JPH1041545A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH1041545A JPH1041545A JP20927196A JP20927196A JPH1041545A JP H1041545 A JPH1041545 A JP H1041545A JP 20927196 A JP20927196 A JP 20927196A JP 20927196 A JP20927196 A JP 20927196A JP H1041545 A JPH1041545 A JP H1041545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- light emitting
- quantum well
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 超格子構造の発光層を持つ半導体発光素子の
発光効率を向上する。 【解決手段】３族窒化物半導体で形成されるｎ伝導型の
第１の半導体層とｐ伝導型の第２の半導体層と間に、量
子井戸層と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し
積層してなる超格子構造の発光層を設ける。量子井戸層
の層厚を１〜１０ｎｍに、バリア層の層厚を０．２〜２
ｎｍに選択する。この発明の適用された発光ダイオード
が実施例として説明されている。
発光効率を向上する。 【解決手段】３族窒化物半導体で形成されるｎ伝導型の
第１の半導体層とｐ伝導型の第２の半導体層と間に、量
子井戸層と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し
積層してなる超格子構造の発光層を設ける。量子井戸層
の層厚を１〜１０ｎｍに、バリア層の層厚を０．２〜２
ｎｍに選択する。この発明の適用された発光ダイオード
が実施例として説明されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体発光素子に
関し、特に超格子構造を有した半導体発光素子、例えば
発光ダイオードの改良に関する。
関し、特に超格子構造を有した半導体発光素子、例えば
発光ダイオードの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】可視光短波長領域の発光素子として化合
物半導体を用いたものが知られている。なかでも３族窒
化物半導体、特にＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体は直
接遷移型であることから発光効率が高く、かつ光の３原
色の１つである青色発光すること等から、昨今特に注目
を集めている。このような半導体発光素子において、発
光効率を高めるために、超格子構造を発光層としたもの
が提案されている。レーザ発光装置に関すものである
が、例えば、特公平３ー７１７９７号公報、特開昭４８
ー２６３８３号公報、特開昭５７ー１５２１７８号公報
等を参照されたい。超格子構造の発光層を備えた発光ダ
イオードが特開平６ー２６８２５７号公報に開示されて
いる。
物半導体を用いたものが知られている。なかでも３族窒
化物半導体、特にＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体は直
接遷移型であることから発光効率が高く、かつ光の３原
色の１つである青色発光すること等から、昨今特に注目
を集めている。このような半導体発光素子において、発
光効率を高めるために、超格子構造を発光層としたもの
が提案されている。レーザ発光装置に関すものである
が、例えば、特公平３ー７１７９７号公報、特開昭４８
ー２６３８３号公報、特開昭５７ー１５２１７８号公報
等を参照されたい。超格子構造の発光層を備えた発光ダ
イオードが特開平６ー２６８２５７号公報に開示されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】発光層を超格子構造と
することにより発光効率が向上し、かつ目的とする波長
の光を発光させることができるようになった。しかしな
がら、半導体発光素子に要求される発光効率は益々高く
なってきている。
することにより発光効率が向上し、かつ目的とする波長
の光を発光させることができるようになった。しかしな
がら、半導体発光素子に要求される発光効率は益々高く
なってきている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明はこのような課
題、即ち発光効率を向上させること、を達成すべくなさ
れたものである。即ち、３族窒化物半導体で形成される
半導体発光素子であって、ｎ伝導型の第１の半導体層
と、ｐ伝導型の第２の半導体層と、前記第１と第２の半
導体層の間に設けられ、量子井戸層と該量子井戸層より
薄いバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発
光層と、を備えてなる半導体発光素子である。
題、即ち発光効率を向上させること、を達成すべくなさ
れたものである。即ち、３族窒化物半導体で形成される
半導体発光素子であって、ｎ伝導型の第１の半導体層
と、ｐ伝導型の第２の半導体層と、前記第１と第２の半
導体層の間に設けられ、量子井戸層と該量子井戸層より
