JP2001077431A - 発光素子アレイ - Google Patents
発光素子アレイInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 駆動電圧が小さく、半導体ブロック内の発光
素子に対して均一な駆動電力で駆動でき、また、発光素
子アレイチップの幅を細くし、ウェハーから取れるチッ
プ数を増やすことができる発光素子アレイを提供する。 【解決手段】 共通電極９を、発光部４の並びに対し略
平行にかつ近接して配置する。発光部４から共通電極９
までの距離が全ての発光素子に対して同一で短距離とな
り、基板抵抗による電圧降下を小さくでき、発光素子の
駆動電圧を小さくできる。また、共通電極9を、共通配
線１２、個別配線１５、引出し配線１６，１８、及び電
極パッド１７，１９と同じ片側に配置する。これによ
り、アレイチップ幅が細く、ウェハーあたりのチップの
生産量が増やすことができる。
素子に対して均一な駆動電力で駆動でき、また、発光素
子アレイチップの幅を細くし、ウェハーから取れるチッ
プ数を増やすことができる発光素子アレイを提供する。 【解決手段】 共通電極９を、発光部４の並びに対し略
平行にかつ近接して配置する。発光部４から共通電極９
までの距離が全ての発光素子に対して同一で短距離とな
り、基板抵抗による電圧降下を小さくでき、発光素子の
駆動電圧を小さくできる。また、共通電極9を、共通配
線１２、個別配線１５、引出し配線１６，１８、及び電
極パッド１７，１９と同じ片側に配置する。これによ
り、アレイチップ幅が細く、ウェハーあたりのチップの
生産量が増やすことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光プリンタの光源
等として使用する発光素子アレイに関するものである。
等として使用する発光素子アレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光プリンタの光源として使用される発光
素子アレイについては、例えば,文献：［「光プリンタ
設計」武木田義祐 監修、トリケプス、昭和60年10月31
日］に解説されている。従来、この種のＬＥＤアレイ
は、その１２４頁に開示されているように、例えば、Ｇ
ａＡｓ基板上に成長させたｎ型ＧａＡｓＰ層にＺｎを拡
散させることによって、発光部となるｐ型拡散領域を１
列状に形成した構成となっている。このような発光素子
アレイの構成において、発光素子の高密度化を達成する
ために、共通電極であるｎ型電極と個別電極であるｐ型
電極とを共に表面側に設け、個別電極に対してマトリク
ス配線を施し、マトリクス駆動（時分割駆動）可能な構
成とする発光素子アレイが提案されている。そして、多
くの場合、個別電極の配線と共通電極とは発光部アレイ
の両側に分割して配置した構成としている。このような
発光素子アレイの場合、複数個の発光素子に対して、電
極パッドを共通配線を通じて共有しているので、電極パ
ッド数を低減でき、駆動ＩＣとの接続を容易にすること
ができる。
素子アレイについては、例えば,文献：［「光プリンタ
設計」武木田義祐 監修、トリケプス、昭和60年10月31
日］に解説されている。従来、この種のＬＥＤアレイ
は、その１２４頁に開示されているように、例えば、Ｇ
ａＡｓ基板上に成長させたｎ型ＧａＡｓＰ層にＺｎを拡
散させることによって、発光部となるｐ型拡散領域を１
列状に形成した構成となっている。このような発光素子
アレイの構成において、発光素子の高密度化を達成する
ために、共通電極であるｎ型電極と個別電極であるｐ型
電極とを共に表面側に設け、個別電極に対してマトリク
ス配線を施し、マトリクス駆動（時分割駆動）可能な構
成とする発光素子アレイが提案されている。そして、多
くの場合、個別電極の配線と共通電極とは発光部アレイ
の両側に分割して配置した構成としている。このような
発光素子アレイの場合、複数個の発光素子に対して、電
極パッドを共通配線を通じて共有しているので、電極パ
ッド数を低減でき、駆動ＩＣとの接続を容易にすること
ができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成においては、ＩＣ駆動回路と接続するための電
