JPH0644642B2 - 発光ダイオードアレイヘッドの製造方法 - Google Patents
発光ダイオードアレイヘッドの製造方法Info
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- JPH0644642B2 JPH0644642B2 JP1178209A JP17820989A JPH0644642B2 JP H0644642 B2 JPH0644642 B2 JP H0644642B2 JP 1178209 A JP1178209 A JP 1178209A JP 17820989 A JP17820989 A JP 17820989A JP H0644642 B2 JPH0644642 B2 JP H0644642B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体デバイスにおける発光ダイオードアレイ
ヘッドの製造方法に係るもので、特に発光ダイオードア
レイをセラミック等の基板に組み立てるについて、アレ
イ素子の個別電極と外部配線を、一つ一つ金線(gold wi
re)で連結することなしに、簡単に連結し得る発光ダイ
オードアレイヘッドの製造方法に関するものである。
ヘッドの製造方法に係るもので、特に発光ダイオードア
レイをセラミック等の基板に組み立てるについて、アレ
イ素子の個別電極と外部配線を、一つ一つ金線(gold wi
re)で連結することなしに、簡単に連結し得る発光ダイ
オードアレイヘッドの製造方法に関するものである。
昨今、コンピユーターの情報処理能力が増大して行くの
につれて、その出力機器であるプリンタに高速化、高画
質化、多機能化等が要求されつつある。そして、このよ
うな要求のために発光ダイオードによるプリンティング
システムが実用化され、またそこにおける発光ダイオー
ドアレイも高出力、高集積化が進行しつつある。
につれて、その出力機器であるプリンタに高速化、高画
質化、多機能化等が要求されつつある。そして、このよ
うな要求のために発光ダイオードによるプリンティング
システムが実用化され、またそこにおける発光ダイオー
ドアレイも高出力、高集積化が進行しつつある。
このように、高画質を実現するための発光ダイオードの
アレイ方式は発光ダイオードの高集積化で達成される。
ところが、発光ダイオードアレイはセラミック基板上に
組み立てられるのが大部分であり、この組立て工程が大
変難しいものであることはよく知られている。
アレイ方式は発光ダイオードの高集積化で達成される。
ところが、発光ダイオードアレイはセラミック基板上に
組み立てられるのが大部分であり、この組立て工程が大
変難しいものであることはよく知られている。
第3図は従来の一般的な発光ダイオードアレイの一部分
を示した図である。
を示した図である。
第3図において、符号1はGaAs基板であり、2はG
aAsP薄膜であり、3は絶縁膜であり、4は亜鉛の拡
散された領域であり、5は発光ダイオードのP型個別電
極であり、6はn型共通電極であり、7は発光面であ
る。
aAsP薄膜であり、3は絶縁膜であり、4は亜鉛の拡
散された領域であり、5は発光ダイオードのP型個別電
極であり、6はn型共通電極であり、7は発光面であ
る。
そして、n型共通電極6と発光ダイオードのP型個別電
極5とに電圧を印加すると、発光面7を通じて光が放出
される。
極5とに電圧を印加すると、発光面7を通じて光が放出
される。
第4図に示すように、発光ダイオードアレイはP型個別
電極5が発光面7の上方に位置し、n型共通電極6は基
板側に位置している。
電極5が発光面7の上方に位置し、n型共通電極6は基
板側に位置している。
第4図を参照すると、共通電極配線14と外部配線12
とが形成されたセラミック基板11に発光ダイオードア
レイ13を組み立てるに際して、発光素子の共通電極6
はセラミック基板11の共通電極配線14と接続され、
各発光素子の個別電極5は一つ一つ金線(gold wire)1
5で外部配線12と連結される。しかし、このように金
線で連結する場合、一般的な印刷仕様である240DP
I(Dot Per Inch)の密度でA4用紙を印刷するためには
総数2048個の金線連結が必要であり、またさらに高
画質である400DPIの密度で4A用紙を印刷するた
めには3584個の金線連結が必要である。しかも、金
線間の間隔は100μm程度である。したがって、製作
上の困難性及び歩留りの低下という問題が避けられな
い。
とが形成されたセラミック基板11に発光ダイオードア
レイ13を組み立てるに際して、発光素子の共通電極6
はセラミック基板11の共通電極配線14と接続され、
各発光素子の個別電極5は一つ一つ金線(gold wire)1
5で外部配線12と連結される。しかし、このように金
線で連結する場合、一般的な印刷仕様である240DP
I(Dot Per Inch)の密度でA4用紙を印刷するためには
総数2048個の金線連結が必要であり、またさらに高
画質である400DPIの密度で4A用紙を印刷するた
めには3584個の金線連結が必要である。しかも、金
線間の間隔は100μm程度である。したがって、製作
