JP2004006970A - 3族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 紫外線領域の光を発光する3族窒化物半導体発光素子の発光強度を向上させること。
【解決手段】 3族窒化物半導体から成る紫及び紫外線領域の光を発光する発光層4を有する発光素子において、発光層4の上部に形成されるp−クラッド層5のAlGaN のアルミニウム組成率を8%以上30%以下とし、かつ、p−クラッド層5厚さを70nm以下にした。さらに、p−クラッド層5の上部に形成されるp−コンタクト層6を薄膜化すること、及び発光層4の下部に形成されるn−クラッド層3をAlGaN で形成すること、及び基板であるサファイア層1の裏面に反射膜10を取り付けることにより、紫及び紫外線領域の光の発光強度が向上した。
【選択図】 図1
【解決手段】 3族窒化物半導体から成る紫及び紫外線領域の光を発光する発光層4を有する発光素子において、発光層4の上部に形成されるp−クラッド層5のAlGaN のアルミニウム組成率を8%以上30%以下とし、かつ、p−クラッド層5厚さを70nm以下にした。さらに、p−クラッド層5の上部に形成されるp−コンタクト層6を薄膜化すること、及び発光層4の下部に形成されるn−クラッド層3をAlGaN で形成すること、及び基板であるサファイア層1の裏面に反射膜10を取り付けることにより、紫及び紫外線領域の光の発光強度が向上した。
【選択図】 図1
Description
本発明は、発光効率を向上させた紫あるいは紫外線領域(430nm以下の波長)の光を発光する3族窒化物半導体発光素子に関する。
従来より、紫あるいは紫外線領域の光を発光する3族窒化物半導体にて構成された発光層を有する発光素子が知られている。そしてこの発光素子は、発光層の下部のシリコン(Si)がドーピングされたn+ −GaN のn−クラッド層、発光層の上部のマグネシウム(Mg)がドーピングされたp−Alx1Ga1-x1N のp−クラッド層、ただしx1<0.08、p−クラッド層の上部のp−GaN のコンタクト層によって構成されている。
しかし、p−コンタクト層及びp−クラッド層では、マグネシウム(Mg)は深い準位のアクセプタレベルを形成している。その深い準位と伝導帯とのバンドギャップにより430nm以下の波長の光を吸収する。そのため上記の構造では発光層から430nm以下の波長の光を発光させる場合、上部から発光する光の一部がp−コンタクト層及びp−クラッド層で吸収されてしまい、発光出力が弱くなるという問題がある。
そこで、発光層より上部の層での光の吸収を最小限にすることにより、発光強度を増大させることが本発明の課題である。
上記の課題を解決するために請求項1の発明は、3族窒化物半導体発光素子において、波長が430nm以下である光を発光する発光層と、マグネシウム(Mg)が添加され、0.08≦x1≦0.3であるp型のAlx1Ga1-x1N から成り、吸収する光の波長を前記発光波長より短波長側にずらしたクラッド層と、シリコン(Si)が添加され、0<x2≦0.3であるn型のAlx2Ga1-x2N から成り、吸収する光の波長を前記発光波長より短波長側にずらしたクラッド層とを有することを特徴とする3族窒化物半導体発光素子である。
請求項2の発明は、請求項1に記載の3族窒化物半導体発光素子のp−クラッド層の上部に形成されるマグネシウム(Mg)ドープGaN から成るp−コンタクト層の厚さを10〜100nm以下としたことを特徴とする。
請求項1に示すように、3族窒化物半導体発光素子において、波長が430nm以下である光を発光する発光層と、マグネシウム(Mg)が添加され、0.08≦x1≦0.3であるp型のAlx1Ga1-x1N から成り、吸収する光の波長を前記発光波長より短波長側にずらしたクラッド層と、シリコン(Si)が添加され、0<x2≦0.3であるn型のAlx2Ga1-x2N から成り、吸収する光の波長を前記発光波長より短波長側にずらしたクラッド層とを有する。これにより、従来のx1<0.08のAlx1Ga1-x1N に比べてバンドギャップが拡がり、深い準位であるマグネシウム(Mg)の準位とAlx1Ga1-x1N の伝導帯とのバンドギャップも拡がるので、吸収する光の波長が短くなる。また、シリコン(Si)ドープn + -GaNに比べてバンドギャップが広がることにより、430nm以下の波長の光を吸収することがなくなる。よって、発光強度が増大することになる。
また、請求項2に示すように請求項1に記載の3族窒化物半導体発光素子のp−コンタクト層の厚さを10〜100nm以下としたことにより、430nm以下の光を吸収する層が薄くなったので吸収される光の量が減少して、発光強度が増大する。