極パッドも、発光部アレイの両側に配置する必要があ
り、発光素子アレイチップの幅が広くなってしまう。し
たがって、本発明の目的は、駆動電圧が小さく、半導体
ブロック内の発光素子に対して均一な駆動電圧で駆動で
きるマトリクス型の発光素子アレイを提供することにあ
り、また、発光素子アレイチップの幅を細くし、ウェハ
ーから取れるチップ数を増やすことによって、低価格な
発光素子アレイチップを提供することにある。
うな構成においては、ＩＣ駆動回路と接続するための電
極パッドも、発光部アレイの両側に配置する必要があ
り、発光素子アレイチップの幅が広くなってしまう。し
たがって、本発明の目的は、駆動電圧が小さく、半導体
ブロック内の発光素子に対して均一な駆動電圧で駆動で
きるマトリクス型の発光素子アレイを提供することにあ
り、また、発光素子アレイチップの幅を細くし、ウェハ
ーから取れるチップ数を増やすことによって、低価格な
発光素子アレイチップを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の発光部
が電気的に分離された各半導体ブロック中に１列状に配
置して形成され、各発光部の表面に設けられた各個別電
極に個別配線を介して電気的に接続された共通配線と、
共通配線に個別電極引出し配線を介して電気的に接続さ
れた個別電極パッドと、各半導体ブロック毎にその表面
に設けられた共通電極に引出し配線を介して電気的に接
続された共通電極パッドとが、発光部の並びに対して同
じ片側に配置された、マトリクス型の発光素子アレイに
関する。請求項1の発明は、共通電極が、発光部の並び
方向に対し略平行に、かつ発光部に近接して設けられ、
かつ、発光部の並びに対して、共通配線や電極パッドと
同じ片側に配置されている、ことを特徴とする。
が電気的に分離された各半導体ブロック中に１列状に配
置して形成され、各発光部の表面に設けられた各個別電
極に個別配線を介して電気的に接続された共通配線と、
共通配線に個別電極引出し配線を介して電気的に接続さ
れた個別電極パッドと、各半導体ブロック毎にその表面
に設けられた共通電極に引出し配線を介して電気的に接
続された共通電極パッドとが、発光部の並びに対して同
じ片側に配置された、マトリクス型の発光素子アレイに
関する。請求項1の発明は、共通電極が、発光部の並び
方向に対し略平行に、かつ発光部に近接して設けられ、
かつ、発光部の並びに対して、共通配線や電極パッドと
同じ片側に配置されている、ことを特徴とする。
【０００５】この構成において、個別電極用電極パッド
とそれに接続された引出し配線及び個別配線とは、同一
材料からなり且つ一体的に形成することができる。ま
た、個別電極と個別配線とは同一材料からなり且つ一体
的に形成することができる。また、共通配線は、個別電
極および共通電極の一方と同一材料で構成することがで
きる。請求項１の発明によれば、共通電極を発光部の近
くに配置してあるので、発光部から共通電極までの距離
が短く、電圧降下を小さくでき、駆動電圧を小さくする
ことができる。また、発光部の並び方向に対し、略平行
に共通電極が設置されているので、各発光素子に対する
駆動電圧が均一化されるというメリットがある。また、
電極パッドが発光部アレイの片側に配置してあるため、
素子アレイチップ幅が細く、ウェハーから取れるチップ
数を増やすことができるので、低価格な発光素子アレイ
を得ることが可能となる。
とそれに接続された引出し配線及び個別配線とは、同一
材料からなり且つ一体的に形成することができる。ま
た、個別電極と個別配線とは同一材料からなり且つ一体
的に形成することができる。また、共通配線は、個別電
極および共通電極の一方と同一材料で構成することがで
きる。請求項１の発明によれば、共通電極を発光部の近
くに配置してあるので、発光部から共通電極までの距離
が短く、電圧降下を小さくでき、駆動電圧を小さくする
ことができる。また、発光部の並び方向に対し、略平行
に共通電極が設置されているので、各発光素子に対する
駆動電圧が均一化されるというメリットがある。また、
電極パッドが発光部アレイの片側に配置してあるため、
素子アレイチップ幅が細く、ウェハーから取れるチップ
数を増やすことができるので、低価格な発光素子アレイ
