JP2001168394A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
- Publication number
- JP2001168394A JP2001168394A JP34701799A JP34701799A JP2001168394A JP 2001168394 A JP2001168394 A JP 2001168394A JP 34701799 A JP34701799 A JP 34701799A JP 34701799 A JP34701799 A JP 34701799A JP 2001168394 A JP2001168394 A JP 2001168394A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- diode array
- light
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光出力の高い発光ダイオードアレイを提供
する。 【解決手段】 基板３１上に複数の結晶層を積んだエピ
タキシャル層が形成され、絶縁・分割された複数個の発
光ダイオード３０におけるオーミック接合によって形成
される電極４０が、発光部３７ａ上に少なくとも２本以
上突出して形成されている。このように、電極４０を櫛
形状に形成しているので、漏れ発光出力が最も高い発光
部３７ａの表面と電極４０との接触長を稼ぐことがで
き、発光ダイオードアレイ３０全体の発光出力を大幅に
向上させることができる．
する。 【解決手段】 基板３１上に複数の結晶層を積んだエピ
タキシャル層が形成され、絶縁・分割された複数個の発
光ダイオード３０におけるオーミック接合によって形成
される電極４０が、発光部３７ａ上に少なくとも２本以
上突出して形成されている。このように、電極４０を櫛
形状に形成しているので、漏れ発光出力が最も高い発光
部３７ａの表面と電極４０との接触長を稼ぐことがで
き、発光ダイオードアレイ３０全体の発光出力を大幅に
向上させることができる．
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードア
レイに関し、特に電子写真方式のプリンタ光源に用いら
れる発光ダイオードアレイに関するものである。
レイに関し、特に電子写真方式のプリンタ光源に用いら
れる発光ダイオードアレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子写真方式のプリンタの光源として
は、主にレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式が用い
られている。特に発光ダイオードアレイ方式は、レーザ
方式のように光路長を長くとる必要がないため、プリン
タを小型にすることができ、また、大サイズの印刷を容
易に行うことができるという特長をもっている。このよ
うな特長を有する発光ダイオードアレイであるが、最近
は、より一層小型のプリンタの開発が進められており、
より高精細で高出力の発光ダイオードアレイが求められ
るようになってきている。
は、主にレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式が用い
られている。特に発光ダイオードアレイ方式は、レーザ
方式のように光路長を長くとる必要がないため、プリン
タを小型にすることができ、また、大サイズの印刷を容
易に行うことができるという特長をもっている。このよ
うな特長を有する発光ダイオードアレイであるが、最近
は、より一層小型のプリンタの開発が進められており、
より高精細で高出力の発光ダイオードアレイが求められ
るようになってきている。
【０００３】図４は、従来の発光ダイオードアレイの上
面構造図、図５は、そのＡ−Ａ線断面構造図を示す。図
４はこの発光ダイオードアレイ１０を示し、ＰＳＧ膜２
３によって保護された半導体層の上面に、電流の注入に
より発光する複数のメサ型の発光ダイオード１２が、ワ
イヤボンディング部１３に沿って、かつメサエッチング
溝１４、１４ａによりそれぞれ絶縁されて一列に並んで
形成された構成となっている。
面構造図、図５は、そのＡ−Ａ線断面構造図を示す。図
４はこの発光ダイオードアレイ１０を示し、ＰＳＧ膜２
３によって保護された半導体層の上面に、電流の注入に
より発光する複数のメサ型の発光ダイオード１２が、ワ
イヤボンディング部１３に沿って、かつメサエッチング
溝１４、１４ａによりそれぞれ絶縁されて一列に並んで
形成された構成となっている。
【０００４】図５は発光ダイオード１２の断面構造を示
し、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の上面に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層１５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１６、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層１７、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１
８がこの順に形成されたダブルヘテロ構造となってい
る。この発光ダイオード１２は、ｐ型ＧａＡｓキャップ
層１８からｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１５までのメサ
エッチング溝１４ａによりワイヤボンディング部１３と
素子分離されている。
し、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の上面に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層１５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１６、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層１７、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１
８がこの順に形成されたダブルヘテロ構造となってい
る。この発光ダイオード１２は、ｐ型ＧａＡｓキャップ
層１８からｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１５までのメサ
エッチング溝１４ａによりワイヤボンディング部１３と
素子分離されている。
【０００５】また、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８の一部
がエッチングにより取り除かれて、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層１７の上面の一部が露出され、光取り出し部と
しての発光部１７ａが形成されている。発光ダイオード
１２はｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１６で光を発生するが、
この光は、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１７を透過する
ことはできるが、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８では吸収
されて透過することができない。このため、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層１７の上面の一部を露出させ、光取り
出し部である発光部１７ａを形成している。
がエッチングにより取り除かれて、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層１７の上面の一部が露出され、光取り出し部と
しての発光部１７ａが形成されている。発光ダイオード
１２はｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１６で光を発生するが、
この光は、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１７を透過する
ことはできるが、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８では吸収
されて透過することができない。このため、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層１７の上面の一部を露出させ、光取り
出し部である発光部１７ａを形成している。
【０００６】そして、発光ダイオード１２に電圧を印加
するためのカソード用コンタクト電極１９が、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１１の下面全面に形成され、アノード用コンタ
クト電極２０が、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８の上面に
オーミック接合により矩形状に形成されている。このカ
ソード用コンタクト電極１９及びアノード用コンタクト
電極２０は、金属を蒸着し合金化することにより形成さ
れる。さらに、アノード用コンタクト電極２０の上面か
らワイヤボンディング部１３のワイヤボンディングパッ
ド２１にかけてＡｕ配線２２が配線され、アノード用コ
ンタクト電極２０とワイヤボンディングパッド２１が電
気的に接続されている。
するためのカソード用コンタクト電極１９が、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１１の下面全面に形成され、アノード用コンタ
クト電極２０が、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８の上面に
オーミック接合により矩形状に形成されている。このカ
ソード用コンタクト電極１９及びアノード用コンタクト
電極２０は、金属を蒸着し合金化することにより形成さ
れる。さらに、アノード用コンタクト電極２０の上面か
らワイヤボンディング部１３のワイヤボンディングパッ
ド２１にかけてＡｕ配線２２が配線され、アノード用コ
ンタクト電極２０とワイヤボンディングパッド２１が電
気的に接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の発光ダ
イオードアレイ１０によると、以下の問題がある。上記
発光ダイオードアレイ１０では、図４に示すように、ア
ノード用コンタクト電極２０からカソード用コンタクト
電極１９に向かってｎ型ＧａＡｓ基板１１に垂直に流れ
る電流Ａが最も高くなるので、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層
１６のアノード用コンタクト電極２０の真下の領域で発
生する光の出力が最も高くなる。
イオードアレイ１０によると、以下の問題がある。上記
発光ダイオードアレイ１０では、図４に示すように、ア
ノード用コンタクト電極２０からカソード用コンタクト
電極１９に向かってｎ型ＧａＡｓ基板１１に垂直に流れ
る電流Ａが最も高くなるので、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層
１６のアノード用コンタクト電極２０の真下の領域で発
生する光の出力が最も高くなる。
【０００８】ところが、上述したように、発光部１７ａ
を最高出力光を発生するアノード用コンタクト電極２０
の真下のｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１６の部分に設けるこ
とができないため、最高出力光の大部分はｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ活性層１６の真上のｐ型ＧａＡｓキャップ層１８で
吸収され、最高出力光の漏れ光Ｌのみが発光部１７ａか
ら外部に取り出されることになる。
を最高出力光を発生するアノード用コンタクト電極２０
の真下のｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１６の部分に設けるこ
とができないため、最高出力光の大部分はｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ活性層１６の真上のｐ型ＧａＡｓキャップ層１８で
吸収され、最高出力光の漏れ光Ｌのみが発光部１７ａか
ら外部に取り出されることになる。
【０００９】この漏れ光Ｌの発光出力は、アノード用コ
ンタクト電極２０若しくはｐ型ＧａＡｓキャップ層１８
と、発光部１７ａとの接触端近傍Ｃが最も強くなる。そ
して、この接触端近傍Ｃの接触長は、発光部１７ａの面
積を小さくする必要がある６００ｄｐｉ，１２００ｄｐ
ｉ等の画素密度の大きいプリンタでは、発光部１７ａの
小サイズ化に比例して短くなるため、発光ダイオードア
レイ１０全体の発光出力が落ちるという問題があった。
ンタクト電極２０若しくはｐ型ＧａＡｓキャップ層１８
と、発光部１７ａとの接触端近傍Ｃが最も強くなる。そ
して、この接触端近傍Ｃの接触長は、発光部１７ａの面
積を小さくする必要がある６００ｄｐｉ，１２００ｄｐ
ｉ等の画素密度の大きいプリンタでは、発光部１７ａの
小サイズ化に比例して短くなるため、発光ダイオードア
レイ１０全体の発光出力が落ちるという問題があった。
【００１０】従って、本発明の目的は、発光ドットを小
さくしても発光出力低下しない発光ダイオードアレイを
提供することにある。
さくしても発光出力低下しない発光ダイオードアレイを
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を実
現するため、基板上に複数の結晶層を積んだエピタキシ
ャル層が形成され、絶縁・分割された複数個の発光ダイ
オードを有する発光ダイオードアレイにおいて、前記複
数個の発光ダイオードのそれぞれの発光部上に複数の所
定幅のストライプ電極を設けたことを特徴とする発光ダ
イオードアレイを提供する。
現するため、基板上に複数の結晶層を積んだエピタキシ
ャル層が形成され、絶縁・分割された複数個の発光ダイ
オードを有する発光ダイオードアレイにおいて、前記複
数個の発光ダイオードのそれぞれの発光部上に複数の所
定幅のストライプ電極を設けたことを特徴とする発光ダ
イオードアレイを提供する。
【００１２】上記構成によれば、電極を櫛形状に形成し
ているので、漏れ発光出力が最も高い発光部の表面と電
極との接触長を稼ぐことができ、発光ダイオードアレイ
全体の発光出力を大幅に向上させることができる。
ているので、漏れ発光出力が最も高い発光部の表面と電
極との接触長を稼ぐことができ、発光ダイオードアレイ
全体の発光出力を大幅に向上させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の発光ダイオードア
レイの実施形態を図１及び図２を参照して説明する。図
１は、本発明の発光ダイオードアレイの実施形態の上面
構造図、図２は、そのＡ−Ａ線断面構造図を示す。図１
はこの発光ダイオードアレイ３０を示し、ＰＳＧ膜４３
によって保護されている半導体層の上面に、電流の注入
により発光する複数のメサ型の発光ダイオード３２が、
ワイヤボンディング部３３に沿って、かつメサエッチン
グ溝３４、３４ａによりそれぞれ絶縁されて一列に並ん
で形成された構成となっている。
レイの実施形態を図１及び図２を参照して説明する。図
１は、本発明の発光ダイオードアレイの実施形態の上面
構造図、図２は、そのＡ−Ａ線断面構造図を示す。図１
はこの発光ダイオードアレイ３０を示し、ＰＳＧ膜４３
によって保護されている半導体層の上面に、電流の注入
により発光する複数のメサ型の発光ダイオード３２が、
ワイヤボンディング部３３に沿って、かつメサエッチン
グ溝３４、３４ａによりそれぞれ絶縁されて一列に並ん
で形成された構成となっている。
【００１４】図２は発光ダイオード３２の断面構造を示
し、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上面に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層３５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３６、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層３７、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３
８がこの順に形成されたダブルヘテロ構造となってい
る。この発光ダイオード３２は、ｐ型ＧａＡｓキャップ
層３８からｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３５までのメサ
エッチング溝３４ａによりワイヤボンディング部３３と
素子分離されている。そして、発光ダイオード３２に電
圧を印加するためのカソード用コンタクト電極３９が、
ｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面全面に金属を蒸着し合金化
することにより形成されている。
し、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上面に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層３５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３６、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層３７、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３
８がこの順に形成されたダブルヘテロ構造となってい
る。この発光ダイオード３２は、ｐ型ＧａＡｓキャップ
層３８からｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３５までのメサ
エッチング溝３４ａによりワイヤボンディング部３３と
素子分離されている。そして、発光ダイオード３２に電
圧を印加するためのカソード用コンタクト電極３９が、
ｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面全面に金属を蒸着し合金化
することにより形成されている。
【００１５】この発光ダイオードアレイ３０の特徴的な
部分は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３８の一部がエッチン
グにより櫛形状に取り除かれて、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層３７の上面の一部が櫛形状に露出され、光取り出
し部である発光部３７ａが櫛形状に形成されている点
と、アノード用コンタクト電極４０が、櫛形状に残った
ｐ型ＧａＡｓキャップ層３８の上面にオーミック接合に
より櫛形状に形成されている点にある。即ち、アノード
用コンタクト電極４０は、発光部３７ａ上に平行に形成
された４本のストライプ電極によって形成されている。
このアノード用コンタクト電極４０は、金属を蒸着し合
金化することにより形成されている。
部分は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３８の一部がエッチン
グにより櫛形状に取り除かれて、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層３７の上面の一部が櫛形状に露出され、光取り出
し部である発光部３７ａが櫛形状に形成されている点
と、アノード用コンタクト電極４０が、櫛形状に残った
ｐ型ＧａＡｓキャップ層３８の上面にオーミック接合に
より櫛形状に形成されている点にある。即ち、アノード
用コンタクト電極４０は、発光部３７ａ上に平行に形成
された４本のストライプ電極によって形成されている。
このアノード用コンタクト電極４０は、金属を蒸着し合
金化することにより形成されている。
【００１６】そして、アノード用コンタクト電極４０の
上面からワイヤボンディング部３３のワイヤボンディン
グパッド４１にかけてＡｕ配線４２が配線され、アノー
ド用コンタクト電極４０とワイヤボンディングパッド４
１が電気的に接続されている。これにより、櫛形状のア
ノード用コンタクト電極４０若しくは櫛形状のｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層３８と、櫛形状の発光部３７ａとの接触
端近傍Ｃの接触長（図示太線部）は従来に比べて長くな
るので、発光部３７ａから外部に取り出される漏れ光Ｌ
の発光出力も、櫛形状の接触長に比例して高出力とな
る。
上面からワイヤボンディング部３３のワイヤボンディン
グパッド４１にかけてＡｕ配線４２が配線され、アノー
ド用コンタクト電極４０とワイヤボンディングパッド４
１が電気的に接続されている。これにより、櫛形状のア
ノード用コンタクト電極４０若しくは櫛形状のｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層３８と、櫛形状の発光部３７ａとの接触
端近傍Ｃの接触長（図示太線部）は従来に比べて長くな
るので、発光部３７ａから外部に取り出される漏れ光Ｌ
の発光出力も、櫛形状の接触長に比例して高出力とな
る。
【００１７】このような構成の発光ダイオードアレイ３
０の製造方法を作用と共に説明する。先ず、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板３１の（１００）表面上に、ＭＯＶＰＥ法により
キャリア濃度３×１０17ｃｍ-3のｎ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層３５を２μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3の
ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３６を１μｍ、キャリア濃度２
×１０18ｃｍ-3のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３７を３
μｍ、キャリア濃度４×１０19ｃｍ-3のｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層３８を５００ｎｍ順次成長させる。
０の製造方法を作用と共に説明する。先ず、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板３１の（１００）表面上に、ＭＯＶＰＥ法により
キャリア濃度３×１０17ｃｍ-3のｎ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層３５を２μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3の
ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３６を１μｍ、キャリア濃度２
×１０18ｃｍ-3のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３７を３
μｍ、キャリア濃度４×１０19ｃｍ-3のｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層３８を５００ｎｍ順次成長させる。
【００１８】次に、発光部３７ａの形成部におけるｐ型
ＧａＡｓキャップ層３８を櫛形状となるようにウェット
エッチングする。続いて、メサエッチング溝３４の形成
部におけるｐ型ＧａＡｓキャップ層３８からｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層３５までをウェットエッチングする。
このときのエッチング深さは約５μｍとなる。
ＧａＡｓキャップ層３８を櫛形状となるようにウェット
エッチングする。続いて、メサエッチング溝３４の形成
部におけるｐ型ＧａＡｓキャップ層３８からｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層３５までをウェットエッチングする。
このときのエッチング深さは約５μｍとなる。
【００１９】そして、全表面を覆うようにＣＶＤ法によ
りＰＳＧ膜４３を０．５μｍ成長させる。続いて、アノ
ード用コンタクト電極４０の形成部におけるＰＳＧ膜４
３を櫛形状となるようにフッ酸により除去し、櫛形状の
ｐ型ＧａＡｓキャップ層３８の上面に、ＡｕＺｎ／Ｎｉ
／Ａｕを蒸着し合金化することによりアノード用コンタ
クト電極４０を形成する。
りＰＳＧ膜４３を０．５μｍ成長させる。続いて、アノ
ード用コンタクト電極４０の形成部におけるＰＳＧ膜４
３を櫛形状となるようにフッ酸により除去し、櫛形状の
ｐ型ＧａＡｓキャップ層３８の上面に、ＡｕＺｎ／Ｎｉ
／Ａｕを蒸着し合金化することによりアノード用コンタ
クト電極４０を形成する。
【００２０】次に、Ａｕ配線４２によりアノード用コン
タクト電極４０をワイヤボンディングパッド４１まで引
き出す。このとき、より多くの漏れ光Ｌを発光部３７ａ
から取り出すため、発光部３７ａ上の櫛形状のアノード
用コンタクト電極４０にはＡｕ配線４２を被覆しないよ