上の困難性及び歩留りの低下という問題が避けられな
い。
したがって、本発明の目的は、セラミック基板上に発光
ダイオードアレイを形成するについて、発光ダイオード
アレイ素子の個別電極と外部配線の電気的な連結のため
の配線を簡単に形成し得る発光ダイオードアレイヘッド
の製造方法を提供することにある。
ダイオードアレイを形成するについて、発光ダイオード
アレイ素子の個別電極と外部配線の電気的な連結のため
の配線を簡単に形成し得る発光ダイオードアレイヘッド
の製造方法を提供することにある。
上記のような目的を達成するために本発明による発光ダ
イオードアレイの製造方法は、発光ダイオードアレイ素
子の厚さ程度の溝が形成されたセラミック基板上に1次
配線及び外部配線を形成する第1工程と、セラミック基
板に形成された溝に発光ダイオードアレイ素子を接着す
る第2工程と、セラミック基板と発光ダイオードアレイ
素子の上部の全面に絶縁膜を形成する第3工程と、外部
配線及び発光ダイオードアレイ素子の個別電極が現われ
るようにエッチングして接続窓を形成する第4工程と、
及び個別電極と外部配線とを電気的に連結する2次配線
を形成する第5工程からなることを特徴としている。
イオードアレイの製造方法は、発光ダイオードアレイ素
子の厚さ程度の溝が形成されたセラミック基板上に1次
配線及び外部配線を形成する第1工程と、セラミック基
板に形成された溝に発光ダイオードアレイ素子を接着す
る第2工程と、セラミック基板と発光ダイオードアレイ
素子の上部の全面に絶縁膜を形成する第3工程と、外部
配線及び発光ダイオードアレイ素子の個別電極が現われ
るようにエッチングして接続窓を形成する第4工程と、
及び個別電極と外部配線とを電気的に連結する2次配線
を形成する第5工程からなることを特徴としている。
以下、本発明を添付図面を参照して詳細に説明する。
第1図は、第3図と同様の一般的な発光ダイオードアレ
イ素子をもって製作された本発明による発光ダイオード
アレイヘッドの平面図である。
イ素子をもって製作された本発明による発光ダイオード
アレイヘッドの平面図である。
この発光ダイオードアレイヘッドは、セラミック基板2
0の中央に一列に配列された多数個の発光面7と、この
発光面7と同数の個別電極を含む発光ダイオードアレイ
素子26と、セラミック基板20に発光面7と同数で配
列された外部配線22と、及び各発光ダイオードの個別
電極と外部電極22とを各々のコンタクト31、32を
通じて電気的に連結する2次配線34とで構成されてい
る。
0の中央に一列に配列された多数個の発光面7と、この
発光面7と同数の個別電極を含む発光ダイオードアレイ
素子26と、セラミック基板20に発光面7と同数で配
列された外部配線22と、及び各発光ダイオードの個別
電極と外部電極22とを各々のコンタクト31、32を
通じて電気的に連結する2次配線34とで構成されてい
る。
第2図(A)〜(E)は、第1図中のA−A線に沿う断
面図で、本発明の1実施例による発光ダイオードアレイ
ヘッドの製造工程を示すものである。
面図で、本発明の1実施例による発光ダイオードアレイ
ヘッドの製造工程を示すものである。
以下、第2図(A)〜(E)に基づいて発光ダイオード
アレイヘッドの製造方法を詳細に説明する。
アレイヘッドの製造方法を詳細に説明する。
第2図(A)は、後述する発光ダイオードアレイ素子2
6の厚さと同じ深さの溝21が形成されたセラミック基
板26上に例えばアルミニウムのような金属を真空蒸着
等の方法を利用して10μm程度の厚さで形成した後、
通常の写真蝕刻方法で共通電極として利用される一次配
線24及び外部配線22を形成した状態である。
6の厚さと同じ深さの溝21が形成されたセラミック基
板26上に例えばアルミニウムのような金属を真空蒸着
等の方法を利用して10μm程度の厚さで形成した後、
通常の写真蝕刻方法で共通電極として利用される一次配
線24及び外部配線22を形成した状態である。
第2図(B)は、個別電極5が上向となるように発光ダ
イオードアレイ素子26を溝21にエポキシ樹脂で接着
した状態である。
イオードアレイ素子26を溝21にエポキシ樹脂で接着
した状態である。
その後、シリコン基板20及び発光ダイオードアレイ素
子26の上部にSOG(Spin on Glass)のような粘性の
小さい不導体の物質を塗布することによりセラミック基
板20と発光ダイオードアレイ素子26との間を空間2
8を埋めると共に表面を平坦化させた後、400℃で1
0分程度加熱して3μm程度の絶縁膜30を形成した状
態が第2図(C)である。
子26の上部にSOG(Spin on Glass)のような粘性の
小さい不導体の物質を塗布することによりセラミック基
板20と発光ダイオードアレイ素子26との間を空間2
8を埋めると共に表面を平坦化させた後、400℃で1
0分程度加熱して3μm程度の絶縁膜30を形成した状
態が第2図(C)である。
その次に、発光ダイオードアレイ素子26の個別電極5
と外部配線22とが形成されている部分に通常の写真蝕
刻工程で接触窓31、32を形成すると、第2図(D)
のようになる。
と外部配線22とが形成されている部分に通常の写真蝕
