JP3198678B2 - 窒素−3族元素化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒素−3族元素化合物半導体発光素子Info
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Description
素化合物半導体発光素子に関する。
の化合物半導体を用いたものが知られている。そのGaN
系の化合物半導体は直接遷移型であることから発光効率
が高いこと、光の3原色の1つである青色を発光色とす
ること等から注目されている。
子線を照射することによりp型のGaN が得られることが
明らかとなった。この結果、従来のn層と半絶縁層(i
層)との接合に換えてpn接合を有するGaN 発光ダイオ
ードが提案されている。
合を有する発光ダイオードであっても、発光輝度は未だ
十分ではなく、また、寿命に関しても十分なものが得ら
れていない。そこで、本発明の目的は、窒素−3族元素
化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む)
発光ダイオードの発光ダイオードの発光輝度を向上させ
ること及び素子寿命を長期化することである。
3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0
を含む) からなるn層と、p型の窒素−3族元素化合物
半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からな
るp層とを有する窒素−3族元素化合物半導体発光素子
において、p層を、n層と接合する側からホール濃度が
比較的低濃度の低キャリア濃度p層と、ホール濃度が比
較的高濃度の高キャリア濃度p+ 層とを1周期として、
複数周期繰り返して形成したことを特徴とする。
1×1014/cm3〜 1×1016/cm3が望ましく、高キャリア濃
度p+ 層のホール濃度は 1×1016/cm3〜 2×1017/cm3が
望ましい。又、膜厚は100 Å〜1000Åが望ましい。
する側からホール濃度が比較的低濃度の低キャリア濃度
p層と、ホール濃度が比較的高濃度の高キャリア濃度p
+ 層とを1周期として、複数周期繰り返して形成した結
果、発光輝度が向上した。発光輝度は10mcdであり、こ
の発光輝度は従来のpn接合GaN 発光ダイオードの発光
輝度に比べて、2 倍に向上した。又、発光寿命は104 時
間であり、従来のpn接合GaN 発光ダイオードの発光寿
命の1.5 倍である。
1を有しており、そのサファイア基板1に500 ÅのAlN
のバッファ層2が形成されている。そのバッファ層2の
上には、順に、膜厚約2.2 μm、電子濃度2 ×1018/cm3
のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層
3、膜厚約 1.5μm、電子濃度1 ×1016/cm3のノンドー
プGaN から成る低キャリア濃度n層4が形成されてい
る。更に、低キャリア濃度n層4の上には、薄膜の多重
層構造から成るp層5が形成されている。p層5は、膜
厚約500 Å、ホール濃度1 ×1016/cm3のMgドープGaN か
ら成る低キャリア濃度p層L1 、膜厚約500 Å、ホール
濃度 2×1017/cm3のMgドープGaN から成る高キャリア濃
度p層H1 を1周期として5周期繰り返し形成された多
重層構造で構成されている。そして、最上層の高キャリ
ア濃度p+ 層H5 に接続するニッケルで形成された電極
7と高キャリア濃度n+ 層3に接続するニッケルで形成
された電極8とが形成されている。電極8と電極7と
は、溝9により電気的に絶縁分離されている。
造方法について説明する。上記発光ダイオード10は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2とトリメチルガリウム(Ga(CH3)3)
(以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)(以下「TMA 」と記す) とシラン(SiH4)とビス
シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以下
「CP2Mg 」と記す)である。
A面を主面とする単結晶のサファイア基板1をM0VPE 装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常
圧でH2を流速2 liter/分で反応室に流しながら温度1100
℃でサファイア基板1を気相エッチングした。
20 liter/分、NH3 を10 liter/分、TMA を 1.8×10-5
モル/分で供給してAlN のバッファ層2が約 500Åの厚
さに形成された。次に、サファイア基板1の温度を1150
℃に保持し、H2を20 liter/分、NH3 を10 liter/分、
TMG を 1.7×10-4モル/分、H2で0.86ppm まで希釈した
シラン(SiH4)を 200 ml/分の割合で30分間供給し、膜厚
約 2.2μm、電子濃度2×1018/cm3のGaN から成る高キ
ャリア濃度n+ 層3を形成した。
に保持し、H2を20 liter/分、NH3を10 liter/分、TMG
を1.7 ×10-4モル/分の割合で20分間供給し、膜厚約
1.5μm、電子濃度 1×1016/ cm3 のGaN から成る低キ
ャリア濃度n層4を形成した。
H2 を20 liter/分、NH3 を10 liter/分、TMG を 1.7
×10-4モル/分、CP2Mg を 8×10-8モル/分の割合で0.