薄いバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発
光層と、を備えてなる半導体発光素子である。
【０００５】
【発明の作用及び効果】バリア層を量子井戸層より薄く
形成することにより、超格子構造である発光層へ注入さ
れた電子及びホールが発光層内において局在することが
なくなり、発光層内の各量子井戸層へ実質的に均一に存
在することとなる。これは、薄くされたバリア層に対し
て電子とホールがトンネルしやすくなるためである。従
って、発光層における電子とホールとの再結合の確率が
向上し、もって発光効率が向上する。更には、バリア層
を薄くするとバリア層中の結晶欠陥が著しく低下する。
これにより素子としての長寿命化が図れる。
形成することにより、超格子構造である発光層へ注入さ
れた電子及びホールが発光層内において局在することが
なくなり、発光層内の各量子井戸層へ実質的に均一に存
在することとなる。これは、薄くされたバリア層に対し
て電子とホールがトンネルしやすくなるためである。従
って、発光層における電子とホールとの再結合の確率が
向上し、もって発光効率が向上する。更には、バリア層
を薄くするとバリア層中の結晶欠陥が著しく低下する。
これにより素子としての長寿命化が図れる。
【０００６】
【手段の詳細な説明】バリア層の層厚は０．２〜５．０
ｎｍとすることが好ましく、更に好ましくは０．５〜
２．０ｎｍである。０．２ｎｍ未満の薄いバリア層を均
一に形成することは非常に困難である。層厚が５．０ｎ
ｍを超えるバリア層では、電子やホールのトンネルが生
じ難くなる。このバリア層はＧａＮ系化合物半導体で形
成され、必要に応じインジウム及び／又はアルミニウム
を配合することができる。不純物はドープしなくてよ
い。勿論、不純物をドープすることもできる。
ｎｍとすることが好ましく、更に好ましくは０．５〜
２．０ｎｍである。０．２ｎｍ未満の薄いバリア層を均
一に形成することは非常に困難である。層厚が５．０ｎ
ｍを超えるバリア層では、電子やホールのトンネルが生
じ難くなる。このバリア層はＧａＮ系化合物半導体で形
成され、必要に応じインジウム及び／又はアルミニウム
を配合することができる。不純物はドープしなくてよ
い。勿論、不純物をドープすることもできる。
【０００７】量子井戸層の層厚は１〜１０ｎｍとするこ
とが好ましく、更に好ましくは２．０〜４．０ｎｍであ
る。量子井戸層の層厚が１．０ｎｍ未満であると、量子
効果により発光波長が紫外領域側に短波長化していま
い、当該層厚が１０ｎｍを超えると、量子井戸層中の格
子欠陥が増大するおそれがあるからである。量子井戸層
はバリア層よりバンドギャップの狭いＧａＮ系化合物半
導体で形成され、必要に応じインジウム及び／又はアル
ミニウムを配合することができる。不純物はドープしな
くてよい。勿論、不純物をドープすることもできる。
とが好ましく、更に好ましくは２．０〜４．０ｎｍであ
る。量子井戸層の層厚が１．０ｎｍ未満であると、量子
効果により発光波長が紫外領域側に短波長化していま
い、当該層厚が１０ｎｍを超えると、量子井戸層中の格
子欠陥が増大するおそれがあるからである。量子井戸層
はバリア層よりバンドギャップの狭いＧａＮ系化合物半
導体で形成され、必要に応じインジウム及び／又はアル
ミニウムを配合することができる。不純物はドープしな
くてよい。勿論、不純物をドープすることもできる。
【０００８】超格子構造の発光層を形成するに当たり、
量子井戸層の層数は１〜４０層、好ましくは３〜１０層
とする。そして、各量子井戸層がそれより薄手のバリア
層でサンドイッチされる。
量子井戸層の層数は１〜４０層、好ましくは３〜１０層
とする。そして、各量子井戸層がそれより薄手のバリア
層でサンドイッチされる。
【０００９】上記超格子構造の発光層は、ｎ伝導型のＧ
ａＮ系化合物半導体層（第１の半導体層）とｐ伝導型の
ＧａＮ系化合物半導体層（第２の半導体層）との間に設
けられる。ｎ伝導型の第１の半導体層とｐ伝導型の第２
の半導体層はそれぞれ発光層に対するクラッド層とな
る。そして、第１及び第２の半導体層へそれぞれ電極が
接続される。
ａＮ系化合物半導体層（第１の半導体層）とｐ伝導型の
ＧａＮ系化合物半導体層（第２の半導体層）との間に設
けられる。ｎ伝導型の第１の半導体層とｐ伝導型の第２
の半導体層はそれぞれ発光層に対するクラッド層とな
る。そして、第１及び第２の半導体層へそれぞれ電極が
接続される。
【００１０】ｎ伝導型の第１の半導体層はＡｌＮのバッ
ファ層を介してサファイア基板の上に形成される。この
第１の半導体層を発光層側の低電子濃度ｎ層とバッファ
層側の高電子濃度ｎ+層とからなる２層構造とすること
ができる。
ファ層を介してサファイア基板の上に形成される。この
第１の半導体層を発光層側の低電子濃度ｎ層とバッファ
層側の高電子濃度ｎ+層とからなる２層構造とすること
ができる。
【００１１】発光層とｐ伝導型の第２の半導体層との間
にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバリア層よ
りバンドギャップの広いＡｌXＩｎYＧａ1-X-YＮ（X=0,Y
=0,X=Y=0を含む）層を介在させることができる。これは
発光層中に注入された電子が第２の半導体層に拡散する
のを防止するためである。第２の半導体層を発光層側の
低ホール濃度ｐ層と電極側のの高ホール濃度ｐ+層とか
らなる２層構造とすることができる。
にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバリア層よ
りバンドギャップの広いＡｌXＩｎYＧａ1-X-YＮ（X=0,Y
=0,X=Y=0を含む）層を介在させることができる。これは
発光層中に注入された電子が第２の半導体層に拡散する
のを防止するためである。第２の半導体層を発光層側の
低ホール濃度ｐ層と電極側のの高ホール濃度ｐ+層とか
らなる２層構造とすることができる。
【００１２】超格子構造の発光層を備えた半導体発光素
子は有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ）法により形
成される。
子は有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ）法により形
成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を実施例に
基づき、図面を参照しながら説明する。実施例の発光ダ
イオード１０は、図１に示すとおり、サファイア基板１
の上にＡｌＮ製のバッファ層２が形成されている。この
バッファ層２の上には、順に、層厚約４μmのシリコン
ドープトｎ+ーＧａＮ層３ａ、層厚約１μmのシリコンド
ープトｎーＧａＮ層３ｂ、超格子構造の発光層４、層厚
約１００ｎｍのマグネシウムドープトＡｌＧａＮ層５、
膜厚約２００ｎｍのマグネシウムドープトｐーＧａＮ層
６ｂ及び層厚約５０ｎｍのマグネシウムドープトｐ+ー
ＧａＮ層６ａが積層されている。シリコンドープ量が多
いｎ伝導型の半導体層３ａにはアルミニウム製の電極パ
ッド７が接続され、マグネシウムドープ量が多いｐ伝導
型の半導体層６ａ（最上層）には金からなる透明電極８
を介して金製の電極パッド９が接続されている。
基づき、図面を参照しながら説明する。実施例の発光ダ
イオード１０は、図１に示すとおり、サファイア基板１
の上にＡｌＮ製のバッファ層２が形成されている。この
バッファ層２の上には、順に、層厚約４μmのシリコン
ドープトｎ+ーＧａＮ層３ａ、層厚約１μmのシリコンド
ープトｎーＧａＮ層３ｂ、超格子構造の発光層４、層厚
約１００ｎｍのマグネシウムドープトＡｌＧａＮ層５、
膜厚約２００ｎｍのマグネシウムドープトｐーＧａＮ層
６ｂ及び層厚約５０ｎｍのマグネシウムドープトｐ+ー
ＧａＮ層６ａが積層されている。シリコンドープ量が多
いｎ伝導型の半導体層３ａにはアルミニウム製の電極パ
ッド７が接続され、マグネシウムドープ量が多いｐ伝導
型の半導体層６ａ（最上層）には金からなる透明電極８
を介して金製の電極パッド９が接続されている。
【００１４】超格子構造の発光層４は、図２に示すとお
り、膜厚１ｎｍのバリア層４１と膜厚５ｎｍの量子井戸
層４２を順に積層した構成であり、この実施例では５層
の量子井戸層４２が形成されている。バリア層４１はノ
ンドープトＧａＮからなり、量子井戸層４２はノンドー
プトＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｎからなる。
り、膜厚１ｎｍのバリア層４１と膜厚５ｎｍの量子井戸
層４２を順に積層した構成であり、この実施例では５層
の量子井戸層４２が形成されている。バリア層４１はノ
ンドープトＧａＮからなり、量子井戸層４２はノンドー
プトＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｎからなる。
【００１５】上記の発光ダイオード１０は有機金属化合
物気相成長法（以下、「ＭＯＶＰＥ」と記す。）により
製造される。用いるガスは、ＮＨ3、キャリアガスとし
てのＨ2又はＮ2、トリメチルガリウム（Ｇａ（Ｃ
Ｈ3）3）（以下、「ＴＭＧ」と記す。）、トリメチルア
ルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）（以下、「ＴＭＡ」と記
す。）、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ3）3）（以
下、「ＴＭＩ」と記す。）、シラン（ＳｉＨ4）及びシ
クロペンタジエンマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5）2）
（以下、「ＣＰ2Ｍｇ」と記す。）である。
物気相成長法（以下、「ＭＯＶＰＥ」と記す。）により
製造される。用いるガスは、ＮＨ3、キャリアガスとし
てのＨ2又はＮ2、トリメチルガリウム（Ｇａ（Ｃ
Ｈ3）3）（以下、「ＴＭＧ」と記す。）、トリメチルア
ルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）（以下、「ＴＭＡ」と記
す。）、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ3）3）（以
下、「ＴＭＩ」と記す。）、シラン（ＳｉＨ4）及びシ
クロペンタジエンマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5）2）
（以下、「ＣＰ2Ｍｇ」と記す。）である。
【００１６】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
a面を主面とする単結晶サファイア基板１を周知のＭＯ
ＶＰＥ装置の反応室内のサセプタに装着した（例えば、
特公平５ー７３２５１号公報参照）。次に、常圧でH2を
流速２ liter/min で反応室に流しながら温度１１００
℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
a面を主面とする単結晶サファイア基板１を周知のＭＯ
ＶＰＥ装置の反応室内のサセプタに装着した（例えば、
特公平５ー７３２５１号公報参照）。次に、常圧でH2を
流速２ liter/min で反応室に流しながら温度１１００
℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
【００１７】次に、温度を４００℃まで低下させて、Ｈ
2を２０ liter/min、ＮＨ3を１０ liter/min、ＴＭＡを
１．８ X １０ー5 mol/min で供給してＡｌＮのバッファ
層２を約５０nmの厚さに形成した。次にサファイア基板
１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ2又はＮ2を１０ lit
er/min、ＮＨ3を７ liter/min、ＴＭＧを５．０ X １０
ー4 mol/min及びシランを４．２ X １０ー8 mol/minを導
入し、膜厚約４μmのシリコンドープトＧａＮからなる
高キャリア濃度ｎ+層３ａを形成した。
2を２０ liter/min、ＮＨ3を１０ liter/min、ＴＭＡを
１．８ X １０ー5 mol/min で供給してＡｌＮのバッファ
層２を約５０nmの厚さに形成した。次にサファイア基板
１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ2又はＮ2を１０ lit
er/min、ＮＨ3を７ liter/min、ＴＭＧを５．０ X １０
ー4 mol/min及びシランを４．２ X １０ー8 mol/minを導
入し、膜厚約４μmのシリコンドープトＧａＮからなる
高キャリア濃度ｎ+層３ａを形成した。
【００１８】高キャリア濃度ｎ+層３の形成に続いて、
サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ2又
はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を７ liter/min、ＴＭＧ
を５．０ X １０ー4 mol/min及びシランを２．０ X １０
ー8 mol/min導入し、膜厚約１μmのシリコンドープトＧ
ａＮからなる低キャリア濃度ｎ層３ｂを形成した。
サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ2又
はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を７ liter/min、ＴＭＧ
を５．０ X １０ー4 mol/min及びシランを２．０ X １０
ー8 mol/min導入し、膜厚約１μmのシリコンドープトＧ
ａＮからなる低キャリア濃度ｎ層３ｂを形成した。
【００１９】続いて、基板１の温度を７５０℃に保持
し、Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を１２ liter/
min、ＴＭＧを９．０ X １０ー6 mol/min導入し、膜厚約
１ｎｍのノンドープトＧａＮからなるバリア層４１を形
成した。引き続き、温度を７５０℃に保持し、Ｈ2又は
Ｎ2を１０ liter/min、ＮＨ3を１２ liter/min、ＴＭＧ
を９．０ X １０ー6 mol/min、ＴＭＩを１．２ X １０ー5
mol/min導入し、膜厚約５ｎｍのノンドープトＧａ0.5
Ｉｎ0.5Ｎからなる量子井戸層４２を形成した。この工
程を繰り返して、５層の量子井戸層４２を備えた発光層
４を形成した。
し、Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を１２ liter/
min、ＴＭＧを９．０ X １０ー6 mol/min導入し、膜厚約
１ｎｍのノンドープトＧａＮからなるバリア層４１を形
成した。引き続き、温度を７５０℃に保持し、Ｈ2又は
Ｎ2を１０ liter/min、ＮＨ3を１２ liter/min、ＴＭＧ
を９．０ X １０ー6 mol/min、ＴＭＩを１．２ X １０ー5
mol/min導入し、膜厚約５ｎｍのノンドープトＧａ0.5
Ｉｎ0.5Ｎからなる量子井戸層４２を形成した。この工
程を繰り返して、５層の量子井戸層４２を備えた発光層
４を形成した。
【００２０】次に、基板１の温度を１１００℃に保持
し、Ｈ2又はＮ2を２５ liter/min、ＮＨ3を１５ liter/
min、ＴＭＧを５．０ X １０ー5 mol/min、ＴＭＡを６．
０ X１０ー6 mol/min、ＣＰ2Ｍｇを３．０ X １０ー7 mol
/min導入して層厚約１００ｎｍのマグネシウムドープト
Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ層５を形成した。
し、Ｈ2又はＮ2を２５ liter/min、ＮＨ3を１５ liter/
min、ＴＭＧを５．０ X １０ー5 mol/min、ＴＭＡを６．
０ X１０ー6 mol/min、ＣＰ2Ｍｇを３．０ X １０ー7 mol
