極８ａとの
接触形成により発光ダイオード１０ｄと１０ａとが電気
的に接続され、電極７ａと電極８ｂとの接触形成により
発光ダイオード１０ａと１０ｂとが電気的に接続されて
いる。
【００１４】又、発光ダイオード１０ｂの断面構造を図
３に示すが、サファイア基板１から層７２までの構成は
他の発光ダイオード１０ａ、１０ｃ及び１０ｄと同様の
構成である。発光ダイオード１０ｂでは、層７２の上の
一部に厚さ１０００Åのニッケル(Ni)から成る層７３
と、厚さ１．５μｍの金(Au)から成る層７４とが形成さ
れている。この層７３及び７４により電極７ｂｂが構成
され、この電極７ｂｂはワイヤ１２がボンディングされ
るパッドとして機能する。
【００１５】次に、この構造の発光ダイオード１０ａ、
１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄの製造方法について説明す
る。上記各発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び
１０ｄは、有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」
と記す) による気相成長により製造された。用いられた
ガスは、NH3 と、キャリアガスH2又はN2と、トリメチル
ガリウム(Ga(CH3)3)（以下「TMG 」と記す) と、トリメ
チルアルミニウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記す)
と、トリメチルインジウム(In(CH3)3)（以下「TMI 」と
記す)と、ジエチル亜鉛(Zn(C2H5)2) （以下「DEZ 」と
記す) とシラン(SiH4)と、シクロペンタジエニルマグネ
シウム(Mg(C5H5)2)(以下「CP2Mg 」と記す）である。
【００１６】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
ａ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常
圧でH2を流速 2liter/分で反応室に流しながら温度1100
℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
【００１７】次に、温度を 400℃まで低下させて、H2を
20liter／分、NH3 を 10liter／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分、TMG を 1.5×10-4モル／分、TMI を 1.3×10
-5モル／分で供給してAl0.1Ga0.83In0.07Nのバッファ層
２が約 500Åの厚さに形成された。次に、サファイア基
板１の温度を1150℃に保持し、H2、NH3 及びTMG を供給
し、膜厚約 2.2μｍ、電子濃度 2×1018/cm3のシリコン
ドープのGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成し
た。
【００１８】以下、亜鉛(Zn)とシリコン(Si)を発光中心
として発光ピーク波長を430nm に設定した場合の発光層
（アクティブ層）５及びクラッド層である高キャリア濃
度ｎ+ 層４及びｐ層６１の組成比及び結晶成長条件の実
施例を記す。上記の高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した
後、続いて、サファイア基板１の温度を850 ℃に保持
し、N2又はH2を 10liter／分、NH3 を 10liter／分、TM
G を1.12×10-4モル／分、TMA を0.47×10-4モル／分、
TMI を 0.1×10-4モル／分、及び、シランを導入し、膜
厚約 0.5μｍ、濃度 1×1018/cm3のシリコンドープの(A
l0.47Ga0.53)0.9In0.1N から成る高キャリア濃度ｎ+ 層
４を形成した。
【００１９】続いて、温度を850 ℃に保持し、N2又はH2
を 20liter／分、NH3 を 10liter／分、TMG を1.53×10
-4モル／分、TMA を0.47×10-4モル／分、TMI を0.02×
10-4モル／分、及び、CP2Mg を 2×10-4モル／分とDEZ
を 2×10-7モル／分とシランを10×10-9モル／分導入