7 分間供給して、Mg濃度5 ×1019/cm3、膜厚500 ÅのGa
N から成る低キャリア濃度p層L1 を形成した。この状
態では、低キャリア濃度p層L1 は、まだ、抵抗率108
Ωcm以上の絶縁体である。
H2 を20 liter/分、NH3 を10 liter/分、TMG を 1.7
×10-4モル/分、CP2Mg を 3×10-7モル/分の割合で0.
7 分間供給して、Mg濃度 2×1020/cm3、膜厚500 ÅのGa
N から成る高キャリア濃度p+ 層H1 を形成した。この
状態では、高キャリア濃度p+ 層H1 、まだ、抵抗率10
8 Ωcm以上の絶縁体である。
ャリア濃度p+ 層の形成工程を、さらに、4周期繰り返
して、図2に示すように、全体として5周期の多重層構
造のp層5を得た。
の多重層構造のp層5に一様に電子線を照射した。電子
線の照射条件は、加速電圧10KV、試料電流 1μA 、ビー
ムの移動速度0.2mm/sec 、ビーム径60μmφ、真空度2.
1 ×10-5Torrである。この電子線の照射により、低キャ
リア濃度p層L1 〜L5 は、ホール濃度1 ×1016/cm3、
抵抗率40Ωcmのp伝導型半導体となり、高キャリア濃度
p+ 層H1 〜H5 は、ホール濃度 2×1017/cm3、抵抗率
2Ωcmのp伝導型半導体となった。このようにして、図
2に示すような多層構造のウエハが得られた。
上の1つの素子のみを示す断面図であり、実際は、この
素子が連続的に繰り返されたウエハについて、処理が行
われ、その後、各素子毎に切断される。
H5 の上に、スパッタリングによりSiO2層11を2000Å
の厚さに形成した。次に、そのSiO2層11上にフォトレ
ジスト12を塗布した。そして、フォトリソグラフによ
り、高キャリア濃度p+ 層H5 上において、高キャリア
濃度n+ 層3に至るように形成される孔15に対応する
電極形成部位Aとその電極形成部を高キャリア濃度p+
層H5 の電極と絶縁分離する溝9を形成する部位Bのフ
ォトレジストを除去した。
12によって覆われていないSiO2層11をフッ化水素酸
系エッチング液で除去した。次に、図5に示すように、
フォトレジスト12及びSiO2層11によって覆われてい
ない部位の多重層構造のp層5と、その下の低キャリア
濃度n層4、高キャリア濃度n+ 層3の上面一部を、真
空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl3ガスを10ml
/分の割合で供給しドライエッチングした後、Arでドラ
イエッチングした。この工程で、高キャリア濃度n+ 層
3に対する電極取出しのための孔15と絶縁分離のため
の溝9が形成された。
p+ 層H5 上に残っているSiO2層11をフッ化水素酸で
除去した。次に、図7に示すように、試料の上全面に、
Ni層13を蒸着により形成した。これにより、孔15に
は、高キャリア濃度n+ 層3に電気的に接続されたNi層
13が形成される。そして、そのNi層13の上にフォト
レジスト14を塗布して、フォトリソグラフにより、そ
のフォトレジスト14が高キャリア濃度n+ 層3及び高
キャリア濃度p+ 層H5 に対する電極部が残るように、
所定形状にパターン形成した。
ト14をマスクとして下層のNi層13の露出部を硝酸系
エッチング液でエッチングした。この時、絶縁分離のた
めの溝9に蒸着されたNi層13は、完全に除去される。
次に、フォトレジスト14をアセトンで除去し、高キャ
リア濃度n+ 層3の電極8、高キャリア濃度p+ 層H5
の電極7が残された。その後、上記の如く処理されたウ
エハは、各素子毎に切断され、図1に示すpn構造の窒
化ガリウム系発光素子を得た。
10の発光強度を測定したところ10mcd であり、この発
光輝度は、従来のpn接合のGaN 発光ダイオードの発光
輝度に比べて 2倍であった。又、発光寿命は、104 時間
であり、従来のpn接合のGaN 発光ダイオードの発光寿
命に比べて1.5 倍であった。このようなp層5を薄膜の
多重層構造としたので、ホールの低キャリア濃度n層4
へのホールの注入量を増加させることができた。
ドーピングガスは、上述のガスの他、メチルビスシクロ
ペンタジエニルマグネシウムMg(C6H7)2 を用いても良
い。
×1014〜 1×1016/cm3 で膜厚は 0.5〜 2μmが望まし
