JPH0936423A - ３族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
３族窒化物半導体発光素子Info
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- JPH0936423A JPH0936423A JP20918395A JP20918395A JPH0936423A JP H0936423 A JPH0936423 A JP H0936423A JP 20918395 A JP20918395 A JP 20918395A JP 20918395 A JP20918395 A JP 20918395A JP H0936423 A JPH0936423 A JP H0936423A
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- iii nitride
- nitride semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】３族窒化物化合物半導体を用いた紫外線発光素
子の発光効率の向上。 【構成】発光層５は、膜厚約100 ÅのIn0.07Ga0.92N か
ら成る２０層の井戸層５２とこの井戸層よりも禁制帯幅
の広いGaN から成る２１層のバリア層５１とを交互に多
数積層させた多重量子井戸で構成され、各井戸層５２に
シリコンを濃度 5×1017/cm3に添加した。シリコンによ
るドナー準位が各井戸層５２に形成されるため、発光に
寄与する電子とホールとの再結合確率が増大するため
に、紫外線の発光強度が向上する。
子の発光効率の向上。 【構成】発光層５は、膜厚約100 ÅのIn0.07Ga0.92N か
ら成る２０層の井戸層５２とこの井戸層よりも禁制帯幅
の広いGaN から成る２１層のバリア層５１とを交互に多
数積層させた多重量子井戸で構成され、各井戸層５２に
シリコンを濃度 5×1017/cm3に添加した。シリコンによ
るドナー準位が各井戸層５２に形成されるため、発光に
寄与する電子とホールとの再結合確率が増大するため
に、紫外線の発光強度が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は紫外線発光の効率を
向上させた３族窒化物半導体を用いた発光素子に関す
る。
向上させた３族窒化物半導体を用いた発光素子に関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来、３族窒化物半導体を用いた紫外線発
光素子は、発光層にInGaN 又はAlGaN が用いられてい
た。発光層にInGaN を用いた場合には、Inの組成比が
５．５％以下の時、バンド間発光で波長３８０ｎｍ以下
の紫外線が得られている。
光素子は、発光層にInGaN 又はAlGaN が用いられてい
た。発光層にInGaN を用いた場合には、Inの組成比が
５．５％以下の時、バンド間発光で波長３８０ｎｍ以下
の紫外線が得られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この構造の発
光素子は、まだ、発光効率が低いという問題がある。即
ち、発光層にInGaN を用いた場合には、低温成長のため
に発光層の結晶性が悪く、発光効率が低い。又、バンド
間のキャリア再結合による発光のために、発光効率が悪
いという問題がある。
光素子は、まだ、発光効率が低いという問題がある。即
ち、発光層にInGaN を用いた場合には、低温成長のため
に発光層の結晶性が悪く、発光効率が低い。又、バンド
間のキャリア再結合による発光のために、発光効率が悪
いという問題がある。
【０００４】本発明は上記の課題を解決するために成さ
れたものであり、その目的は、３族窒化物化合物半導体
を用いた紫外線発光素子の発光効率を向上させることで
ある。
れたものであり、その目的は、３族窒化物化合物半導体
を用いた紫外線発光素子の発光効率を向上させることで
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子におい
て、発光層は、Alx1GaY1In1-X1-Y1N から成る井戸層と
この井戸層よりも禁制帯幅の広いAlx2GaY2In1-X2-Y2N
から成るバリア層とを交互に積層させた量子井戸で構成
され、各井戸層にドナー不純物又はアクセプタ不純物を
添加したことを特徴とする。量子井戸構造の繰り返し回
数は１回でも多数回でも良い。
は、発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子におい
て、発光層は、Alx1GaY1In1-X1-Y1N から成る井戸層と
この井戸層よりも禁制帯幅の広いAlx2GaY2In1-X2-Y2N
から成るバリア層とを交互に積層させた量子井戸で構成