を得ることが可能となる。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
を図１〜図６を用いて説明する。図１は本発明の第１の
実施の形態の発光素子アレイを示す要部平面図、図２は
要部断面図であって図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ’線にお
ける断面図、図２（Ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線における断
面図、図２（Ｃ）は図１のＣ−Ｃ’線における断面図、
図３〜図６は製造工程を説明するための平面図であり、
１は半導体基板であって半絶縁性のＧａＡｓ基板２とｎ
型半導体層３からなるもの、４は発光部、５は半導体ブ
ロック、６は分離溝、７は表面絶縁膜、８は個別電極、
９は共通電極、１０，１１は表面絶縁膜７の開口、１２
は共通配線、１３は層間絶縁膜、１４はコンタクト穴、
１５は個別配線、１６は共通電極引出し配線、１７は電
極パッド、１８は個別電極引出し配線、１９は電極パッ
ドである。なお、この実施形態は、６４ドット（単位）
からなる発光素子アレイであるが、図は１６ドット分に
ついて示している。
を図１〜図６を用いて説明する。図１は本発明の第１の
実施の形態の発光素子アレイを示す要部平面図、図２は
要部断面図であって図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ’線にお
ける断面図、図２（Ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線における断
面図、図２（Ｃ）は図１のＣ−Ｃ’線における断面図、
図３〜図６は製造工程を説明するための平面図であり、
１は半導体基板であって半絶縁性のＧａＡｓ基板２とｎ
型半導体層３からなるもの、４は発光部、５は半導体ブ
ロック、６は分離溝、７は表面絶縁膜、８は個別電極、
９は共通電極、１０，１１は表面絶縁膜７の開口、１２
は共通配線、１３は層間絶縁膜、１４はコンタクト穴、
１５は個別配線、１６は共通電極引出し配線、１７は電
極パッド、１８は個別電極引出し配線、１９は電極パッ
ドである。なお、この実施形態は、６４ドット（単位）
からなる発光素子アレイであるが、図は１６ドット分に
ついて示している。
【０００７】この実施形態の発光素子アレイの構成を、
製造工程に沿って説明する。まず、１列状の発光部を形
成する。すなわち、図２に示すよう半絶縁性ＧａＡｓ基
板２上にｎ型半導体層３をエピタキシャル成長させた半
導体基板１を用い、１列状に開けた拡散マスクの開口か
ら、Ｚｎを拡散させることにより、ｐ型拡散領域の発光
部４を形成する。次に、図３に示すように、所定数（図
では８個）の発光部毎に電気的に分離するために、半導
体基板１に電気的に分離された半導体ブロック５を形成
する。半導体ブロック５の形成は、ｎ型半導体層３に分
離溝６を形成することによって行い、半絶縁性基板２内
まで到達するエッチングで形成する。例えば、過水りん
酸系のエッチャントを用いたウエットエッチングによっ
てエッチングをする。
製造工程に沿って説明する。まず、１列状の発光部を形
成する。すなわち、図２に示すよう半絶縁性ＧａＡｓ基
板２上にｎ型半導体層３をエピタキシャル成長させた半
導体基板１を用い、１列状に開けた拡散マスクの開口か
ら、Ｚｎを拡散させることにより、ｐ型拡散領域の発光
部４を形成する。次に、図３に示すように、所定数（図
では８個）の発光部毎に電気的に分離するために、半導
体基板１に電気的に分離された半導体ブロック５を形成
する。半導体ブロック５の形成は、ｎ型半導体層３に分
離溝６を形成することによって行い、半絶縁性基板２内
まで到達するエッチングで形成する。例えば、過水りん
酸系のエッチャントを用いたウエットエッチングによっ
てエッチングをする。
【０００８】次に、図４に示すように、全面に表面絶縁
膜７を形成した後、発光部４へオーミック接続をとるた
めのｐ型コンタクト電極である個別電極８を形成する。
個別電極８は、図２に示すように表面絶縁膜７の開口１
０を介して形成され、発光部４であるｐ型半導体領域に
のみコンタクトがとられる。次に、同じく図４に示すよ
