JP2696095B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法Info
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Description
【産業上の利用分野】 本発明は青色から紫外領域発光の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の製造方法に関する。
物半導体発光素子の製造方法に関する。
従来、青色の発光ダイオードとしてGaN系の化合物半
導体を用いたものが知られている。そのGaN系の化合物
半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと、
光の３原色の１つである青色を発光色とすること等から
注目されている。 このようなGaN系の化合物半導体を用いた発光ダイオ
ードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウム
から成るバッファ層を介在させて、ｎ導電型のGaN系の
化合物半導体から成るｎ層を成長させ、そのｎ層の上に
ｐ型不純物を添加したGaN系の化合物半導体から成る層
を成長させた構造をとっている（特開昭62−119196号公
報、特開昭63−188977号公報）。 さらに、特開昭59−228776号公報に記載されているよ
うに、AlGaN半導体を用いたシングルヘテロ接合又はダ
ブルヘテロのN+NP、N+PP、PNN+、P+PN+構造を有する発
光素子が知られている。
導体を用いたものが知られている。そのGaN系の化合物
半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと、
光の３原色の１つである青色を発光色とすること等から
注目されている。 このようなGaN系の化合物半導体を用いた発光ダイオ
ードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウム
から成るバッファ層を介在させて、ｎ導電型のGaN系の
化合物半導体から成るｎ層を成長させ、そのｎ層の上に
ｐ型不純物を添加したGaN系の化合物半導体から成る層
を成長させた構造をとっている（特開昭62−119196号公
報、特開昭63−188977号公報）。 さらに、特開昭59−228776号公報に記載されているよ
うに、AlGaN半導体を用いたシングルヘテロ接合又はダ
ブルヘテロのN+NP、N+PP、PNN+、P+PN+構造を有する発
光素子が知られている。
しかし、上記構造の発光ダイオードの発光強度は未だ
十分ではなく、改良が望まれている。 又、窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型の不純物を
ドーピングしても、低抵抗率のｐ型導電性が得られなか
った。 本発明者らは、研究を重ねた結果、窒化ガリウム系化
合物半導体において、ｐ導電型の半導体を得ることに成
功した。 この結果、発光効率の高いpn接合を実現することが可
能となった。 しかしながら、同一面側から、ｐ層及びｎ層の電極を
取り出す構造とする場合には、ｐ層が導電性の半導体で
あるため、一方の層の電極を他方の層に対して電気的に
絶縁することが必要になった。 本発明は、この問題を解決するものであり、窒化ガリ
ウム系化合物半導体の新規なpn接合と電極の取り出し構
造を有した発光素子を実現することにより、動作電圧の
低下と青色の発光強度を向上させることを目的としてい
る。
十分ではなく、改良が望まれている。 又、窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型の不純物を
ドーピングしても、低抵抗率のｐ型導電性が得られなか
った。 本発明者らは、研究を重ねた結果、窒化ガリウム系化
合物半導体において、ｐ導電型の半導体を得ることに成
功した。 この結果、発光効率の高いpn接合を実現することが可
能となった。 しかしながら、同一面側から、ｐ層及びｎ層の電極を
取り出す構造とする場合には、ｐ層が導電性の半導体で
あるため、一方の層の電極を他方の層に対して電気的に
絶縁することが必要になった。 本発明は、この問題を解決するものであり、窒化ガリ
ウム系化合物半導体の新規なpn接合と電極の取り出し構
造を有した発光素子を実現することにより、動作電圧の