され、各井戸層にドナー不純物又はアクセプタ不純物を
添加したことを特徴とする。量子井戸構造の繰り返し回
数は１回でも多数回でも良い。
【０００６】又、請求項２の発明は、バリア層をGaN で
構成したことを特徴とし、請求項３の発明は、井戸層に
添加するドナー不純物をシリコンとし、請求項４の発明
は、不純物の濃度を１×１０17〜５×１０18/cm3とした
ことを特徴とし、請求項５の発明は井戸層とバリア層と
で格子定数を一致させたことである。尚、不純物濃度が
１×１０17/cm3より小さいと発光効率が低下するため望
ましくなく、５×１０18/cm3よりも大きいと結晶性が低
下するため望ましくない。又、添加する不純物としては
浅い準位を形成するものが良い。ドナー不純物原子とし
ては、イオウ(S) 、テルル(Te)、セレン(Se)等が使用で
き、アクセプタ不純物原子としては、マグネシウム(M
g)、亜鉛(Zn)が使用可能である。
構成したことを特徴とし、請求項３の発明は、井戸層に
添加するドナー不純物をシリコンとし、請求項４の発明
は、不純物の濃度を１×１０17〜５×１０18/cm3とした
ことを特徴とし、請求項５の発明は井戸層とバリア層と
で格子定数を一致させたことである。尚、不純物濃度が
１×１０17/cm3より小さいと発光効率が低下するため望
ましくなく、５×１０18/cm3よりも大きいと結晶性が低
下するため望ましくない。又、添加する不純物としては
浅い準位を形成するものが良い。ドナー不純物原子とし
ては、イオウ(S) 、テルル(Te)、セレン(Se)等が使用で
き、アクセプタ不純物原子としては、マグネシウム(M
g)、亜鉛(Zn)が使用可能である。
【０００７】
【発明の作用及び効果】発光層をAlGaInN の多重量子井
戸構造とし、井戸層にドナー不純物又はアクセプタ不純
物を添加した。このため、ドナー準位、又は、アクセプ
タ準位が形成されるため、発光に寄与する電子とホール
の再結合確率が増大するため、再結合による発光効率が
向上する。又、インジウムの組成比と不純物濃度は、希
望する発光ピーク波長と発光強度との関係で決定され
る。
戸構造とし、井戸層にドナー不純物又はアクセプタ不純
物を添加した。このため、ドナー準位、又は、アクセプ
タ準位が形成されるため、発光に寄与する電子とホール
の再結合確率が増大するため、再結合による発光効率が
向上する。又、インジウムの組成比と不純物濃度は、希
望する発光ピーク波長と発光強度との関係で決定され
る。
【０００８】
【実施例】第１実施例 図１において、発光ダイオード１０は、サファイア基板
１を有しており、そのサファイア基板１上に500 ÅのAl
N のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２
の上には、順に、膜厚約5.0 μｍ、濃度 5×1018/cm3の
シリコンドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層３、
膜厚約0.5 μｍ、濃度 5×1017/cm3のシリコンドープの
GaN から成るｎ層４、全膜厚約0.41μｍの発光層５、膜
厚約0.5μｍ、ホール濃度5 ×1017/cm3、濃度 5×1020/
cm3にマグネシウムがドープされたAl0.08Ga0.92N から
成るｐ層６１、膜厚約1 μｍ、ホール濃度 7×1018/c
m3、マグネシウム濃度 5×1021/cm3のマグネシウムドー
プのGaN から成るコンタクト層６２が形成されている。
そして、コンタクト層６２上にコンタクト層６２に接合
するNiから成る電極７が形成されている。さらに、高キ
ャリア濃度ｎ+ 層３の表面の一部は露出しており、その
露出部上にその層３に接合するNiから成る電極８が形成
されている。
１を有しており、そのサファイア基板１上に500 ÅのAl
N のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２
の上には、順に、膜厚約5.0 μｍ、濃度 5×1018/cm3の
シリコンドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層３、
膜厚約0.5 μｍ、濃度 5×1017/cm3のシリコンドープの
GaN から成るｎ層４、全膜厚約0.41μｍの発光層５、膜
厚約0.5μｍ、ホール濃度5 ×1017/cm3、濃度 5×1020/
cm3にマグネシウムがドープされたAl0.08Ga0.92N から
成るｐ層６１、膜厚約1 μｍ、ホール濃度 7×1018/c
m3、マグネシウム濃度 5×1021/cm3のマグネシウムドー
プのGaN から成るコンタクト層６２が形成されている。
そして、コンタクト層６２上にコンタクト層６２に接合
するNiから成る電極７が形成されている。さらに、高キ
ャリア濃度ｎ+ 層３の表面の一部は露出しており、その
露出部上にその層３に接合するNiから成る電極８が形成
されている。
