JP2005064104A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents

発光ダイオードアレイ Download PDF

Info

Publication number
JP2005064104A
JP2005064104A JP2003289909A JP2003289909A JP2005064104A JP 2005064104 A JP2005064104 A JP 2005064104A JP 2003289909 A JP2003289909 A JP 2003289909A JP 2003289909 A JP2003289909 A JP 2003289909A JP 2005064104 A JP2005064104 A JP 2005064104A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light emitting
emitting diode
diode array
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003289909A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomihisa Yukimoto
富久 行本
Eiichi Kunitake
栄一 国武
Satoshi Sugiyama
聡 杉山
Toshimitsu Sukegawa
俊光 助川
Masahiro Noguchi
雅弘 野口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP2003289909A priority Critical patent/JP2005064104A/ja
Priority to KR1020040056412A priority patent/KR100644954B1/ko
Priority to US10/910,658 priority patent/US7271421B2/en
Priority to TW093123574A priority patent/TWI248216B/zh
Publication of JP2005064104A publication Critical patent/JP2005064104A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10336—Aluminium gallium arsenide [AlGaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10349—Aluminium gallium indium phosphide [AlGaInP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER

Abstract

【課題】 マトリクス駆動発光ダイオードアレイにおいて、ボンディングパッドの必要サイズを確保しつつ、チップ幅を狭くし、低コストで生産性が高く、かつ高出力・低駆動電圧の発光ダイオードアレイを提供する。
【解決手段】 本発明の発光ダイオードアレイは、基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された個々独立の複数の発光部と、各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第１の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第２の電極とを有し、前記第１の電極はそれぞれ引き出し配線によってスイッチ用の共通配線と個別に接続しており、前記第２の電極はブロック毎に分割された共通電極であり、前記共通配線を介して前記第１の電極に接続するボンディングパッドと前記第２の電極に接続するボンディングパッドがチップの長手方向に一列に配置されており、前記共通配線を介して前記第１の電極に接続するボンディングパッドの数：前記第２の電極に接続するボンディングパッドの数の比率が１：n（n≧３）であることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は発光出力の大きい発光ダイオードアレイに関し、特に電子写真方式のプリンタ光源に好適に使用できる発光ダイオードアレイに関する。
電子写真方式のプリンタは、画像信号に応じた光により感光ドラム上に静電潜像を形成し、紙に転写して画像を得る。潜像を形成するための光源としてはレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式の光源が広く用いられている。特に発光ダイオードアレイ方式の光源は、レーザ方式のように光路長を長くとる必要がないため、小型のプリンタや大サイズの印刷に適している。近年の印刷の高速・高画質化やプリンタのさらなる小型化にともない、より高精細で高出力、かつ低コストの発光ダイオードアレイが求められている。
発光ダイオードアレイヘッドの低コスト化を実現するためには、個々独立に発光ダイオードを駆動させるICを備える方式（スタティック駆動方式）ではなく、複数個の発光ダイオードを１つのブロックとし、スイッチ用のマトリクス配線により時間分割駆動させ、駆動ICやボンディング本数を削減する方式（ダイナミック駆動方式又はマトリクス駆動方式）が有利である。