い。電子濃度が 1×1016/cm3 以上となると発光強度が
低下するので望ましくなく、 1×1014/cm3 以下となる
と発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱
するので望ましくない。又、膜厚が 2μm以上となると
発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱す
るので望ましくなく、膜厚が 0.5μm以下となると発光
強度が低下するので望ましくない。
は 1×1016〜 1×1019/cm3 で膜厚は 2〜10μmが望ま
しい。電子濃度が 1×1019/cm3 以上となると結晶性が
悪化するので望ましくなく、 1×1016/cm3 以下となる
と発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱
するので望ましくない。又、膜厚が10μm以上となると
基板が湾曲するので望ましくなく、膜厚が 2μm以下と
なると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと
発熱するので望ましくない。
ホール濃度は1 ×1014〜 1×1016/cm3 で膜厚は100 〜
1000Åが望ましい。ホール濃度が 1×1016/cm3 以上と
なると、低キャリア濃度n層4とのマッチングが悪くな
り発光効率が低下するので望ましくなく、ホール濃度が
1×1014/cm3 以下となると、直列抵抗が高くなり過ぎ
るので望ましくない。
ホール濃度は 1×1016〜 2×1017/cm3 で、膜厚は100
〜1000Åが望ましい。ホール濃度が 2×1017/cm3 以上
のp+ 層はできない。1 ×1016/cm3 以下となると、直
列抵抗が高くなるので望ましくない。
できる。即ち、バッファ層2の上に、順に、薄膜の多重
層構造のp層5、膜厚約 1.5μm、電子濃度1×1016/cm
3のノンドープGaN から成る低キャリア濃度n層4、膜
厚約2.2 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープ
GaN から成る高キャリア濃度n+ 層3が形成されてい
る。このp層5は、第1実施例と同様であり、低キャリ
ア濃度p層と高キャリア濃度p+ 層とを1周期として、
5周期繰り返して形成されている。
るニッケルで形成された電極8と高キャリア濃度p+ 層
H5 に接続するニッケルで形成された電極7とが形成さ
れている。電極8と電極7とは、高キャリア濃度n+ 層
3、低キャリア濃度n層4、p層5に形成された溝91
により電気的に絶縁分離されている。
なり、p層とn層との基板1に対する堆積順序を逆にし
たものである。製造は第1実施例と同様に行うことがで
きる。
低キャリア濃度p層と高キャリア濃度p+ 層とする2層
を1周期として多重周期の構造に形成したので、ホール
濃度の最も高いp+ 層と電子濃度が最も高いn+ 層との
間に電圧を印加することで、電子及びホールが各層で効
率良く加速され、pn接合面を通って反対の伝導型の層
に効率良く注入される。この結果、発光輝度が向上し
た。
1を有しており、そのサファイア基板1に500 ÅのAlN
のバッファ層2が形成されている。そのバッファ層2の
上には、順に、膜厚約2.2 μm、電子濃度2 ×1018/cm3
のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層
3、膜厚約 1.5μm、電子濃度 1×1016/cm3のノンドー
プGaN から成る低キャリア濃度n層4、多重層構造のi
層6が形成されている。i層6は、膜厚約500 Å、Mg濃
度5 ×1019/cm3の低不純物濃度i層iL1と、膜厚約500
Å、Mg濃度 2×1020/cm3の高不純物濃度i層iH1とを1
周期として5周期繰り返し形成された多重層構造で構成
されている。
及び高不純物濃度iH1〜iH5の所定領域には、それぞ
れ、電子線照射によりp伝導型化した、膜厚約500 Å、
ホール濃度1 ×1016/cm3の低キャリア濃度p層L1 〜L
5 、膜厚約500 Å、ホール濃度2×1017/cm3の高キャリ
ア濃度p層H1 〜H5 が形成されている。このように、
多重層構造のi層6の一部分の位置に多重層構造のp層
