JP2009283984A - フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009283984A JP2009283984A JP2009201870A JP2009201870A JP2009283984A JP 2009283984 A JP2009283984 A JP 2009283984A JP 2009201870 A JP2009201870 A JP 2009201870A JP 2009201870 A JP2009201870 A JP 2009201870A JP 2009283984 A JP2009283984 A JP 2009283984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- groove
- nitride semiconductor
- emitting diode
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
Abstract
【解決手段】フリップチップ発光ダイオードは所定の結晶方向を持つ光透過性基板30に、N型窒化物半導体層31、活性層32、P型窒化物半導体層33を順次に形成する。N型窒化物半導体層の複数の領域が所定幅を有するように露出してメサを形成し、前記複数のメサとメサとの間に位置している前記N型窒化物半導体層の複数の領域が所定幅を有するように露出して形成された溝を含む発光構造物41とし、溝表面にわたって溝絶縁層34を形成し、P型窒化物半導体層上部と溝表面に形成された絶縁層にわたってP型電極38を形成し、前記発光構造物の複数のメサにN型電極39を形成してなる。発光構造物に形成された複数の溝のそれぞれは、溝の底面と側面間の角度が90゜以上165゜以下の範囲を有するように形成する。
【選択図】図3
Description
抵抗R=ρL/S(R:抵抗[Ω]、ρ:比抵抗[Ωcm]、L:長さ[m]、S:断面積[m2])
で示されるが、電流経路断面積が減るため、この式により、N型電極39と近接している部分の抵抗は増加する。
31 N型窒化物半導体層
32 活性層
33 P型窒化物半導体層
34 溝絶縁層
35 p型オーミックメタル
36 バリアメタル
37 ボンディングメタル
38 P型電極
39 N型電極
40 溝
41 発光構造物
50 溝のパターン
90 ポジ型フォトレジスト
91 ネガ型フォトレジスト
92 絶縁体
93 絶縁層
d 溝の幅
S 長方形の広さ
Claims (13)
- 光透過性基板上にN型窒化物半導体層、活性層、P型窒化物半導体層を順次に形成する段階と、
前記活性層及びP型窒化物半導体層の所定領域をエッチングし、前記N型窒化物半導体層の複数の領域を外部に露出させるメサ形成段階と、
前記形成されたメサとメサの間に位置している前記活性層及びP型窒化物半導体層の所定領域をエッチングし、前記N型窒化物半導体層の複数の領域を外部に露出させる溝形成段階と、
前記形成された溝の表面に絶縁層を形成する溝絶縁段階と、
前記P型窒化物半導体層の上部と前記溝の表面に形成された絶縁層にわたってP型電極を形成するP型電極形成段階と、
前記形成されたメサ上にN型電極を形成するN型電極形成段階
を含み、前記発光構造物に形成された複数の溝のそれぞれは、溝の底面と側面間の角度が90゜以上165゜以下の範囲を有するように形成されていることを特徴とする、フリップチップ発光ダイオードの製造方法。 - 前記メサ形成段階または溝形成段階では、RIE工法によってエッチングすることを特徴とする、請求項1に記載のフリップチップ発光ダイオードの製造方法。
- 前記メサ形成段階または溝形成段階では、前記活性層及びP型窒化物半導体層の所定領域をエッチングすることを特徴とする、請求項1または2に記載のフリップチップ発光ダイオードの製造方法。
- 前記溝形成段階において、前記溝の幅が1μm〜50μmの範囲となるようにエッチングすることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のフリップチップ発光ダイオードの製造方法。
- 前記溝形成段階において、前記メサ側に近付くほど、複数形成された前記溝と溝の間の間隔が狭まるようにエッチングすることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載のフリップチップ発光ダイオードの製造方法。
- 前記P型電極形成段階において、p型オーミックメタル、バリアメタル、ボンディングメタルを順次に積層することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載のフリップチップ発光ダイオードの製造方法。
- 前記N型電極形成段階において、n型オーミックメタルを積層することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載のフリップチップ発光ダイオードの製造方法。
- 光透過性基板と、
前記基板上に、N型窒化物半導体層、活性層、P型窒化物半導体層が順次に形成されてなり、前記N型窒化物半導体層の複数の領域が所定幅を持つように露出されることによって形成されたメサ、および前記複数のメサとメサの間に位置している前記N型窒化物半導体層の複数の領域が所定幅で露出されることによって形成された溝を有する発光構造物と、
前記発光構造物の溝の表面にわたって形成される溝絶縁層と、
前記発光構造物のP型窒化物半導体層の上部と前記溝表面に形成された絶縁層にわたって形成されるP型電極と、
前記発光構造物の複数のメサに形成されるN型電極
を含み、
前記発光構造物に形成された複数の溝のそれぞれは、溝の底面と側面間の角度が90゜以上165゜以下の範囲を有するように形成されているフリップチップ発光ダイオード。 - 前記発光構造物は、活性層及びP型窒化物半導体層がRIEされてなることを特徴とする、請求項8に記載のフリップチップ発光ダイオード。
- 前記発光構造物に形成された溝が、1μm〜50μm範囲の幅を有することを特徴とする、請求項8または9に記載のフリップチップ発光ダイオード。
- 前記発光構造物に形成された複数の溝は、前記N型電極が形成されるメサ側に近付くほど隣接する溝間の間隔が狭まることを特徴とする、請求項8〜10のいずれか一項に記載のフリップチップ発光ダイオード。
- 前記P型電極は、p型オーミックメタル、バリアメタル、ボンディングメタルが順次に積層されて形成されたことを特徴とする、請求項8〜11のいずれか一項に記載のフリップチップ発光ダイオード。
- 前記N型電極は、n型オーミックメタルが積層されて形成されたことを特徴とする、請求項8〜12のいずれか一項に記載のフリップチップ発光ダイオード。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050036958A KR100597166B1 (ko) | 2005-05-03 | 2005-05-03 | 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006095168A Division JP4699258B2 (ja) | 2005-05-03 | 2006-03-30 | フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009283984A true JP2009283984A (ja) | 2009-12-03 |
Family
ID=37183670
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006095168A Expired - Fee Related JP4699258B2 (ja) | 2005-05-03 | 2006-03-30 | フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2009201870A Pending JP2009283984A (ja) | 2005-05-03 | 2009-09-01 | フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006095168A Expired - Fee Related JP4699258B2 (ja) | 2005-05-03 | 2006-03-30 | フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070012939A1 (ja) |
JP (2) | JP4699258B2 (ja) |
KR (1) | KR100597166B1 (ja) |
CN (1) | CN100435368C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014175516A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Stanley Electric Co Ltd | 発光素子 |