ダイナミック駆動方式発光ダイオードアレイの製造において、一層の低コスト化を実現する最も有効な手段の一つは、チップサイズを縮小し、ウェーハあたりの取得数を増大させることである。しかし、LEDヘッドはプリンタの出力紙サイズ分のLEDチップを並べる必要があるため、長手方向のチップサイズの縮小は並べるチップ個数を増やすだけで、低コスト化には意味をなさない。従って、チップサイズを縮小することはチップ幅を短縮することに限定される。チップ幅を縮小するには、(i)チップ面積の大部分を占めているボンディングパッドサイズを縮小する方法と、(ii)共通配線を介して第１の電極に接続するボンディングパッドと、第２の電極に接続するボンディングパッドを片側に一列で配置する方法がある。(i)と(ii)の対策を同時に施すのが最良であるが、特に(i)については、最新鋭のボンディング設備と技術を要するため汎用性に欠け、低コストという観点において実現が難しい。一方(ii)については、600dpiや特に1200dpi等の高精細LEDにおいて、ボンディングパッドの面積を確保することが難しい。一般にLEDアレイのボンディングパッドのサイズとしては、横方向（チップの長手方向）のサイズで60〜80μm、縦方向（チップ幅方向）のサイズで80〜120μm必要である。
図８は、従来の1200dpi４分割ダイナミック駆動方式の発光ダイオードアレイを示す上面図であり、図９はその断面図である。この発光ダイオードアレイは、基板10、基板10上に形成された複数の発光部１、各発光部１の上面に形成された第１の電極２、及び導電層11上に形成された第２の電極３を有する。第１の電極２は、カソード用引き出し配線5cにより４本の共通配線４に個別に接続しており、共通配線４を介してカソード用ボンディングパッド6cに接続している。第２の電極３はアノード用引き出し配線5aによりアノード用ボンディングパッド6aと接続している。1200dpiの発光ダイオードアレイにおいて、第１の電極２に接続するカソード用ボンディングパッド6cと第２の電極３に接続するアノード用ボンディングパッド6aを１列に配置し、かつ４本の共通配線４によって発光ダイオードを駆動させる場合（４分割マトリクス駆動）、ドットピッチは21.2μmであるため、第１の電極２に接続するカソード用ボンディングパッド6cと第２の電極３に接続するアノード用ボンディングパッド6aの数を１：１とすると、各々のボンディングパッドの横方向（チップの長手方向）のサイズは42.4μm未満でなければならない。これではボンディングパッドの最小必要寸法（60μm）を満足することができない。
これを解決する方策として、８本の共通配線で８ドットのダイオードを時間駆動させる方法が開示されている（特開2001-77431号（特許文献１）、沖テクニカルレビュー, 2002年１月, 第169巻, 第189号, No.1（非特許文献１））。このような設計にすれば、横方向（チップの長手方向）サイズの設計余裕を２倍の84.8μm未満まで広げることができる。しかしながら、この場合、共通配線を増加させた分だけチップ幅が広くなってしまうという問題が生じる。
特開平11-40842号（特許文献２）は、互いに素子分離された複数の第１導電型半導体ブロックと、第１導電型半導体ブロックに形成された第２導電型半導体領域と、異なる半導体ブロックに形成された所定の第２導電型半導体領域の間を接続するマトリクス配線と、マトリクス配線に接続する第２導電側パッド電極とを有し、第２導電側パッド電極がマトリクス配線上に多層形成されている発光素子アレイを開示している。しかしながら、この発光素子アレイは第１導電側パッド電極と第２導電側パッド電極を一列に配置する構成でないため、チップ幅を十分に短縮することができない。
特開2001-77431号公報 特開平11-40842号公報 沖テクニカルレビュー, 2002年１月, 第169巻, 第189号, No.1
従って本発明の目的は、マトリクス駆動発光ダイオードアレイにおいて、ボンディングパッドの必要サイズを確保しつつ、チップ幅を狭くし、低コストで生産性が高く、かつ高出力・低駆動電圧の発光ダイオードアレイ及びその製造プロセスを提供することである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者らは、マトリクス駆動方式の発光ダイオードアレイにおいて、共通配線を介して第１の電極に接続するボンディングパッドの数と第２の電極に接続するボンディングパッドの数の比率を１：３以上とすることにより、共通配線を介して第１の電極に接続するボンディングパッドの数を削減し、これによりボンディングパッドの必要面積を確保しながらチップ幅を縮小することができることを発見し、本発明に想到した。
すなわち、本発明の発光ダイオードアレイは、基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された個々独立の複数の発光部と、各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第１の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第２の電極とを有し、前記第１の電極はそれぞれ引き出し配線によってスイッチ用の共通配線と個別に接続しており、前記第２の電極はブロック毎に分割された共通電極であり、前記共通配線を介して前記第１の電極に接続するボンディングパッドと前記第２の電極に接続するボンディングパッドがチップの長手方向に一列に配置されており、前記共通配線を介して前記第１の電極に接続するボンディングパッドの数：前記第２の電極に接続するボンディングパッドの数の比率が１：n（n≧３）であることを特徴とする。
