JPH06151963A - 窒素−３属元素化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒素−３属元素化合物半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH06151963A JPH06151963A JP4316598A JP31659892A JPH06151963A JP H06151963 A JPH06151963 A JP H06151963A JP 4316598 A JP4316598 A JP 4316598A JP 31659892 A JP31659892 A JP 31659892A JP H06151963 A JPH06151963 A JP H06151963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carrier concentration
- light emitting
- emitting diode
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 138
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- ZJJARHDUNMVWRT-UHFFFAOYSA-N CC1(C=CC=C1)[Mg]C1C=CC=C1 Chemical compound CC1(C=CC=C1)[Mg]C1C=CC=C1 ZJJARHDUNMVWRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
- H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen characterised by the doping materials
Abstract
(57)【要約】
【目的】発光色をより青色に近づけること。
【構成】ｎ型の窒素−３属元素化合物半導体(AlxGaYIn
1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるｎ層と、ｐ型
の窒素−３属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=
0,X=Y=0 を含む) からなるｐ層とを有する窒素−３属元
素化合物半導体発光素子において、ｎ層とｐ層との間に
Znを添加した窒素−３属元素化合物半導体(AlxGaYIn
1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる半絶縁性のｉ
層を設けた。半絶縁層の厚さは、20〜3000Åである。Zn
をドープの半絶縁性のｉ層により485 〜490nm の発光が
得られ、全体として450 〜480nm の発光が得られた。
1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるｎ層と、ｐ型
の窒素−３属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=
0,X=Y=0 を含む) からなるｐ層とを有する窒素−３属元
素化合物半導体発光素子において、ｎ層とｐ層との間に
Znを添加した窒素−３属元素化合物半導体(AlxGaYIn
1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる半絶縁性のｉ
層を設けた。半絶縁層の厚さは、20〜3000Åである。Zn
をドープの半絶縁性のｉ層により485 〜490nm の発光が
得られ、全体として450 〜480nm の発光が得られた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は青色発光の窒素−３属元
素化合物半導体発光素子に関する。
素化合物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、青色の発光ダイオードとしてGaN 系
の化合物半導体を用いたものが知られている。そのGaN
系の化合物半導体は直接遷移型であることから発光効率
が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色とす
ること等から注目されている。
の化合物半導体を用いたものが知られている。そのGaN
系の化合物半導体は直接遷移型であることから発光効率
が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色とす
ること等から注目されている。
【０００３】最近、GaN においても、Mgを添加して電子
線を照射することによりｐ型のGaNが得られることが明
らかとなった。この結果、従来のｎ層と半絶縁層（ｉ
層）との接合に換えてＰＮ接合を有するGaN 発光ダイオ
ードが提案されている。
線を照射することによりｐ型のGaNが得られることが明
らかとなった。この結果、従来のｎ層と半絶縁層（ｉ
層）との接合に換えてＰＮ接合を有するGaN 発光ダイオ
ードが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のＰＮ接
合を有する発光ダイオードの発光波長は、約430nm と、
光の３原色となる青色の波長よりやや短波長であるとい
う問題がある。そこで、本発明の目的は、窒素−３属元
素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含
む) 発光ダイオードの発光色をより青色に近づけること
である。
合を有する発光ダイオードの発光波長は、約430nm と、
光の３原色となる青色の波長よりやや短波長であるとい
う問題がある。そこで、本発明の目的は、窒素−３属元
素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含
む) 発光ダイオードの発光色をより青色に近づけること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ｎ型の窒素−
３属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0
を含む) からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３属元素化合物
半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からな
るｐ層とを有する窒素−３属元素化合物半導体発光素子
において、ｎ層とｐ層との間にZnを添加した窒素−３属
元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含
む) からなる半絶縁性のｉ層を設けたことを特徴とす
る。
３属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0
を含む) からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３属元素化合物
半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からな
るｐ層とを有する窒素−３属元素化合物半導体発光素子
において、ｎ層とｐ層との間にZnを添加した窒素−３属
元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含
む) からなる半絶縁性のｉ層を設けたことを特徴とす
る。
【０００６】上記の半絶縁層の厚さは、20〜3000Åであ
ることが望ましい。20Åよりも薄いと半絶縁層での発光
輝度が小さい。又、3000Åよりも厚いとｐ層に注入され
る電子濃度が減少するので望ましくない。半絶縁層のZn
濃度は、 1×1019〜 1×1021／cm3 である。Zn濃度が 1
×1021／cm3 以上となると結晶性が悪化するため望まし
くなく、 1×1019／cm3 以下となると発光強度が低下す
るので望ましくない。