なお、p型のAlx1Ga1-x1N からなるクラッド層の膜厚を70nm以下にした場合には、光の吸収量がより少なくなり、これにより発光層より430nm以下の光が発光された場合に吸収される光をさらに小さくすることができ、発光出力を増大することができる。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。なお本発明は下記実施例に限定されるものではない。
図1は本願実施例の発光素子100の全体図を示す。発光素子100は、サファイア基板1を有しており、そのサファイア基板1上に50nmのAlN バッファ層2が形成されている。また、サファイア基板1の下部には厚さが200nmのアルミニウム反射膜10が形成されている。
そのバッファ層2の上には、順に、膜厚5.0μm、電子濃度1×1018/cm3 、シリコン濃度4×1018/cm3 のシリコン(Si)ドープn + −Al0.08Ga0.92N から成る高キャリア濃度n−クラッド層3、全膜厚約410nmでGaN から成るバリア層とシリコン(Si)が5×1018/cm3 の濃度で添加されているIn0.07Ga0.93N から成る井戸層から成る多重量子井戸構造の発光層4、膜厚50nm、ホール濃度5×1017/cm3 、マグネシウム(Mg)濃度5×1020/cm3 のマグネシウム(Mg)ドープAl0.08Ga0.92N からなるp−クラッド層5、膜厚30nm、ホール濃度7×1018/cm3 、マグネシウム(Mg)濃度5×1021/cm3 のマグネシウム(Mg)ドープGaN からなるp−コンタクト層6が形成されている。そして、p−コンタクト層6の上面全体にNi/Au の2重層から成る透明電極8が形成され、その透明電極8の隅の部分にNi/Au の2重層から成るボンディングのためのパッド9が形成されている。また、n−クラッド層3上にはAlから成る電極7が形成されている。
発光層5の詳細な構成は、図2に示すように膜厚10nmのGaN から成る21層のバリア層41と膜厚10nmのシリコン(Si)が5×1018/cm3 の濃度で添加されているIn0.07Ga0.93N から成る20層の井戸層42とが交互に積層された多重量子井戸構造であり、全膜厚は約410nmである。
次に、この構造の半導体素子の製造方法について説明する。
上記発光素子100は、有機金属気相成長法(以下MOVPE)による気相成長により製造された。
用いられたガスは、アンモニア(NH 3 ) 、キャリアガスH 2 又はN 2 、トリメチルガリウム(Ga(CH3 ) 3 ) (以下「TMG 」と記す)、トリメチルアルミニウム(Al(CH3 ) 3 ) (以下「TMA 」と記す)、トリメチルインジウム(In(CH3 ) 3 ) (以下「TMI 」と記す)、シラン(SiH4 ) 、シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C 5 H 5 ) 2 ) (以下「CP2 Mg」と記す)である。
まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した面を主面とし、単結晶のサファイア基板1をMOVPE装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧でH 2 を流速2liter/分で約30分間反応室に流しながら温度1100℃でサファイア基板をベーキングした。
次に、温度を400℃まで低下させて、H 2 又はN 2 を10liter/分、NH3 を10liter/分、TMA を1.8×10-5モル/分で約90秒間供給してAlN のバッファ層2を約50nmの厚さに形成した。
次に、サファイア基板1の温度を1100℃に保持し、H 2 を20liter/分、NH3 を10liter/分、TMA を0.47×10-4モル/分、TMG を1.12×10-4モル/分、H 2 ガスにより0.86ppmに希釈されたシラン(SiH4 ) を2×10-7モル/分で100分導入し、膜厚5.0μm、電子濃度1×1018/cm3 、シリコン濃度4×1018/cm3 のシリコン(Si)ドープAl0.08Ga0.92N からなる高キャリア濃度n−クラッド層3を形成した。