/min導入して層厚約１００ｎｍのマグネシウムドープト
Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ層５を形成した。
【００２１】続いて、基板の温度を１１００℃に保持
し、Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を７ liter/mi
n、ＴＭＧを０．２５ X １０ー4 mol/min、ＣＰ2Ｍｇを
７．０X １０ー9 mol/min導入し、膜厚約２００ｎｍのマ
グネシウムドープトｐーＧａＮ層６ｂを形成した。しか
し、この状態で層６ｂは高抵抗の半絶縁体である。
し、Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を７ liter/mi
n、ＴＭＧを０．２５ X １０ー4 mol/min、ＣＰ2Ｍｇを
７．０X １０ー9 mol/min導入し、膜厚約２００ｎｍのマ
グネシウムドープトｐーＧａＮ層６ｂを形成した。しか
し、この状態で層６ｂは高抵抗の半絶縁体である。
【００２２】更に、基板の温度を１１００℃に保持し、
Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を７ liter/min、
ＴＭＧを０．２５ X １０ー4 mol/min、ＣＰ2Ｍｇを２．
１ X１０ー8 mol/min導入し、膜厚約５０ｎｍのマグネシ
ウムドープトｐ+ーＧａＮ層６ａを形成した。しかし、
この状態で層６ａは高抵抗の半絶縁体である。
Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を７ liter/min、
ＴＭＧを０．２５ X １０ー4 mol/min、ＣＰ2Ｍｇを２．
１ X１０ー8 mol/min導入し、膜厚約５０ｎｍのマグネシ
ウムドープトｐ+ーＧａＮ層６ａを形成した。しかし、
この状態で層６ａは高抵抗の半絶縁体である。
【００２３】その後、電子線照射装置を用いて、層６ａ
及び６ｂへ一様に電子線を照射した。電子線の照射条件
は、加速電圧約１０ｋＶ、試料電流１μＡ、ビーム移動
速度０．２mm/sec、ビーム径６０μmΦ、真空度５．０
X １０ー5Torrである。このような電子線照射によって層
６ａ及び６ｂはそれぞれ所望のｐ+伝導型及びｐ伝導型
となる。
及び６ｂへ一様に電子線を照射した。電子線の照射条件
は、加速電圧約１０ｋＶ、試料電流１μＡ、ビーム移動
速度０．２mm/sec、ビーム径６０μmΦ、真空度５．０
X １０ー5Torrである。このような電子線照射によって層
６ａ及び６ｂはそれぞれ所望のｐ+伝導型及びｐ伝導型
となる。
【００２４】このようにして形成された半導体ウエハを
周知の方法でエッチングして、図１に示した半導体層構
成とした。そして、透明電極８を最上層６ａの上に蒸着
し、電極パッド７及び９を形成した。その後、図１の構
成の発光ダイオード１０を半導体ウエハから切り離し
た。
周知の方法でエッチングして、図１に示した半導体層構
成とした。そして、透明電極８を最上層６ａの上に蒸着
し、電極パッド７及び９を形成した。その後、図１の構
成の発光ダイオード１０を半導体ウエハから切り離し
た。
【００２５】このようにして得られた実施例の発光ダイ
オード１０は、常温下、２０ｍＡの印加電流に対し、２
ないし３ｃｄの光度が得られた。一方、バリア層の厚さ
を量子井戸層と同じ５ｎｍとし、他の部分の構成は全く
同一である比較例の発光ダイオードでは、２０ｍＡの印
加電流に対して、１ｃｄの光度しか得られなかった。
オード１０は、常温下、２０ｍＡの印加電流に対し、２
ないし３ｃｄの光度が得られた。一方、バリア層の厚さ
を量子井戸層と同じ５ｎｍとし、他の部分の構成は全く
同一である比較例の発光ダイオードでは、２０ｍＡの印
加電流に対して、１ｃｄの光度しか得られなかった。
【００２６】この発明は上記実施例の記載に何ら限定さ
れるものではなく、請求項の記載を逸脱しない範囲で、
当業者が予想できる各種の変形態様を含むものである。
れるものではなく、請求項の記載を逸脱しない範囲で、
当業者が予想できる各種の変形態様を含むものである。
【図１】図１はこの発明の実施例の発光ダイオードの断
面図である。図２は図１の部分拡大断面図である。
面図である。図２は図１の部分拡大断面図である。
３ａ、３ｂ ｎ伝導型の第１の半導体層 ４ 発光層 ６ａ、６ｂ ｐ伝導型の第２の半導体層 １０ 発光ダイオード ４１ バリア層 ４２ 量子井戸層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年９月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はこの発明の実施例の発光ダイオードの断
面図である。
面図である。
【図２】図２は図１の部分拡大断面図である。
【符号の説明】 ３ａ、３ｂ ｎ伝導型の第１の半導体層 ４ 発光層 ６ａ、６ｂ ｐ伝導型の第２の半導体層 １０ 発光ダイオード ４１ バリア層 ４２ 量子井戸層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 史郎 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 永井 誠二 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ３族窒化物半導体で形成される半導体発