うにする。最後に、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の裏面全面
に、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着し合金化することによ
りカソード用コンタクト電極３９を形成し、最終的な発
光ダイオードアレイ３０を完成する。
タクト電極４０をワイヤボンディングパッド４１まで引
き出す。このとき、より多くの漏れ光Ｌを発光部３７ａ
から取り出すため、発光部３７ａ上の櫛形状のアノード
用コンタクト電極４０にはＡｕ配線４２を被覆しないよ
うにする。最後に、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の裏面全面
に、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着し合金化することによ
りカソード用コンタクト電極３９を形成し、最終的な発
光ダイオードアレイ３０を完成する。
【００２１】図３は、アノード用コンタクト電極の形状
例の上面構造図を示す。本実施形態では、アノード用コ
ンタクト電極４０を図３（Ａ）に示す４本の櫛形状に形
成したが、図３（Ｂ）、（Ｃ）に示すように櫛歯の数を
３本や２本の櫛形状（少なくとも２本以上の櫛形状であ
ればよい）に形成したり、図３（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）
に示すように網形状に形成したり、図３（Ｇ）、（Ｈ）
に示すように擬似網形状に形成しても、同様の効果を得
ることができる。
例の上面構造図を示す。本実施形態では、アノード用コ
ンタクト電極４０を図３（Ａ）に示す４本の櫛形状に形
成したが、図３（Ｂ）、（Ｃ）に示すように櫛歯の数を
３本や２本の櫛形状（少なくとも２本以上の櫛形状であ
ればよい）に形成したり、図３（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）
に示すように網形状に形成したり、図３（Ｇ）、（Ｈ）
に示すように擬似網形状に形成しても、同様の効果を得
ることができる。
【００２２】本実施形態では、半絶縁性のＧａＡｓ基板
３１の上にｎ型の結晶を下にしたｎ型、ｐ型の順の発光
ダイオード用結晶構造について説明したか、半絶縁性の
ＧａＡｓ基板の上にｐ型の結晶を下にしたｐ型、ｎ型の
順の発光ダイオード用結晶構造においても、ダイオード
の極性が変わるだけで、同様の効果を得ることができ
る。また、アノード用コンタクト電極４０の部分を高濃
度化合物半導体でなる導電体としても、同様の効果を得
ることができる。
３１の上にｎ型の結晶を下にしたｎ型、ｐ型の順の発光
ダイオード用結晶構造について説明したか、半絶縁性の
ＧａＡｓ基板の上にｐ型の結晶を下にしたｐ型、ｎ型の
順の発光ダイオード用結晶構造においても、ダイオード
の極性が変わるだけで、同様の効果を得ることができ
る。また、アノード用コンタクト電極４０の部分を高濃
度化合物半導体でなる導電体としても、同様の効果を得
ることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、発
光ダイオードアレイ全体の発光出力を大幅に向上させる
ことができる。
光ダイオードアレイ全体の発光出力を大幅に向上させる
ことができる。
【図１】本発明の発光ダイオードアレイの実施形態の上
面構造図である。
面構造図である。
【図２】図１の発光ダイオードアレイのＡ−Ａ線断面構
造図てある。
造図てある。
【図３】図１の発光ダイオードアレイのアノード用コン
タクト電極の形状例の上面構造図である。
タクト電極の形状例の上面構造図である。
【図４】従来の発光ダイオードアレイの上面構造図であ
る。
る。
【図５】図４の発光ダイオードアレイのＡ−Ａ線断面構
造図である。
造図である。
１０ 発光ダイオードアレイ １１ 半絶縁性基板（ｎ型ＧａＡｓ基板） １２ 発光ダイオード １３ ワイヤボンディング部 １４ メサエッチング溝 １５ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 １６ ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層 １７ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 １７ａ 発光部 １８ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 １９ カソード用コンタクト電極 ２０ アノード用コンタクト電極 ２１ ワイヤボンディングパッド ２２ Ａｕ配線 ２３ ＰＳＧ膜 ３０ 発光ダイオードアレイ ３１ 半絶縁性基板（ｎ型ＧａＡｓ基板） ３２ 発光ダイオード ３３ ワイヤボンディング部 ３４ メサエッチング溝 ３５ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３６ ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層 ３７ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３７ａ 発光部 ３８ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ３９ カソード用コンタクト電極 ４０ アノード用コンタクト電極 ４１ ワイヤボンディングパッド ４２ Ａｕ配線 ４３ ＰＳＧ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に複数の結晶層を積んだエピタキ
シャル層が形成され、絶縁・分割された複数個の発光ダ
イオードを有する発光ダイオードアレイにおいて、 前記複数個の発光ダイオードのそれぞれの発光部上に複
数の所定幅のストライプ電極を設けたことを特徴とする
発光ダイオードアレイ。 - 【請求項２】 前記複数の所定幅のストライプ電極は、
相互に連結電極によって連結されることにより網目状に
形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光
ダイオードアレイ。 - 【請求項３】 前記複数の所定幅のストライプ電極は、
化合物半導体の導電層によって形成されていることを特
徴とする請求項１または２に記載の発光ダイオードアレ