うに、ｎ型コンタクト電極である共通電極９を、発光部
４の並び方向と略平行に帯状に形成する。共通電極９
は、表面絶縁膜７の開口１１を介してｎ型半導体層２に
オーミック接続する。さらに、マトリクス配線のための
共通配線１２を、複数（この実施形態では８個）の半導
体ブロック５に跨って、発光部４の並び方向と略平行に
形成する。なお、この実施形態では、共通配線１２の材
料を共通電極９と同じ材料とし、同時に形成している。
他方、共通配線１２は、その材料を個別電極８と同じ材
料とし、個別電極８と同時に形成することもできる。
膜７を形成した後、発光部４へオーミック接続をとるた
めのｐ型コンタクト電極である個別電極８を形成する。
個別電極８は、図２に示すように表面絶縁膜７の開口１
０を介して形成され、発光部４であるｐ型半導体領域に
のみコンタクトがとられる。次に、同じく図４に示すよ
うに、ｎ型コンタクト電極である共通電極９を、発光部
４の並び方向と略平行に帯状に形成する。共通電極９
は、表面絶縁膜７の開口１１を介してｎ型半導体層２に
オーミック接続する。さらに、マトリクス配線のための
共通配線１２を、複数（この実施形態では８個）の半導
体ブロック５に跨って、発光部４の並び方向と略平行に
形成する。なお、この実施形態では、共通配線１２の材
料を共通電極９と同じ材料とし、同時に形成している。
他方、共通配線１２は、その材料を個別電極８と同じ材
料とし、個別電極８と同時に形成することもできる。
【０００９】次に、図５に示すように、層間絶縁膜１３
を形成し、その後、マトリクス配線のために共通配線１
２と後述の個別配線１５とを接続するためのコンタクト
穴１４（１４-1）、個別電極８と個別配線１５とを接続
するためのコンタクト穴１４（１４-2）、さらに、共通
電極９と後述の共通電極引出し配線１６とを接続するた
めのコンタクト穴１４（１４-3）を形成する。次に、図
６に示すように、共通電極９に接続される共通電極引出
し配線１６、及びそれに接続される共通電極パッド１７
を形成する。また、個別電極８に接続される個別配線１
５、それに接続される個別電極引出し配線１８、及びそ
れに接続される電極パッド１９を形成する。ここで、こ
れらの配線１５，１６，１８及び電極パッド１７，１９
に同一材料を用い、同時に形成した。
を形成し、その後、マトリクス配線のために共通配線１
２と後述の個別配線１５とを接続するためのコンタクト
穴１４（１４-1）、個別電極８と個別配線１５とを接続
するためのコンタクト穴１４（１４-2）、さらに、共通
電極９と後述の共通電極引出し配線１６とを接続するた
めのコンタクト穴１４（１４-3）を形成する。次に、図
６に示すように、共通電極９に接続される共通電極引出
し配線１６、及びそれに接続される共通電極パッド１７
を形成する。また、個別電極８に接続される個別配線１
５、それに接続される個別電極引出し配線１８、及びそ
れに接続される電極パッド１９を形成する。ここで、こ
れらの配線１５，１６，１８及び電極パッド１７，１９
に同一材料を用い、同時に形成した。
【００１０】以上の製造工程によって、図１及び図２に
示すように、発光部４（４11〜４28）が、電気的に分離
された各半導体ブロック５（５1，５2）中に１列状に配
置して形成され、個別電極８（８11〜８28）が、当該各
発光部４の表面に設けられ、且つ、共通電極９（９1，
９2）が、前記各半導体ブロック５毎にその表面に、発
光部４に近接し且つその並び方向に対し略平行に配置し
て設けられた、発光素子アレイが作成される。この実施
形態の発光素子アレイは、図１及び図２に示すように、
共通配線１２（１２1〜１２8）が全ての半導体ブロック
５（５1，５2）に跨ってその表面絶縁膜７上に、発光部
４の並び方向と略平行に且つ共通電極９側に配置して設
けられている。また、これら共通配線１２及び前記共通
電極９を覆って層間絶縁膜が設けられ、この層間絶縁膜
１３上に、個別配線１５（１５11〜１５28）、引出し配
線１６（１６1，１６2）、１８（１８1，１８2）、及び
電極パッド１７（１７1，１７2），１９（１９1，１９
2）が設けられ、層間絶縁膜１３のコンタクト穴１４を
介して、マトリクス配線のための個別配線１５と共通配
線１２とが接続され、さらに、共通電極９とその引出し