前記ボンディングパッドは、多層配線により共通配線上に形成されているのが好ましく、ボンディングパッドの少なくとも一部は島状に形成されているのが好ましい。前記第１の電極の形状はT字型であるのが好ましく、発光部の発光面を挟んで第１の電極と対向する位置に第２の共通電極が配置されているのが好ましい。また、第１の電極のうち発光部の発光面上に形成される部分を除いた、第１の電極のチップ幅方向の寸法は20μm以下であるのが好ましい。
導電層を除去することによりブロック毎に分割するメサエッチング溝が個々の発光ダイオード間の領域に設けられ、第１の電極と第２の電極の間に発生する電流のうち発光に寄与しない回り込み電流が抑制されるのが好ましい。その場合、メサエッチング溝は第１の電極側から第１の電極と発光面の境界まで形成され、もって櫛形であるのが好ましい。
本発明の発光ダイオードアレイは、第１の電極に共通配線を介して接続するボンディングパッドの数：第２の電極に接続するボンディングパッドの数の比率を１：３以上とすることにより、ボンディングパッドの数を削減することができ、ボンディングパッドの必要面積を確保しながらチップ幅を縮小することができる。さらにボンディングパッドを多層配線によって共通配線上に形成することにより、チップ幅をより短縮することができる。そのため、ウェーハあたりのチップ取得数を増大させることが可能である。
本発明では、第１の電極の形状をT字型とし、第２の電極を発光面を挟んで第１の電極と対向する位置に配置すること、発光に寄与しない回り込み電流を第２メサエッチング溝部により抑制すること、及び第１の電極とオーミック接合するGaAsキャップ層の長さを規定することにより、高出力・低電圧駆動を実現することができる。また、ボンディング部がメサエッチング溝により個々独立に形成されるので、メサエッチング溝の斜面にAu配線層が残っても（或いは意図的にメサ斜面をAu配線層で被覆するように設計にしても）配線が短絡せず、かつ発光部の寸法制御を容易にすることができる。これらにより低コスト、かつ高性能・高歩留で量産性に富む発光ダイオードアレイを提供することができる。
[1] 発光ダイオードアレイの構造
図１は本発明の好ましい一実施例による1200dpi４分割マトリクスアレイの１セルを示す。図１に示す例は１セル内に16ブロック有し、64ドットの発光部により構成されている。スイッチ用の共通配線４を介して第１の電極２に接続するカソード用ボンディングパッド6cの数：第２の電極３に接続するアノード用ボンディングパッド6aの数の比率は１：４に設定されている。カソード用ボンディングパッド6cの数：アノード用ボンディングパッド6aの数の比率を１：n（n≧３）とすることによって、余裕を持ってレイアウトしても１つのボンディングパッドの長手方向の寸法を60μm以上に設定することが可能となる。図２は図１に示す発光ダイオードアレイの一部を拡大した上面図であり、図３(a)及び(b)はそれぞれ図２のA-A’及びB-B’断面図である。発光部１、アノード用ボンディングパッド6a及びカソード用ボンディングパッド6cは第１メサエッチング溝部19により分離されており、第１及び第２の電極２，３とボンディングパッド6a，6cの間の第１メサエッチング溝部19には共通配線４が形成されている。なお、図１及び図２では便宜上第３絶縁膜及び第４絶縁膜を省略して示している。
本発明の発光ダイオードアレイは、基板10、基板10上に形成された複数の発光部１、各発光部１の上面にT字型に形成された第１の電極２及び発光部１に近接して導電層11上に形成された第２の電極３を有し、第２の電極３は発光面（光取り出し部）９を挟んで第１の電極２と対向する位置に形成されている。図示の実施例では、各発光部１は基板10上に均一に形成されたエピタキシャル層にメサエッチング溝を設け、個々独立のエピタキシャル層部としたものである。
(1) 基板
基板10は、発光部１と電気的に絶縁できる構造であって発光ダイオード用に使用し得るものであれば特に限定されない。基板10はn型基板でもp型基板でもよく、半絶縁性GaAs基板等の半絶縁性基板または絶縁性基板であってもよい。基板10と導電層11との間にアンドープGaAs層等の高抵抗層を設けて絶縁することもできる。また、導電層11に対して逆の極性を有する半導体層を設けて絶縁することもできる。
(2) 発光部
基板10の導電層11上に積層する化合物半導体の種類や結晶層の厚さは特に限定されず、所望の発光波長、発光出力及び駆動電圧により適宜選択することができる。化合物半導体としては、AlGaAs、AlGaInP等を用いることができる。発光部１は第１導電型のクラッド層、活性層及び第２導電型のクラッド層からなるダブルへテロ構造を有するのが好ましく、導電層11上に形成したエピタキシャル層を第１メサエッチング溝部19により分割してなるのが好ましい。さらに、第２メサエッチング溝部20により導電層11を分断し各ブロックに分離している。
図示の実施例では、発光ダイオードアレイの発光部１は、n型GaAs基板10の上にp型GaAs導電層11を介して順次形成されたp型AlGaAsエッチングストッパ層12、p型AlGaAsクラッド層13、p型AlGaAs活性層14、n型AlGaAsクラッド層15及びn型GaAsキャップ層16からなる。n型GaAsキャップ層16は、発光面（光取り出し部）９の領域ではエッチングにより除去されている。
上記発光部１のうち発光に直接関与する領域は、発光波長に対応するエネルギーバンドギャップを有するp型AlGaAs活性層14を、それよりもエネルギーバンドギャップの大きいp型AlGaAsクラッド層13（第１導電型のクラッド層）及びn型AlGaAsクラッド層15（第２導電型のクラッド層）で挟んだ、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。