その後、サファイア基板1の温度を850℃に保持し、H 2 を20liter/分、NH3 を10liter/分、TMG を1.7×10-4モル/分で3分間導入してGaN から成る厚さ10nmのバリア層41を形成した。次に、H 2 を20liter/分、NH3 を10liter/分、TMG を2.1×10-4モル/分、TMI を0.02×10-4モル/分、H 2 ガスにより0.86ppmに希釈されたシラン(SiH4 ) を10×10-8モル/分で3分間導入して、シリコン(Si)が5×1018/cm3 の濃度で添加されているIn0.07Ga0.93N から成る厚さ10nmの井戸層42を形成した。このような手順の繰り返しにより、図2に示すようにバリア層41と井戸層42とを交互に、21層と20層だけ積層した多重量子井戸構造で、全膜厚が410nmの発光層4を形成した。
続いて、温度を1100℃に保持し、H 2 又はN 2 を10liter/分、NH3 を10liter/分、TMA を0.47×10-4モル/分、TMG を1.12×10-4モル/分、Cp2 Mgを2×10-5モル/分で0.5分間導入し、膜厚約50nm、マグネシウム(Mg)濃度が5×1020/cm3 のマグネシウム(Mg)ドープAl0.08Ga0.92N からなるp−クラッド層5を形成した。なおこの状態では、p−クラッド層5は抵抗率108 Ωcm以上の絶縁体である。
次に、温度を1100℃に保持し、H 2 又はN 2 を20liter/分、NH3 を10liter/分、TMG を1.12×10-4モル/分、Cp2 Mgを2×10-5モル/分で0.5分間導入し、膜厚30nm、マグネシウム(Mg)濃度が5×1021/cm3 のマグネシウム(Mg)ドープGaN からなるp−コンタクト層6を形成した。なおこの状態では、p−コンタクト層6は抵抗率108 Ωcm以上の絶縁体である。
次に、電子線照射装置を用いて、p−コンタクト層6及びp−クラッド層5に一様に電子線を照射した。電子線の照射条件は、加速電圧約10kV、試料電流1μA、ビームの移動速度0.2mm/sec、ビーム径60μmφ、真空度5.0×10-5Torrである。この電子線の照射により、p−コンタクト層6及びp−クラッド層5は、それぞれ、ホール濃度5×1017/cm3 、7×1018/cm3 、抵抗率1Ωcm、0.7Ωcmのp伝導型半導体となった。このようにして多層構造のウエハが得られた。
次に、図3に示すように、p−コンタクト層6の上に、スパッタリングによりSiO 2 層11を200nmの厚さに形成し、そのSiO 2 層11の上にフォトレジスト12を塗布した。そして、フォトリソグラフにより図3に示すように、p−コンタクト層6上において、n−クラッド層3に対する電極形成部位A’のフォトレジスト12を除去した。次に、図4に示すように、フォトレジスト12によって覆われていないSiO 2 層11をフッ化水素酸系エッチング液で除去した。
次に、フォトレジスト12及びSiO 2 層11によって覆われていない部位のp−コンタクト層6、p−クラッド層5、発光層4、n−クラッド層3を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl 3 ガスを10ml/分の割合で供給しドライエッチングした後、Arでドライエッチングした。この工程で、図5に示すように、n−クラッド層3に対する電極取り出しのための孔Aが形成された。その後、フォトレジスト12及びSiO 2 層11を除去した。
次に、一様にNi/Au の2層を蒸着し、フォトレジストの塗布、フォトリソグラフィ−工程、エッチング工程を経て、p−コンタクト層6の上に透明電極8を形成した。そして、その透明電極8の一部にNi/Au の2層を蒸着してパッド9を形成した。一方、n−クラッド層3に対してはアルミニウムを蒸着して電極7を形成した。
次に、サファイア基板1の裏面全体にアルミニウムを厚さ200nm蒸着して反射層10を形成した。
その後、上記のごとく処理されたウエハは、各素子毎に切断され、図1に示す構造の発光ダイオードを得た。この発光素子は駆動電流20mAで発光ピーク波長380nmであり、従来構造のLEDに比べて発光強度は10倍になった。
このように、本発明は紫及び紫外線領域の光を発光する3族窒化物半導体発光素子の紫及び紫外線領域の光を吸収するマグネシウム(Mg)が添加されているp−クラッド層およびp−コンタクト層を薄膜化することにより、紫及び紫外線領域の光が吸収される確率が減少することにより発光効率が増大した。また、p−クラッド層のアルミニウムの混晶比を増加させることによりバンドギャップを大きくして紫及び紫外線領域の光が吸収されないようにしたことにより発光効率が増大した。
また、n−クラッド層をGaN でなくAlGaN にすることによりバンドギャップを大きくして紫及び紫外線領域の光が吸収されないようにし、さらに、サファイア基板の下部に反射膜を形成することにより発光層より下部に発光した光も上部から発光するようにした結果、発光強度が増大した。
上記の実施例において発光層は多重量子井戸構造であるが、単一量子井戸構造あるいはバルク構造でもよい。