し、膜厚約 0.5μｍのマグネシウム(Mg)と亜鉛(Zn)とシ
リコン(Si)ドープの(Al0.3Ga0.7)0.94In0.06N から成る
発光層５を形成した。この状態で発光層５は、まだ、高
抵抗である。この発光層５におけるマグネシウム(Mg)の
濃度は 1×1019/cm3、亜鉛(Zn)の濃度は 5×1018/cm3で
あり、シリコン(Si)の濃度は1 ×1018/cm3である。
【００２０】続いて、温度を1100℃に保持し、N2又はH2
を 20liter／分、NH3 を 10liter／分、TMG を1.12×10
-4モル／分、TMA を0.47×10-4モル／分、TMI を 0.1×
10-4モル／分、及び、CP2Mg を 2×10-4モル／分導入
し、膜厚約 1.0μｍのマグネシウム(Mg)ドープの(Al
0.47Ga0.53)0.9In0.1N から成るｐ層６１を形成した。
ｐ層６１のマグネシウムの濃度は 1×1020/cm3である。
この状態では、ｐ層６１は、まだ、抵抗率 108Ωcm以上
の絶縁体である。次に、温度を 850℃に保持し、N2又は
H2を 20liter／分、NH3 を 10liter／分、TMG を1.12×
10-4モル／分、及び、CP2Mg を 2×10-4モル／分の割合
で導入し、膜厚約 0.2μｍのマグネシウム(Mg)ドープの
GaN から成る第２コンタクト層６２を形成した。第２コ
ンタクト層６２のマグネシウムの濃度は 1×1020/cm3で
ある。この状態では、第２コンタクト層６２は、まだ、
抵抗率 108Ωcm以上の絶縁体である。続いて、温度を 8
50℃に保持し、N2又はH2を 20liter／分、NH3 を 10lit
er／分、TMG を1.12×10-4モル／分、及び、CP2Mg を 4
×10-4モル／分の割合で導入し、膜厚約 500Åのマグネ
シウム(Mg)ドープのGaN から成る第１コンタクト層６３
を形成した。第１コンタクト層６３のマグネシウムの濃
度は 2×1020/cm3である。この状態では、第１コンタク
ト層６３は、まだ、抵抗率 108Ωcm以上の絶縁体であ
る。
【００２１】次に、電子線照射装置を用いて、第１コン
タクト層６３、第２コンタクト層６２、ｐ層６１及び発
光層５に一様に電子線を照射した。電子線の照射条件
は、加速電圧約10KV、試料電流1 μＡ、ビームの移動速
度0.2mm/sec 、ビーム径60μｍφ、真空度 5.0×10-5To
rrである。この電子線の照射により、第１コンタクト層
６３、第２コンタクト層６２、ｐ層６１及び発光層５
は、それぞれ、ホール濃度2×1017/cm3， 5×1017/c
m3， 5×1017/cm3、抵抗率 2Ωcm，0.8 Ωcm，0.8 Ωcm
のｐ伝導型半導体となった。このようにして、多層構造
のウエハが得られた。
【００２２】次に、第１コンタクト層６３の上に、スパ
ッタリングによりSiO2層を2000Åの厚さに形成した。次
に、そのSiO2層上にフォトレジストを塗布した。そし
て、フォトリソグラフにより、第１コンタクト層６３上
において、高キャリア濃度ｎ+層３を露出させる部位の
フォトレジストを除去した。
【００２３】次に、フォトレジストによって覆われてい
ないSiO2層をフッ化水素酸系エッチング液で除去した。
次に、フォトレジスト及びSiO2層によって覆われていな
い部位の第１コンタクト層６３、第２コンタクト層６
２、ｐ層６１、発光層５及び高キャリア濃度ｎ+ 層４
を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl3ガス
を10ml/分の割合で供給しドライエッチングした後、Ar
でドライエッチングした。この工程により、電極形成部
位の高キャリア濃度ｎ+ 層３の表面を露出させた。
【００２４】このようにして高キャリア濃度ｎ+ 層３の
表面を露出させた後、同様にSiO2層１４を所定パターン
にマスクし、ドライエッチングによりサファイア基板１
に達するだけの深さに溝部１１を平面視で十字状に形成
する。そして、溝部１１上にSiO2層１４を形成し、第１
コンタクト層６３上に残っているSiO2層１４と、層３上
の電極８ａ〜８ｄの形成領域上に残っているSiO2層１４
をフッ化水素酸で除去した。以上の工程により、電極７
ａ〜７ｄ、８ａ〜８ｄ及び７ｂｂを除く発光ダイオード
１０が形成された。