ることが望ましい。20Åよりも薄いと半絶縁層での発光
輝度が小さい。又、3000Åよりも厚いとｐ層に注入され
る電子濃度が減少するので望ましくない。半絶縁層のZn
濃度は、 1×1019〜 1×1021／cm3 である。Zn濃度が 1
×1021／cm3 以上となると結晶性が悪化するため望まし
くなく、 1×1019／cm3 以下となると発光強度が低下す
るので望ましくない。
【０００７】
【発明の作用及び効果】本発明は、ｎ層とｐ層との間に
Znを添加した窒素−３属元素化合物半導体(AlxGaYIn
1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる半絶縁性のｉ
層を設けたことを特徴とする。よって、ｐ層をｎ層に対
して正電位となるように電圧を印加することで、ｎ層と
ｉ層との接合部及びｉ層でピーク波長492nm の発光が得
られ、ｉ層とｐ層との接合部でピーク波長430nm の発光
が得られた。よって、全体として長波長成分を増加させ
ることができ、発光色を青色とすることができた。
Znを添加した窒素−３属元素化合物半導体(AlxGaYIn
1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる半絶縁性のｉ
層を設けたことを特徴とする。よって、ｐ層をｎ層に対
して正電位となるように電圧を印加することで、ｎ層と
ｉ層との接合部及びｉ層でピーク波長492nm の発光が得
られ、ｉ層とｐ層との接合部でピーク波長430nm の発光
が得られた。よって、全体として長波長成分を増加させ
ることができ、発光色を青色とすることができた。
【０００８】
【実施例】第１実施例 図１において、発光ダイオード１０は、サファイア基板
１を有しており、そのサファイア基板１に500 ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2 μｍのGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３と膜厚約 1.5μｍのGaN から成る低キャ
リア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃
度ｎ層４の上に膜厚約400 ÅのGaN から成るｉ層６が形
成されており、そのｉ層６の上に0.2 μｍから成るｐ層
５が形成されている。そして、ｐ層５に接続するアルミ
ニウムで形成された電極７と高キャリア濃度ｎ+ 層３に
接続するアルミニウムで形成された電極８とが形成され
ている。電極８と電極７とは、溝９により電気的に絶縁
分離されている。
１を有しており、そのサファイア基板１に500 ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2 μｍのGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３と膜厚約 1.5μｍのGaN から成る低キャ
リア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃
度ｎ層４の上に膜厚約400 ÅのGaN から成るｉ層６が形
成されており、そのｉ層６の上に0.2 μｍから成るｐ層
５が形成されている。そして、ｐ層５に接続するアルミ
ニウムで形成された電極７と高キャリア濃度ｎ+ 層３に
接続するアルミニウムで形成された電極８とが形成され
ている。電極８と電極７とは、溝９により電気的に絶縁
分離されている。
【０００９】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2とトリメチルガリウム(Ga(CH3)3)
（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とシラン(SiH4)とビス
シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以下
「CP2Mg 」と記す）とジエチル亜鉛( 以下「DEZ 」と記
す) である。
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2とトリメチルガリウム(Ga(CH3)3)
（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とシラン(SiH4)とビス
シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以下
「CP2Mg 」と記す）とジエチル亜鉛( 以下「DEZ 」と記
す) である。
【００１０】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
Ａ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常
圧でH2を流速2 liter/分で反応室に流しながら温度1100
℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
Ａ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常
圧でH2を流速2 liter/分で反応室に流しながら温度1100
℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
【００１１】次に、温度を 400℃まで低下させて、H2を
20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を1150
℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、
TMG を 1.7×10-4モル／分、H2で0.86ppm まで希釈した
シラン(SiH4)を 200 ml/分の割合で30分間供給し、膜厚
約 2.2μｍ、キャリア濃度 1.5×1018/cm3のGaN から成
る高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した。
20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を1150
℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、
TMG を 1.7×10-4モル／分、H2で0.86ppm まで希釈した
シラン(SiH4)を 200 ml/分の割合で30分間供給し、膜厚
約 2.2μｍ、キャリア濃度 1.5×1018/cm3のGaN から成
る高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した。
【００１２】続いて、サファイア基板１の温度を1150℃
に保持し、H2を20 liter／分、NH3を10 liter／分、TMG
を1.7 ×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚約
1.5μｍ、キャリア濃度 1×1015/ cm3 のGaN から成る
低キャリア濃度ｎ層４を形成した。
に保持し、H2を20 liter／分、NH3を10 liter／分、TMG
を1.7 ×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚約
1.5μｍ、キャリア濃度 1×1015/ cm3 のGaN から成る
低キャリア濃度ｎ層４を形成した。
【００１３】次に、サファイア基板１を 900℃にして、
Ｈ2 を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、DEZ を1.5 ×10-4モル／分の割合で0.
5 分間供給して、膜厚400 ÅのGaN から成るZn濃度 3×
1020/ cm3 のｉ層６を形成した。
Ｈ2 を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、DEZ を1.5 ×10-4モル／分の割合で0.