配線１６とが接続されている。個別配線１５（１５11〜
１５28）と共通配線１２（１２1〜１２8）との接続は非
重複的に行う。従って、通常のマトリクス駆動により、
所望の発光部を点灯させることができる。例えば、発光
部４11を点灯する場合、各ブロックの１番目の発光部４
11が接続されている個別電極パッド１９1と、その発光
部４11が設置されている半導体ブロック５1の共通電極
パッド１７1とを選択し、順方向電流を流せばよい。こ
の実施形態によれば、共通電極の配置を発光部の並び方
向に対し、略平行にかつ近接して配置してあるので、発
光部からｎコンタクト（共通電極）までの距離が全ての
発光部に対して同一であり、しかも距離が短いので、基
板抵抗による電圧降下を小さくできる。したがって、発
光素子の駆動電圧を小さく、均一化することができる。
さらに、電極パッドを共通電極を設置した片側に設置し
てあるので、アレイチップ幅が細く、ウェハーあたりの
チップの生産量が増え、安価なマトリクス型発光素子ア
レイを得ることができる。
示すように、発光部４（４11〜４28）が、電気的に分離
された各半導体ブロック５（５1，５2）中に１列状に配
置して形成され、個別電極８（８11〜８28）が、当該各
発光部４の表面に設けられ、且つ、共通電極９（９1，
９2）が、前記各半導体ブロック５毎にその表面に、発
光部４に近接し且つその並び方向に対し略平行に配置し
て設けられた、発光素子アレイが作成される。この実施
形態の発光素子アレイは、図１及び図２に示すように、
共通配線１２（１２1〜１２8）が全ての半導体ブロック
５（５1，５2）に跨ってその表面絶縁膜７上に、発光部
４の並び方向と略平行に且つ共通電極９側に配置して設
けられている。また、これら共通配線１２及び前記共通
電極９を覆って層間絶縁膜が設けられ、この層間絶縁膜
１３上に、個別配線１５（１５11〜１５28）、引出し配
線１６（１６1，１６2）、１８（１８1，１８2）、及び
電極パッド１７（１７1，１７2），１９（１９1，１９
2）が設けられ、層間絶縁膜１３のコンタクト穴１４を
介して、マトリクス配線のための個別配線１５と共通配
線１２とが接続され、さらに、共通電極９とその引出し
配線１６とが接続されている。個別配線１５（１５11〜
１５28）と共通配線１２（１２1〜１２8）との接続は非
重複的に行う。従って、通常のマトリクス駆動により、
所望の発光部を点灯させることができる。例えば、発光
部４11を点灯する場合、各ブロックの１番目の発光部４
11が接続されている個別電極パッド１９1と、その発光
部４11が設置されている半導体ブロック５1の共通電極
パッド１７1とを選択し、順方向電流を流せばよい。こ
の実施形態によれば、共通電極の配置を発光部の並び方
向に対し、略平行にかつ近接して配置してあるので、発
光部からｎコンタクト（共通電極）までの距離が全ての
発光部に対して同一であり、しかも距離が短いので、基
板抵抗による電圧降下を小さくできる。したがって、発
光素子の駆動電圧を小さく、均一化することができる。
さらに、電極パッドを共通電極を設置した片側に設置し
てあるので、アレイチップ幅が細く、ウェハーあたりの
チップの生産量が増え、安価なマトリクス型発光素子ア
レイを得ることができる。
【００１１】図７は、本発明の第２の実施の形態を示す
発光素子アレイの平面図である。この実施形態は、第１
の実施形態とほぼ同じ構造であるが、個別電極８の製造
工程において相違する。この実施形態では、共通電極
５、共通配線１２、及び層間絶縁膜１３を形成した後、
個別電極８と、個別配線１５、引出し配線１６，１８、
及び電極パッド１７，１９とを同一材料とし、ここで
は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを用い、同時に形成する。発光部
４と個別配線１５の接続は、表面絶縁膜７及び層間絶縁
膜１３にコンタクト穴を開け、そのコンタクト穴を介し
て行う。この工程によると、個別電極８と個別配線と１
５との間にコンタクト部分がないので、素子の信頼性が
より向上するというメリットもある。さらに、共通電極
９と共通配線１２とを、同一材料で構成すれば、同時に
形成することができ、製造工程がより簡易化される。
発光素子アレイの平面図である。この実施形態は、第１