光素子であって、 ｎ伝導型の第１の半導体層と、 ｐ伝導型の第２の半導体層と、 前記第１と第２の半導体層の間に設けられ、量子井戸層
と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し積層して
なる超格子構造の発光層と、を備えてなる半導体発光素
子。 - 【請求項２】 前記量子井戸層の層厚が１〜１０ｎｍで
あり、前記バリア層の層厚が０．２〜５ｎｍであること
を特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記発光層はＬＥＤとして発光すること
を特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20927196A JPH1041545A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20927196A JPH1041545A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041545A true JPH1041545A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16570189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20927196A Pending JPH1041545A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041545A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100887050B1 (ko) | 2007-12-06 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 소자 |
| US8008647B2 (en) | 2006-12-26 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride semiconductor device with superlattice active layer including barrier layers with different energy band gaps |
| JP2012243780A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びウェーハ |
| JP2012244154A (ja) * | 2012-01-23 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びウェーハ |
| CN102867895A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-09 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 一种有效提高led侧面出光的外延结构及其制造方法 |
| US8735935B2 (en) | 2007-04-23 | 2014-05-27 | Samsung Electronics Co., Ltd | Small size light emitting device and manufacturing method of the same |
| JP2016225525A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP20927196A patent/JPH1041545A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8008647B2 (en) | 2006-12-26 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride semiconductor device with superlattice active layer including barrier layers with different energy band gaps |
| US8735935B2 (en) | 2007-04-23 | 2014-05-27 | Samsung Electronics Co., Ltd | Small size light emitting device and manufacturing method of the same |
| KR100887050B1 (ko) | 2007-12-06 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 소자 |
| JP2012243780A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びウェーハ |
| US9142717B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and wafer |