5 分間供給して、膜厚400 ÅのGaN から成るZn濃度 3×
1020/ cm3 のｉ層６を形成した。
【００１４】次に、サファイア基板１を 900℃にして、
Ｈ2 を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、CP2Mg を 2×10-7モル／分の割合で３
分間供給して、膜厚 0.2μｍのGaN から成るｉ層５を形
成した。この状態では、ｉ層５は絶縁体である。
Ｈ2 を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、CP2Mg を 2×10-7モル／分の割合で３
分間供給して、膜厚 0.2μｍのGaN から成るｉ層５を形
成した。この状態では、ｉ層５は絶縁体である。
【００１５】次に、反射電子線回析装置を用いて、この
ｉ層５に一様に電子線を照射した。電子線の照射条件
は、加速電圧10KV、試料電流 1μA 、ビームの移動速度
0.2mm/sec 、ビーム径60μｍφ、真空度2.1 ×10-5Torr
である。この電子線の照射により、ｉ層５は抵抗率108
Ωcm以上の絶縁体から抵抗率40Ωcmのｐ伝導型半導体と
なった。このようにして、ｐ伝導型を示すｐ層５が得ら
れる。このようにして、図２に示すような多層構造のウ
エハが得られた。
ｉ層５に一様に電子線を照射した。電子線の照射条件
は、加速電圧10KV、試料電流 1μA 、ビームの移動速度
0.2mm/sec 、ビーム径60μｍφ、真空度2.1 ×10-5Torr
である。この電子線の照射により、ｉ層５は抵抗率108
Ωcm以上の絶縁体から抵抗率40Ωcmのｐ伝導型半導体と
なった。このようにして、ｐ伝導型を示すｐ層５が得ら
れる。このようにして、図２に示すような多層構造のウ
エハが得られた。
【００１６】以下に述べられる図３から図７は、ウエハ
上の１つの素子のみを示す断面図であり、実際は、この
素子が連続的に繰り返されたウエハについて、処理が行
われ、その後、各素子毎に切断される。
上の１つの素子のみを示す断面図であり、実際は、この
素子が連続的に繰り返されたウエハについて、処理が行
われ、その後、各素子毎に切断される。
【００１７】図３に示すように、ｐ層５の上に、スパッ
タリングによりSiO2層１１を2000Åの厚さに形成した。
次に、そのSiO2層１１上にフォトレジスト１２を塗布し
た。そして、フォトリソグラフにより、ｐ層５におい
て、高キャリア濃度ｎ+ 層３に至るように形成される孔
１５に対応する電極形成部位Ａとその電極形成部をｐ層
５の電極と絶縁分離する溝９を形成する部位Ｂのフォト
レジストを除去した。
タリングによりSiO2層１１を2000Åの厚さに形成した。
次に、そのSiO2層１１上にフォトレジスト１２を塗布し
た。そして、フォトリソグラフにより、ｐ層５におい
て、高キャリア濃度ｎ+ 層３に至るように形成される孔
１５に対応する電極形成部位Ａとその電極形成部をｐ層
５の電極と絶縁分離する溝９を形成する部位Ｂのフォト
レジストを除去した。
【００１８】次に、図４に示すように、フォトレジスト
１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ化水素酸
系エッチング液で除去した。次に、図５に示すように、
フォトレジスト１２及びSiO2層１１によって覆われてい
ない部位のｐ層５とその下のｉ層６と低キャリア濃度ｎ
層４と高キャリア濃度ｎ+ 層３の上面一部を、真空度0.
04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl3ガスを10 ml/分の
割合で供給しドライエッチングした後、Arでドライエッ
チングした。この工程で、高キャリア濃度ｎ+層３に対
する電極取出しのための孔１５と絶縁分離のための溝９
が形成された。
１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ化水素酸
系エッチング液で除去した。次に、図５に示すように、
フォトレジスト１２及びSiO2層１１によって覆われてい
ない部位のｐ層５とその下のｉ層６と低キャリア濃度ｎ
層４と高キャリア濃度ｎ+ 層３の上面一部を、真空度0.