【０００９】発光層５の詳細な構成は、図２に示すよう
に、膜厚約100 ÅのGaN から成る２１層のバリア層５１
と膜厚約100 ÅのIn0.07Ga0.93N から成る２０層の井戸
層５２とが交互に積層された多重量子井戸構造で、全膜
厚約0.41μｍである。又、井戸層５２には、シリコンが
5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。
に、膜厚約100 ÅのGaN から成る２１層のバリア層５１
と膜厚約100 ÅのIn0.07Ga0.93N から成る２０層の井戸
層５２とが交互に積層された多重量子井戸構造で、全膜
厚約0.41μｍである。又、井戸層５２には、シリコンが
5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。
【００１０】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2又はＮ2 とトリメチルガリウム(Ga
(CH3)3)（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニ
ウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とトリメチルイ
ンジウム(In(CH3)3)（以下「TMI 」と記す) とシラン(S
iH4)とシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)
(以下「CP2Mg 」と記す）である。
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2又はＮ2 とトリメチルガリウム(Ga
(CH3)3)（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニ
ウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とトリメチルイ
ンジウム(In(CH3)3)（以下「TMI 」と記す) とシラン(S
iH4)とシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)
(以下「CP2Mg 」と記す）である。
【００１１】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
ａ面を主面とする厚さ100 〜400 μｍの単結晶のサファ
イア基板１をM0VPE 装置の反応室に載置されたサセプタ
に装着する。次に、常圧でH2を流速2 liter/分で反応室
に流しながら温度1100℃でサファイア基板１を気相エッ
チングした。
ａ面を主面とする厚さ100 〜400 μｍの単結晶のサファ
イア基板１をM0VPE 装置の反応室に載置されたサセプタ
に装着する。次に、常圧でH2を流速2 liter/分で反応室
に流しながら温度1100℃でサファイア基板１を気相エッ
チングした。
【００１２】次に、温度を 400℃まで低下させて、H2を
20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を1150
℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、
TMG を 1.7×10-4ル／分、H2ガスにより0.86ppm に希釈
されたシランを200ml/分で７０分供給して、膜厚約 5μ
ｍ、濃度 5×1018/cm3のシリコンドープのGaN から成る
高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した。
20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を1150
℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、
TMG を 1.7×10-4ル／分、H2ガスにより0.86ppm に希釈
されたシランを200ml/分で７０分供給して、膜厚約 5μ
ｍ、濃度 5×1018/cm3のシリコンドープのGaN から成る
高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した。
【００１３】次に、サファイア基板１の温度を1100℃に
保持し、N2又はH2を10 liter／分、NH3 を 10liter／
分、TMG を1.12×10-4モル／分、及び、H2ガスにより0.
86ppmに希釈されたシランを10×10-9mol/分で、30分供
給して、膜厚約0.5 μｍ、濃度5×1017/cm3のシリコン
ドープのGaN から成るｎ層４を形成した。
保持し、N2又はH2を10 liter／分、NH3 を 10liter／
分、TMG を1.12×10-4モル／分、及び、H2ガスにより0.
86ppmに希釈されたシランを10×10-9mol/分で、30分供
給して、膜厚約0.5 μｍ、濃度5×1017/cm3のシリコン
ドープのGaN から成るｎ層４を形成した。
【００１４】その後、サファイア基板１の温度を850 ℃
に保持し、H2を20 liter／分、NH3を10 liter／分、TMG
を 1.7×10-4ル／分、で３分間導入してGaN から成る
厚さ１００Åのバリア層５１を形成した。次に、N2又は
H2を20 liter／分、NH3 を10liter／分、TMG を2.1 ×1
0-4モル／分、TMI を0.02×10-4モル／分、H2ガスによ
り0.86ppm に希釈されたシランを10×10-8mol/分で、で
３分間導入してIn0.07Ga0.93N から成る厚さ１００Åの
シリコンが 5×1018/cm3の濃度に添加された井戸層５２
を形成した。このような手順の繰り返しにより、図６に
示すように、バリア層５１と井戸層５２とを交互に、２
１層と２０層だけ積層たし多重量子井戸構造で、全体の
厚さ0.41μｍの発光層５を形成した。
に保持し、H2を20 liter／分、NH3を10 liter／分、TMG
を 1.7×10-4ル／分、で３分間導入してGaN から成る
厚さ１００Åのバリア層５１を形成した。次に、N2又は
H2を20 liter／分、NH3 を10liter／分、TMG を2.1 ×1
0-4モル／分、TMI を0.02×10-4モル／分、H2ガスによ
り0.86ppm に希釈されたシランを10×10-8mol/分で、で
３分間導入してIn0.07Ga0.93N から成る厚さ１００Åの
シリコンが 5×1018/cm3の濃度に添加された井戸層５２
を形成した。このような手順の繰り返しにより、図６に
示すように、バリア層５１と井戸層５２とを交互に、２
１層と２０層だけ積層たし多重量子井戸構造で、全体の
厚さ0.41μｍの発光層５を形成した。
【００１５】続いて、温度を1100℃に保持し、N2又はH2
を20 liter／分、NH3 を 10liter／分、TMG を1.12×10
-4モル／分、TMA を0.47×10-4モル／分、及び、CP2Mg
を2×10-4モル／分で30分間導入し、膜厚約0.5 μｍの
マグネシウム(Mg)ドープのAl0.08Ga0.92N から成るｐ層
６１を形成した。ｐ層６１のマグネシウムの濃度は 5×
1020/cm3である。この状態では、ｐ層６１は、まだ、抵
抗率108 Ωcm以上の絶縁体である。
を20 liter／分、NH3 を 10liter／分、TMG を1.12×10
-4モル／分、TMA を0.47×10-4モル／分、及び、CP2Mg
を2×10-4モル／分で30分間導入し、膜厚約0.5 μｍの
マグネシウム(Mg)ドープのAl0.08Ga0.92N から成るｐ層
６１を形成した。ｐ層６１のマグネシウムの濃度は 5×
1020/cm3である。この状態では、ｐ層６１は、まだ、抵
抗率108 Ωcm以上の絶縁体である。
【００１６】続いて、温度を1100℃に保持し、N2又はH2
を20 liter／分、NH3 を 10liter／分、TMG を1.12×10
-4モル／分、及び、CP2Mg を 4×10-3モル／分の割合で
4分間導入し、膜厚約1 μｍのマグネシウム(Mg)ドープ
のGaN から成るコンタクト層６２を形成した。コンタク
ト層６２のマグネシウムの濃度は 5×1021/cm3である。
この状態では、コンタクト層６２は、まだ、抵抗率108
Ωcm以上の絶縁体である。
を20 liter／分、NH3 を 10liter／分、TMG を1.12×10
-4モル／分、及び、CP2Mg を 4×10-3モル／分の割合で
4分間導入し、膜厚約1 μｍのマグネシウム(Mg)ドープ
のGaN から成るコンタクト層６２を形成した。コンタク
ト層６２のマグネシウムの濃度は 5×1021/cm3である。
この状態では、コンタクト層６２は、まだ、抵抗率108
Ωcm以上の絶縁体である。
【００１７】このようにして、図２に示す断面構造のウ
エハが得られた。次に、このウエハを、４５０℃で４５
分間、熱処理した。この熱処理により、コンタクト層６
２、ｐ層６１は、それぞれ、ホール濃度 7×1017/cm3，