刻工程で接触窓31、32を形成すると、第2図(D)
のようになる。
その次に、第2図(D)の状態の基板の上部の全面に例
えばアルミニウムのような金属膜を真空蒸着等の方法で
2μm程度に形成することにより、接触窓31、32を
通じて個別電極5と外部配線22とを電気的に連結した
後、必要のない部分を通常の写真蝕刻工程で除去して2
次配線34を形成すると、第2図(E)のようになる。
えばアルミニウムのような金属膜を真空蒸着等の方法で
2μm程度に形成することにより、接触窓31、32を
通じて個別電極5と外部配線22とを電気的に連結した
後、必要のない部分を通常の写真蝕刻工程で除去して2
次配線34を形成すると、第2図(E)のようになる。
上記のように形成された発光ダイオードアレイヘッド
は、外部配線22及び共通電極として利用される1次配
線24に電圧を印加すると、個別発光ダイオードに電流
が流れるようになって発光面7から光を発するようにな
る。
は、外部配線22及び共通電極として利用される1次配
線24に電圧を印加すると、個別発光ダイオードに電流
が流れるようになって発光面7から光を発するようにな
る。
以上の説明から明らかなように、本発明による発光ダイ
オードアレイヘッドの製造方法は、セラミック基板上の
外部電極と発光ダイオードアレイ素子の個別電極との間
に配線するについて、一つ一つ金線で結せずに、金属を
塗布した後にエッチングを施して同時に多数の配線を形
成するようにしているので、発光ダイオードアレイヘッ
ドの組立てが容易になり、且つ機械的接触によって配線
連結が破損される危険がなくなり信頼性を大幅に向上さ
せ得るという利点がある。
オードアレイヘッドの製造方法は、セラミック基板上の
外部電極と発光ダイオードアレイ素子の個別電極との間
に配線するについて、一つ一つ金線で結せずに、金属を
塗布した後にエッチングを施して同時に多数の配線を形
成するようにしているので、発光ダイオードアレイヘッ
ドの組立てが容易になり、且つ機械的接触によって配線
連結が破損される危険がなくなり信頼性を大幅に向上さ
せ得るという利点がある。
第1図は本発明による発光ダイオードアレイヘッドの平
面図、 第2図(A)〜(E)は第1図中のA−A線に沿う断面
図で、本発明による発光ダイオードアレイヘッドの製造
工程図、 第3図は従来の一般的な発光ダイオードアレイの概略斜
視図、そして 第4図は従来の一般的な発光ダイオードアレイヘッドの
組立て図である。
面図、 第2図(A)〜(E)は第1図中のA−A線に沿う断面
図で、本発明による発光ダイオードアレイヘッドの製造
工程図、 第3図は従来の一般的な発光ダイオードアレイの概略斜
視図、そして 第4図は従来の一般的な発光ダイオードアレイヘッドの
組立て図である。
Claims (1)
- 【請求項1】発光ダイオードアレイヘッドの製造方法に
於いて、 発光ダイオードアレイ素子26の厚さ程度の溝21が形
成されたセラミック基板20上に外部配線22と共通電
極に利用される一次配線24とを形成する第1工程と、 溝21に発光ダイオードアレイ素子26を接着する第2
工程と、 セラミック基板20及び発光ダイオードアレイ素子26
の上部の全面に絶縁膜30を形成する第3工程と、 発光ダイオードアレイ素子26の個別電極5及び外部配
線22が現われるように絶縁膜30を選択的にエッチン
グして接触窓31、32を形成する第4工程と、及び 形成された接触窓31、32を通じて個別電極5と外部
配線22とを電気的に連結する2次配線34を形成する
第5工程とからなることを特徴とする発光ダイオードア
レイヘッドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019880016530A KR910006706B1 (ko) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 발광다이오드 어레이 헤드의 제조방법 |
KR88-16530 | 1988-12-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02174274A JPH02174274A (ja) | 1990-07-05 |
JPH0644642B2 true JPH0644642B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=19280066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1178209A Expired - Fee Related JPH0644642B2 (ja) | 1988-12-12 | 1989-07-12 | 発光ダイオードアレイヘッドの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4936808A (ja) |
JP (1) | JPH0644642B2 (ja) |
KR (1) | KR910006706B1 (ja) |
DE (1) | DE3923633C2 (ja) |
FR (1) | FR2641394B1 (ja) |