04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl3ガスを10 ml/分の
割合で供給しドライエッチングした後、Arでドライエッ
チングした。この工程で、高キャリア濃度ｎ+層３に対
する電極取出しのための孔１５と絶縁分離のための溝９
が形成された。
【００１９】次に、図６に示すように、ｐ層５上に残っ
ているSiO2層１１をフッ化水素酸で除去した。次に、図
７に示すように、試料の上全面に、Al層１３を蒸着によ
り形成した。これにより、孔１５には、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に電気的に接続されたAl層１３が形成される。
そして、そのAl層１３の上にフォトレジスト１４を塗布
して、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト１
４が高キャリア濃度ｎ+ 層３及びｐ層５に対する電極部
が残るように、所定形状にパターン形成した。
ているSiO2層１１をフッ化水素酸で除去した。次に、図
７に示すように、試料の上全面に、Al層１３を蒸着によ
り形成した。これにより、孔１５には、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に電気的に接続されたAl層１３が形成される。
そして、そのAl層１３の上にフォトレジスト１４を塗布
して、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト１
４が高キャリア濃度ｎ+ 層３及びｐ層５に対する電極部
が残るように、所定形状にパターン形成した。
【００２０】次に、図７に示すようにそのフォトレジス
ト１４をマスクとして下層のAl層１３の露出部を硝酸系
エッチング液でエッチングした。この時、絶縁分離のた
めの溝９に蒸着されたAl層１３は、完全に除去される。
次に、フォトレジスト１４をレジスト剥離液で除去し、
高キャリア濃度ｎ+ 層３の電極８、ｐ層５の電極７が残
された。その後、上記の如く処理されたウエハは、各素
子毎に切断され、図１に示すｐｎ構造の窒化ガリウム系
発光素子を得た。
ト１４をマスクとして下層のAl層１３の露出部を硝酸系
エッチング液でエッチングした。この時、絶縁分離のた
めの溝９に蒸着されたAl層１３は、完全に除去される。
次に、フォトレジスト１４をレジスト剥離液で除去し、
高キャリア濃度ｎ+ 層３の電極８、ｐ層５の電極７が残
された。その後、上記の如く処理されたウエハは、各素
子毎に切断され、図１に示すｐｎ構造の窒化ガリウム系
発光素子を得た。
【００２１】このようにして製造された発光ダイオード
１０の発光強度を測定したところ10mcdであった。又、
発光波長は、460 〜470 nmであり、単なるｐｎ接合のGa
N の発光ダイオードに比べて、20〜50nm長波長側にスペ
クトルを推移させることができ、青色の発光を得ること
ができた。
１０の発光強度を測定したところ10mcdであった。又、
発光波長は、460 〜470 nmであり、単なるｐｎ接合のGa
N の発光ダイオードに比べて、20〜50nm長波長側にスペ
クトルを推移させることができ、青色の発光を得ること
ができた。
【００２２】尚、上記実施例で用いたマグネシウムMgの
ソースとしては、上述のガスの他、メチルビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウムMg(C6H7)2 を用いても良い。
又、上記実施例では、ｎ層を高キャリア濃度ｎ+ 層３と
低キャリア濃度ｎ層４の二重層構造としたが、単層のｎ
層で構成しても良い。
ソースとしては、上述のガスの他、メチルビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウムMg(C6H7)2 を用いても良い。
又、上記実施例では、ｎ層を高キャリア濃度ｎ+ 層３と
低キャリア濃度ｎ層４の二重層構造としたが、単層のｎ
層で構成しても良い。
【００２３】二重層構造にすると、単層ｎ層の場合に比
べて発光輝度が向上した。又、二重層構造の場合には、
上記低キャリア濃度ｎ層４のキャリア濃度は1 ×1014〜
1×1017／cm3 で膜厚は 0.5〜 2μｍが望ましい。キャ
リア濃度が 1×1017／cm3 以上となると発光強度が低下
するので望ましくなく、 1×1014／cm3 以下となると発
光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱する
ので望ましくない。又、膜厚が 2μｍ以上となると発光
素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するの
で望ましくなく、膜厚が 0.5μｍ以下となると発光強度
が低下するので望ましくない。
べて発光輝度が向上した。又、二重層構造の場合には、
上記低キャリア濃度ｎ層４のキャリア濃度は1 ×1014〜
1×1017／cm3 で膜厚は 0.5〜 2μｍが望ましい。キャ
リア濃度が 1×1017／cm3 以上となると発光強度が低下
するので望ましくなく、 1×1014／cm3 以下となると発
光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱する
ので望ましくない。又、膜厚が 2μｍ以上となると発光
素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するの
で望ましくなく、膜厚が 0.5μｍ以下となると発光強度
が低下するので望ましくない。
【００２４】更に、高キャリア濃度ｎ+ 層３のキャリア
（電子）濃度は 1×1017〜 1×1019／cm3 で膜厚は 2〜
10μｍが望ましい。キャリア（電子）濃度が 1×1019／
cm3以上となると結晶性が悪化するので望ましくなく、
一方、キャリア（電子）濃度が 1×1017／cm3 以下とな
ると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発
熱するので望ましくない。又、膜厚が10μｍ以上となる
と基板が湾曲するので望ましくなく、膜厚が 2μｍ以下
となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流す
と発熱するので望ましくない。
（電子）濃度は 1×1017〜 1×1019／cm3 で膜厚は 2〜
10μｍが望ましい。キャリア（電子）濃度が 1×1019／
cm3以上となると結晶性が悪化するので望ましくなく、
一方、キャリア（電子）濃度が 1×1017／cm3 以下とな
ると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発
熱するので望ましくない。又、膜厚が10μｍ以上となる
と基板が湾曲するので望ましくなく、膜厚が 2μｍ以下
となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流す
と発熱するので望ましくない。
【００２５】第２実施例 図８において、発光ダイオード１０は、サファイア基板
１を有しており、そのサファイア基板１に500 ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2 μｍのGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３と膜厚約 1.5μｍのGaN から成る低キャ
リア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃
度ｎ層４の上に膜厚約400 ÅのGaN から成るｉ層６が形
成されており、そのｉ層６の上に膜厚約 0.2μｍのGaN
から成るｉ層５０が形成されている。又、そのｉ層５０
の所定領域にはｐ型を示すｐ層５が形成されている。
１を有しており、そのサファイア基板１に500 ÅのAlN
のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の
上には、順に、膜厚約2.2 μｍのGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３と膜厚約 1.5μｍのGaN から成る低キャ
リア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃
度ｎ層４の上に膜厚約400 ÅのGaN から成るｉ層６が形
成されており、そのｉ層６の上に膜厚約 0.2μｍのGaN
から成るｉ層５０が形成されている。又、そのｉ層５０
の所定領域にはｐ型を示すｐ層５が形成されている。
【００２６】ｉ層５０の上面からは、ｉ層５０とｉ層６
と低キャリア濃度ｎ層４とを貫通して高キャリア濃度ｎ
+ 層３に至る孔１５が形成されている。その孔１５を通
って高キャリア濃度ｎ+ 層３に接合されたアルミニウム
で形成された電極５２がｉ層５０上に形成されている。
又、ｐ層５の上面には、ｐ層５に対するアルミニウムで