また、発光層はGaN 、InGaN でなくても430nm以下の紫及び紫外線領域の光が発光できるならばどの3族窒化物半導体を用いてもよい。また、上記実施例では井戸層にのみシリコンがドーピングされているが、430nm以下の紫及び紫外線領域の光が発光できるならば他のドナー不純物あるいはアクセプタ不純物を井戸層又は/及びバリア層に添加してもよい。
また、n−クラッド層は1層で形成されているが、n層とn+ 層の2層で形成されていてもよい。さらに、p−コンタクト層も1層で形成されているが、2層で形成されていてもよい。
また、p型化する際に上記実施例では電子線照射を行っているが、熱アニーリング、N 2 プラズマガス中での熱処理、レーザ照射によっ行ってもよい。
上記実施例において、反射膜はアルミニウムで形成されているが紫及び紫外線領域の光である430nm以下の波長の光を吸収せずに反射する材料ならばアルミニウムでなくてもよい。
n−クラッド層3のシリコン濃度は1×1017〜1×1020/cm3 が望ましく、電子濃度は1×1016〜1×1019/cm3 が望ましい。また、膜厚は0.5〜10μmが望ましい。
シリコン濃度が1×1017/cm3 以下であると高抵抗となり、1×1020/cm3 以上であると結晶性が低下するので望ましくない。また、電子濃度が1×1016/cm3 以下であると発光素子の直列抵抗が高くなり、1×1019/cm3 以上になると結晶性が悪化するので望ましくない。又、膜厚が10μm以上となると基板が湾曲し、0.5μm以下になるとエッチングしてn−クラッド層3を露出させて、n−クラッド層3に対する電極の形成が困難になるので望ましくない。
n−クラッド層3のAlGaN のAlの混晶比は0〜30%が望ましく、より望ましい範囲は0〜15%の範囲である。15%以下であると結晶性がより良好な状態となるので望ましい。
p−クラッド層5のホール濃度は1×1017〜1×1018/cm3 が望ましい。ホール濃度が1×1018/cm3 以上になると結晶性が悪化するために望ましくなく、1×1017/cm3 以下になると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎて望ましくない。
また、p−クラッド層5の膜厚は1〜70nmが望ましい。70nm以上では効果があまりなく、1nm以下ではキャリア閉じ込め効果が低下するために発光効率が低下するので望ましくない。
p−クラッド層5のAlGaN のAlの混晶比は8〜30%が望ましい。8%以下であるとバンドギャップが小さいために不純物のマグネシウム(Mg)レベルで紫及び紫外線領域の光を吸収が大きいために望ましくなく、30%以上では結晶性が悪化し、さらにホール濃度が低下するために望ましくない。
p−コンタクト層6の膜厚は10〜100nmの範囲が望ましく、さらには10〜20nmの範囲が望ましい。10〜20nmの範囲では光の吸収が少なくなるので望ましい。また、100nm以上では効果があまりなく、10nm以下では金属電極に対してオーミック性を低下させることになるために望ましくない。
紫外線領域(430nm以下の波長)の光を発光する素子に用いることができる。
100…発光ダイオード
1…サファイア基板
2…バッファ層
3…高キャリア濃度n+ 層
4…発光層
5…p−クラッド層
6…p−コンタクト層
7…電極
8…透明電極
9…パッド
10…反射膜
1…サファイア基板
2…バッファ層
3…高キャリア濃度n+ 層
4…発光層
5…p−クラッド層
6…p−コンタクト層
7…電極
8…透明電極
9…パッド
10…反射膜
Claims (2)
- 3族窒化物半導体発光素子において、
波長が430nm以下である光を発光する発光層と、
マグネシウム(Mg)が添加され、0.08≦x1≦0.3であるp型のAlx1Ga1-x1N から成り、吸収する光の波長を前記発光波長より短波長側にずらしたクラッド層と、
シリコン(Si)が添加され、0<x2≦0.3であるn型のAlx2Ga1-x2N から成り、吸収する光の波長を前記発光波長より短波長側にずらしたクラッド層と
を有することを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。 - 前記p−クラッド層の上部に形成されるマグネシウム(Mg)ドープGaN から成るp−コンタクト層の厚さを10〜100nmとしたことを特徴とする請求項1に記載の3族窒化物半導体発光素子。
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
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