低下と青色の発光強度を向上させることを目的としてい
る。
本発明は、基板上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体から
なるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、 最上層から下層のｎ層までドライエッチングしてｎ層を
露出させた後、アルゴン（Ar）ガスでその露出面をドラ
イエッチングし、そのエッチング面に電極を形成するこ
とを特徴とする。 又、他の特徴は、最初のドライエッチングは、高周波
電力の印加された塩素又はフッ素を含むガスで行うこと
を特徴とする。 尚、ｐ層のドーピング元素は、例えば、マグネシウム
（Mg）である。Mgをドーピングした層に電子線を照射す
ることで、低抵抗のｐ型に変化させることができる。電
子線の照射条件としては、一例であるが、加速電圧1KV
〜50KV、試料電流0.1μＡ〜1mAである。
体から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体から
なるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、 最上層から下層のｎ層までドライエッチングしてｎ層を
露出させた後、アルゴン（Ar）ガスでその露出面をドラ
イエッチングし、そのエッチング面に電極を形成するこ
とを特徴とする。 又、他の特徴は、最初のドライエッチングは、高周波
電力の印加された塩素又はフッ素を含むガスで行うこと
を特徴とする。 尚、ｐ層のドーピング元素は、例えば、マグネシウム
（Mg）である。Mgをドーピングした層に電子線を照射す
ることで、低抵抗のｐ型に変化させることができる。電
子線の照射条件としては、一例であるが、加速電圧1KV
〜50KV、試料電流0.1μＡ〜1mAである。
上記のように、pn接合が実現できたので、動作電圧を
低下させることができ発光効率及び発光輝度を向上させ
ることができた。又、上記のように、最上層から下層の
ｎ層までドライエッチングしてｎ層を露出させたので、
下層の電極を上層に対して電気的に絶縁分離することが
できた。 このような、構造をとることで、pn接合を有し、上層
に両電極の形成されたバンプ接合（フェースダウン）の
発光素子が実現できた。 又、電極形成表面をドライエッチング後にArでエッチ
ングしたので、オーミック性が向上した。
低下させることができ発光効率及び発光輝度を向上させ
ることができた。又、上記のように、最上層から下層の
ｎ層までドライエッチングしてｎ層を露出させたので、
下層の電極を上層に対して電気的に絶縁分離することが
できた。 このような、構造をとることで、pn接合を有し、上層
に両電極の形成されたバンプ接合（フェースダウン）の
発光素子が実現できた。 又、電極形成表面をドライエッチング後にArでエッチ
ングしたので、オーミック性が向上した。
以下、本発明の具体的な実施例に基づいて説明する。 第１図において、発光ダイオード10は、サファイア基
板１を有しており、そのサファイア基板１に500ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2μｍのGaNから成る高キャリア
濃度n+層３と膜厚約1.5μｍのGaNから成る低キャリア濃
度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃度ｎ層
４の上に膜厚約0.2μｍのGaNから成るｐ層５が形成され
ている。そして、ｐ層５に接続するアルミニウムで形成
された電極７と高キャリア濃度n+層３に接続するアルミ
ニウムで形成された電極８とが形成されている。電極８
と電極７とは、溝９により電気的に絶縁分離されてい
る。 次に、この構造の発光ダイオード10の製造方法につい
て説明する。 上記発光ダイオード10は、有機金属化合物気相成長法
（以下「MOVPE」と記す）による気相成長により製造さ
れた。 用いられたガスは、NH3とキャリアガスH2とトリメチ
ルガリウム（Ga（CH3）３）（以下「TMG」と記す）とト
リメチルアルミニウム（Al（CH3）３）（以下「TMA」と
記す）とシラン（SiH4）とシクロペンタジエニルマグネ
シウム（Mg（C5H5）２）（以下「CP2Mg」と記す）であ