JP2015005701A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100887139B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
KR101478339B1 (ko) | 2008-06-19 | 2015-01-08 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR100986485B1 (ko) | 2008-11-21 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100999742B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
CN101874310B (zh) | 2008-09-30 | 2013-12-18 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
KR100962898B1 (ko) | 2008-11-14 | 2010-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
USRE48774E1 (en) | 2008-11-14 | 2021-10-12 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
JP5549190B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-07-16 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子の実装体の製造方法、発光装置の製造方法及び半導体発光素子 |
DE102009023849B4 (de) * | 2009-06-04 | 2022-10-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip |
JP2012164938A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
CN102185073B (zh) * | 2011-04-01 | 2012-09-19 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种倒装发光二极管及其制作方法 |
CN103996774A (zh) * | 2013-02-19 | 2014-08-20 | 旭明光电股份有限公司 | 具有电流引导结构的立式发光二极管 |
KR102099439B1 (ko) * | 2013-10-08 | 2020-04-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
DE102014116133B4 (de) * | 2014-11-05 | 2023-03-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung |
KR102656815B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2024-04-15 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60201680A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Rohm Co Ltd | 発光表示装置 |
JPH06296041A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JPH06338634A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光素子アレイ |
JPH07226534A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Kobe Steel Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JPH10107316A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体発光素子 |
JPH11214749A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2002016288A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2002026386A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2003101065A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2003133588A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-05-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光素子 |
JP2004506331A (ja) * | 2000-08-08 | 2004-02-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体チップおよびその製造方法 |
JP2004087930A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2005116794A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01225377A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Ledアレイ |
KR950010200A (ko) * | 1993-09-23 | 1995-04-26 | 김광호 | 레이저 다이오드 |
JP3973799B2 (ja) * | 1999-07-06 | 2007-09-12 | 松下電器産業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2001284639A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Hitachi Cable Ltd | プリンター用発光ダイオードアレイ |
US6455878B1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-09-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill |
JP2004079972A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 面発光型発光素子 |
TWI222756B (en) | 2002-11-12 | 2004-10-21 | Epitech Corp Ltd | Lateral current blocking light emitting diode and method of making the same |
KR100489478B1 (ko) * | 2003-02-15 | 2005-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 어레이 제조 방법 |
JP5142523B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2013-02-13 | チェオル ユー,ミュング | 縦型構造複合半導体装置 |
JP4580633B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2010-11-17 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20050049066A (ko) * | 2003-11-21 | 2005-05-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-05-03 KR KR1020050036958A patent/KR100597166B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006095168A patent/JP4699258B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-25 CN CNB2006100769014A patent/CN100435368C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-28 US US11/412,984 patent/US20070012939A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-09-01 JP JP2009201870A patent/JP2009283984A/ja active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60201680A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Rohm Co Ltd | 発光表示装置 |