【００２５】次に、この発光ダイオード１０に電極７ａ
〜７ｄ、８ａ〜８ｄ及び７ｂｂを形成する方法について
説明する。この電極形成は、良く知られたように、真空
蒸着、ホトレジスト塗布、フォトリソグラフ、エッチン
グ工程により、形成することが可能である。高キャリア
濃度ｎ+ 層３の電極８ａ〜８ｄとして、厚さ 500Åのア
ルミニウム(Al)層８１と厚さ5000Åのチタン(Ti)層８２
と厚さ 1.5μｍの金(Au)層８３とを形成した。
【００２６】そして、第１コンタクト層６３、溝部１１
及び電極８ａ、８ｂ、８ｄの表面の所定の領域一様に透
明電極７ａ〜７ｄとして、厚さ20Åのチタン(Ti)から成
る層７１、厚さ60Åのニッケル(Ni)から成る層７２を形
成する。これにより、電極７ｃと電極８ｄ、電極７ｄと
電極８ａ、電極７ａと電極８ｂとが電気的に接続され
る。この後、厚さ1000Åのニッケル(Ni)層７３と厚さ
1.5μｍの金(Au)層７４とを電極７ｂ上の所定の領域に
形成し、ボンディングパッドとしての電極７ｂｂを形成
する。
【００２７】この後、温度 600℃にて１分間合金化処理
を施し、発光ダイオード１０をセラミックステム１７に
取り付け、電極７ｂｂの金層７４と電極８ｃの金層８３
とをそれぞれセラミックステム１７のリード線にワイヤ
１２、１３を用いてボンディングすることにより、図１
（ａ）に示される構成が得られる。
【００２８】上記実施例に示される構成とすることによ
り、発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄ
の各素子間が溝１１により電気的に分離されて、ワンチ
ップに形成されるので、それらを個々に切り出すための
ダイシング工程を短縮することができる。又、ダイボン
ディング及びワイヤボンディングの各工程を短縮できる
ので、より製造工数を低減させることができる。又、必
要とするワイヤ数が低減すると共に、ダイシングによる
きりしろが低減するので、ウエハから効率よくチップを
切り出すことができる。又、ワンチップ上に４個の発光
ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄが直列に
接続されているので、１個の発光ダイオードと同じ電流
値で４倍の光量を得ることができる。尚、本実施例で
は、発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄ
を電気的に直列に接続し、図７（ａ）に示すような接続
構成としたが、図７（ｂ）に示すように発光ダイオード
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄの電気的接続構成を
直列と並列を併用した構成としてもよく、又、図７
（ｃ）に示すように並列に接続した構成としてもよい。
【００２９】上記の如く構成された発光ダイオード１０
を、光の取り出し効率を高めるための反射面を有したリ
ードフレーム上に配置した構成を図４に模式的に示す。
平坦部２０４上に発光ダイオード１０が載置され、リー
ドフレーム２０１、２０２に発光ダイオード１０がワイ
ヤボンディングされている。又、平坦部２０４の周囲に
は略円錐状の反射面２０３が形成されている。図４に示
される如く発光ダイオード１０は同一基板上に複数個の
発光ダイオード１０ａ〜１０ｄが一体的に形成され、ワ
ンチップ状を成しているのでリードフレーム２０１、２
０２や反射面２０３を簡易な構造とすることができる。
【００３０】上記実施例では、溝部１１により発光ダイ
オード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄをそれぞれ電
気的に分離する構成としたが、図５に示すように溝部１
１にポリイミドなどの樹脂剤１５を充填し、この樹脂剤
１５及び第１コンタクト層６３上に表面電極パターンと
して層７１、７２を形成する構成としてもよい。これに
よりメサ型の発光ダイオード１０１を形成することがで
きる。又、図６に示す如く溝を形成せずに窒素イオンを
注入することで、高抵抗領域１６をサファイア基板１に
達するだけの深さに形成してもよい。この高抵抗領域１
６により発光ダイオード１０２の各素子間をそれぞれ電
気的に分離することができる。尚、図５及び図６に示す
構成では、発光素子間が電気的に並列接続された場合を
示している。
【００３１】上記実施例では、電極７ａ〜７ｄ、８ａ〜