る。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面を主面
とする単結晶のサファイア基板１をMOVPE装置の反応室
に載置されたサセプタに装着する。 次に、常圧でH2を流速２／分で反応室に流しながら
温度1100℃でサファイア基板１を気相エッチングした。 次に、温度を400℃まで低下させて、H2を20／分、N
H3を10／分、TMAを1.8×10-5モル／分で供給してAlN
のバッファ層２が約500Åの厚さに形成された。 次に、サファイア基板１の温度を1150℃に保持し、H2
を20／分、NH3を10／分、TMGを1.7×10-4モル／
分、H2で0.86ppmまで希釈したシラン（SiH4）を200ml/
分の割合で30分間供給し、膜厚約2.2μｍ、キャリア濃
度1.5×1018/cm3のGaNから成る高キャリア濃度n+層３を
形成した。 続いて、サファイア基板１の温度を1150℃に保持し、
H2を20／分、NH3を10／分、TMGを1.7×10-4モル／
分の割合で20分間供給し、膜厚約1.5μｍ、キャリア濃
度１×1015/cm3のGaNから成る低キャリア濃度ｎ層４を
形成した。 次に、サファイア基板１を900℃にして、H2を20／
分、NH3を10／分、TMGを1.7×10-4モル／分、CP2Mgを
３×10-6モル／分の割合で３分間供給して、膜厚0.2μ
ｍのGaNから成る層５を形成した。この状態では、層５
は絶縁体である。 次に、反射電子線回析装置を用いて、この層５に一様
に電子線を照射した。電子線の照射条件は、加速電圧10
KV、試料電流１μＡ、ビームの移動速度0.2mm/sec、ビ
ーム径60μｍφ、真空度2.1×10-5Torrである。この電
子線の照射により、層５は抵抗率は108Ωcm以上の絶縁
体から抵抗率40Ωcmの低抵抗のｐ導電型半導体となっ
た。このようにして、ｐ導電型を示すｐ層５が得られ
る。 このようにして、第２図に示すような多層構造のウエ
ハが得られた。 以下に述べられる第３図から第７図は、ウエハ上の１
つの素子のみを示す断面図であり、実際は、この素子が
連続的に繰り返されたウエハについて、処理が行われ、
その後、各素子毎に切断される。 第３図に示すように、ｐ層５の上に、スパッタリング
によりSiO2層11を2000Åの厚さに形成した。次に、その
SiO2層11上にフォトレジスト12を塗布した。そして、フ
ォトリソグラフにより、ｐ層５をおいて、高キャリア濃
度n+層３に至るように形成される孔15に対応する電極形
成部位Ａとその電極形成部をｐ層５の電極と絶縁分離す
る溝９を形成する部位Ｂのフォトレジストを除去した。 次に、第４図に示すように、フォトレジスト12によっ
て覆われていないSiO2層11をフッ化水素酸系エッチング
液で除去した。 次に、第５図に示すように、フォトレジスト12及びSi
O2層11によって覆われていない部位のｐ層５とその下の
低キャリア濃度ｎ層４と高キャリア濃度n+層３の上面一
部を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2、CCl2F2
ガスを10ml/分の割合で供給しドライエッチングした
後、Arでドライエッチングした。この工程で、高キャリ
ア濃度n+層３に対する電極取出しのための孔15と絶縁分
離のための溝９が形成された。 次に、第６図に示すように、ｐ層５上に残っているSi
O2層11をフッ化水素酸で除去した。 次に、第７図に示すように、試料の上全面に、Al層13
を蒸着により形成した。これにより、孔15には、高キャ
リア濃度n+層３に電気的に接続されたAl層13が形成され
る。 そして、そのAl層13の上にフォトレジスト14を塗布し
て、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト14が
高キャリア濃度n+層３及びｐ層５に対する電極部が残る
ように、所定形状にパターン形成した。 次に、第７図に示すようにそのフォトレジスト14をマ
スクとして下層のAl層13の露出部を硝酸系エッチング液
でエッチングした。この時、絶縁分離のための溝９に蒸
着されたAl層13は、完全に除去される。次に、フォトレ
ジスト14をアセトンで除去し、高キャリア濃度n+層３の
電極８、ｐ層５の電極７が残された。 その後、上記の如く処理されたウエハは、各素子毎に
切断され、第１図に示すpn構造の窒化ガリウム系発光素