形成された電極５１が形成されている。高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極５２は、ｐ層５に対してｉ層５０
により絶縁分離されている。
と低キャリア濃度ｎ層４とを貫通して高キャリア濃度ｎ
+ 層３に至る孔１５が形成されている。その孔１５を通
って高キャリア濃度ｎ+ 層３に接合されたアルミニウム
で形成された電極５２がｉ層５０上に形成されている。
又、ｐ層５の上面には、ｐ層５に対するアルミニウムで
形成された電極５１が形成されている。高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極５２は、ｐ層５に対してｉ層５０
により絶縁分離されている。
【００２７】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造方法について説明する。製造工程を示す図９から図１
５は、ウエハにおける１素子のみに関する断面図であ
り、実際には図に示す素子が繰り返し形成されたウエハ
に関して次の製造処理が行われる。そして、最後に、ウ
エハが切断されて各発光素子が形成される。
造方法について説明する。製造工程を示す図９から図１
５は、ウエハにおける１素子のみに関する断面図であ
り、実際には図に示す素子が繰り返し形成されたウエハ
に関して次の製造処理が行われる。そして、最後に、ウ
エハが切断されて各発光素子が形成される。
【００２８】第１実施例と同様にして、図９に示すウエ
ハを製造する。次に、図１０に示すように、ｉ層５０の
上に、スパッタリングによりSiO2層１１を2000Åの厚さ
に形成した。次に、そのSiO2層１１上にフォトレジスト
１２を塗布した。そして、フォトリソグラフにより、ｉ
層５０においてｎ+ 層３に至るように形成される孔１５
に対応する電極形成部位Ａのフォトレジストを除去し
た。
ハを製造する。次に、図１０に示すように、ｉ層５０の
上に、スパッタリングによりSiO2層１１を2000Åの厚さ
に形成した。次に、そのSiO2層１１上にフォトレジスト
１２を塗布した。そして、フォトリソグラフにより、ｉ
層５０においてｎ+ 層３に至るように形成される孔１５
に対応する電極形成部位Ａのフォトレジストを除去し
た。
【００２９】次に、図１１に示すように、フォトレジス
ト１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ化水素
酸系エッチング液で除去した。次に、図１２に示すよう
に、フォトレジスト１２及びSiO2層１１によって覆われ
ていない部位のｉ層５０とその下のｉ層６と低キャリア
濃度ｎ層４と高キャリア濃度ｎ+ 層３の上面の一部を、
真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl3ガスを10
ml/分の割合で供給しドライエッチングした後、Arでド
ライエッチングした。この工程で、高キャリア濃度ｎ+
層３に対する電極取出しのための孔１５が形成された。
次に、図１３に示すように、ｉ層５０上に残っているSi
O2層１１をフッ化水素酸で除去した。
ト１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ化水素
酸系エッチング液で除去した。次に、図１２に示すよう
に、フォトレジスト１２及びSiO2層１１によって覆われ
ていない部位のｉ層５０とその下のｉ層６と低キャリア
濃度ｎ層４と高キャリア濃度ｎ+ 層３の上面の一部を、
真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2 、BCl3ガスを10
ml/分の割合で供給しドライエッチングした後、Arでド
ライエッチングした。この工程で、高キャリア濃度ｎ+
層３に対する電極取出しのための孔１５が形成された。
次に、図１３に示すように、ｉ層５０上に残っているSi
O2層１１をフッ化水素酸で除去した。
【００３０】次に、図１４に示すように、ｉ層５０の所
定領域にのみ、反射電子線回析装置を用いて電子線を照
射して、ｐ型半導体のｐ型部５が形成された。電子線の
照射条件は、加速電圧10KV、試料電流 1μA 、ビームの
移動速度0.2mm/sec 、ビーム径60μｍφ、真空度2.1 ×
10-5Torrである。この電子線の照射により、ｉ層５０の
抵抗率は108 Ωcm以上の絶縁体から抵抗率35Ωcmのｐ型
半導体となった。この時、ｐ型部５以外の部分、即ち、
電子線の照射されなかった部分は、絶縁体のｉ層５０の
ままである。従って、ｐ型部５は、縦方向に対しては、
薄いｉ層６を介在させて低キャリア濃度ｎ層４とｐｎ接
合を形成するが、横方向には、ｐ型部５は、周囲に対し
て、ｉ層５０により電気的に絶縁分離される。
定領域にのみ、反射電子線回析装置を用いて電子線を照
射して、ｐ型半導体のｐ型部５が形成された。電子線の
照射条件は、加速電圧10KV、試料電流 1μA 、ビームの
移動速度0.2mm/sec 、ビーム径60μｍφ、真空度2.1 ×
10-5Torrである。この電子線の照射により、ｉ層５０の
抵抗率は108 Ωcm以上の絶縁体から抵抗率35Ωcmのｐ型
半導体となった。この時、ｐ型部５以外の部分、即ち、
電子線の照射されなかった部分は、絶縁体のｉ層５０の
ままである。従って、ｐ型部５は、縦方向に対しては、
薄いｉ層６を介在させて低キャリア濃度ｎ層４とｐｎ接
合を形成するが、横方向には、ｐ型部５は、周囲に対し
て、ｉ層５０により電気的に絶縁分離される。
【００３１】次に、図１５に示すように、ｐ型部５とｉ
層５０の上面と孔１５を通って高キャリア濃度ｎ+ 層３
とに、Al層２０が蒸着により形成された。そして、その
Al層２０の上にフォトレジスト２１を塗布して、フォト
リソグラフにより、そのフォトレジスト２１が高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３及びｐ型部５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。次に、そのフォトレ
ジスト２１をマスクとして下層のAl層２０の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト２１
をアセトンで除去した。このようにして、図８に示すよ
うに、高キャリア濃度ｎ+ 層３の電極５２、ｐ型部５の
電極５１を形成した。その後、上述のように形成された
ウエハが各素子毎に切断された。
層５０の上面と孔１５を通って高キャリア濃度ｎ+ 層３
とに、Al層２０が蒸着により形成された。そして、その
Al層２０の上にフォトレジスト２１を塗布して、フォト
リソグラフにより、そのフォトレジスト２１が高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３及びｐ型部５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。次に、そのフォトレ
ジスト２１をマスクとして下層のAl層２０の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト２１
をアセトンで除去した。このようにして、図８に示すよ
うに、高キャリア濃度ｎ+ 層３の電極５２、ｐ型部５の
電極５１を形成した。その後、上述のように形成された
ウエハが各素子毎に切断された。
【００３２】このようにして製造された発光ダイオード
１０の発光強度を測定したところ、第１実施例と同様
に、10 mcdであった。又、発光波長は、460 〜470 nmで
あり、単なるｐｎ接合のGaN の発光ダイオードに比べ
て、20〜50nm長波長側にスペクトルを推移させることが
でき、青色の発光を得ることができた。
１０の発光強度を測定したところ、第１実施例と同様
に、10 mcdであった。又、発光波長は、460 〜470 nmで
あり、単なるｐｎ接合のGaN の発光ダイオードに比べ
て、20〜50nm長波長側にスペクトルを推移させることが
でき、青色の発光を得ることができた。
【００３３】第３実施例 図１に示す構造の第１実施例の発光ダイオードにおい
て、高キャリア濃度ｎ+層３、低キャリア濃度ｎ層４、
ｉ層６、ｐ層５を、それぞれ、Al0.2Ga0.5In0.3Nとし
た。高キャリア濃度ｎ+ 層３は、シリコンを添加して電
子濃度2 ×1018/cm3に形成し、低キャリア濃度ｎ層４は
不純物無添加で電子濃度1 ×1016/cm3に形成した。ｉ層
６はZn濃度 3×1020/cm3で厚さ 400Åに形成し、ｐ層５
はマグネシウム(Mg)を添加して電子線を照射して正孔濃
度 2×1017/cm3に形成した。そして、ｐ層５と高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成された電
極７，８とを形成した。
て、高キャリア濃度ｎ+層３、低キャリア濃度ｎ層４、
ｉ層６、ｐ層５を、それぞれ、Al0.2Ga0.5In0.3Nとし
た。高キャリア濃度ｎ+ 層３は、シリコンを添加して電
子濃度2 ×1018/cm3に形成し、低キャリア濃度ｎ層４は