の実施形態とほぼ同じ構造であるが、個別電極８の製造
工程において相違する。この実施形態では、共通電極
５、共通配線１２、及び層間絶縁膜１３を形成した後、
個別電極８と、個別配線１５、引出し配線１６，１８、
及び電極パッド１７，１９とを同一材料とし、ここで
は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを用い、同時に形成する。発光部
４と個別配線１５の接続は、表面絶縁膜７及び層間絶縁
膜１３にコンタクト穴を開け、そのコンタクト穴を介し
て行う。この工程によると、個別電極８と個別配線と１
５との間にコンタクト部分がないので、素子の信頼性が
より向上するというメリットもある。さらに、共通電極
９と共通配線１２とを、同一材料で構成すれば、同時に
形成することができ、製造工程がより簡易化される。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、共通電極の配置を
発光部の並び方向に対し、略平行にかつ近接して配置し
てあるので、発光部から共通電極までの距離が全ての発
光部に対して同一、かつ短距離であるので、基板抵抗に
よる電圧降下を小さくできる。したがって、発光素子の
駆動電圧を小さく、均一化することができる。さらに、
電極パッドを共通電極を設置した片側に設置してあるの
で、アレイチップ幅が細く、ウェハーあたりのチップの
生産量が増え、安価な発光素子アレイを得ることができ
る。
発光部の並び方向に対し、略平行にかつ近接して配置し
てあるので、発光部から共通電極までの距離が全ての発
光部に対して同一、かつ短距離であるので、基板抵抗に
よる電圧降下を小さくできる。したがって、発光素子の
駆動電圧を小さく、均一化することができる。さらに、
電極パッドを共通電極を設置した片側に設置してあるの
で、アレイチップ幅が細く、ウェハーあたりのチップの
生産量が増え、安価な発光素子アレイを得ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態の発光素子アレイを
示す要部平面図
示す要部平面図
【図２】図１の発光素子アレイの要部断面図であって図
２（Ａ）は図１のＡ−Ａ’線における断面図、図２
（Ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線における断面図、図２（Ｃ）
は図１のＣ−Ｃ’線における断面図
２（Ａ）は図１のＡ−Ａ’線における断面図、図２
（Ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線における断面図、図２（Ｃ）
は図１のＣ−Ｃ’線における断面図
【図３】図１の発光素子アレイの製造工程を説明するた
めの平面図
めの平面図
【図４】図１の発光素子アレイの製造工程を説明するた
めの平面図
めの平面図
【図５】図１の発光素子アレイの製造工程を説明するた
めの平面図
めの平面図
【図６】図１の発光素子アレイの製造工程を説明するた
めの平面図
めの平面図
【図７】本発明の第２の実施の形態の発光素子アレイを
示す要部平面図
示す要部平面図
１ 半導体基板 ２ 半絶縁性ＧａＡｓ基板、半絶縁性基板 ３ ｎ型半導体層 ４ 発光部 ５ 半導体ブロック ６ 分離溝 ７ 表面絶縁膜 ８ 個別電極 ９ 共通電極 １０，１１ 開口 １２ 共通配線 １３ 層間絶縁膜 １４ コンタクト穴 １５ 個別配線 １６ 引出し配線 １７ 電極パッド １８ 引出し配線 １９ 電極パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷中 真澄 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2C162 AH06 AH30 AH63 AH68 FA17 FA23 5F041 AA42 AA47 CA02 CA35 CA49 CA53 CA72 CA82 CA92 CA93 CB22 CB25 FF13
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の発光部が電気的に分離された各半
導体ブロック中に１列状に配置して形成され、 当該各発光部の表面に設けられた各個別電極に個別配線