子を得た。 このようにして製造された発光ダイオード10の発光強
度を測定したところ10mcdであった。これは、単純に低
抵抗率ｐ型化の処理をしない層とキャリア濃度５×1017
/cm3、厚さ４μｍのｎ層とを接続した従来の発光ダイオ
ードに比べて、発光強度が10倍に向上した。 更に、低抵抗率ｐ型化の処理をしない層を使用したと
きの駆動電圧（10mA）が10〜15Vとばらついたのが低抵
抗率化されたｐ層の導入により7V程度と低くなり、ばら
つきも少なくなった。 又、発光面を観察した所、発光点の数が増加している
ことも観察された。 尚、比較のために、低キャリア濃度ｎ層４のキャリア
濃度を各種変化させた上記試料を製造して、発光強度及
び発光スペクトラムを測定した。その結果を、第８図に
示す。 尚、上記実施例で用いたマグネシウムMgのドーピング
ガスは、上述のガスの他、メチルシクロペンタジエニル
マグネシウムMg（C5H5）CH3を用いても良い。 又、上記実施例では、ｎ層を高キャリア濃度n+層３と
低キャリア濃度ｎ層４の二重層構造としたが、単層のｎ
層で構成しても良い。 二重層構造にすると、単層ｎ層の場合に比べて発光輝
度が向上した。 又、二重層構造の場合には、上記低キャリア濃度ｎ層
４のキャリア濃度は１×1014〜１×1017/cm3で膜厚は0.
5〜２μｍが望ましい。キャリア濃度が１×1017/cm3以
上となると発光強度が低下するので望ましくなく、１×
1014/cm3以下となると発光素子の直列抵抗が高くなりす
ぎ電流を流すと発熱するので望ましくない。又、膜厚が
２μｍ以上となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ
電流を流すと発熱するので望ましくなく、膜厚が0.5μ
ｍ以下となると発光強度が低下するので望ましくない。 更に、高キャリア濃度n+層３のキャリア濃度は１×10
17〜１×1019/cm3で膜厚は２〜10μｍが望ましい。キャ
リア濃度が１×1019/cm3以上となると結晶性が悪化する
ので望ましくなく、１×1017/cm3以下となると発光素子
の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するので望
ましくない。又、膜厚が10μｍ以上となると基板が湾曲
するので望ましくなく、膜厚が２μｍ以下となると発光
素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するの
で望ましくない。
板１を有しており、そのサファイア基板１に500ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2μｍのGaNから成る高キャリア
濃度n+層３と膜厚約1.5μｍのGaNから成る低キャリア濃
度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃度ｎ層
４の上に膜厚約0.2μｍのGaNから成るｐ層５が形成され
ている。そして、ｐ層５に接続するアルミニウムで形成
された電極７と高キャリア濃度n+層３に接続するアルミ
ニウムで形成された電極８とが形成されている。電極８
と電極７とは、溝９により電気的に絶縁分離されてい
る。 次に、この構造の発光ダイオード10の製造方法につい
て説明する。 上記発光ダイオード10は、有機金属化合物気相成長法
（以下「MOVPE」と記す）による気相成長により製造さ
れた。 用いられたガスは、NH3とキャリアガスH2とトリメチ
ルガリウム（Ga（CH3）３）（以下「TMG」と記す）とト
リメチルアルミニウム（Al（CH3）３）（以下「TMA」と
記す）とシラン（SiH4）とシクロペンタジエニルマグネ
シウム（Mg（C5H5）２）（以下「CP2Mg」と記す）であ
る。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面を主面
とする単結晶のサファイア基板１をMOVPE装置の反応室
に載置されたサセプタに装着する。 次に、常圧でH2を流速２／分で反応室に流しながら
温度1100℃でサファイア基板１を気相エッチングした。 次に、温度を400℃まで低下させて、H2を20／分、N
H3を10／分、TMAを1.8×10-5モル／分で供給してAlN
のバッファ層２が約500Åの厚さに形成された。 次に、サファイア基板１の温度を1150℃に保持し、H2