5×1017/cm3、抵抗率 2Ωcm，0.8 Ωcm のｐ伝導型半
導体となった。このようにして、多層構造のウエハが得
られた。
エハが得られた。次に、このウエハを、４５０℃で４５
分間、熱処理した。この熱処理により、コンタクト層６
２、ｐ層６１は、それぞれ、ホール濃度 7×1017/cm3，
5×1017/cm3、抵抗率 2Ωcm，0.8 Ωcm のｐ伝導型半
導体となった。このようにして、多層構造のウエハが得
られた。
【００１８】次に、図３に示すように、コンタクト層６
２の上に、スパッタリングによりSiO2層９を2000Åの厚
さに形成し、そのSiO2層９上にフォトレジスト１０を塗
布した。そして、フォトリソグラフにより、図３に示す
ように、コンタクト層６２上において、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極形成部位Ａ' のフォトレジスト１
０を除去した。次に、図４に示すように、フォトレジス
ト１０によって覆われていないSiO2層９をフッ化水素酸
系エッチング液で除去した。
２の上に、スパッタリングによりSiO2層９を2000Åの厚
さに形成し、そのSiO2層９上にフォトレジスト１０を塗
布した。そして、フォトリソグラフにより、図３に示す
ように、コンタクト層６２上において、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極形成部位Ａ' のフォトレジスト１
０を除去した。次に、図４に示すように、フォトレジス
ト１０によって覆われていないSiO2層９をフッ化水素酸
系エッチング液で除去した。
【００１９】次に、フォトレジスト１０及びSiO2層９に
よって覆われていない部位のコンタクト層６２、ｐ層６
１、発光層５、ｎ層４を、真空度0.04Torr、高周波電力
0.44W/cm2 、BCl3ガスを10 ml/分の割合で供給しドライ
エッチングした後、Arでドライエッチングした。この工
程で、図５に示すように、高キャリア濃度ｎ+ 層３に対
する電極取出しのための孔Ａが形成された。
よって覆われていない部位のコンタクト層６２、ｐ層６
１、発光層５、ｎ層４を、真空度0.04Torr、高周波電力
0.44W/cm2 、BCl3ガスを10 ml/分の割合で供給しドライ
エッチングした後、Arでドライエッチングした。この工
程で、図５に示すように、高キャリア濃度ｎ+ 層３に対
する電極取出しのための孔Ａが形成された。
【００２０】次に、試料の上全面に、一様にNiを蒸着
し、フォトレジストの塗布、フォトリソグラフィ工程、
エッチング工程を経て、図１に示すように、高キャリア
濃度ｎ+ 層３及びコンタクト層６２に対する電極８，７
を形成した。その後、上記の如く処理されたウエハを各
チップに切断して、発光ダイオードチップを得た。
し、フォトレジストの塗布、フォトリソグラフィ工程、
エッチング工程を経て、図１に示すように、高キャリア
濃度ｎ+ 層３及びコンタクト層６２に対する電極８，７
を形成した。その後、上記の如く処理されたウエハを各
チップに切断して、発光ダイオードチップを得た。
【００２１】このようにして得られた発光素子は、駆動
電流20mAで、発光ピーク波長３８０nm、発光強度２ｍＷ
であった。この発光効率は３％であり、従来の構成のも
のに比べて１０倍に向上した。
電流20mAで、発光ピーク波長３８０nm、発光強度２ｍＷ
であった。この発光効率は３％であり、従来の構成のも
のに比べて１０倍に向上した。
【００２２】このように、本発明は活性化エネルギーの
小さいドナー不純物原子、又は、アクセプタ不純物原子
を発光層の井戸層に添加しているので、発光中心の数が
増え、発光効率が向上する。上記の実施例では、発光層
５のバリア層５１のバンドギャップが両側に存在するｐ
層６１とｎ層４のバンドギャップよりも小さくなるよう
なダブルヘテロ接合に形成されている。上記実施例では
ダブルヘテロ接合構造を用いたが、シングルヘテロ接合
構造であっても良い。さらに、ｐ層を形成するのに熱処
理を用いたが、電子線照射によってｐ型化しても良い。
小さいドナー不純物原子、又は、アクセプタ不純物原子
を発光層の井戸層に添加しているので、発光中心の数が