不純物無添加で電子濃度1 ×1016/cm3に形成した。ｉ層
６はZn濃度 3×1020/cm3で厚さ 400Åに形成し、ｐ層５
はマグネシウム(Mg)を添加して電子線を照射して正孔濃
度 2×1017/cm3に形成した。そして、ｐ層５と高キャリ
ア濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成された電
極７，８とを形成した。
【００３４】次に、この構造の発光ダイオード１０も第
１実施例の発光ダイオードと同様に製造することができ
る。トリメチルインジウム(In(CH3)3)がTMG 、TMA 、シ
ラン、CP2Mg ガスに加えて使用された。生成温度、ガス
流量は第１実施例と同じである。トリメチルインジウム
を 1.7×10-4モル／分で供給することを除いて他のガス
の流量は第１実施例と同一である。
１実施例の発光ダイオードと同様に製造することができ
る。トリメチルインジウム(In(CH3)3)がTMG 、TMA 、シ
ラン、CP2Mg ガスに加えて使用された。生成温度、ガス
流量は第１実施例と同じである。トリメチルインジウム
を 1.7×10-4モル／分で供給することを除いて他のガス
の流量は第１実施例と同一である。
【００３５】次に、第１実施例と同様に、反射電子線回
析装置を用いて、上記のｐ層５に一様に電子線を照射し
てｐ伝導型半導体を得ることができた。
析装置を用いて、上記のｐ層５に一様に電子線を照射し
てｐ伝導型半導体を得ることができた。
【００３６】このようにして製造された発光ダイオード
１０の発光強度を測定したところ、第１実施例と同様
に、10 mcdであった。又、発光波長は、460 〜480 nmで
あり、単なるｐｎ接合のGaN の発光ダイオードに比べ
て、20〜60nm長波長側にスペクトルを推移させることが
でき、青色の発光を得ることができた。
１０の発光強度を測定したところ、第１実施例と同様
に、10 mcdであった。又、発光波長は、460 〜480 nmで
あり、単なるｐｎ接合のGaN の発光ダイオードに比べ
て、20〜60nm長波長側にスペクトルを推移させることが
でき、青色の発光を得ることができた。
【図１】本発明の具体的な第１実施例に係る発光ダイオ
ードの構成を示した構成図。
ードの構成を示した構成図。
【図２】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図３】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図４】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図５】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図６】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図７】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図８】本発明の具体的な第２実施例に係る発光ダイオ
ードの構成を示した構成図。
ードの構成を示した構成図。
【図９】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図１０】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１１】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１２】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１３】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１４】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
【図１５】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示し
た断面図。
た断面図。
１０…発光ダイオード １…サファイア基板 ２…バッファ層 ３…高キャリア濃度ｎ+ 層 ４…低キャリア濃度ｎ層 ５…ｐ層 ６…ｉ層 ５０…ｉ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真部 勝英 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 小滝 正宏 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 加藤 久喜 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 佐々 道成 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 赤崎 勇 愛知県名古屋市西区浄心１丁目１番38− 805 (72)発明者 天野 浩 愛知県名古屋市名東区神丘町二丁目21 虹 ケ丘東団地19号棟103号室
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型の窒素−３属元素化合物半導体(Alx
GaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるｎ層と、
ｐ型の窒素−３属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=
0,Y=0,X=Y=0を含む) からなるｐ層とを有する窒素−３
属元素化合物半導体発光素子において、 前記ｎ層と前記ｐ層との間にZnを添加した窒素−３属元
素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含
む) からなる半絶縁性のｉ層を設けたことを特徴とする
発光素子。 - 【請求項２】 前記半絶縁層の厚さは20〜3000Åである
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4316598A JP2657743B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 |
| DE4336891A DE4336891C2 (de) | 1992-10-29 | 1993-10-28 | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer Al Ga In N-Verbindung und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US08/968,896 US5905276A (en) | 1992-10-29 | 1997-11-06 | Light emitting semiconductor device using nitrogen-Group III compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4316598A JP2657743B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151963A true JPH06151963A (ja) | 1994-05-31 |
| JP2657743B2 JP2657743B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=18078864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4316598A Expired - Lifetime JP2657743B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5905276A (ja) |
| JP (1) | JP2657743B2 (ja) |
| DE (1) | DE4336891C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7989926B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-08-02 | Showa Denko K.K. | Semiconductor device including non-stoichiometric silicon carbide layer and method of fabrication thereof |
| US8043977B2 (en) | 2005-08-08 | 2011-10-25 | Showa Denko K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device having a group-III nitride superlattice layer on a silicon substrate |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| DE19613265C1 (de) * | 1996-04-02 | 1997-04-17 | Siemens Ag | Bauelement in stickstoffhaltigem Halbleitermaterial |