を20／分、NH3を10／分、TMGを1.7×10-4モル／
分、H2で0.86ppmまで希釈したシラン（SiH4）を200ml/
分の割合で30分間供給し、膜厚約2.2μｍ、キャリア濃
度1.5×1018/cm3のGaNから成る高キャリア濃度n+層３を
形成した。 続いて、サファイア基板１の温度を1150℃に保持し、
H2を20／分、NH3を10／分、TMGを1.7×10-4モル／
分の割合で20分間供給し、膜厚約1.5μｍ、キャリア濃
度１×1015/cm3のGaNから成る低キャリア濃度ｎ層４を
形成した。 次に、サファイア基板１を900℃にして、H2を20／
分、NH3を10／分、TMGを1.7×10-4モル／分、CP2Mgを
３×10-6モル／分の割合で３分間供給して、膜厚0.2μ
ｍのGaNから成る層５を形成した。この状態では、層５
は絶縁体である。 次に、反射電子線回析装置を用いて、この層５に一様
に電子線を照射した。電子線の照射条件は、加速電圧10
KV、試料電流１μＡ、ビームの移動速度0.2mm/sec、ビ
ーム径60μｍφ、真空度2.1×10-5Torrである。この電
子線の照射により、層５は抵抗率は108Ωcm以上の絶縁
体から抵抗率40Ωcmの低抵抗のｐ導電型半導体となっ
た。このようにして、ｐ導電型を示すｐ層５が得られ
る。 このようにして、第２図に示すような多層構造のウエ
ハが得られた。 以下に述べられる第３図から第７図は、ウエハ上の１
つの素子のみを示す断面図であり、実際は、この素子が
連続的に繰り返されたウエハについて、処理が行われ、
その後、各素子毎に切断される。 第３図に示すように、ｐ層５の上に、スパッタリング
によりSiO2層11を2000Åの厚さに形成した。次に、その
SiO2層11上にフォトレジスト12を塗布した。そして、フ
ォトリソグラフにより、ｐ層５をおいて、高キャリア濃
度n+層３に至るように形成される孔15に対応する電極形
成部位Ａとその電極形成部をｐ層５の電極と絶縁分離す
る溝９を形成する部位Ｂのフォトレジストを除去した。 次に、第４図に示すように、フォトレジスト12によっ
て覆われていないSiO2層11をフッ化水素酸系エッチング
液で除去した。 次に、第５図に示すように、フォトレジスト12及びSi
O2層11によって覆われていない部位のｐ層５とその下の
低キャリア濃度ｎ層４と高キャリア濃度n+層３の上面一
部を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2、CCl2F2
ガスを10ml/分の割合で供給しドライエッチングした
後、Arでドライエッチングした。この工程で、高キャリ
ア濃度n+層３に対する電極取出しのための孔15と絶縁分
離のための溝９が形成された。 次に、第６図に示すように、ｐ層５上に残っているSi
O2層11をフッ化水素酸で除去した。 次に、第７図に示すように、試料の上全面に、Al層13
を蒸着により形成した。これにより、孔15には、高キャ
リア濃度n+層３に電気的に接続されたAl層13が形成され
る。 そして、そのAl層13の上にフォトレジスト14を塗布し
て、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト14が
高キャリア濃度n+層３及びｐ層５に対する電極部が残る
ように、所定形状にパターン形成した。 次に、第７図に示すようにそのフォトレジスト14をマ
スクとして下層のAl層13の露出部を硝酸系エッチング液
でエッチングした。この時、絶縁分離のための溝９に蒸
着されたAl層13は、完全に除去される。次に、フォトレ
ジスト14をアセトンで除去し、高キャリア濃度n+層３の
電極８、ｐ層５の電極７が残された。 その後、上記の如く処理されたウエハは、各素子毎に
切断され、第１図に示すpn構造の窒化ガリウム系発光素
子を得た。 このようにして製造された発光ダイオード10の発光強
度を測定したところ10mcdであった。これは、単純に低
抵抗率ｐ型化の処理をしない層とキャリア濃度５×1017
/cm3、厚さ４μｍのｎ層とを接続した従来の発光ダイオ
ードに比べて、発光強度が10倍に向上した。 更に、低抵抗率ｐ型化の処理をしない層を使用したと
きの駆動電圧（10mA）が10〜15Vとばらついたのが低抵
抗率化されたｐ層の導入により7V程度と低くなり、ばら
つきも少なくなった。 又、発光面を観察した所、発光点の数が増加している