50が形成されている。
は、i層6、低キャリア濃度n層4を貫通して高キャリ
ア濃度n+ 層3に至る孔15が形成されている。その孔
15を通って高キャリア濃度n+ 層3に接合されたニッ
ケルで形成された電極81が高不純物濃度i+ 層iH5上
に形成されている。又、高キャリア濃度p+ 層H5 の上
面には、高キャリア濃度p+ 層H5 に対するニッケルで
形成された電極71が形成されている。高キャリア濃度
n+ 層3に対する電極81は、p層50に対してi層6
により絶縁分離されている。
造方法について説明する。製造工程を示す図10から図
15は、ウエハにおける1素子のみに関する断面図であ
り、実際には図に示す素子が繰り返し形成されたウエハ
に関して次の製造処理が行われる。そして、最後に、ウ
エハが切断されて各発光素子が形成される。
エハを製造する。次に、図11に示すように、高不純物
濃度i+ 層iH5の上に、スパッタリングによりSiO2層1
1を2000Åの厚さに形成した。次に、そのSiO2層11上
にフォトレジスト12を塗布した。そして、フォトリソ
グラフにより、高不純物濃度i+ 層iH5において高キャ
リア濃度n+ 層3に至るように形成される孔15に対応
する電極形成部位Aのフォトレジストを除去した。
ト12によって覆われていないSiO2層11をフッ化水素
酸系エッチング液で除去した。次に、図13に示すよう
に、フォトレジスト12及びSiO2層11によって覆われ
ていない部位の多重層構造のi層6とその下の低キャリ
ア濃度n層4と高キャリア濃度n+ 層3の上面一部を、
真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl3ガスを10
ml/分の割合で供給しドライエッチングした後、Arでド
ライエッチングした。この工程で、高キャリア濃度n+
層3に対する電極取出しのための孔15が形成された。
次に、図14に示すように、高不純物濃度i+ 層iH5上
に残っているSiO2層11をフッ化水素酸で除去した。
i+ 層iH1〜iH5及び低不純物濃度i層iL1〜iL5の所
定領域にのみ、反射電子線回析装置を用いて電子線を照
射して、それぞれp伝導型を示す、膜厚約500 Å、ホー
ル濃度 2×1017/cm3の高キャリア濃度p層H1 〜H5 、
膜厚約500 Å、ホール濃度1 ×1016/cm3の低キャリア濃
度p層L1 〜L5 が形成された。
電流 1μA 、ビームの移動速度0.2mm/sec 、ビーム径60
μmφ、真空度2.1 ×10-5Torrである。この時、高キャ
リア濃度p+ 層H1 〜H5 及び低キャリア濃度p層L1
〜L5 以外の部分、即ち、電子線の照射されなかった部
分は、絶縁体の高不純物濃度i+ 層iH1〜iH5及び低不
純物濃度i層iL1〜iL5のままである。従って、高キャ
リア濃度p+ 層H1 〜H5 及び低キャリア濃度p層L1
〜L5 は、縦方向に対しては、低キャリア濃度n層4に
導通するが、横方向には、周囲に対して、高不純物濃度
i+ 層iH1〜iH5及び低不純物濃度i層iL1〜iL5によ
り電気的に絶縁分離されている。
度p+ 層H5 と、高不純物濃度i+層iH5と、高不純物
濃度i+ 層iH5の上面と孔15を通って高キャリア濃度
n+層3とに、Ni層20が蒸着により形成された。そし
て、そのNi層20の上にフォトレジスト21を塗布し
て、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト21
が高キャリア濃度n+ 層3及び高キャリア濃度p+ 層H
5 に対する電極部が残るように、所定形状にパターン形
成した。次に、そのフォトレジスト21をマスクとして
下層のNi層20の露出部を硝酸系エッチング液でエッチ
ングし、フォトレジスト21をアセトンで除去した。こ
のようにして、図9に示すように、高キャリア濃度n+
層3の電極81、高キャリア濃度p+ 層H5 の電極71
を形成した。その後、上述のように形成されたウエハが
各素子毎に切断された。
10の発光強度を測定したところ、第1実施例と同様
に、10mcd であり、発光寿命は104 時間であった。
て、高キャリア濃度n+層3、多重層構造のp層5を、
それぞれ、Al0.2Ga0.5In0.3Nとした。高キャリア濃度n
+ 層3は、シリコンを添加して電子濃度2 ×1018/cm3に