| AU747260B2 (en) * | 1997-07-25 | 2002-05-09 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US6657300B2 (en) * | 1998-06-05 | 2003-12-02 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices |
| DE19904378B4 (de) | 1999-02-03 | 2006-10-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Nitrid-Einkristallen |
| JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| EP1168539B1 (en) | 1999-03-04 | 2009-12-16 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| US6534332B2 (en) | 2000-04-21 | 2003-03-18 | The Regents Of The University Of California | Method of growing GaN films with a low density of structural defects using an interlayer |
| US6881983B2 (en) * | 2002-02-25 | 2005-04-19 | Kopin Corporation | Efficient light emitting diodes and lasers |
| US6911079B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-06-28 | Kopin Corporation | Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors |
| WO2003107442A2 (en) | 2002-06-17 | 2003-12-24 | Kopin Corporation | Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors |
| US7002180B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-02-21 | Kopin Corporation | Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device |
| US6734091B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-05-11 | Kopin Corporation | Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors |
| US6955985B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-10-18 | Kopin Corporation | Domain epitaxy for thin film growth |
| US7122841B2 (en) | 2003-06-04 | 2006-10-17 | Kopin Corporation | Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices |
| US20050179046A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-18 | Kopin Corporation | P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices |
| US20050179042A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-18 | Kopin Corporation | Monolithic integration and enhanced light extraction in gallium nitride-based light-emitting devices |
| TWI347022B (en) | 2004-02-20 | 2011-08-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component, device with several optoelectronic components and method to produce an optoelectronic component |
| US7943949B2 (en) * | 2004-09-09 | 2011-05-17 | Bridgelux, Inc. | III-nitride based on semiconductor device with low-resistance ohmic contacts |
| DE102007022947B4 (de) | 2007-04-26 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
| TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59228776A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体ヘテロ接合素子 |
| JPH0410665A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2738329A1 (de) * | 1976-09-06 | 1978-03-09 | Philips Nv | Elektrolumineszierende galliumnitridhalbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung |
| JPS6055996B2 (ja) * | 1979-12-05 | 1985-12-07 | 松下電器産業株式会社 | 電場発光半導体装置 |
| CH641275A5 (fr) * | 1980-08-27 | 1984-02-15 | Cortaillod Cables Sa | Procede pour detecter optiquement et/ou mesurer une deformation et/ou un deplacement d'un objet ou partie d'objet, dispositif pour sa mise en oeuvre et application du procede. |
| JPS60173829A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
| JPS62119196A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-30 | Univ Nagoya | 化合物半導体の成長方法 |
| US4911102A (en) * | 1987-01-31 | 1990-03-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Process of vapor growth of gallium nitride and its apparatus |
| US4946548A (en) * | 1988-04-29 | 1990-08-07 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Dry etching method for semiconductor |
| JP3026087B2 (ja) * | 1989-03-01 | 2000-03-27 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
| JPH069257B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1994-02-02 | 名古屋大学長 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
