JP2001284639A - プリンター用発光ダイオードアレイ - Google Patents
プリンター用発光ダイオードアレイInfo
- Publication number
- JP2001284639A JP2001284639A JP2000098215A JP2000098215A JP2001284639A JP 2001284639 A JP2001284639 A JP 2001284639A JP 2000098215 A JP2000098215 A JP 2000098215A JP 2000098215 A JP2000098215 A JP 2000098215A JP 2001284639 A JP2001284639 A JP 2001284639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- light emitting
- current
- printer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】発光効率、集光性に優れ、発光部の小型化及び
印字むらのない高精細な印刷を可能とし、コストも下る
プリンター用発光ダイオードアレイを提供する。 【解決手段】複数の発光ダイオード１を、第一の電極３
ａが形成される基板１１と、電流の注入により光を発す
る発光層１３と、電流の通過を防ぐとともに不透明な半
導体からなり、その一部に発光層１３から発した光を外
部へ透過する開口部１５ａを有する電流狭窄層１５と、
透光性の半導体からなり、開口部１５ａに対向する領域
を覆うように形成されて電流狭窄層１５で透過を阻止さ
れた電流を開口部１５ａに対向する領域から直接下層に
注入する電流注入層１６とをこの順に備えてなるものと
し、それぞれの周囲に形成された分離溝２によってそれ
ぞれを分離し、さらに、電流注入層１６と電気的に接続
される第二の電極３ｂを、開口部１５ａに対向する領域
以外に形成する。
印字むらのない高精細な印刷を可能とし、コストも下る
プリンター用発光ダイオードアレイを提供する。 【解決手段】複数の発光ダイオード１を、第一の電極３
ａが形成される基板１１と、電流の注入により光を発す
る発光層１３と、電流の通過を防ぐとともに不透明な半
導体からなり、その一部に発光層１３から発した光を外
部へ透過する開口部１５ａを有する電流狭窄層１５と、
透光性の半導体からなり、開口部１５ａに対向する領域
を覆うように形成されて電流狭窄層１５で透過を阻止さ
れた電流を開口部１５ａに対向する領域から直接下層に
注入する電流注入層１６とをこの順に備えてなるものと
し、それぞれの周囲に形成された分離溝２によってそれ
ぞれを分離し、さらに、電流注入層１６と電気的に接続
される第二の電極３ｂを、開口部１５ａに対向する領域
以外に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリンター用発光
ダイオードアレイに関する。さらに詳しくは、発光効
率、高出力化及び集光性に優れ、プリンターに適用した
際、発光部の小型化及び印字むらのない高精細な印刷を
行うことができるとともに優れた特性を安定して発揮で
き、かつ低コスト化も可能なプリンター用発光ダイオー
ドアレイに関する。
ダイオードアレイに関する。さらに詳しくは、発光効
率、高出力化及び集光性に優れ、プリンターに適用した
際、発光部の小型化及び印字むらのない高精細な印刷を
行うことができるとともに優れた特性を安定して発揮で
き、かつ低コスト化も可能なプリンター用発光ダイオー
ドアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真方式のプリンター光源と
しては、主にレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式が
用いられている。
しては、主にレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式が
用いられている。
【０００３】中でも、発光ダイオードアレイ方式は、レ
ーザ方式のように光路長を長くとる必要がなく、プリン
ターの小型化、及び印刷サイズの大型化が容易であるこ
とから、プリンター光源として広く用いられている。そ
の一方で、最近は、プリンターのカラー化が進展してお
り、より高精細化、及び高出力化が可能となるプリンタ
ー用発光ダイオードアレイが求められている。
ーザ方式のように光路長を長くとる必要がなく、プリン
ターの小型化、及び印刷サイズの大型化が容易であるこ
とから、プリンター光源として広く用いられている。そ
の一方で、最近は、プリンターのカラー化が進展してお
り、より高精細化、及び高出力化が可能となるプリンタ
ー用発光ダイオードアレイが求められている。
【０００４】図３及び図４に示すように、従来のプリン
ター用発光ダイオードアレイでは、ｎ型ＧａＡｓ基板２
３の上に、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２４、ＧａＡｌ
Ａｓ発光層２５、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２６、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層２７をこの順に積層したダブル
へテロ構造のものが広く用いられている。ＧａＡｌＡｓ
発光層２５で発した光は、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
２６を透過し、外部に射出する。ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層２７は、電極形成用の層であり、ＧａＡｌＡｓ発光
層２５で発生した光を透過できないことからエッチング
により一部取り除かれて積層されている。
ター用発光ダイオードアレイでは、ｎ型ＧａＡｓ基板２
３の上に、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２４、ＧａＡｌ
Ａｓ発光層２５、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２６、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層２７をこの順に積層したダブル
へテロ構造のものが広く用いられている。ＧａＡｌＡｓ
発光層２５で発した光は、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
２６を透過し、外部に射出する。ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層２７は、電極形成用の層であり、ＧａＡｌＡｓ発光
層２５で発生した光を透過できないことからエッチング
により一部取り除かれて積層されている。
【０００５】最上層は、絶縁層としてＳｉＯ2層３２が
形成され、カソード電極２８は、ｎ型ＧａＡｓ基板２３
の下面に、アノード電極２９は、ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層２７上に形成されており、アノード電極２９とワイ
ヤーボンディングパッド３１は、配線３０により電気的
に接続されている。また、それぞれの発光ダイオード２
１間は、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２４まで達する深
さのメサ溝３３を設けることにより、電気的に分離され
ている。
形成され、カソード電極２８は、ｎ型ＧａＡｓ基板２３
の下面に、アノード電極２９は、ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層２７上に形成されており、アノード電極２９とワイ
ヤーボンディングパッド３１は、配線３０により電気的
に接続されている。また、それぞれの発光ダイオード２
１間は、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２４まで達する深
さのメサ溝３３を設けることにより、電気的に分離され
ている。
【０００６】他方、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合を形成する異型
薄膜の積層体を形成して、垂直方向への電流の流れを阻
止するとともに、その一の半導体層に亜鉛拡散領域を形
成して電極と異なる位置に電流注入領域を形成すること
により、素子の内部で発生した光が電極の妨害を受けず
に効率的に放出され、高出力の発光を可能とするプリン
ター用発光ダイオードアレイが提案されている（特開平
２−１７４２７２号公報）。
薄膜の積層体を形成して、垂直方向への電流の流れを阻
止するとともに、その一の半導体層に亜鉛拡散領域を形
成して電極と異なる位置に電流注入領域を形成すること
により、素子の内部で発生した光が電極の妨害を受けず
に効率的に放出され、高出力の発光を可能とするプリン
ター用発光ダイオードアレイが提案されている（特開平
２−１７４２７２号公報）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者のプリン
ター用発光ダイオードアレイでは、光射出領域２２が限
定されず、光射出領域２２上にｐ型ＧａＡｓコンタクト
層２７が形成され、これにアノード電極２９及び配線３
０が設けられるため、光の射出が妨げられ、発光効率及
び出力を低下させてしまうという問題があった。また、
ＧａＡｌＡｓ発光層２５が、メサ溝３３に露出している
ため、発生した光が横方向に漏出し、出力の低下を増大
させるとともに、横方向に漏出した光がメサ溝３３の側
壁で反射して外部に射出することにより印字むらを生ず
るという問題があった。
ター用発光ダイオードアレイでは、光射出領域２２が限
定されず、光射出領域２２上にｐ型ＧａＡｓコンタクト
層２７が形成され、これにアノード電極２９及び配線３
０が設けられるため、光の射出が妨げられ、発光効率及
び出力を低下させてしまうという問題があった。また、
ＧａＡｌＡｓ発光層２５が、メサ溝３３に露出している
ため、発生した光が横方向に漏出し、出力の低下を増大
させるとともに、横方向に漏出した光がメサ溝３３の側
壁で反射して外部に射出することにより印字むらを生ず
るという問題があった。
【０００８】また、後者のプリンター用発光ダイオード
アレイでは、亜鉛拡散領域の形成が、極めて精密な制御
を必要とするため、安定して一定品質のプリンター用発
光ダイオードアレイを得ることが困難であった。また、
この亜鉛拡散領域の形成には、大規模な設備が必要であ
るため、製品のコストを上昇させるという問題もあっ
た。さらには、分離溝については特に考慮されておらず
前者のプリンター用発光ダイオードアレイと同様の問題
があった。
アレイでは、亜鉛拡散領域の形成が、極めて精密な制御
を必要とするため、安定して一定品質のプリンター用発
光ダイオードアレイを得ることが困難であった。また、
この亜鉛拡散領域の形成には、大規模な設備が必要であ
るため、製品のコストを上昇させるという問題もあっ
た。さらには、分離溝については特に考慮されておらず
前者のプリンター用発光ダイオードアレイと同様の問題
があった。
【０００９】従って、本発明の目的は、発光効率、高出
力化及び集光性に優れ、プリンターに適用した際、発光
部の小型化及び印字むらのない高精細な印刷を可能とす
るとともにこのような優れた特性を安定して発揮するこ
とができ、かつ低コスト化も可能なプリンター用発光ダ
イオードアレイを提供することにある。
力化及び集光性に優れ、プリンターに適用した際、発光
部の小型化及び印字むらのない高精細な印刷を可能とす
るとともにこのような優れた特性を安定して発揮するこ
とができ、かつ低コスト化も可能なプリンター用発光ダ
イオードアレイを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、以下のプリンター用発光ダイオードアレイ
を提供するものである。
成するため、以下のプリンター用発光ダイオードアレイ
を提供するものである。
【００１１】[１］共通基板の上に配置した複数の発光
ダイオードと、その発光ダイオードに形成した複数の電
極とを備えたプリンター用発光ダイオードアレイにおい
て、前記複数の発光ダイオードが、第一の電極が形成さ
れる半導体層からなる基板と、電流の注入により光を発
する半導体からなる発光層と、電流の通過を防ぐととも
に不透明な半導体からなり、その一部に前記発光層から
発した光を外部へ透過する開口部を有する電流狭窄層
と、透光性の半導体からなり、前記開口部に対向する領
域を覆うように形成されて前記電流狭窄層で透過を阻止
された電流を前記開口部に対向する領域から直接下層に
注入する電流注入層とをこの順に備えてなるとともに、
それぞれの周囲に形成された最上層から少なくとも前記
電流狭窄層に達し、かつ前記発光層に達しない分離溝に
よってそれぞれ分離されてなり、さらに、前記電流注入
層と電気的に接続される第二の電極が、前記開口部に対
向する領域以外に形成されてなることを特徴とするプリ
ンター用発光ダイオードアレイ。
ダイオードと、その発光ダイオードに形成した複数の電
極とを備えたプリンター用発光ダイオードアレイにおい
て、前記複数の発光ダイオードが、第一の電極が形成さ
れる半導体層からなる基板と、電流の注入により光を発
する半導体からなる発光層と、電流の通過を防ぐととも
に不透明な半導体からなり、その一部に前記発光層から
発した光を外部へ透過する開口部を有する電流狭窄層
と、透光性の半導体からなり、前記開口部に対向する領
域を覆うように形成されて前記電流狭窄層で透過を阻止
された電流を前記開口部に対向する領域から直接下層に
注入する電流注入層とをこの順に備えてなるとともに、
それぞれの周囲に形成された最上層から少なくとも前記
電流狭窄層に達し、かつ前記発光層に達しない分離溝に
よってそれぞれ分離されてなり、さらに、前記電流注入
層と電気的に接続される第二の電極が、前記開口部に対
向する領域以外に形成されてなることを特徴とするプリ
ンター用発光ダイオードアレイ。
【００１２】本発明のプリンター用発光ダイオードアレ
イでは、上記のように電流狭窄層及び電流注入層という
層構造により集光化を図っているため、安定して高発光
効率、高集光性及び高出力化の優れた特性を発揮するこ
とができるとともに光源の低コスト化を図ることができ
る。
イでは、上記のように電流狭窄層及び電流注入層という
層構造により集光化を図っているため、安定して高発光
効率、高集光性及び高出力化の優れた特性を発揮するこ
とができるとともに光源の低コスト化を図ることができ
る。
【００１３】また、電流透過層又はその上に形成される
コンタクト層の開口部対向領域以外に第二の電極を設け
ているため、発光効率及び出力をさらに高めることがで
きる。
コンタクト層の開口部対向領域以外に第二の電極を設け
ているため、発光効率及び出力をさらに高めることがで
きる。
【００１４】また、各発光ダイオードの周囲に形成され
た分離溝を、最上層から少なくとも電流狭窄層に達し、
かつ発光層に達しない溝とするため、発生した光のメサ
溝への漏出がなく、集光性の向上及び高出力化を図るこ
とができ、プリンターに適用した際、発光部の小型化及
び印字むらのない高精細な印刷を可能とする。
た分離溝を、最上層から少なくとも電流狭窄層に達し、
かつ発光層に達しない溝とするため、発生した光のメサ
溝への漏出がなく、集光性の向上及び高出力化を図るこ
とができ、プリンターに適用した際、発光部の小型化及
び印字むらのない高精細な印刷を可能とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しつつ具体的に説明する。図１は、本発明のプ
リンター用発光ダイオードアレイにおける一の実施の形
態を模式的に示す平面図であり、図２は、図１における
Ａ−Ａ断面図である。
面を参照しつつ具体的に説明する。図１は、本発明のプ
リンター用発光ダイオードアレイにおける一の実施の形
態を模式的に示す平面図であり、図２は、図１における
Ａ−Ａ断面図である。
【００１６】図１及び２に示すように、本発明の一の実
施の形態おけるプリンター用発光ダイオードアレイは、
共通基板１１の上に配置した複数の発光ダイオード１
と、その発光ダイオード１に形成した複数の電極３ａ，
３ｂとを備えたプリンター用発光ダイオードアレイにお
いて、複数の発光ダイオード１が、第一の電極３ａが形
成される半導体層からなる基板１１と、第一のクラッド
層１２と、電流の注入により光を発する半導体からなる
発光層１３と、第二のクラッド層１４と、電流の通過を
防ぐとともに不透明な半導体からなり、その一部に発光
層１３から発した光を外部へ透過する開口部１５ａを有
する電流狭窄層１５と、透光性の半導体からなり、開口
部１５ａに対向する領域を覆うように形成されて電流狭
窄層１５で透過を阻止された電流を開口部１５ａに対向
する領域から直接下層に注入する電流注入層１６とをこ
の順に備えてなるとともに、それぞれの周囲に形成され
た最上層から少なくとも電流狭窄層１５に達し、かつ発
光層１３に達しない分離溝２によってそれぞれ分離され
てなり、さらに、電流注入層１６と電気的に接続される
第二の電極３ｂが、前記開口部１５ａに対向する領域以
外に形成されてなるものである。
施の形態おけるプリンター用発光ダイオードアレイは、
共通基板１１の上に配置した複数の発光ダイオード１
と、その発光ダイオード１に形成した複数の電極３ａ，
３ｂとを備えたプリンター用発光ダイオードアレイにお
いて、複数の発光ダイオード１が、第一の電極３ａが形
成される半導体層からなる基板１１と、第一のクラッド
層１２と、電流の注入により光を発する半導体からなる
発光層１３と、第二のクラッド層１４と、電流の通過を
防ぐとともに不透明な半導体からなり、その一部に発光
層１３から発した光を外部へ透過する開口部１５ａを有
する電流狭窄層１５と、透光性の半導体からなり、開口
部１５ａに対向する領域を覆うように形成されて電流狭
窄層１５で透過を阻止された電流を開口部１５ａに対向
する領域から直接下層に注入する電流注入層１６とをこ
の順に備えてなるとともに、それぞれの周囲に形成され
た最上層から少なくとも電流狭窄層１５に達し、かつ発
光層１３に達しない分離溝２によってそれぞれ分離され
てなり、さらに、電流注入層１６と電気的に接続される
第二の電極３ｂが、前記開口部１５ａに対向する領域以
外に形成されてなるものである。
【００１７】基板１１としては特に制限はなく、透光
性、非透光性いずれでもよい。具体的には、例えば、ｎ
型又はｐ型のＧａＡｓからなる基板等を挙げることがで
きる。
性、非透光性いずれでもよい。具体的には、例えば、ｎ
型又はｐ型のＧａＡｓからなる基板等を挙げることがで
きる。
【００１８】第一、第二のクラッド層１２、１４は、発
光層に光を閉じこめて効率良く発光を行う観点から設け
ることが好ましい。
光層に光を閉じこめて効率良く発光を行う観点から設け
ることが好ましい。
【００１９】第一、第二のクラッド層１２、１４として
は、例えば、ＩｎＰ、ＩｎＡｌＡｓ、ＧａＡｌＡｓから
なる半導体層等を挙げることができる。また、第一、第
二のクラッド層１２、１４は、それぞれ異なる導電型と
してダブルへテロ構造とすることもできる。また、第
一、第二のクラッド層１２、１４は、適切な効果を発揮
させるために発光層に隣接又は近接して設けることが好
ましい。
は、例えば、ＩｎＰ、ＩｎＡｌＡｓ、ＧａＡｌＡｓから
なる半導体層等を挙げることができる。また、第一、第
二のクラッド層１２、１４は、それぞれ異なる導電型と
してダブルへテロ構造とすることもできる。また、第
一、第二のクラッド層１２、１４は、適切な効果を発揮
させるために発光層に隣接又は近接して設けることが好
ましい。
【００２０】発光層１３は、電流の注入により光を発す
る半導体からなる層である。発光層１３としては、例え
ば、第一、第二のクラッド層１２、１４と同一の半導体
でアンドープ型のもの等を挙げることができる。
る半導体からなる層である。発光層１３としては、例え
ば、第一、第二のクラッド層１２、１４と同一の半導体
でアンドープ型のもの等を挙げることができる。
【００２１】電流狭窄層１５は、電流の通過を防ぐとと
もに不透明な半導体からなり、その一部に発光層１３か
ら発した光を外部へ透過する開口部１５ａを有するもの
である。電流の通過を防ぐためには、電流狭窄層１５の
材質として、例えば、高抵抗の半導体を用いればよく、
またこれに限らず、低抵抗であってもｐ-ｎ-ｐ構造とな
っていれば電流は流れないので電流注入層１６と異なる
導電型を用いてもよい。不透明とするためには、電流狭
窄層１５の材質として、例えば、発光層１３を形成する
半導体よりバンドギャップの狭いものが好ましく、より
具体的には、例えば、発光層１３が、ＧａＡｌＡｓの場
合には、ｎ型又はｐ型ＧａＡｓ層等を挙げることができ
る。開口部１５ａは、例えば、エッチング処理により形
成することができ、具体的には、例えば、ウエットエッ
チング、又はプラズマエッチング、スパッタエッチング
等のドライエッチング等を挙げることができる。
もに不透明な半導体からなり、その一部に発光層１３か
ら発した光を外部へ透過する開口部１５ａを有するもの
である。電流の通過を防ぐためには、電流狭窄層１５の
材質として、例えば、高抵抗の半導体を用いればよく、
またこれに限らず、低抵抗であってもｐ-ｎ-ｐ構造とな
っていれば電流は流れないので電流注入層１６と異なる
導電型を用いてもよい。不透明とするためには、電流狭
窄層１５の材質として、例えば、発光層１３を形成する
半導体よりバンドギャップの狭いものが好ましく、より
具体的には、例えば、発光層１３が、ＧａＡｌＡｓの場
合には、ｎ型又はｐ型ＧａＡｓ層等を挙げることができ
る。開口部１５ａは、例えば、エッチング処理により形
成することができ、具体的には、例えば、ウエットエッ
チング、又はプラズマエッチング、スパッタエッチング
等のドライエッチング等を挙げることができる。
【００２３】電流注入層１６は、透光性の半導体からな
り、開口部１５ａに対向する領域を覆うように形成され
て電流狭窄層１５で透過を阻止された電流を開口部１５
ａに対向する領域から直接下層に注入するものである。
電流注入層１６としては、例えば、ｐ型ＧａＡ１Ａｓ
層、ｎ型ＧａＡ１Ａｓ層等を挙げることができる。
り、開口部１５ａに対向する領域を覆うように形成され
て電流狭窄層１５で透過を阻止された電流を開口部１５
ａに対向する領域から直接下層に注入するものである。
電流注入層１６としては、例えば、ｐ型ＧａＡ１Ａｓ
層、ｎ型ＧａＡ１Ａｓ層等を挙げることができる。
【００２５】コンタクト層１７は、必ずしも必要としな
いが、電極の形成を容易にする観点から設けることが好
ましい。コンタクト層１７としては、例えば、ｐ型又は
ｎ型ＧａＡｓ層等を挙げることができる。但し、コンタ
クト層１７が非透光性の場合には、開口部１５ａに対向
する領域以外に形成することが好ましく、例えば、エッ
チング等で形成することができる。
いが、電極の形成を容易にする観点から設けることが好
ましい。コンタクト層１７としては、例えば、ｐ型又は
ｎ型ＧａＡｓ層等を挙げることができる。但し、コンタ
クト層１７が非透光性の場合には、開口部１５ａに対向
する領域以外に形成することが好ましく、例えば、エッ
チング等で形成することができる。
【００２６】以上の各半導体層の形成法については特に
制限はなく、例えば、有機金属気相成長法、分子線エピ
キタシ法、気相成長法等の方法で形成することができ
る。
制限はなく、例えば、有機金属気相成長法、分子線エピ
キタシ法、気相成長法等の方法で形成することができ
る。
【００２７】第二の電極３ｂは、効率的な発光を得るた
めにコンタクト層１７の開口部１５ａに対向する領域以
外に形成しているが、直接電流注入層１６に形成するこ
ともでき、この場合には、電流注入層１６の開口部１５
ａに対向する領域以外に形成することになる。
めにコンタクト層１７の開口部１５ａに対向する領域以
外に形成しているが、直接電流注入層１６に形成するこ
ともでき、この場合には、電流注入層１６の開口部１５
ａに対向する領域以外に形成することになる。
【００２８】分離溝２は、各発光ダイオードを電気的に
分離する観点から各発光ダイオードの周囲に配設し、最
上層から少なくとも電流狭窄層に達し、かつ発光層に達
しない溝とする。
分離する観点から各発光ダイオードの周囲に配設し、最
上層から少なくとも電流狭窄層に達し、かつ発光層に達
しない溝とする。
【００２９】このような深さとすることで、発光層の側
面が露出せず、発光層から発した光が発光層側面から漏
光することがないため、集光性が向上し、プリンターに
適用した際、印字むらのない高精細な印刷を可能とする
とともに装置を小型化することもできる。
面が露出せず、発光層から発した光が発光層側面から漏
光することがないため、集光性が向上し、プリンターに
適用した際、印字むらのない高精細な印刷を可能とする
とともに装置を小型化することもできる。
【００３０】すなわち、分離溝２の深さが、発光層１３
の表面よりも深いと、発光層１３から発した光が発光層
１３の側面から漏光し、分離溝２の側壁で反射して外部
に射出して、集光性が低下することになる。一方、電流
狭窄層１５に到達しない程度の深さでは、発光ダイオー
ド１の電気的分離が不十分となる。
の表面よりも深いと、発光層１３から発した光が発光層
１３の側面から漏光し、分離溝２の側壁で反射して外部
に射出して、集光性が低下することになる。一方、電流
狭窄層１５に到達しない程度の深さでは、発光ダイオー
ド１の電気的分離が不十分となる。
【００３１】最上層に形成した絶縁層１８は、必ずしも
必要としないが、ショート等を防止する観点から形成す
ることが好ましい。絶縁層１８としては、例えば、Ｓｉ
Ｏ2層等を挙げることができる。絶縁層１８には、貫通
孔を設け、これを通じて第二の電極３ｂをコンタクト層
１７上に形成し、配線４によりボンディングパッド５と
電気的に接続することができる。
必要としないが、ショート等を防止する観点から形成す
ることが好ましい。絶縁層１８としては、例えば、Ｓｉ
Ｏ2層等を挙げることができる。絶縁層１８には、貫通
孔を設け、これを通じて第二の電極３ｂをコンタクト層
１７上に形成し、配線４によりボンディングパッド５と
電気的に接続することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によると、発
光効率、高出力化及び集光性に優れ、プリンターに適用
した際、発光部の小型化及び印字むらのない高精細な印
刷を可能とするとともに優れた特性を安定して発揮する
ことができ、かつ低コスト化も可能なプリンター用発光
ダイオードアレイを提供することができる。
光効率、高出力化及び集光性に優れ、プリンターに適用
した際、発光部の小型化及び印字むらのない高精細な印
刷を可能とするとともに優れた特性を安定して発揮する
ことができ、かつ低コスト化も可能なプリンター用発光
ダイオードアレイを提供することができる。
【００３３】
【図１】本発明のプリンター用発光ダイオードアレイに
おける一の実施の形態を模式的に示す平面図である。
おける一の実施の形態を模式的に示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図３】従来のプリンター用発光ダイオードアレイの一
例を模式的に示す平面図である。
例を模式的に示す平面図である。
【図４】図３におけるＢ−Ｂ断面図である。
１：発光ダイオード ２：分離溝 ３ａ：第一の電極 ３ｂ：第二の電極 ４：配線 ５：ボンディングパッド １１：基板 １２：第一のクラッド層 １３：発光層 １４：第二のクラッド層 １５：電流狭窄層 １５ａ：開口部 １６：電流注入層 １７：コンタクト層 １８：絶縁層 ２１：発光ダイオード ２２：光射出領域 ２３：ｎ型ＧａＡｓ基板 ２４：ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 ２５：ＧａＡｌＡｓ発光層 ２６：ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 ２７：ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ２８：カソード電極 ２９：アノード電極 ３０：配線 ３１：ワイヤーボンディングパッド ３２：ＳｉＯ2層 ３３：メサ溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊島 敏也 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 (72)発明者 小泉 玄太 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 Ｆターム(参考） 2C162 FA04 FA17 FA23 5F041 AA03 AA04 AA47 CA04 CA07 CA34 CA35 CA36 CA53 CA74 CB02 CB25 DA07 FF13
Claims (1)
- 【請求項１】共通基板の上に配置した複数の発光ダイオ
ードと、その発光ダイオードに形成した複数の電極とを
備えたプリンター用発光ダイオードアレイにおいて、 前記複数の発光ダイオードが、 第一の電極が形成される半導体層からなる基板と、 電流の注入により光を発する半導体からなる発光層と、 電流の通過を防ぐとともに不透明な半導体からなり、そ
の一部に前記発光層から発した光を外部へ透過する開口
部を有する電流狭窄層と、 透光性の半導体からなり、前記開口部に対向する領域を
覆うように形成されて前記電流狭窄層で透過を阻止され
た電流を前記開口部に対向する領域から直接下層に注入
する電流注入層とをこの順に備えてなるとともに、 それぞれの周囲に形成された最上層から少なくとも前記
電流狭窄層に達し、かつ前記発光層に達しない分離溝に
よってそれぞれ分離されてなり、さらに、 前記電流注入層と電気的に接続される第二の電極が、前
記開口部に対向する領域以外に形成されてなることを特
徴とするプリンター用発光ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000098215A JP2001284639A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | プリンター用発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000098215A JP2001284639A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | プリンター用発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284639A true JP2001284639A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18612724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000098215A Pending JP2001284639A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | プリンター用発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001284639A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1365214A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor using roof mirror/roof prism array scale, and apparatus equipped with the sensor |
| JP2007299955A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Kyocera Corp | 電子装置、発光装置および画像形成装置 |
| CN100435368C (zh) * | 2005-05-03 | 2008-11-19 | 三星电机株式会社 | 倒装芯片发光二极管及其制造方法 |
| JP2013510445A (ja) * | 2009-11-09 | 2013-03-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体の異方性エッチングプロセス |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000098215A patent/JP2001284639A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1365214A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor using roof mirror/roof prism array scale, and apparatus equipped with the sensor |
| CN100435368C (zh) * | 2005-05-03 | 2008-11-19 | 三星电机株式会社 | 倒装芯片发光二极管及其制造方法 |
| JP2007299955A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Kyocera Corp | 電子装置、発光装置および画像形成装置 |
| JP2013510445A (ja) * | 2009-11-09 | 2013-03-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体の異方性エッチングプロセス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4714122B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US8101960B2 (en) | Nitride light emitting device and manufacturing method thereof | |
| US7034340B2 (en) | Light-emitting diode array | |
| JP4595012B2 (ja) | 半導体発光装置、光プリントヘッド、および画像形成装置 | |
| TW571448B (en) | Light-emitting diode array | |
| US5061974A (en) | Semiconductor light-emitting device of array type | |
| JPWO2008155960A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3323324B2 (ja) | 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ | |
| KR20030007061A (ko) | 발광 다이오드 어레이 | |
| KR20210044789A (ko) | 발광 소자 및 전자 기기 | |
| US20070007584A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same | |
| JP2001284639A (ja) | プリンター用発光ダイオードアレイ | |
| JP2000323750A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| KR100495004B1 (ko) | 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| US6180961B1 (en) | Light emitting semiconductor device with stacked structure | |
| JPH10242507A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| US5093697A (en) | Semiconductor light emitting element | |
| US5018159A (en) | Divided electrode type semiconductor laser device | |
| JP2001326383A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2002016282A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3871539B2 (ja) | 端面発光型発光ダイオードアレイ | |
| US20030122135A1 (en) | Light emitting semiconductor device | |
| JP3883404B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 | |
| JP2003179262A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP3891833B2 (ja) | 半導体装置及びｌｅｄアレイ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050316 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050720 |