JP2657743B2 - 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒素−３族元素化合物半導体発光素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は青色発光の窒素−３族元
素化合物半導体発光素子に関する。
素化合物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、青色の発光ダイオードとしてGaN 系
の化合物半導体を用いたものが知られている。そのGaN
系の化合物半導体は直接遷移型であることから発光効率
が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色とす
ること等から注目されている。
の化合物半導体を用いたものが知られている。そのGaN
系の化合物半導体は直接遷移型であることから発光効率
が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色とす
ること等から注目されている。
【０００３】最近、GaN においても、Mgを添加して電子
線を照射することによりｐ型のGaNが得られることが明
らかとなった。この結果、従来のｎ層と半絶縁層との接
合に換えてＰＮ接合を有するGaN 発光ダイオードが提案
されている。
線を照射することによりｐ型のGaNが得られることが明
らかとなった。この結果、従来のｎ層と半絶縁層との接
合に換えてＰＮ接合を有するGaN 発光ダイオードが提案
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のＰＮ接
合を有する発光ダイオードの発光波長は、約430nm と、
光の３原色となる青色の波長よりやや短波長であるとい
う問題がある。そこで、本発明の目的は、窒素−３族元
素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含
む) 発光ダイオードの発光色をより青色に近づけること
である。
合を有する発光ダイオードの発光波長は、約430nm と、
光の３原色となる青色の波長よりやや短波長であるとい
う問題がある。そこで、本発明の目的は、窒素−３族元
素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含
む) 発光ダイオードの発光色をより青色に近づけること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の特徴は、
ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=
0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３
族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を
含む) からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半
導体発光素子において、ｎ層とｐ層との間にZnを濃度 1
×10 19 〜 1×10 21 ／cm 3 範囲で添加した窒素−３族元素
化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む)
からなる亜鉛(Zn)添加層を設けたことである。Zn濃度が
1×1021／cm3 以上となると結晶性が悪化するため望ま
しくなく、 1×1019／cm3 以下となると発光強度が低下
するので望ましくない。
ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=
0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３
族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を
含む) からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半
導体発光素子において、ｎ層とｐ層との間にZnを濃度 1
×10 19 〜 1×10 21 ／cm 3 範囲で添加した窒素−３族元素
化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む)
からなる亜鉛(Zn)添加層を設けたことである。Zn濃度が
1×1021／cm3 以上となると結晶性が悪化するため望ま
しくなく、 1×1019／cm3 以下となると発光強度が低下
するので望ましくない。
【０００６】第２の特徴は、ｎ型の窒素−３族元素化合
物半導体(Al x Ga Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から
なるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体(Al x Ga
Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) からなるｐ層とを有
する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、 ｎ
層とｐ層との間にZnを添加した窒素−インジウム３族元
素化合物半導体(Al x Ga Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=0 を含
み、X+Y ＜１）からなる亜鉛(Zn)添加層を設けたことで
ある。第３の特徴は、第２の特徴において、亜鉛(Zn)添
加層のZn濃度を、 1×1019〜1×1021／cm3 としたこと
である。濃度範囲の意義は第１の特徴と同一である。第
４の特徴は、ｐ層は半絶縁性の層の一部をｐ型活性化し
た層であることであり、第５の特徴は、ｎ層は前記亜鉛
(Zn)添加層に接合する低キャリア濃度ｎ層とその低キャ
リア濃度ｎ層に接合する高キャリア濃度ｎ+ 層の二重層
としたことである。第６の特徴は、低キャリア濃度ｎ層
のキャリア濃度は 1×1014〜 1×1017／cm3 、高キャリ
ア濃度ｎ+ 層のキャリア濃度は 1×1017〜 1×1019／cm
3 としたこであり、第７の特徴は、低キャリア濃度ｎ層
は０．５〜２．０μｍ、高キャリア濃度ｎ+ 層は２．０
〜１０．０μｍの厚さを有することである。さらに、第
８の特徴は、亜鉛(Zn)添加層の厚さを、20〜3000Åとし
たことである。20Åよりも薄いと亜鉛(Zn)添加層での発
光輝度が小さい。又、3000Åよりも厚いとｐ層に注入さ
れる電子濃度が減少するので望ましくない。
物半導体(Al x Ga Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から
なるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体(Al x Ga
Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) からなるｐ層とを有
する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、 ｎ
層とｐ層との間にZnを添加した窒素−インジウム３族元
素化合物半導体(Al x Ga Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=0 を含