| JP2795885B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1998-09-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光ダイオード |
| JPH069258B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1994-02-02 | 名古屋大学長 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
| JP3078821B2 (ja) * | 1990-05-30 | 2000-08-21 | 豊田合成株式会社 | 半導体のドライエッチング方法 |
| US5281830A (en) * | 1990-10-27 | 1994-01-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| JP2593960B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1997-03-26 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子とその製造方法 |
| JP3160914B2 (ja) * | 1990-12-26 | 2001-04-25 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
| US5146465A (en) * | 1991-02-01 | 1992-09-08 | Apa Optics, Inc. | Aluminum gallium nitride laser |
| JP2791448B2 (ja) * | 1991-04-19 | 1998-08-27 | 日亜化学工業 株式会社 | 発光ダイオード |
| JP2666228B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP4316598A patent/JP2657743B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-28 DE DE4336891A patent/DE4336891C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-06 US US08/968,896 patent/US5905276A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59228776A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体ヘテロ接合素子 |
| JPH0410665A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US8043977B2 (en) | 2005-08-08 | 2011-10-25 | Showa Denko K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device having a group-III nitride superlattice layer on a silicon substrate |
| US8222674B2 (en) | 2005-08-08 | 2012-07-17 | Showa Denko K.K. | Semiconductor device having a group-III nitride superlattice layer on a silicon substrate |
| US7989926B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-08-02 | Showa Denko K.K. | Semiconductor device including non-stoichiometric silicon carbide layer and method of fabrication thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4336891C2 (de) | 1996-11-14 |
| US5905276A (en) | 1999-05-18 |
| JP2657743B2 (ja) | 1997-09-24 |
| DE4336891A1 (de) | 1994-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2657743B2 (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| JP2666237B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2698796B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| CA2054242C (en) | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound | |
| JP2626431B2 (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| JP2681733B2 (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| JP3506874B2 (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| JP3795624B2 (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| JP3654738B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JPH07263748A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3198678B2 (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| JP2696095B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH0992880A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2663814B2 (ja) | 窒素−３属元素化合物半導体発光素子 | |
| JP3026102B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JPH08125222A (ja) | ３族窒化物半導体の製造方法 | |
| JPH09186362A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP3672585B2 (ja) | ３族窒化物半導体の製造方法 | |
| JP3538628B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH06291367A (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| JPH07297447A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JPH06350137A (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| JP3307094B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2002270892A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP3383242B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051012 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20051101 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051124 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081202 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121202 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131202 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |