JP2000323750A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
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- JP2000323750A JP2000323750A JP12881699A JP12881699A JP2000323750A JP 2000323750 A JP2000323750 A JP 2000323750A JP 12881699 A JP12881699 A JP 12881699A JP 12881699 A JP12881699 A JP 12881699A JP 2000323750 A JP2000323750 A JP 2000323750A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 活性層で発生した光を効率良く取り出す構造
にすることにより、高出力発光ダイオードアレイを提供
する。 【解決手段】 基板１上に複数の結晶層を積んだエピタ
キシャル層が形成され、メサエッチング溝により分割さ
れた複数個の発光ダイオード部２０を有する発光ダイオ
ードアレイにおいて、発光ダイオード部２０の表面に形
成される発光部１２の両側にその発光ダイオード部２０
に電圧を印加するカソード用コンタクト電極１０とアノ
ード用コンタクト電極１５を形成して、上記発光部１２
の発光面直下に電流経路１８が形成されるようにする。
にすることにより、高出力発光ダイオードアレイを提供
する。 【解決手段】 基板１上に複数の結晶層を積んだエピタ
キシャル層が形成され、メサエッチング溝により分割さ
れた複数個の発光ダイオード部２０を有する発光ダイオ
ードアレイにおいて、発光ダイオード部２０の表面に形
成される発光部１２の両側にその発光ダイオード部２０
に電圧を印加するカソード用コンタクト電極１０とアノ
ード用コンタクト電極１５を形成して、上記発光部１２
の発光面直下に電流経路１８が形成されるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードア
レイに係り、特に電子写真プリンタ光源に用いられる発
光ダイオードアレイに関するものである。
レイに係り、特に電子写真プリンタ光源に用いられる発
光ダイオードアレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子写真方式のプリンタ光源としては、
主にレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式が用いられ
ている。
主にレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式が用いられ
ている。
【０００３】特に発光ダイオードアレイ方式は、レーザ
方式のように光路長を長くとる必要がないため、プリン
タを小型化できる、大サイズの印刷が容易であるという
特長を持っている。
方式のように光路長を長くとる必要がないため、プリン
タを小型化できる、大サイズの印刷が容易であるという
特長を持っている。
【０００４】さらに、最近はプリンタの小型化が進んで
おり、より高精細で高出力の発光ダイオードアレイが求
められるようになってきている。
おり、より高精細で高出力の発光ダイオードアレイが求
められるようになってきている。
【０００５】図３に従来の発光ダイオードアレイの上面
図、図４に従来の発光ダイオードアレイの構造図を示
す。
図、図４に従来の発光ダイオードアレイの構造図を示
す。
【０００６】図３に示すように、従来の発光ダイオード
アレイは、チップ上に複数の発光部４０が一列に並んで
いる。
アレイは、チップ上に複数の発光部４０が一列に並んで
いる。
【０００７】そして、その断面構造は、図４に示すよう
に、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３３、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層３４、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３５
を順に設けたダブルヘテロ構造となっている。
に、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３３、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層３４、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３５
を順に設けたダブルヘテロ構造となっている。
【０００８】発光ダイオードの分離は、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層３５からｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２まで
メサエッチングすることにより行っている。
ャップ層３５からｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２まで
メサエッチングすることにより行っている。
【０００９】そして、発光ダイオードに電圧を印加する
ためのカソード電極３６は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の裏
面全面に、アノード電極３７は、ｐ型ＧａＡｓ層３５の
上に金属を蒸着し合金化することにより設けられてい
る。
ためのカソード電極３６は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の裏
面全面に、アノード電極３７は、ｐ型ＧａＡｓ層３５の
上に金属を蒸着し合金化することにより設けられてい
る。
【００１０】さらにアノード電極３７の上にＡｕ配線３
８を配線してワイヤボンディングパッド３９まで電気的
に接続してある。
８を配線してワイヤボンディングパッド３９まで電気的
に接続してある。
【００１１】また、発光ダイオードの活性層３３で発生
した光は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３５を透過すること
ができないため、光取り出し部である発光部４０は、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層３５をエッチングにより取り除き
設けてある。
した光は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３５を透過すること
ができないため、光取り出し部である発光部４０は、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層３５をエッチングにより取り除き
設けてある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この発光ダ
イオードアレイの構造は、アノード電極３７からカソー
ド電極３６に向かって基板３１に垂直方向に流れる電流
４１がもっとも強く、アノード電極３７の真下が光出力
が最も高い。
イオードアレイの構造は、アノード電極３７からカソー
ド電極３６に向かって基板３１に垂直方向に流れる電流
４１がもっとも強く、アノード電極３７の真下が光出力
が最も高い。
【００１３】しかし、そのアノード電極３７の真下で発
生した光は、ｐ型ＧａＡｓ層３５に吸収され外には出る
ことができない。そこでｐ型ＧａＡｓキャップ層３５を
エッチングで取り除くことにより窓を開け、この窓を光
を取り出す発光部４０とすることになるが、発光部４０
は最も光出力が強い部分の真上に設けることができない
ため、光出力が強い部分から漏れた光４２を取り出すこ
とになる。
生した光は、ｐ型ＧａＡｓ層３５に吸収され外には出る
ことができない。そこでｐ型ＧａＡｓキャップ層３５を
エッチングで取り除くことにより窓を開け、この窓を光
を取り出す発光部４０とすることになるが、発光部４０
は最も光出力が強い部分の真上に設けることができない
ため、光出力が強い部分から漏れた光４２を取り出すこ
とになる。
【００１４】そのため、特に発光部４０の面積を小さく
する必要がある６００ｄｐｉ、１２００ｄｐｉ等の高解
像度のプリンタ光源として用いる場合には、非常に光の
取り出し効率が悪いという問題があった。
する必要がある６００ｄｐｉ、１２００ｄｐｉ等の高解
像度のプリンタ光源として用いる場合には、非常に光の
取り出し効率が悪いという問題があった。
【００１５】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解決し、活性層で発生した光を効率良く取り出
す構造にすることにより、高出力発光ダイオードアレイ
を提供することにある。
問題点を解決し、活性層で発生した光を効率良く取り出
す構造にすることにより、高出力発光ダイオードアレイ
を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、基板上に複数の結晶層を積んだエ
ピタキシャル層が形成され、メサエッチング溝により分
割された複数個の発光ダイオード部を有する発光ダイオ
ードアレイにおいて、発光ダイオード部の表面に形成さ
れる発光部の両側にその発光ダイオード部に電圧を印加
するカソード用コンタクト電極とアノード用コンタクト
電極を形成すると共に上記発光部の発光面直下に電流経
路を形成したものである。
に請求項１の発明は、基板上に複数の結晶層を積んだエ
ピタキシャル層が形成され、メサエッチング溝により分
割された複数個の発光ダイオード部を有する発光ダイオ
ードアレイにおいて、発光ダイオード部の表面に形成さ
れる発光部の両側にその発光ダイオード部に電圧を印加
するカソード用コンタクト電極とアノード用コンタクト
電極を形成すると共に上記発光部の発光面直下に電流経
路を形成したものである。
【００１７】請求項２の発明は、上記発光部の発光面の
直下に電流拡散層又は電極の直下に電流阻止層を形成し
て発光部の発光面直下に電流経路を形成したものであ
る。
直下に電流拡散層又は電極の直下に電流阻止層を形成し
て発光部の発光面直下に電流経路を形成したものであ
る。
【００１８】請求項３の発明は、上記発光部の直下に電
流拡散層と電極の直下に電流阻止層とを形成して発光部
の発光面直下に電流経路を形成したものである。
流拡散層と電極の直下に電流阻止層とを形成して発光部
の発光面直下に電流経路を形成したものである。
【００１９】すなわち、本発明は、上記目的を達成する
ために、ＧａＡｓ基板の上に、カソード用コンタクト電
極を設けるための層と、アノード用コンタクト電極を設
けるための結晶層とを設け、それらの層の間に発光ダイ
オード用のダブルヘテロ構造を設けたこと、基板とその
基板の上に設けた発光ダイオードとを電気的に絶縁した
こと、カソード用コンタクト電極またはアノード用コン
タクト電極をメサエッチングの溝の底に設けたこと、発
光ダイオードアレイの上面から見てアノード用コンタク
ト電極とカソード用コンタクト電極を複数の発光部を結
ぶ線（電流経路）を介して反対側に設けたこと、加え
て、エピタキシャル層中においてカソード用コンタクト
電極またはアノード用コンタクト電極の直下に電流阻止
層を設けたこと、発光部直下に電流拡散層を設けたこと
を特徴とするものである。
ために、ＧａＡｓ基板の上に、カソード用コンタクト電
極を設けるための層と、アノード用コンタクト電極を設
けるための結晶層とを設け、それらの層の間に発光ダイ
オード用のダブルヘテロ構造を設けたこと、基板とその
基板の上に設けた発光ダイオードとを電気的に絶縁した
こと、カソード用コンタクト電極またはアノード用コン
タクト電極をメサエッチングの溝の底に設けたこと、発
光ダイオードアレイの上面から見てアノード用コンタク
ト電極とカソード用コンタクト電極を複数の発光部を結
ぶ線（電流経路）を介して反対側に設けたこと、加え
て、エピタキシャル層中においてカソード用コンタクト
電極またはアノード用コンタクト電極の直下に電流阻止
層を設けたこと、発光部直下に電流拡散層を設けたこと
を特徴とするものである。
【００２０】上記構成によれば、アノード用コンタクト
電極からの電流が、電流阻止層により発光面直下に案内
され、かつ電流拡散層により発光面直下全体に拡散され
て発光ダイオード部を通り、カソード用コンタクト電極
に流れる。すなわち、電流経路を電極直下から発光部直
下へと誘引できるため、光出力を大幅に向上させること
ができる。
電極からの電流が、電流阻止層により発光面直下に案内
され、かつ電流拡散層により発光面直下全体に拡散され
て発光ダイオード部を通り、カソード用コンタクト電極
に流れる。すなわち、電流経路を電極直下から発光部直
下へと誘引できるため、光出力を大幅に向上させること
ができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。
を添付図面に基づいて詳述する。
【００２２】図２に本発明にかかる発光ダイオードアレ
イの上面図を示す。
イの上面図を示す。
【００２３】図２に示すように、発光ダイオードアレイ
は、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、電圧の印加により発光
するメサ型の発光ダイオード部が形成され、その発光ダ
イオード部のメサ頂面には、発光ダイオード部で発光し
た光を外部に取り出すための多数の発光部１２が、メサ
エッチング溝１３によりそれぞれが絶縁されて一列に並
んで設けられている。
は、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、電圧の印加により発光
するメサ型の発光ダイオード部が形成され、その発光ダ
イオード部のメサ頂面には、発光ダイオード部で発光し
た光を外部に取り出すための多数の発光部１２が、メサ
エッチング溝１３によりそれぞれが絶縁されて一列に並
んで設けられている。
【００２４】さらに、それら発光部１２の列に沿って、
一方のメサ溝面には、発光ダイオード部に電圧を印加す
るための帯状のカソード用コンタクト電極１５が形成さ
れており、他方のメサ頂面には、各発光部１２ごとにア
ノード用コンタクト電極１０が形成されている。
一方のメサ溝面には、発光ダイオード部に電圧を印加す
るための帯状のカソード用コンタクト電極１５が形成さ
れており、他方のメサ頂面には、各発光部１２ごとにア
ノード用コンタクト電極１０が形成されている。
【００２５】さらに、アノード用コンタクト電極１０
は、それぞれＡｕ配線１６により外部素子と接続するた
めのボンディングパッド１７と電気的に接続されてい
る。
は、それぞれＡｕ配線１６により外部素子と接続するた
めのボンディングパッド１７と電気的に接続されてい
る。
【００２６】図１に発光ダイオードアレイの構造断面図
を示す。
を示す。
【００２７】図１に示すように、この発光ダイオードア
レイの発光ダイオード部２０は、半絶縁性ＧａＡｓ基板
１上に、アンドープＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＧａＡ
ｓ層３、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４、ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ活性層５、及びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６が順
に積層されて構成されると共にメサエッチング溝１３に
よりメサ型に形成されている。
レイの発光ダイオード部２０は、半絶縁性ＧａＡｓ基板
１上に、アンドープＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＧａＡ
ｓ層３、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４、ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ活性層５、及びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６が順
に積層されて構成されると共にメサエッチング溝１３に
よりメサ型に形成されている。
【００２８】さらに、上述した発光部１２は、その発光
ダイオード部２０の頂面の真上に電流拡散層８を挟んで
形成されている。
ダイオード部２０の頂面の真上に電流拡散層８を挟んで
形成されている。
【００２９】アノード用コンタクト電極１０は、上述し
たように、発光ダイオード部２０のメサ頂面に形成され
ており、電流阻止層７と、上述した電流拡散層８と、ア
ノード用コンタクト電極１０を形成するキヤップ層の一
部１１とを挟んで形成されている。
たように、発光ダイオード部２０のメサ頂面に形成され
ており、電流阻止層７と、上述した電流拡散層８と、ア
ノード用コンタクト電極１０を形成するキヤップ層の一
部１１とを挟んで形成されている。
【００３０】また、カソード用コンタクト電極１５は、
上述したように発光ダイオード部２０のメサ溝面である
ｎ型ＧａＡｓ層３上に形成されている。
上述したように発光ダイオード部２０のメサ溝面である
ｎ型ＧａＡｓ層３上に形成されている。
【００３１】次にこの発光ダイオードアレイの製造方法
を作用と共に説明する。
を作用と共に説明する。
【００３２】半絶縁性ＧａＡｓ基板１の（１００）表面
上に、ＭＯＶＰＥ法によりアンドープＧａＡｓバッファ
層２を１μｍ、キャリア濃度４×１０19ｃｍ-3のｎ型Ｇ
ａＡｓ層３を２μｍ、キャリア濃度３×１０17ｃｍ-3ｎ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層４を２μｍ、キャリア濃度１
×１０18ｃｍ-3のｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層５を１μｍ、
キャリア濃度２×１０18ｃｍ-3のｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層６を３μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ
型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層７を２００ｎｍ順次成長させ
る。
上に、ＭＯＶＰＥ法によりアンドープＧａＡｓバッファ
層２を１μｍ、キャリア濃度４×１０19ｃｍ-3のｎ型Ｇ
ａＡｓ層３を２μｍ、キャリア濃度３×１０17ｃｍ-3ｎ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層４を２μｍ、キャリア濃度１
×１０18ｃｍ-3のｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層５を１μｍ、
キャリア濃度２×１０18ｃｍ-3のｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層６を３μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3のｎ
型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層７を２００ｎｍ順次成長させ
る。
【００３３】そして、電流阻止層７はアノード用コンタ
クト電極１０の直下のみを残しエッチングにより選択的
に除去する。
クト電極１０の直下のみを残しエッチングにより選択的
に除去する。
【００３４】さらにＭＯＶＰＥ法により、キャリア濃度
５×１０18ｃｍ-3のｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層８を３
００ｎｍ、キャリア濃度４×１０19ｃｍ-3のｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層９を５００ｎｍ順次、２度目の成長をさせ
る。
５×１０18ｃｍ-3のｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層８を３
００ｎｍ、キャリア濃度４×１０19ｃｍ-3のｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層９を５００ｎｍ順次、２度目の成長をさせ
る。