ことも観察された。 尚、比較のために、低キャリア濃度ｎ層４のキャリア
濃度を各種変化させた上記試料を製造して、発光強度及
び発光スペクトラムを測定した。その結果を、第８図に
示す。 尚、上記実施例で用いたマグネシウムMgのドーピング
ガスは、上述のガスの他、メチルシクロペンタジエニル
マグネシウムMg（C5H5）CH3を用いても良い。 又、上記実施例では、ｎ層を高キャリア濃度n+層３と
低キャリア濃度ｎ層４の二重層構造としたが、単層のｎ
層で構成しても良い。 二重層構造にすると、単層ｎ層の場合に比べて発光輝
度が向上した。 又、二重層構造の場合には、上記低キャリア濃度ｎ層
４のキャリア濃度は１×1014〜１×1017/cm3で膜厚は0.
5〜２μｍが望ましい。キャリア濃度が１×1017/cm3以
上となると発光強度が低下するので望ましくなく、１×
1014/cm3以下となると発光素子の直列抵抗が高くなりす
ぎ電流を流すと発熱するので望ましくない。又、膜厚が
２μｍ以上となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ
電流を流すと発熱するので望ましくなく、膜厚が0.5μ
ｍ以下となると発光強度が低下するので望ましくない。 更に、高キャリア濃度n+層３のキャリア濃度は１×10
17〜１×1019/cm3で膜厚は２〜10μｍが望ましい。キャ
リア濃度が１×1019/cm3以上となると結晶性が悪化する
ので望ましくなく、１×1017/cm3以下となると発光素子
の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するので望
ましくない。又、膜厚が10μｍ以上となると基板が湾曲
するので望ましくなく、膜厚が２μｍ以下となると発光
素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するの
で望ましくない。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドの構成を示した構成図、第２図乃至第７図は同実施例
の発光ダイオードの製造工程を示した断面図、第８図は
低キャリア濃度ｎ層のキャリア濃度と発光強度及び発光
波長との関係を示した測定図である。 10……発光ダイオード １……サファイア基板 ２……バッファ層 ３……高キャリア濃度n+層 ４……低キャリア濃度ｎ層 ５……ｐ層 7,8……電極 ９……溝、15……孔
ドの構成を示した構成図、第２図乃至第７図は同実施例
の発光ダイオードの製造工程を示した断面図、第８図は
低キャリア濃度ｎ層のキャリア濃度と発光強度及び発光
波長との関係を示した測定図である。 10……発光ダイオード １……サファイア基板 ２……バッファ層 ３……高キャリア濃度n+層 ４……低キャリア濃度ｎ層 ５……ｐ層 7,8……電極 ９……溝、15……孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤崎 勇 愛知県名古屋市千種区不老町（番地な し） 名古屋大学内 (72)発明者 天野 浩 愛知県名古屋市千種区不老町（番地な し） 名古屋大学内
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体から
なるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、 最上層から下層の前記ｎ層までドライエッチングして前
記ｎ層を露出させた後、アルゴン（Ar）ガスでその露出
面をドライエッチングし、そのエッチング面に電極を形
成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子の製造方法。 - 【請求項２】前記最初のドライエッチングは、高周波電
力の印加された塩素又はフッ素を含むガスで行うことを
特徴とする請求項１の窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29005890A JP2696095B2 (ja) | 1990-10-27 | 1990-10-27 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
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