JPH06296041A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JPH06338634A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光素子アレイ |
JPH07226534A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Kobe Steel Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JPH10107316A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体発光素子 |
JPH11214749A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2002016288A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2002026386A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2004506331A (ja) * | 2000-08-08 | 2004-02-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体チップおよびその製造方法 |
JP2003101065A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2003133588A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-05-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光素子 |
JP2004087930A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2005116794A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014175516A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Stanley Electric Co Ltd | 発光素子 |
JP2015005701A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1858921A (zh) | 2006-11-08 |
JP4699258B2 (ja) | 2011-06-08 |
KR100597166B1 (ko) | 2006-07-04 |
CN100435368C (zh) | 2008-11-19 |
JP2006313884A (ja) | 2006-11-16 |
US20070012939A1 (en) | 2007-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4699258B2 (ja) | フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 | |
KR100609118B1 (ko) | 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
JP5554792B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
US6998642B2 (en) | Series connection of two light emitting diodes through semiconductor manufacture process | |
JP4994758B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR100616600B1 (ko) | 수직구조 질화물 반도체 발광소자 | |
KR101537330B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법 | |
JP5326957B2 (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
KR20100035846A (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 | |
JP2011199122A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2012500479A (ja) | 両面不動態化を伴う半導体発光デバイスを製造するための方法 | |
KR102022659B1 (ko) | 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR100691497B1 (ko) | 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
KR101203138B1 (ko) | 발광소자와 그 제조방법 | |
KR100675268B1 (ko) | 다수의 발광 셀이 어레이된 플립칩 구조의 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
KR100646635B1 (ko) | 복수 셀의 단일 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
KR101154511B1 (ko) | 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
TWI830759B (zh) | 發光二極體元件及其製造方法 | |
KR100644215B1 (ko) | 발광소자와 그 제조방법 | |
KR20060095118A (ko) | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 | |
KR102234117B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
KR100697666B1 (ko) | 이중버퍼층이 형성된 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101411375B1 (ko) | 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
KR100730752B1 (ko) | 초격자층을 갖는 화합물 반도체, 이를 이용한 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | |
KR101047756B1 (ko) | 질화규소(SiN)층을 이용한 발광 다이오드 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090901 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091126 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100107 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100108 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100714 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120703 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120814 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20121120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130402 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130903 |