み、X+Y ＜１）からなる亜鉛(Zn)添加層を設けたことで
ある。第３の特徴は、第２の特徴において、亜鉛(Zn)添
加層のZn濃度を、 1×1019〜1×1021／cm3 としたこと
である。濃度範囲の意義は第１の特徴と同一である。第
４の特徴は、ｐ層は半絶縁性の層の一部をｐ型活性化し
た層であることであり、第５の特徴は、ｎ層は前記亜鉛
(Zn)添加層に接合する低キャリア濃度ｎ層とその低キャ
リア濃度ｎ層に接合する高キャリア濃度ｎ+ 層の二重層
としたことである。第６の特徴は、低キャリア濃度ｎ層
のキャリア濃度は 1×1014〜 1×1017／cm3 、高キャリ
ア濃度ｎ+ 層のキャリア濃度は 1×1017〜 1×1019／cm
3 としたこであり、第７の特徴は、低キャリア濃度ｎ層
は０．５〜２．０μｍ、高キャリア濃度ｎ+ 層は２．０
〜１０．０μｍの厚さを有することである。さらに、第
８の特徴は、亜鉛(Zn)添加層の厚さを、20〜3000Åとし
たことである。20Åよりも薄いと亜鉛(Zn)添加層での発
光輝度が小さい。又、3000Åよりも厚いとｐ層に注入さ
れる電子濃度が減少するので望ましくない。
【０００７】
【発明の作用及び効果】請求項１の発明は、ｎ層とｐ層
との間にZnを濃度 1×10 19 〜 1×10 21 ／cm 3 範 囲で添加
した窒素−３族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,
Y=0,X=Y=0 を含む) からなる亜鉛(Zn)添加層を設けたこ
とを特徴とする。よって、ｐ層をｎ層に対して正電位と
なるように電圧を印加することで、ｎ層と亜鉛(Zn)添加
層との接合部及び亜鉛(Zn)添加層でピーク波長492nm の
発光が得られ、亜鉛(Zn)添加層とｐ層との接合部でピー
ク波長430nm の発光が得られた。よって、全体として長
波長成分を増加させることができ、発光色を青色とする
ことができた。請求項２の発明は、ｎ層とｐ層との間に
Znを添加した窒素−インジウム３族元素化合物半導体(A
l x Ga Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=0 を含み、X+Y ＜１）から
なる亜鉛(Zn)添加層を設けた。この構成により同様に長
波長成分を増加させることができ、発光色を青色とする
ことができた。 請求項３の発明は、請求項２の発明にお
いて、Znを濃度 1×10 19 〜 1×10 21 ／cm 3 範囲とするこ
とで、より青色発光を得ることができた。 請求項４の発
明では、素子一部をｐ型化する構成により絶縁分離が可
能となる。 請求項５の発明では、ｎ層をキャリア濃度の
異なる二重構造とすることで、発光輝度を向上させるこ
とができた。 請求項６の発明では、低キャリア濃度ｎ層
のキャリア濃度を 1×10 14 〜 1×10 17 ／cm 3 、高キャリ
ア濃度ｎ + 層のキャリア濃度を 1×10 17 〜 1×10 19 ／cm
3 とすることで、良結晶性を得ることができ、直列抵抗
を低下させることができることで、発光輝度が向上し
た。 請求項７の発明では、低キャリア濃度ｎ層を０．５
〜２．０μｍとすることで、直列抵抗が低下し、高い発
光強度を得ることができ、高キャリア濃度ｎ + 層を２．
０〜１０．０μｍの厚さとすることで、直列抵抗が低下
し、基板の湾曲を抑制することができた。 請求項８の発
明では、亜鉛(Zn)添加層の厚さを20〜3000Åとすること
で、発光輝度を向上させることができた。
との間にZnを濃度 1×10 19 〜 1×10 21 ／cm 3 範 囲で添加
した窒素−３族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,
Y=0,X=Y=0 を含む) からなる亜鉛(Zn)添加層を設けたこ
とを特徴とする。よって、ｐ層をｎ層に対して正電位と
なるように電圧を印加することで、ｎ層と亜鉛(Zn)添加
層との接合部及び亜鉛(Zn)添加層でピーク波長492nm の
発光が得られ、亜鉛(Zn)添加層とｐ層との接合部でピー
ク波長430nm の発光が得られた。よって、全体として長
波長成分を増加させることができ、発光色を青色とする
ことができた。請求項２の発明は、ｎ層とｐ層との間に
Znを添加した窒素−インジウム３族元素化合物半導体(A
l x Ga Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=0 を含み、X+Y ＜１）から
なる亜鉛(Zn)添加層を設けた。この構成により同様に長
波長成分を増加させることができ、発光色を青色とする
ことができた。 請求項３の発明は、請求項２の発明にお
いて、Znを濃度 1×10 19 〜 1×10 21 ／cm 3 範囲とするこ
とで、より青色発光を得ることができた。 請求項４の発
明では、素子一部をｐ型化する構成により絶縁分離が可
能となる。 請求項５の発明では、ｎ層をキャリア濃度の
異なる二重構造とすることで、発光輝度を向上させるこ
とができた。 請求項６の発明では、低キャリア濃度ｎ層
のキャリア濃度を 1×10 14 〜 1×10 17 ／cm 3 、高キャリ
ア濃度ｎ + 層のキャリア濃度を 1×10 17 〜 1×10 19 ／cm
3 とすることで、良結晶性を得ることができ、直列抵抗
を低下させることができることで、発光輝度が向上し
た。 請求項７の発明では、低キャリア濃度ｎ層を０．５
〜２．０μｍとすることで、直列抵抗が低下し、高い発
光強度を得ることができ、高キャリア濃度ｎ + 層を２．
０〜１０．０μｍの厚さとすることで、直列抵抗が低下
し、基板の湾曲を抑制することができた。 請求項８の発
明では、亜鉛(Zn)添加層の厚さを20〜3000Åとすること
で、発光輝度を向上させることができた。
【０００８】
【実施例】〔第１実施例〕 図１において、発光ダイオード１０は、サファイア基板
１を有しており、そのサファイア基板１に500 ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2 μｍのGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３と膜厚約 1.5μｍのGaN から成る低キャ
リア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃
度ｎ層４の上に膜厚約400 ÅのGaN から成る亜鉛(Zn)添
加層６が形成されており、その亜鉛(Zn)添加層６の上に
0.2 μｍから成るｐ層５が形成されている。そして、ｐ
層５に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キ
ャリア濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成され
た電極８とが形成されている。電極８と電極７とは、溝
９により電気的に絶縁分離されている。
１を有しており、そのサファイア基板１に500 ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2 μｍのGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３と膜厚約 1.5μｍのGaN から成る低キャ