を介して電気的に接続された共通配線と、当該共通配線
に個別電極引出し配線を介して電気的に接続された個別
電極パッドと、前記各半導体ブロック毎にその表面に設
けられた共通電極に引出し配線を介して電気的に接続さ
れた共通電極パッドとが、前記発光部の並びに対して同
じ片側に配置された、マトリクス型の発光素子アレイに
おいて、 前記共通電極が、発光部の並び方向に対し略平行に、か
つ発光部に近接して設けられ、かつ、前記発光部の並び
に対して、前記片側と同じ片側に配置されている、こと
を特徴とする発光素子アレイ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の発光素子アレイにおい
て、共通電極と共通配線との上に層間絶縁膜が形成して
あり、当該層間絶縁膜の上に、個別配線、個別電極引出
し配線、および共通電極引出し配線とが形成されてい
る、ことを特徴とする発光素子アレイ。 - 【請求項３】 個別電極パッドと、当該個別電極パッド
に接続される個別電極引出し配線と、および当該個別電
極引出し配線に接続される個別配線とが一体的に形成さ
れている、ことを特徴とする請求項１または２に記載の
発光素子アレイ。 - 【請求項４】 個別電極パッドと、当該個別電極パッド
に接続される個別電極引出し配線と、当該個別電極引出
し配線に接続される個別配線と、および当該個別配線に
接続される個別電極とが、一体的に形成されている、こ
とを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子アレ
イ。 - 【請求項５】 共通配線の材料は、個別電極と同一材料
である、ことを特徴とする請求項１または２に記載の発
光素子アレイ。 - 【請求項６】 共通配線の材料は、共通電極と同一材料
である、ことを特徴とする請求項１または２に記載の発
光素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24994899A JP2001077431A (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 発光素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24994899A JP2001077431A (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 発光素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077431A true JP2001077431A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17200572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24994899A Pending JP2001077431A (ja) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | 発光素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077431A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7271421B2 (en) | 2003-08-08 | 2007-09-18 | Hitachi Cable, Ltd. | Light-emitting diode array |
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| CN115236906A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-25 | 苏州华星光电技术有限公司 | 显示装置 |
-
1999
- 1999-09-03 JP JP24994899A patent/JP2001077431A/ja active Pending
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