(3) 電極及び配線層
第１及び第２の電極は一方がカソード電極で他方がアノード電極であればよく、それぞれの電極はカソード電極でもアノード電極でもよい。各電極はボンディング特性及び下層とのオーミック接続特性が要求されるため、複数の金属層により形成されるのが好ましい。例えばアノード電極にAuZn／Ni／AuやTi／Pt／Au等の積層電極を使用し、カソード電極にAuGe／Ni／Au等の積層電極を使用することができる。
第１の電極２、第２の電極３及び共通配線４から引き出される引き出し配線５及び共通配線４は、ボンディング特性及び上層・下層との密着性が良好であることが要求されるため、複数の金属層により形成されるのが好ましい。最上層・最下層にはボンディング特性の良いTi、Mo、TiW等の金属層を有するのが好ましい。例えば、Ti／Au／Ti、Mo／Au／Mo、TiW／Au／TiW等からなる積層構造とすることができる。また、プロセスの簡略化のために第２の電極（アノード）３と共通配線４を同時に形成する場合はTi／Pt／Au／Ti等からなる積層構造としても良い。
各電極の金属層は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法、スパッタ法等により形成することができ、酸化物層は公知の各種成膜方法により形成することができる。カソード及びアノード金属層には、オーミック性を付与するためさらに熱処理（合金化）を施すのが好ましい。
図１〜図３に示す実施例では、各発光部１のメサ頂面にエッチングによってT字型のn型GaAsキャップ層を残し、その上部内側に同形状の第１の電極（カソード）２を形成している。図４は各配線を省略した発光部周辺を示す上面図である。T字型の電極は発光部１の直下を通る直進電流26aだけでなく、第２の電極（アノード）３からの回り込み電流26bをも発光面直下へ誘引することができるため好ましい。また、特開2002-009331号に記載されているように発光面の幅（チップの長手方向の寸法）と電極のチップ幅方向の寸法を制御することにより発光出力を向上させることが可能である。具体的には、第１の電極（カソード）２のうち発光面上に形成される部分2bを除いた電極部分2aのチップ幅方向の寸法Lを20μm以下とするのが好ましい。図５(a)，(b)は、発光面の幅が12.5μmのときの寸法Lと発光出力又は駆動電圧の関係を示す。図５に示すように電極の寸法Lを20μm以下に規定することにより、駆動電圧の増大を抑え、かつ発光出力を大幅に向上させることができる。第１の電極（カソード）２の形状については、微細加工が可能であるならば複数本のストライプ形状等にしても良い。具体的には、特願2003-062153号に記載のストライプ、網目状等の形状にすることができる。
各発光部１上の第１の電極（カソード）２はカソード用引き出し配線5cにより共通配線４に接続し、さらに共通配線４は共通配線用引き出し配線5kによりカソード用ボンディングパッド6cに接続している。一方、各発光部１と近接する位置でブロック毎に帯状に設けられた第２の電極（アノード）３は、アノード用ボンディング部8aまで延在するアノード用引き出し配線5aによりボンディングパッド6aに接続している。
各引き出し配線5a，5c，5kは第２絶縁膜18上に形成され、第２絶縁膜18をエッチングすることによって設けられたアノード用コンタクト孔7a，カソード用コンタクト孔7c，共通電極用コンタクト孔7kにより、それぞれ第２の電極（アノード）３、第１の電極（カソード）２及び共通配線４に接続している。
(4) メサエッチング溝
個々独立の複数の発光部１とボンディング部８を形成するため、第１メサエッチング溝部19と第２メサエッチング溝部20からなるメサエッチング溝が設けられている。第１メサエッチング溝部19は発光部１とボンディング部８を電気的に分離する目的で導電層11又はエッチングストッパ層12まで達し、第２メサエッチング溝部20は発光部１の各ブロックを分断する目的で導電層11を除去している。
特願2003-062154号に記載のメサエッチング溝を本発明に適用し、発光部１とともにボンディング部８をメサエッチング溝により個々独立に分割して形成するのが好ましい。個々独立のボンディング部８とすることにより、Au配線加工の際にメサエッチング溝の斜面21にAu配線を残してもボンディングパッド間で短絡することがない。また、ボンディング部８はメサエッチング溝の残し部分であるので、エッチング面積を増大させることがない。これによりローディング効果を避けることができ、同じくメサエッチング溝の残し部分である発光部１の寸法制御が容易となる。
実施例の発光ダイオードアレイは第２メサエッチング溝部20によってブロック毎に分割されている。１ブロック内の発光ダイオードの数は共通配線の本数に等しい。第２メサエッチング溝部20で各発光ダイオード部を分離することにより、特願2003-062153号に記載されているように第１の電極と第２の電極の間の電流経路を制御するのが好ましい。各発光ダイオード間の領域に第２メサエッチング溝部20を形成することにより発光に寄与しない回り込み電流を阻止することができる。この場合、図２及び図４に示すように第２メサエッチング溝部20を第１の電極側から第１の電極と発光面との境界まで形成し、メサエッチング溝の形状を櫛形にするのがより好ましい。これにより発光強度を増大させるとともに、駆動電圧を低減することができる。
[2] 発光ダイオードアレイの製造方法
本発明の発光ダイオードアレイの好ましい製造方法を図１〜図３を参照して説明する。まず、有機金属気相成長法（MOVPE法）によりn型GaAs基板10の上面に、p型GaAs導電層11（キャリア濃度：4×1019cm-3、厚さ：1μm）、p型AlGaAsエッチングストッパ層12（キャリア濃度：3×1019cm-3、厚さ：0.1μm）、p型AlGaAsクラッド層13（キャリア濃度：1×1018cm-3、厚さ：1μm）、p型AlGaAs活性層14（キャリア濃度：1×1018cm-3、厚さ：1μm）、n型AlGaAsクラッド層15（キャリア濃度：2×1018cm-3、厚さ：3μm）、及びn型GaAsキャップ層16（キャリア濃度：1×1018cm-3、厚さ：0.5μm）を順次成長させる。
形成した結晶層にウェットエッチングを選択的に施す。まず発光部１のうち第１の電極（カソード）２と接触する部分と、ボンディング部８を残してn型GaAsキャップ層16を除去する。次にp型AlGaAsエッチングストッパ層12が露出する深さまで第１メサエッチング溝部19を設け、p型GaAs導電層11上のエピタキシャル層を複数の発光部１に分割するとともに、発光部１と個々独立したボンディング部８を形成する。さらに第２メサエッチング溝部20によりp型GaAs導電層11の領域を除去し、各ブロックを電気的に分離する。このときn型GaAs基板10も僅かにエッチングするように第２メサエッチング溝部20の深さを設定すれば、エッチング誤差があっても導電層11が残留することはない。
発光ダイオードアレイの上面全体を覆うように化学気相成長法（CVD法）により第１絶縁膜17を成長させた後、第１の電極（カソード）２及び第２の電極（アノード）３を形成する部分をエッチングにより除去し、AuGe／Ni／Auからなる第１の電極（カソード）２及びAuZn／Ni／Auからなる第２の電極（アノード）３及びTi／Au／Tiからなる共通配線４を蒸着法とリフトオフ法を繰り返すことにより形成する。
さらにCVD法により第２絶縁膜18を成長させた後、第１の電極（カソード）２、第２の電極（アノード）３及び４本の共通配線にコンタクト孔７をエッチングにより設け、スパッタリングとイオンミリングにより各々のボンディング部８まで延在するTi／Au／Tiからなる引き出し配線５を形成する。
発光面（光取り出し部）９及びスクライブエリア22上の第１絶縁膜17と第２絶縁膜18を、CHF3／O2等の公知の混合ガスを用いたドライエッチングにより除去する。さらに水分等の浸入を防ぐ目的で第３絶縁膜23と第４絶縁膜24を蒸着する。特に第４絶縁膜24はファイナルパッシベーションであるため窒化膜等の緻密な膜が好ましい。第３絶縁膜23と第４絶縁膜24との屈折率が異なる場合、発光波長によって反射膜とならないように膜厚を設定する必要がある。具体的には、特開2003-031840号に記載されているように総膜厚（第３絶縁膜23と第４絶縁膜24の合計膜厚）を１μmより薄く設定するのが好ましい。
最後にボンディングの際不要なボンディングパッド６上の第３絶縁膜23及び第４絶縁膜24をエッチングによって開孔する。
図６及び図７は本発明の別の実施例によるチップ幅をさらに縮小した発光ダイオードアレイを示す。CVD法により第３絶縁膜23及び第４絶縁膜24を成長させた後、独立に形成した各ボンディング部８にエッチングによりコンタクト孔7bを形成し、スパッタリングとイオンミリングにより４本の共通配線上にTi／Au／Ti層を折り返し、折り返しボンディングパッド25（アノード用折り返しボンディングパッド25a、カソード用折り返しボンディングパッド25c）を形成する。これにより多層配線工程を増やすことになるもののボンディングパッドのチップ幅方向長さを短縮することができ、チップ取得数を約1.5倍に増大させることができる。上記以外の構成は、図１〜図４に示す発光ダイオードアレイと同じである。
上述の実施例はいずれも４つの発光部を１ブロックとし共通電極を４本とした４×４構造であるが、本発明の発光ダイオードアレイはこの構造に限られず、２つの発光部を１ブロックとし２本の共通電極を有する２×２構造でも、３×３の構造でもよい。また、上述の実施例はいずれも解像度が1200dpiの発光ダイオードアレイであるが、本発明の発光ダイオードアレイはこれに限られず、例えば解像度が600dpiであってもよい。また、上述の実施例においては共通配線の長手方向の寸法を１セル内に止めているが、チップ内のセル同士を連結するように設計しても良い。例えば解像度が1200dpiの場合、通常１チップあたり256ドット又は384ドットで構成することが多いため、チップ内のセル数は４〜６セルとなる。本発明ではこれらの複数のセル同士を連結した構成とすることができる。
本発明の一実施例による発光ダイオードアレイの１セルを示す上面図である。 図１の一部を拡大して示す上面図である。 図２の断面を示し、（a）はA-A’断面図であり、（b）はのB-B’断面図である。 発光部の配線層を除いた図１の一部を示す上面図である。 本発明の発光ダイオードアレイにおける電極構造と性能との関係を示すグラフであり、（a）は電極構造と発光出力の関係を示し、（b）は電極構造と駆動電圧の関係を示す。 本発明の別の実施例による発光ダイオードアレイを示す上面図である。 図６の断面を示し、（a）はC-C’断面図であり、（b）はD-D’断面図である。 従来の発光ダイオードアレイを示す上面図である。 図８の断面を示し、（a）はE-E’断面図であり、（b）はF-F’断面図であり、（c）はG-G’断面図である。
符号の説明
１・・・発光部
２・・・第１の電極（カソード）
３・・・第２の電極（アノード）
４・・・共通配線
５・・・引き出し配線
5a・・・アノード用引き出し配線
5c・・・カソード用引き出し配線
5k・・・共通配線用引き出し配線
６・・・ボンディングパッド
6a・・・アノード用ボンディングパッド
6c・・・カソード用ボンディングパッド
７・・・コンタクト孔
7a・・・アノード用コンタクト孔
7c・・・カソード用コンタクト孔
7k・・・共通電極用コンタクト孔
８・・・ボンディング部（メサ頂面）
8a・・・アノード用ボンディング部
8c・・・カソード用ボンディング部
９・・・発光面（光取り出し部）
10・・・n型GaAs基板
11・・・p型GaAs導電層
12・・・p型AlGaAsエッチングストッパ層
13・・・p型AlGaAsクラッド層
14・・・p型AlGaAs活性層
15・・・n型AlGaAsクラッド層
16・・・n型GaAsキャップ層
17・・・第１絶縁膜
18・・・第２絶縁膜
19・・・第１メサエッチング溝部
20・・・第２メサエッチング溝部
21・・・メサエッチング溝の斜面
22・・・スクライブエリア
23・・・第３絶縁膜
24・・・第４絶縁膜
25・・・折り返しボンディングパッド
25a・・・アノード用折り返しボンディングパッド
25c・・・カソード用折り返しボンディングパッド
26・・・電流経路
26a・・・直進電流
26b・・・回り込み電流



Claims (7)

  1. 基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された個々独立の複数の発光部と、各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第１の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第２の電極とを有する発光ダイオードアレイにおいて、前記第１の電極はそれぞれ引き出し配線によってスイッチ用の共通配線と個別に接続しており、前記第２の電極はブロック毎に分割された共通電極であり、前記共通配線を介して前記第１の電極に接続するボンディングパッドと前記第２の電極に接続するボンディングパッドがチップの長手方向に一列に配置された発光ダイオードアレイであって、前記共通配線を介して前記第１の電極に接続するボンディングパッドの数：前記第２の電極に接続するボンディングパッドの数の比率が１：n（n≧３）であることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
  2. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記ボンディングパッドが多層配線により前記共通配線上に形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
  3. 請求項１又は２に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記ボンディングパッドの少なくとも一部が島状に形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
  4. 請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記第１の電極の形状がT字型であり、前記発光部の発光面を挟んで前記第１の電極と対向する位置に前記第２の共通電極が配置されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
  5. 請求項１〜４のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記第１の電極のうち、前記発光部の発光面上に形成される部分を除いた前記第１の電極のチップ幅方向の寸法が20μm以下であることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
  6. 請求項１〜５のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記導電層を除去することによりブロック毎に分割するメサエッチング溝が各発光ダイオード間の領域に設けられ、もって前記第１の電極と前記第２の電極の間に発生する電流のうち発光に寄与しない回り込み電流が抑制されることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
  7. 請求項６に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記メサエッチング溝は、前記第１の電極側から前記第１の電極と前記発光面の境界まで形成され、もって櫛形であることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
JP2003289909A 2003-08-08 2003-08-08 発光ダイオードアレイ Pending JP2005064104A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003289909A JP2005064104A (ja) 2003-08-08 2003-08-08 発光ダイオードアレイ
KR1020040056412A KR100644954B1 (ko) 2003-08-08 2004-07-20 발광 다이오드 어레이