リア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃
度ｎ層４の上に膜厚約400 ÅのGaN から成る亜鉛(Zn)添
加層６が形成されており、その亜鉛(Zn)添加層６の上に
0.2 μｍから成るｐ層５が形成されている。そして、ｐ
層５に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キ
ャリア濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成され
た電極８とが形成されている。電極８と電極７とは、溝
９により電気的に絶縁分離されている。
【０００９】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2とトリメチルガリウム(Ga(CH3)3)
（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とシラン(SiH4)とビス
シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以下
「CP2Mg 」と記す）とジエチル亜鉛( 以下「DEZ 」と記
す) である。
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2とトリメチルガリウム(Ga(CH3)3)
（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とシラン(SiH4)とビス
シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以下
「CP2Mg 」と記す）とジエチル亜鉛( 以下「DEZ 」と記
す) である。
【００１０】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
Ａ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常
圧でH2を流速2 liter/分で反応室に流しながら温度1100
℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
Ａ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常
圧でH2を流速2 liter/分で反応室に流しながら温度1100
℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
【００１１】次に、温度を 400℃まで低下させて、H2を
20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を1150
℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、
TMG を 1.7×10-4モル／分、H2で0.86ppm まで希釈した
シラン(SiH4)を 200 ml/分の割合で30分間供給し、膜厚
約 2.2μｍ、キャリア濃度 1.5×1018/cm3のGaN から成
る高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した。
20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を1150
℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、
TMG を 1.7×10-4モル／分、H2で0.86ppm まで希釈した
シラン(SiH4)を 200 ml/分の割合で30分間供給し、膜厚
約 2.2μｍ、キャリア濃度 1.5×1018/cm3のGaN から成
る高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した。
【００１２】続いて、サファイア基板１の温度を1150℃
に保持し、H2を20 liter／分、NH3を10 liter／分、TMG
を1.7 ×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚約
1.5μｍ、キャリア濃度 1×1015/ cm3 のGaN から成る
低キャリア濃度ｎ層４を形成した。
に保持し、H2を20 liter／分、NH3を10 liter／分、TMG
を1.7 ×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚約
1.5μｍ、キャリア濃度 1×1015/ cm3 のGaN から成る
低キャリア濃度ｎ層４を形成した。
【００１３】次に、サファイア基板１を 900℃にして、
Ｈ2 を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、DEZ を1.5 ×10-4モル／分の割合で0.
5 分間供給して、膜厚400 ÅのGaN から成るZn濃度 3×
1020/ cm3 の亜鉛(Zn)添加層６を形成した。
Ｈ2 を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、DEZ を1.5 ×10-4モル／分の割合で0.
5 分間供給して、膜厚400 ÅのGaN から成るZn濃度 3×
1020/ cm3 の亜鉛(Zn)添加層６を形成した。
【００１４】次に、サファイア基板１を 900℃にして、
Ｈ2 を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、CP2Mg を 2×10-7モル／分の割合で３
分間供給して、膜厚 0.2μｍのGaN から成る半絶縁層５
を形成した。この状態では、半絶縁層５は絶縁体であ
る。
Ｈ2 を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、CP2Mg を 2×10-7モル／分の割合で３
分間供給して、膜厚 0.2μｍのGaN から成る半絶縁層５
を形成した。この状態では、半絶縁層５は絶縁体であ
る。
【００１５】次に、反射電子線回析装置を用いて、この
半絶縁層５に一様に電子線を照射した。電子線の照射条
件は、加速電圧10KV、試料電流 1μA 、ビームの移動速
度0.2mm/sec 、ビーム径60μｍφ、真空度2.1 ×10-5To
rrである。この電子線の照射により、半絶縁層５は抵抗
率108 Ωcm以上の絶縁体から抵抗率40Ωcmのｐ伝導型半
導体となった。このようにして、ｐ伝導型を示す低抵抗
のｐ層５が得られる。このようにして、図２に示すよう
な多層構造のウエハが得られた。
半絶縁層５に一様に電子線を照射した。電子線の照射条
件は、加速電圧10KV、試料電流 1μA 、ビームの移動速
度0.2mm/sec 、ビーム径60μｍφ、真空度2.1 ×10-5To
rrである。この電子線の照射により、半絶縁層５は抵抗
率108 Ωcm以上の絶縁体から抵抗率40Ωcmのｐ伝導型半
導体となった。このようにして、ｐ伝導型を示す低抵抗
のｐ層５が得られる。このようにして、図２に示すよう
な多層構造のウエハが得られた。
【００１６】以下に述べられる図３から図７は、ウエハ
上の１つの素子のみを示す断面図であり、実際は、この
素子が連続的に繰り返されたウエハについて、処理が行
われ、その後、各素子毎に切断される。
上の１つの素子のみを示す断面図であり、実際は、この