増え、発光効率が向上する。上記の実施例では、発光層
５のバリア層５１のバンドギャップが両側に存在するｐ
層６１とｎ層４のバンドギャップよりも小さくなるよう
なダブルヘテロ接合に形成されている。上記実施例では
ダブルヘテロ接合構造を用いたが、シングルヘテロ接合
構造であっても良い。さらに、ｐ層を形成するのに熱処
理を用いたが、電子線照射によってｐ型化しても良い。
【００２３】上記実施例では、発光層５の井戸層５２に
In0.07Ga0.93N を用いたが、Al0.03Ga0.89In0.08N 等の
４元系の３族窒化物半導体を用いてもよい。又、バリア
層５１にGaN を用いたが、井戸層５２の禁制帯幅よりも
大きな禁制帯幅を有するAlx2GaY2In1-X2-Y2N 半導体を
用いても良い。又、発光層５の多重量子井戸の繰り返し
層数は１〜２０程度を用いることができる。さらに、バ
リア層５１と井戸層５２は略格子定数を一致させるよう
に組成比を選択するのが良い。
In0.07Ga0.93N を用いたが、Al0.03Ga0.89In0.08N 等の
４元系の３族窒化物半導体を用いてもよい。又、バリア
層５１にGaN を用いたが、井戸層５２の禁制帯幅よりも
大きな禁制帯幅を有するAlx2GaY2In1-X2-Y2N 半導体を
用いても良い。又、発光層５の多重量子井戸の繰り返し
層数は１〜２０程度を用いることができる。さらに、バ
リア層５１と井戸層５２は略格子定数を一致させるよう
に組成比を選択するのが良い。
【００２４】尚、上記実施例では、発光ダイオードにつ
いて示したが、本発明をレーザダイオードにも応用する
ことができる。
いて示したが、本発明をレーザダイオードにも応用する
ことができる。
【図１】本発明の具体的な実施例に係る発光ダイオード
の構成を示した構成図。
の構成を示した構成図。
【図２】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図３】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図４】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図５】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
１０…発光ダイオード １…サファイア基板 ２…バッファ層 ３…高キャリア濃度ｎ+ 層 ４…ｎ層 ５…発光層 ５１…バリア層 ５２…井戸層 ６１…ｐ層 ６２…コンタクト層 ７，８…電極
Claims (5)
- 【請求項１】発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素
子において、 前記発光層は、Alx1GaY1In1-X1-Y1N から成る井戸層と
この井戸層よりも禁制帯幅の広いAlx2GaY2In1-X2-Y2N
から成るバリア層とを交互に積層させた量子井戸で構成
され、前記各井戸層にドナー不純物又はアクセプタ不純
物を添加したことを特徴とする３族窒化物半導体発光素
子。 - 【請求項２】前記バリア層はGaN から成ることを特徴と
する請求項１に記載の３族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項３】前記ドナー不純物はシリコン(Si)、テルル
(Te)、イオウ(S) 、又は、セレン(Se)であり、前記アク
セプタ不純物は、マグネシウム(Mg)、又は、亜鉛(Zn)で
あることを特徴とする３族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項４】前記井戸層に添加する不純物の濃度は１×
１０17〜５×１０18/cm3であることを特徴とする請求項
１に記載の３族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項５】前記井戸層と前記バリア層は格子定数が一
致していることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化
物半導体発光素子。
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