形成し、低キャリア濃度n層4は不純物無添加で電子濃
度1 ×1016/cm3に形成した。低キャリア濃度p層L1 は
マグネシウム(Mg)を添加して電子線を照射して正孔濃度
1 ×1016/cm3に形成し、高キャリア濃度p層H1 は同じ
くマグネシウム(Mg)を添加して電子線を照射して正孔濃
度 2×1017/cm3に形成した。そして、最上層の高キャリ
ア濃度p+ 層H5 に接続するニッケルで形成された電極
7と高キャリア濃度n+ 層3に接続するニッケルで形成
された電極8とを形成した。
1実施例の発光ダイオードと同様に製造することができ
る。トリメチルインジウム(In(CH3)3)がTMG 、TMA 、シ
ラン、CP2Mg ガスに加えて使用された。生成温度、ガス
流量は第1実施例と同じである。トリメチルインジウム
を 1.7×10-4モル/分で供給することを除いて他のガス
の流量は第1実施例と同一である。
析装置を用いて、上記の多重層構造のp層5に一様に電
子線を照射してp伝導型半導体を得ることができた。
度p+ 層H5 と高キャリア濃度n+層3に接続するニッ
ケルで形成された電極7,8を形成した。
10の発光強度を測定したところ10mcd であり、この発
光輝度は、従来のpn接合のGaN 発光ダイオードの発光
輝度に比べて 2倍であった。又、発光寿命は、104 時間
であり、従来のpn接合のGaN 発光ダイオードの発光寿
命に比べて1.5 倍であった。このようなp層5を薄膜の
多重層構造としたので、ホールの低キャリア濃度n層4
へのホールの注入量を増加させることができた。
ードの構成を示した構成図。
断面図。
断面図。
断面図。
断面図。
断面図。
断面図。
ードの構成を示した構成図。
ードの構成を示した構成図。
た断面図。
た断面図。
た断面図。
た断面図。
た断面図。
た断面図。
た断面図。
Claims (8)
- 【請求項1】 n型の窒素−3族元素化合物半導体(Alx
GaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、
p型の窒素−3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=
0,Y=0,X=Y=0 を含む)からなるp層とを有する窒素−3
族元素化合物半導体発光素子において、 前記p層を、前記n層と接合する側からホール濃度が比
較的低濃度の低キャリア濃度p層と、ホール濃度が比較
的高濃度の高キャリア濃度p+ 層とを1周期として、複
数周期繰り返して形成したことを特徴とする窒素−3族
元素化合物半導体発光素子。 - 【請求項2】 前記低キャリア濃度p層のホール濃度は
1×10 14 /cm 3 〜 1×10 16 /cm 3 であることを特徴とする請
求項1に記載の窒素−3族元素化合物半導体発光素子。 - 【請求項3】 前記高キャリア濃度p + 層のホール濃度
は 1×10 16 /cm 3 〜 2×10 17 /cm 3 であることを特徴とする
請求項1に記載の窒素−3族元素化合物半導体発光素
子。 - 【請求項4】 前記低キャリア濃度p層又は前記高キャ
リア濃度p + 層の膜厚は100 Å〜1000Åであることを特
徴とする請求項1に記載の窒素−3族元素化合物半導体
発光素子。 - 【請求項5】 前記n層は高キャリア濃度n + 層と低キ
ャリア濃度n層との2層構造であることを特徴とする請
求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の窒素−3族
元素化合物半導体発光素子。 - 【請求項6】 前記高キャリア濃度n + 層はシリコン添
加のGaN から成り、低キャリア濃度n層は不純物無添加
のGaN から成ることを特徴とする請求項5に記載の窒素
−3族元素化合物半導体発光素子。 - 【請求項7】 前記高キャリア濃度n + 層の電子濃度
は、 1×10 16 〜 1×10 19 /cm 3 であることを特徴とする
請求項5又は請求項6に記載の窒素−3族元素化合物半
導体発光素子。 - 【請求項8】 前記高キャリア濃度n + 層の膜厚は 2〜
10μmであることを特徴とする請求項5乃至請求項7の
いずれか1項に記載の窒素−3族元素化合物半導体発光
素子。
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