素子が連続的に繰り返されたウエハについて、処理が行
われ、その後、各素子毎に切断される。
【００１７】図３に示すように、ｐ層５の上に、スパッ
タリングによりSiO2層１１を2000Åの厚さに形成した。
次に、そのSiO2層１１上にフォトレジスト１２を塗布し
た。そして、フォトリソグラフにより、ｐ層５におい
て、高キャリア濃度ｎ+ 層３に至るように形成される孔
１５に対応する電極形成部位Ａとその電極形成部をｐ層
５の電極と絶縁分離する溝９を形成する部位Ｂのフォト
レジストを除去した。
タリングによりSiO2層１１を2000Åの厚さに形成した。
次に、そのSiO2層１１上にフォトレジスト１２を塗布し
た。そして、フォトリソグラフにより、ｐ層５におい
て、高キャリア濃度ｎ+ 層３に至るように形成される孔
１５に対応する電極形成部位Ａとその電極形成部をｐ層
５の電極と絶縁分離する溝９を形成する部位Ｂのフォト
レジストを除去した。
【００１８】次に、図４に示すように、フォトレジスト
１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ化水素酸
系エッチング液で除去した。次に、図５に示すように、
フォトレジスト１２及びSiO2層１１によって覆われてい
ない部位のｐ層５とその下の亜鉛(Zn)添加層６と低キャ
リア濃度ｎ層４と高キャリア濃度ｎ+ 層３の上面一部
を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl3ガス
を10 ml/分の割合で供給しドライエッチングした後、Ar
でドライエッチングした。この工程で、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極取出しのための孔１５と絶縁分離
のための溝９が形成された。
１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ化水素酸
系エッチング液で除去した。次に、図５に示すように、
フォトレジスト１２及びSiO2層１１によって覆われてい
ない部位のｐ層５とその下の亜鉛(Zn)添加層６と低キャ
リア濃度ｎ層４と高キャリア濃度ｎ+ 層３の上面一部
を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl3ガス
を10 ml/分の割合で供給しドライエッチングした後、Ar
でドライエッチングした。この工程で、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極取出しのための孔１５と絶縁分離
のための溝９が形成された。
【００１９】次に、図６に示すように、ｐ層５上に残っ
ているSiO2層１１をフッ化水素酸で除去した。次に、図
７に示すように、試料の上全面に、Al層１３を蒸着によ
り形成した。これにより、孔１５には、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に電気的に接続されたAl層１３が形成される。
そして、そのAl層１３の上にフォトレジスト１４を塗布
して、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト１
４が高キャリア濃度ｎ+ 層３及びｐ層５に対する電極部
が残るように、所定形状にパターン形成した。
ているSiO2層１１をフッ化水素酸で除去した。次に、図
７に示すように、試料の上全面に、Al層１３を蒸着によ
り形成した。これにより、孔１５には、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に電気的に接続されたAl層１３が形成される。
そして、そのAl層１３の上にフォトレジスト１４を塗布
して、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト１
４が高キャリア濃度ｎ+ 層３及びｐ層５に対する電極部
が残るように、所定形状にパターン形成した。
【００２０】次に、図７に示すようにそのフォトレジス
ト１４をマスクとして下層のAl層１３の露出部を硝酸系
エッチング液でエッチングした。この時、絶縁分離のた
めの溝９に蒸着されたAl層１３は、完全に除去される。
次に、フォトレジスト１４をレジスト剥離液で除去し、
高キャリア濃度ｎ+ 層３の電極８、ｐ層５の電極７が残
された。その後、上記の如く処理されたウエハは、各素
子毎に切断され、図１に示すｐｎ構造の窒化ガリウム系
発光素子を得た。
ト１４をマスクとして下層のAl層１３の露出部を硝酸系
エッチング液でエッチングした。この時、絶縁分離のた
めの溝９に蒸着されたAl層１３は、完全に除去される。
次に、フォトレジスト１４をレジスト剥離液で除去し、
高キャリア濃度ｎ+ 層３の電極８、ｐ層５の電極７が残
された。その後、上記の如く処理されたウエハは、各素
子毎に切断され、図１に示すｐｎ構造の窒化ガリウム系
発光素子を得た。
【００２１】このようにして製造された発光ダイオード
１０の発光強度を測定したところ10mcdであった。又、
発光波長は、460 〜470 nmであり、単なるｐｎ接合のGa
N の発光ダイオードに比べて、20〜50nm長波長側にスペ
クトルを推移させることができ、青色の発光を得ること
ができた。
１０の発光強度を測定したところ10mcdであった。又、
発光波長は、460 〜470 nmであり、単なるｐｎ接合のGa
N の発光ダイオードに比べて、20〜50nm長波長側にスペ
クトルを推移させることができ、青色の発光を得ること
ができた。
【００２２】尚、上記実施例で用いたマグネシウムMgの
ソースとしては、上述のガスの他、メチルビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウムMg(C6H7)2 を用いても良い。
又、上記実施例では、ｎ層を高キャリア濃度ｎ+ 層３と
低キャリア濃度ｎ層４の二重層構造としたが、単層のｎ
層で構成しても良い。
ソースとしては、上述のガスの他、メチルビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウムMg(C6H7)2 を用いても良い。
又、上記実施例では、ｎ層を高キャリア濃度ｎ+ 層３と
低キャリア濃度ｎ層４の二重層構造としたが、単層のｎ
層で構成しても良い。
【００２３】二重層構造にすると、単層ｎ層の場合に比
べて発光輝度が向上した。又、二重層構造の場合には、
上記低キャリア濃度ｎ層４のキャリア濃度は1 ×1014〜
1×1017／cm3 で膜厚は 0.5〜 2μｍが望ましい。キャ
リア濃度が 1×1017／cm3 以上となると発光強度が低下
するので望ましくなく、 1×1014／cm3 以下となると発
光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱する
ので望ましくない。又、膜厚が 2μｍ以上となると発光
素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するの
で望ましくなく、膜厚が 0.5μｍ以下となると発光強度
が低下するので望ましくない。
べて発光輝度が向上した。又、二重層構造の場合には、
上記低キャリア濃度ｎ層４のキャリア濃度は1 ×1014〜
1×1017／cm3 で膜厚は 0.5〜 2μｍが望ましい。キャ
リア濃度が 1×1017／cm3 以上となると発光強度が低下