８ｄ及び７ｂｂの平面形状について特に言及してはいな
いが、四角形、円形、その他発光強度の面内分布の要求
に応じてデザイン可能であることはいうまでもない。
又、上記実施例では、サファイア基板１上に４個の発光
ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄを一体的
に形成する構成としたが、この発光ダイオードの個数は
必要に応じて設定してよく、上記実施例に限定されるも
のではない。又、上記実施例において、基板１と電極７
ａ〜７ｄ、８ａ〜８ｄ、及び７ｂｂを除く各層の組成
は、任意混晶比のAlXGaYIn1-X-YN(X=0,Y=0,X=Y=0を含
む) から成る３族窒化物半導体であればよく、本発明は
その組成比は限定するものではない。
【００３２】上記に示されるように、本発明によれば、
ワンチップ上に複数個の発光ダイオードを一体的に形成
することにより、ダイシング、ダイボンディング及びワ
イヤボンディングの各工程を短縮することができるの
で、製造工数を大幅に低減することができる。又、ダイ
シングによるきりしろが低減するので、ウエハから効率
よくチップを切り出すことができる。さらに、必要とす
るワイヤ数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の具体的な実施例に係る発光ダイオード
の構成を示した模式図。
【図２】本発明の具体的な実施例に係る発光ダイオード
の構成を示した模式的断面図。
【図３】本発明の具体的な実施例に係る発光ダイオード
の構成を示した模式的断面図。
【図４】本発明の具体的な実施例に係る発光ダイオード
をリードフレーム上に配置した構成を示した断面図。
【図５】本発明の具体的な実施例に係る発光ダイオード
において、溝部に樹脂剤を充填した構成を示した断面
図。
【図６】本発明の具体的な実施例に係る発光ダイオード
において、イオン注入により高抵抗領域を形成した構成
を示した断面図。
【図７】本発明の具体的な実施例に係わる発光ダイオー
ドにおいて、その接続構成を示した回路図。
【図８】従来の発光ダイオードの構成を示した模式図。
【符号の説明】
１…サファイア基板 ２…バッファ層 ３…高キャリア濃度ｎ+ 層 ４…高キャリア濃度ｎ+ 層 ５…発光層 ７ａ〜７ｄ、７ｂｂ…電極 ８ａ〜８ｄ…電極 １０…発光ダイオード １１…溝部 １５…樹脂剤 １６…高抵抗領域 １７…セラミックステム ６１…ｐ層 ６２…第２コンタクト層 ６３…第１コンタクト層 ７１…チタン層 ７２…ニッケル層 ７３…ニッケル層 ７４…金層 ８１…アルミニウム層 ８２…チタン層 ８３…金層

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ３族窒化物半導体(AlXGaYIn1-X-YN;X=0,
    Y=0,X=Y=0 を含む) から成るｎ伝導型のｎ層とｐ伝導型
    のｐ層とを少なくとも有した発光素子において、 複数個の前記発光素子が互いに電気的に分離されて同一
    基板上に一体的に形成され、表面電極パターンにより電
    気的に接続されたことを特徴とする３族窒化物半導体発
    光素子。
  2. 【請求項２】 前記各発光素子間に形成された溝部によ
    り、前記各発光素子が互いに電気的に分離されたことを
    特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体発光素
    子。
  3. 【請求項３】 前記各発光素子間に形成された溝部に樹
    脂剤が充填され、前記基板上に形成された前記各発光素
    子がメサ型構造を成すことを特徴とする請求項１に記載
    の３族窒化物半導体発光素子。
  4. 【請求項４】 窒素イオンの注入により形成された高抵
    抗領域により、前記各発光素子間が互いに電気的に分離
    されたことを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半
    導体発光素子。
  5. 【請求項５】 前記各発光素子が、前記表面電極パター
    ンにより電気的に直列に接続されたことを特徴とする請
    求項１に記載の３族窒化物半導体発光素子。
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