US10/910,658 US7271421B2 (en) 2003-08-08 2004-08-04 Light-emitting diode array
TW093123574A TWI248216B (en) 2003-08-08 2004-08-06 Light-emitting diode array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003289909A JP2005064104A (ja) 2003-08-08 2003-08-08 発光ダイオードアレイ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005064104A true JP2005064104A (ja) 2005-03-10

Family

ID=34114106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003289909A Pending JP2005064104A (ja) 2003-08-08 2003-08-08 発光ダイオードアレイ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7271421B2 (ja)
JP (1) JP2005064104A (ja)
KR (1) KR100644954B1 (ja)
TW (1) TWI248216B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305708A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具
JP2009196361A (ja) * 2009-03-19 2009-09-03 Oki Data Corp 駆動装置、ｌｅｄアレイ、ｌｅｄヘッド、及びこれらを備えた画像形成装置
JP2013038381A (ja) * 2011-07-13 2013-02-21 Canon Inc Ｌｅｄ素子、ｌｅｄ素子アレイおよびその駆動方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4484039B2 (ja) * 2004-06-04 2010-06-16 日立電線株式会社 発光ダイオードアレイ
US8476648B2 (en) * 2005-06-22 2013-07-02 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
CN100461442C (zh) * 2005-10-08 2009-02-11 日立电线株式会社 发光二极管阵列
KR101055772B1 (ko) * 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100968843B1 (ko) 2005-12-16 2010-07-09 서울옵토디바이스주식회사 다수의 발광셀이 어레이된 발광소자
DE112006002927B4 (de) 2006-01-09 2010-06-02 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Diode mit ITO-Schicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen
KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2010-07-06 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JP5195452B2 (ja) * 2009-01-22 2013-05-08 ソニー株式会社 発光素子
TWI397989B (zh) * 2009-12-07 2013-06-01 Epistar Corp 發光二極體陣列
US8471282B2 (en) 2010-06-07 2013-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Passivation for a semiconductor light emitting device
TW201210078A (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc Light emitting diode
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
TWI589025B (zh) * 2013-01-10 2017-06-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
JP6264568B2 (ja) * 2013-08-06 2018-01-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光デバイスおよび表示装置
JP6497647B2 (ja) * 2013-12-24 2019-04-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102269914B1 (ko) 2015-02-13 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 구동 칩 및 구동 칩을 포함하는 표시 장치
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