するので望ましくなく、 1×1014／cm3 以下となると発
光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱する
ので望ましくない。又、膜厚が 2μｍ以上となると発光
素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するの
で望ましくなく、膜厚が 0.5μｍ以下となると発光強度
が低下するので望ましくない。
【００２４】更に、高キャリア濃度ｎ+ 層３のキャリア
（電子）濃度は 1×1017〜 1×1019／cm3 で膜厚は 2〜
10μｍが望ましい。キャリア（電子）濃度が 1×1019／
cm3以上となると結晶性が悪化するので望ましくなく、
一方、キャリア（電子）濃度が 1×1017／cm3 以下とな
ると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発
熱するので望ましくない。又、膜厚が10μｍ以上となる
と基板が湾曲するので望ましくなく、膜厚が 2μｍ以下
となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流す
と発熱するので望ましくない。
（電子）濃度は 1×1017〜 1×1019／cm3 で膜厚は 2〜
10μｍが望ましい。キャリア（電子）濃度が 1×1019／
cm3以上となると結晶性が悪化するので望ましくなく、
一方、キャリア（電子）濃度が 1×1017／cm3 以下とな
ると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発
熱するので望ましくない。又、膜厚が10μｍ以上となる
と基板が湾曲するので望ましくなく、膜厚が 2μｍ以下
となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流す
と発熱するので望ましくない。
【００２５】〔第２実施例〕 図８において、発光ダイオード１０は、サファイア基板
１を有しており、そのサファイア基板１に500 ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2 μｍのGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３と膜厚約 1.5μｍのGaN から成る低キャ
リア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃
度ｎ層４の上に膜厚約400 ÅのGaN から成る亜鉛(Zn)添
加層６が形成されており、その亜鉛(Zn)添加層６の上に
膜厚約 0.2μｍのGaN から成るｉ層５０が形成されてい
る。又、そのｉ層５０の所定領域には低抵抗のｐ型を示
すｐ層５が形成されている。
１を有しており、そのサファイア基板１に500 ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2 μｍのGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３と膜厚約 1.5μｍのGaN から成る低キャ
リア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃
度ｎ層４の上に膜厚約400 ÅのGaN から成る亜鉛(Zn)添
加層６が形成されており、その亜鉛(Zn)添加層６の上に
膜厚約 0.2μｍのGaN から成るｉ層５０が形成されてい
る。又、そのｉ層５０の所定領域には低抵抗のｐ型を示
すｐ層５が形成されている。
【００２６】ｉ層５０の上面からは、ｉ層５０と亜鉛(Z
n)添加層６と低キャリア濃度ｎ層４とを貫通して高キャ
リア濃度ｎ+ 層３に至る孔１５が形成されている。その
孔１５を通って高キャリア濃度ｎ+ 層３に接合されたア
ルミニウムで形成された電極５２がｉ層５０上に形成さ
れている。又、ｐ層５の上面には、ｐ層５に対するアル
ミニウムで形成された電極５１が形成されている。高キ
ャリア濃度ｎ+ 層３に対する電極５２は、ｐ層５に対し
てｉ層５０により絶縁分離されている。
n)添加層６と低キャリア濃度ｎ層４とを貫通して高キャ
リア濃度ｎ+ 層３に至る孔１５が形成されている。その
孔１５を通って高キャリア濃度ｎ+ 層３に接合されたア
ルミニウムで形成された電極５２がｉ層５０上に形成さ
れている。又、ｐ層５の上面には、ｐ層５に対するアル
ミニウムで形成された電極５１が形成されている。高キ
ャリア濃度ｎ+ 層３に対する電極５２は、ｐ層５に対し
てｉ層５０により絶縁分離されている。
【００２７】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造方法について説明する。製造工程を示す図９から図１
５は、ウエハにおける１素子のみに関する断面図であ
り、実際には図に示す素子が繰り返し形成されたウエハ
に関して次の製造処理が行われる。そして、最後に、ウ
エハが切断されて各発光素子が形成される。
造方法について説明する。製造工程を示す図９から図１
５は、ウエハにおける１素子のみに関する断面図であ
り、実際には図に示す素子が繰り返し形成されたウエハ
に関して次の製造処理が行われる。そして、最後に、ウ
エハが切断されて各発光素子が形成される。
【００２８】第１実施例と同様にして、図９に示すウエ
ハを製造する。次に、図１０に示すように、ｉ層５０の
上に、スパッタリングによりSiO2層１１を2000Åの厚さ
に形成した。次に、そのSiO2層１１上にフォトレジスト
１２を塗布した。そして、フォトリソグラフにより、ｉ
層５０においてｎ+ 層３に至るように形成される孔１５
に対応する電極形成部位Ａのフォトレジストを除去し
た。
ハを製造する。次に、図１０に示すように、ｉ層５０の
上に、スパッタリングによりSiO2層１１を2000Åの厚さ
に形成した。次に、そのSiO2層１１上にフォトレジスト
１２を塗布した。そして、フォトリソグラフにより、ｉ
層５０においてｎ+ 層３に至るように形成される孔１５
に対応する電極形成部位Ａのフォトレジストを除去し
た。
【００２９】次に、図１１に示すように、フォトレジス
ト１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ化水素
酸系エッチング液で除去した。次に、図１２に示すよう
に、フォトレジスト１２及びSiO2層１１によって覆われ
ていない部位のｉ層５０とその下の亜鉛(Zn)添加層６と
低キャリア濃度ｎ層４と高キャリア濃度ｎ+ 層３の上面
の一部を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BC
l3ガスを10 ml/分の割合で供給しドライエッチングした
後、Arでドライエッチングした。この工程で、高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３に対する電極取出しのための孔１５が形
成された。次に、図１３に示すように、ｉ層５０上に残
っているSiO2層１１をフッ化水素酸で除去した。
ト１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ化水素
酸系エッチング液で除去した。次に、図１２に示すよう
に、フォトレジスト１２及びSiO2層１１によって覆われ
ていない部位のｉ層５０とその下の亜鉛(Zn)添加層６と
低キャリア濃度ｎ層４と高キャリア濃度ｎ+ 層３の上面
の一部を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BC
l3ガスを10 ml/分の割合で供給しドライエッチングした
後、Arでドライエッチングした。この工程で、高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３に対する電極取出しのための孔１５が形
成された。次に、図１３に示すように、ｉ層５０上に残
っているSiO2層１１をフッ化水素酸で除去した。
【００３０】次に、図１４に示すように、ｉ層５０の所
定領域にのみ、反射電子線回析装置を用いて電子線を照
射して、ｐ型半導体のｐ型部５が形成された。電子線の
照射条件は、加速電圧10KV、試料電流 1μA 、ビームの
移動速度0.2mm/sec 、ビーム径60μｍφ、真空度2.1 ×
10-5Torrである。この電子線の照射により、ｉ層５０の
抵抗率は108 Ωcm以上の絶縁体から抵抗率35Ωcmのｐ型
半導体となった。この時、ｐ型部５以外の部分、即ち、
電子線の照射されなかった部分は、絶縁体のｉ層５０の
ままである。従って、ｐ型部５は、縦方向に対しては、
薄い亜鉛(Zn)添加層６を介在させて低キャリア濃度ｎ層
４とｐｎ接合を形成するが、横方向には、ｐ型部５は、
周囲に対して、ｉ層５０により電気的に絶縁分離され
る。
定領域にのみ、反射電子線回析装置を用いて電子線を照
射して、ｐ型半導体のｐ型部５が形成された。電子線の
照射条件は、加速電圧10KV、試料電流 1μA 、ビームの
移動速度0.2mm/sec 、ビーム径60μｍφ、真空度2.1 ×
10-5Torrである。この電子線の照射により、ｉ層５０の
抵抗率は108 Ωcm以上の絶縁体から抵抗率35Ωcmのｐ型
半導体となった。この時、ｐ型部５以外の部分、即ち、
電子線の照射されなかった部分は、絶縁体のｉ層５０の
ままである。従って、ｐ型部５は、縦方向に対しては、
薄い亜鉛(Zn)添加層６を介在させて低キャリア濃度ｎ層
４とｐｎ接合を形成するが、横方向には、ｐ型部５は、
周囲に対して、ｉ層５０により電気的に絶縁分離され
る。
【００３１】次に、図１５に示すように、ｐ型部５とｉ
層５０の上面と孔１５を通って高キャリア濃度ｎ+ 層３
とに、Al層２０が蒸着により形成された。そして、その
Al層２０の上にフォトレジスト２１を塗布して、フォト
リソグラフにより、そのフォトレジスト２１が高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３及びｐ型部５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。次に、そのフォトレ
ジスト２１をマスクとして下層のAl層２０の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト２１
をアセトンで除去した。このようにして、図８に示すよ
うに、高キャリア濃度ｎ+ 層３の電極５２、ｐ型部５の
電極５１を形成した。その後、上述のように形成された
ウエハが各素子毎に切断された。
層５０の上面と孔１５を通って高キャリア濃度ｎ+ 層３
とに、Al層２０が蒸着により形成された。そして、その
Al層２０の上にフォトレジスト２１を塗布して、フォト
リソグラフにより、そのフォトレジスト２１が高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３及びｐ型部５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。次に、そのフォトレ
ジスト２１をマスクとして下層のAl層２０の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト２１
をアセトンで除去した。このようにして、図８に示すよ
うに、高キャリア濃度ｎ+ 層３の電極５２、ｐ型部５の
電極５１を形成した。その後、上述のように形成された
ウエハが各素子毎に切断された。
【００３２】このようにして製造された発光ダイオード
１０の発光強度を測定したところ、第１実施例と同様
に、10 mcdであった。又、発光波長は、460 〜470 nmで
あり、単なるｐｎ接合のGaN の発光ダイオードに比べ
て、20〜50nm長波長側にスペクトルを推移させることが
でき、青色の発光を得ることができた。
１０の発光強度を測定したところ、第１実施例と同様
に、10 mcdであった。又、発光波長は、460 〜470 nmで
あり、単なるｐｎ接合のGaN の発光ダイオードに比べ
て、20〜50nm長波長側にスペクトルを推移させることが
でき、青色の発光を得ることができた。
【００３３】〔第３実施例〕 図１に示す構造の第１実施例の発光ダイオードにおい
て、高キャリア濃度ｎ+層３、低キャリア濃度ｎ層４、
亜鉛(Zn)添加層６、ｐ層５を、それぞれ、Al0.2Ga0.5In
0.3Nとした。高キャリア濃度ｎ+ 層３は、シリコンを添
加して電子濃度2×1018/cm3に形成し、低キャリア濃度
ｎ層４は不純物無添加で電子濃度1 ×1016/cm3に形成し
た。亜鉛(Zn)添加層６はZn濃度 3×1020/cm3で厚さ 400
Åに形成し、ｐ層５はマグネシウム(Mg)を添加して電子
線を照射して正孔濃度 2×1017/cm3に形成した。そし
て、ｐ層５と高キャリア濃度ｎ+ 層３に接続するアルミ
ニウムで形成された電極７，８とを形成した。
て、高キャリア濃度ｎ+層３、低キャリア濃度ｎ層４、
亜鉛(Zn)添加層６、ｐ層５を、それぞれ、Al0.2Ga0.5In
0.3Nとした。高キャリア濃度ｎ+ 層３は、シリコンを添
加して電子濃度2×1018/cm3に形成し、低キャリア濃度
ｎ層４は不純物無添加で電子濃度1 ×1016/cm3に形成し
た。亜鉛(Zn)添加層６はZn濃度 3×1020/cm3で厚さ 400
Åに形成し、ｐ層５はマグネシウム(Mg)を添加して電子
線を照射して正孔濃度 2×1017/cm3に形成した。そし
て、ｐ層５と高キャリア濃度ｎ+ 層３に接続するアルミ
ニウムで形成された電極７，８とを形成した。
【００３４】次に、この構造の発光ダイオード１０も第
１実施例の発光ダイオードと同様に製造することができ
る。トリメチルインジウム(In(CH3)3)がTMG 、TMA 、シ
ラン、CP2Mg ガスに加えて使用された。生成温度、ガス
流量は第１実施例と同じである。トリメチルインジウム
を 1.7×10-4モル／分で供給することを除いて他のガス
の流量は第１実施例と同一である。
１実施例の発光ダイオードと同様に製造することができ
る。トリメチルインジウム(In(CH3)3)がTMG 、TMA 、シ
ラン、CP2Mg ガスに加えて使用された。生成温度、ガス
流量は第１実施例と同じである。トリメチルインジウム
を 1.7×10-4モル／分で供給することを除いて他のガス
の流量は第１実施例と同一である。
【００３５】次に、第１実施例と同様に、反射電子線回
析装置を用いて、上記のｐ層５に一様に電子線を照射し
てｐ伝導型半導体を得ることができた。
析装置を用いて、上記のｐ層５に一様に電子線を照射し
てｐ伝導型半導体を得ることができた。
【００３６】このようにして製造された発光ダイオード
１０の発光強度を測定したところ、第１実施例と同様
に、10 mcdであった。又、発光波長は、460 〜480 nmで
あり、単なるｐｎ接合のGaN の発光ダイオードに比べ