【００３５】最上層であるｐ型ＧａＡｓキャップ層９
は、アノード用コンタクト電極１０を形成するキャップ
層の一部１１のみ残してウェットエッチングにより除去
する。
は、アノード用コンタクト電極１０を形成するキャップ
層の一部１１のみ残してウェットエッチングにより除去
する。
【００３６】そして、各発光部１２を電気的に分離する
ために、ウェットエッチングによりメサエッチング溝１
３を形成する。なお、メサエッチング溝１３の深さはｎ
型ＧａＡｓ層３が露出する７．５μｍとする。
ために、ウェットエッチングによりメサエッチング溝１
３を形成する。なお、メサエッチング溝１３の深さはｎ
型ＧａＡｓ層３が露出する７．５μｍとする。
【００３７】さらに、全表面を覆うようにＣＶＤにより
ＰＳＧ膜１４を０．５μｍ成長させる。
ＰＳＧ膜１４を０．５μｍ成長させる。
【００３８】そして、アノード電極１０とカソード電極
１５を形成する部分のＰＳＧ膜１４をフッ酸により除去
する。アノード用コンタクト電極１０は、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層９の上にＡｕＺｎ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着、アロ
イすることにより形成する。カソード用コンタクト電極
１５は、メサエッチング溝１３の底に露出しているｎ型
ＧａＡｓ層３の上にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着、アロ
イすることにより形成する。
１５を形成する部分のＰＳＧ膜１４をフッ酸により除去
する。アノード用コンタクト電極１０は、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層９の上にＡｕＺｎ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着、アロ
イすることにより形成する。カソード用コンタクト電極
１５は、メサエッチング溝１３の底に露出しているｎ型
ＧａＡｓ層３の上にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着、アロ
イすることにより形成する。
【００３９】最後にＡｕ配線１６によりアノード用コン
タクト電極１０、カソード用コンタクト電極１５のそれ
ぞれをボンディングパッド１７まで引き出し、発光ダイ
オードアレイが製造される。
タクト電極１０、カソード用コンタクト電極１５のそれ
ぞれをボンディングパッド１７まで引き出し、発光ダイ
オードアレイが製造される。
【００４０】このようにして製造された発光ダイオード
アレイは、アノード用コンタクト電極１０とカソード用
コンタクト電極１５との間に電圧を印加すると、アノー
ド用コンタクト電極１０からの電流は、電流阻止層７と
電流拡散層８とに案内されて発光ダイオード部２０と発
光部１２との間に拡散された後、発光ダイオード部２０
のエピ層をほぼ垂直に通って流れた後、発光ダイオード
部２０を挟んでアノード用コンタクト電極１０の反対側
に形成されたカソード用コンタクト電極１５に流れる。
このように、電流経路１８は、電極１０直下から、発光
部１２直下へと誘引される。
アレイは、アノード用コンタクト電極１０とカソード用
コンタクト電極１５との間に電圧を印加すると、アノー
ド用コンタクト電極１０からの電流は、電流阻止層７と
電流拡散層８とに案内されて発光ダイオード部２０と発
光部１２との間に拡散された後、発光ダイオード部２０
のエピ層をほぼ垂直に通って流れた後、発光ダイオード
部２０を挟んでアノード用コンタクト電極１０の反対側
に形成されたカソード用コンタクト電極１５に流れる。
このように、電流経路１８は、電極１０直下から、発光
部１２直下へと誘引される。
【００４１】これにより、もっとも強い電流が発光部１
２の発光面直下を流れることになり、最も出力が高い光
がこの発光部１２から出力する。この結果、従来の約５
倍の光出力を得ることができる。
２の発光面直下を流れることになり、最も出力が高い光
がこの発光部１２から出力する。この結果、従来の約５
倍の光出力を得ることができる。
【００４２】また、本実施の形態では、半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板１の上にｎ型の結晶を下にしたｎ型、ｐ型の順の
発光ダイオード用結晶構造について説明したが、半絶縁
性ＧａＡｓ基板１の上にｐ型の結晶を下にしたｐ型、ｎ
型の順の発光ダイオード用結晶構造においても、発光ダ
イオードの極性が変わるだけで、同様の効果が得られ
る。
ｓ基板１の上にｎ型の結晶を下にしたｎ型、ｐ型の順の
発光ダイオード用結晶構造について説明したが、半絶縁
性ＧａＡｓ基板１の上にｐ型の結晶を下にしたｐ型、ｎ
型の順の発光ダイオード用結晶構造においても、発光ダ
イオードの極性が変わるだけで、同様の効果が得られ
る。
【００４３】このとき、電流阻止層７、電流拡散層８の
伝導性は、本実施の形態とは逆に配置される。
伝導性は、本実施の形態とは逆に配置される。
【００４４】更に、電流阻止層７の材料として、本実施