CN113589972B (zh) * 2021-08-19 2023-06-23 业成科技（成都）有限公司 发光二极体屏幕显示器结构及其发光二极体显示单元组

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3185049B2 (ja) 1996-11-12 2001-07-09 沖電気工業株式会社 発光素子アレイ及びその製造方法
US6395582B1 (en) * 1997-07-14 2002-05-28 Signetics Methods for forming ground vias in semiconductor packages
JPH1140842A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Oki Electric Ind Co Ltd 発光素子アレイとその製造方法およびプリンタヘッド
JP2000294830A (ja) 1999-04-01 2000-10-20 Oki Electric Ind Co Ltd 発光素子アレイ
JP2001077431A (ja) 1999-09-03 2001-03-23 Oki Electric Ind Co Ltd 発光素子アレイ
JP3908157B2 (ja) * 2002-01-24 2007-04-25 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 フリップチップ型半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305708A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具
JP2009196361A (ja) * 2009-03-19 2009-09-03 Oki Data Corp 駆動装置、ｌｅｄアレイ、ｌｅｄヘッド、及びこれらを備えた画像形成装置
JP2013038381A (ja) * 2011-07-13 2013-02-21 Canon Inc Ｌｅｄ素子、ｌｅｄ素子アレイおよびその駆動方法
US8963125B2 (en) 2011-07-13 2015-02-24 Canon Kabushiki Kaisha LED device, LED device array, and method of driving the LED device array

Also Published As

Publication number Publication date
US20050029529A1 (en) 2005-02-10
TWI248216B (en) 2006-01-21
KR100644954B1 (ko) 2006-11-10
KR20050018592A (ko) 2005-02-23
TW200507306A (en) 2005-02-16
US7271421B2 (en) 2007-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005064104A (ja) 発光ダイオードアレイ
US6730936B2 (en) Light-emitting diode array
US7034340B2 (en) Light-emitting diode array
JP4484039B2 (ja) 発光ダイオードアレイ
JP4233280B2 (ja) Ｌｅｄアレイ
US7504772B2 (en) Light-emitting diode array
JP4115197B2 (ja) 発光素子アレイ
US6583446B1 (en) Array of light-emitting elements and emission-altering elements
US7754512B2 (en) Method of fabricating semiconductor light-emitting devices with isolation trenches
JP2000323750A (ja) 発光ダイオードアレイ
JP2008112883A (ja) 発光ダイオードアレイ及び発光ダイオードアレイの製造方法
JP2001326383A (ja) 発光ダイオードアレイ
JP3306130B2 (ja) 発光ダイオードアレイ装置
EP1182711A1 (en) Light-emitting thyristor matrix array
JP2006351777A (ja) 発光ダイオードアレイおよび発光ダイオードアレイの製造方法
JP2006216668A (ja) 発光ダイオードアレイ
JP2002009331A (ja) 発光ダイオードアレイ
JP2001257380A (ja) 発光ダイオードアレイ及びその製造方法
JP3891833B2 (ja) 半導体装置及びｌｅｄアレイ
JP4947945B2 (ja) 発光ダイオードアレイ
JP2004297052A (ja) 発光ダイオードアレイ
JP4036800B2 (ja) 発光素子アレイ
JP2008041840A (ja) 発光ダイオードアレイ及び発光ダイオードアレイの製造方法
JP2001168394A (ja) 発光ダイオードアレイ
JP2001044504A (ja) 発光ダイオードアレイ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061102

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061220