て、20〜60nm長波長側にスペクトルを推移させることが
でき、青色の発光を得ることができた。
１０の発光強度を測定したところ、第１実施例と同様
に、10 mcdであった。又、発光波長は、460 〜480 nmで
あり、単なるｐｎ接合のGaN の発光ダイオードに比べ
て、20〜60nm長波長側にスペクトルを推移させることが
でき、青色の発光を得ることができた。
【図１】本発明の具体的な第１実施例に係る発光ダイオ
ードの構成を示した構成図。
ードの構成を示した構成図。
【図２】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図３】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図４】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図５】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図６】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図７】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図８】本発明の具体的な第２実施例に係る発光ダイオ
ードの構成を示した構成図。
ードの構成を示した構成図。
【図９】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図１０】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１１】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１２】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１３】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１４】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１５】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
１０…発光ダイオード １…サファイア基板 ２…バッファ層 ３…高キャリア濃度ｎ+ 層 ４…低キャリア濃度ｎ層 ５…ｐ層 ６…亜鉛(Zn)添加層 ５０…ｉ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真部 勝英 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑 １番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 小滝 正宏 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑 １番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 加藤 久喜 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑 １番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 佐々 道成 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑 １番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 赤崎 勇 愛知県名古屋市西区浄心１丁目１番38− 805 (72)発明者 天野 浩 愛知県名古屋市名東区神丘町二丁目21 虹ケ丘東団地19号棟103号室 (56)参考文献 特開 昭59−228776（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−10665（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】 ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体(Alx
GaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるｎ層と、
ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=
0,Y=0,X=Y=0を含む) からなるｐ層とを有する窒素−３
族元素化合物半導体発光素子において、 前記ｎ層と前記ｐ層との間にZnを濃度 1×10 19 〜 1×10
21 ／cm 3 範囲で添加した窒素−３族元素化合物半導体(A
lxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる亜鉛(Z
n)添加層を設けたことを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体(Al x
Ga Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるｎ層と、
ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体(Al x Ga Y In 1-X-Y N;X=
0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるｐ層とを有する窒素−３
族元素化合物半導体発光素子において、 前記ｎ層と前記ｐ層との間にZnを添加した窒素−インジ
ウム３族元素化合物半導体(Al x Ga Y In 1-X-Y N;X=0,Y=0,X=
Y=0 を含み、X+Y ＜１）からなる亜鉛(Zn)添加層を設け
たことを特徴とする発光素子。 - 【請求項３】 前記亜鉛(Zn)添加層の亜鉛(Zn)の濃度は
1×1019〜 1×1021／cm3 であることを特徴とする請求
項２に記載の発光素子。 - 【請求項４】 前記ｐ層は半絶縁性の層の一部をｐ型活
性化した層であることを特徴とする請求項１又は請求項
２に記載の発光素子。 - 【請求項５】 前記ｎ層は前記亜鉛(Zn)添加層に接合す
る低キャリア濃度ｎ層とその低キャリア濃度ｎ層に接合
する高キャリア濃度ｎ+ 層の二重層であることを特徴と
する請求項１又は請求項２に記載の発光素子。 - 【請求項６】 前記低キャリア濃度ｎ層のキャリア濃度
は 1×1014〜 1×1017／cm3 、前記高キャリア濃度ｎ+
層のキャリア濃度は 1×1017〜 1×1019／cm3であるこ
とを特徴とする請求項５に記載の発光素子。 - 【請求項７】 前記低キャリア濃度ｎ層は０．５〜２．
０μｍ、前記高キャリア濃度ｎ+ 層は２．０〜１０．０
μｍの厚さを有することを特徴とする請求項５に記載の
発光素子。 - 【請求項８】 前記亜鉛(Zn)添加層の厚さは20〜3000Å
であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
発光素子。
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|---|---|---|---|
| JP4316598A JP2657743B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 |