イ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34701799A JP2001168394A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34701799A JP2001168394A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168394A true JP2001168394A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18387365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34701799A Pending JP2001168394A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001168394A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009246311A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Kyocera Corp | 発光素子、これを備える発光素子アレイおよび、発光素子アレイを備える画像形成装置 |
| JP2012069934A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-04-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
-
1999
- 1999-12-07 JP JP34701799A patent/JP2001168394A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009246311A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Kyocera Corp | 発光素子、これを備える発光素子アレイおよび、発光素子アレイを備える画像形成装置 |
| JP2012069934A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-04-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6730936B2 (en) | Light-emitting diode array | |
| JP6176298B2 (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ及び面発光型半導体レーザアレイの製造方法 | |
| US7034340B2 (en) | Light-emitting diode array | |
| US5061974A (en) | Semiconductor light-emitting device of array type | |
| US8710486B2 (en) | Optoelectronic semiconductor chip and method for manufacturing a contact structure for such a chip | |
| JP2005064104A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP3797748B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2000323750A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JPH11220164A (ja) | 発光素子アレイ及び発光素子 | |
| US6054726A (en) | Light-emitting semiconductor device with planar structure | |
| US7112824B2 (en) | Light-emitting diode array | |
| JP6308319B2 (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ | |
| JPH1168149A (ja) | 半導体素子及び半導体素子アレイ | |
| US6881978B2 (en) | Semiconductor epitaxial structure and semiconductor light-emitting device | |
| JP2001168394A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2000277806A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2002009331A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JPH03142974A (ja) | 半導体発光素子アレイ | |
| JPH08335717A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2001077411A (ja) | 発光ダイオードアレイおよびその製造方法 | |
| JP2563482B2 (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
| US6407410B1 (en) | Semiconductor optical device | |
| JP2021125599A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0210787A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2002305321A (ja) | 発光ダイオードアレイ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041124 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041228 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050412 |