の形態ではＡｌＧａＡｓを用いたが、ＧａＡｓを用いて
もよい。
の形態ではＡｌＧａＡｓを用いたが、ＧａＡｓを用いて
もよい。
【００４５】また、本実施の形態では半絶縁性ＧａＡｓ
基板１を用いたが、導電性の基板であっても、その上に
アンドープＧａＡｓなどの高抵抗層を設けるか、ｐ−ｎ
−ｐまたはｎ−ｐ−ｎとなる構造にすれば、電気的に絶
縁できるので適用可能である。
基板１を用いたが、導電性の基板であっても、その上に
アンドープＧａＡｓなどの高抵抗層を設けるか、ｐ−ｎ
−ｐまたはｎ−ｐ−ｎとなる構造にすれば、電気的に絶
縁できるので適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、光取り出
し効果の高い高出力の発光ダイオードアレイを提供する
ことができる。
し効果の高い高出力の発光ダイオードアレイを提供する
ことができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す発光ダイオードア
レイの構造図である。
レイの構造図である。
【図２】図１の発光ダイオードアレイの上面図である。
【図３】従来の発光ダイオードアレイの上面図である。
【図４】図３の発光ダイオードアレイの構造図である。
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ４ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ５ ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層 ６ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ７ ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層 ８ ｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層 １０ アノード用コンタクト電極（アノード電極） １２ 発光部 １３ メサエッチング溝 １５ カソード用コンタクト電極（カソード電極） １８ 電流経路 ２０ 発光ダイオード部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小泉 玄太 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 (72)発明者 松田 孝順 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 (72)発明者 野口 雅弘 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 (72)発明者 豊島 敏也 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 Ｆターム(参考） 2C162 FA17 FA23 FA50 5F041 AA03 CA35 CA36 CA74 CB01 CB25 FF13
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に複数の結晶層を積んだエピタキ
シャル層が形成され、メサエッチング溝により分割され
た複数個の発光ダイオード部を有する発光ダイオードア
レイにおいて、発光ダイオード部の表面に形成される発
光部の両側にその発光ダイオード部に電圧を印加するカ
ソード用コンタクト電極とアノード用コンタクト電極を
形成すると共に上記発光部の発光面直下に電流経路を形
成したことを特徴とする発光ダイオードアレイ。 - 【請求項２】 発光部の発光面の直下に電流拡散層又は
電極の直下に電流阻止層を形成して発光部の発光面直下
に電流経路を形成した請求項１記載の発光ダイオードア
レイ。 - 【請求項３】 発光部の直下に電流拡散層と電極の直下
に電流阻止層とを形成して発光部の発光面直下に電流経
路を形成した請求項１記載の発光ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12881699A JP2000323750A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12881699A JP2000323750A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=14994136
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|---|---|---|---|
| JP12881699A Pending JP2000323750A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 発光ダイオードアレイ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323750A (ja) |
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