| DE4336891A DE4336891C2 (de) | 1992-10-29 | 1993-10-28 | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer Al Ga In N-Verbindung und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US08/968,896 US5905276A (en) | 1992-10-29 | 1997-11-06 | Light emitting semiconductor device using nitrogen-Group III compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4316598A JP2657743B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151963A JPH06151963A (ja) | 1994-05-31 |
| JP2657743B2 true JP2657743B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=18078864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4316598A Expired - Lifetime JP2657743B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 |
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| JP (1) | JP2657743B2 (ja) |
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| DE19613265C1 (de) * | 1996-04-02 | 1997-04-17 | Siemens Ag | Bauelement in stickstoffhaltigem Halbleitermaterial |
| AU747260B2 (en) * | 1997-07-25 | 2002-05-09 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US6657300B2 (en) * | 1998-06-05 | 2003-12-02 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices |
| DE19904378B4 (de) | 1999-02-03 | 2006-10-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Nitrid-Einkristallen |
| JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| EP1168539B1 (en) | 1999-03-04 | 2009-12-16 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| US6534332B2 (en) | 2000-04-21 | 2003-03-18 | The Regents Of The University Of California | Method of growing GaN films with a low density of structural defects using an interlayer |
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| US6911079B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-06-28 | Kopin Corporation | Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors |
| US7002180B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-02-21 | Kopin Corporation | Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device |
| US6734091B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-05-11 | Kopin Corporation | Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors |
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| US7989926B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-08-02 | Showa Denko K.K. | Semiconductor device including non-stoichiometric silicon carbide layer and method of fabrication thereof |
| DE102007022947B4 (de) | 2007-04-26 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
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| JPS6055996B2 (ja) * | 1979-12-05 | 1985-12-07 | 松下電器産業株式会社 | 電場発光半導体装置 |
| CH641275A5 (fr) * | 1980-08-27 | 1984-02-15 | Cortaillod Cables Sa | Procede pour detecter optiquement et/ou mesurer une deformation et/ou un deplacement d'un objet ou partie d'objet, dispositif pour sa mise en oeuvre et application du procede. |
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- 1992-10-29 JP JP4316598A patent/JP2657743B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-28 DE DE4336891A patent/DE4336891C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-06 US US08/968,896 patent/US5905276A/en not_active Expired - Fee Related
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