| JP2012244154A (ja) * | 2012-01-23 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びウェーハ |
| CN102867895A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-09 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 一种有效提高led侧面出光的外延结构及其制造方法 |
| JP2016225525A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3304787B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| US5959401A (en) | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound | |
| US6423984B1 (en) | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor | |
| JP3304782B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4954536B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3780887B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| US5700713A (en) | Light emitting semiconductor device using group III nitride compound and method of producing the same | |
| US5889806A (en) | Group III nitride compound semiconductor laser diodes | |
| US5905276A (en) | Light emitting semiconductor device using nitrogen-Group III compound | |
| JPH1065215A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2001119102A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード | |
| JPH10145004A (ja) | ＧａＮ系発光素子 | |
| JP2006210692A (ja) | ３族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
| JP3341576B2 (ja) | ３族窒化物化合物半導体発光素子 | |
| JP3336855B2 (ja) | ３族窒化物化合物半導体発光素子 | |
| JPH1041545A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3741528B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体素子の製造方法 | |
| EP0675552B1 (en) | Light emitting semiconductor device using group III nitrogen compound | |
| JP2009224370A (ja) | 窒化物半導体デバイス | |
| JP3468644B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP4341623B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP3763701B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子 | |
| JP2803791B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH09186362A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2004006970A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20031031 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20031215 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050510 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050624 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050809 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050915 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051220 |