GB (1) | GB2225897B (ja) |
NL (1) | NL192359C (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3323324B2 (ja) * | 1993-06-18 | 2002-09-09 | 株式会社リコー | 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ |
JPH07202263A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Ricoh Co Ltd | 端面発光型発光ダイオード、アレイ状光源、側面受光型受光素子、受発光素子、端面発光型発光ダイオードアレイ状光源 |
JP3194423B2 (ja) * | 1996-05-30 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
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US7320593B2 (en) | 2000-03-08 | 2008-01-22 | Tir Systems Ltd. | Light emitting diode light source for curing dental composites |
EP2298229A1 (en) | 2002-07-25 | 2011-03-23 | Jonathan S. Dahm | Method and apparatus for using light emitting diodes for curing |
US7182597B2 (en) | 2002-08-08 | 2007-02-27 | Kerr Corporation | Curing light instrument |
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US7239337B2 (en) * | 2002-11-13 | 2007-07-03 | Oki Data Corporation | Combined semiconductor apparatus with thin semiconductor films |
DE10353679A1 (de) * | 2003-11-17 | 2005-06-02 | Siemens Ag | Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module |
US7540634B2 (en) | 2004-06-15 | 2009-06-02 | Henkel Corporation | High power LED electro-optic assembly |
DE102004047061B4 (de) | 2004-09-28 | 2018-07-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
DE102004050371A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung |
KR101047683B1 (ko) * | 2005-05-17 | 2011-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법 |
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US9072572B2 (en) | 2009-04-02 | 2015-07-07 | Kerr Corporation | Dental light device |
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CN103594462A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-19 | 昆山开威电子有限公司 | Led集成封装结构及其封装方法 |
EP3561870A4 (en) * | 2016-12-23 | 2020-11-25 | Lumens Co., Ltd. | MICRO-LED MODULE AND ITS MANUFACTURING PROCESS |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3914137A (en) * | 1971-10-06 | 1975-10-21 | Motorola Inc | Method of manufacturing a light coupled monolithic circuit by selective epitaxial deposition |
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EP0206176B1 (en) * | 1985-06-28 | 1992-01-02 | Takiron Co. Ltd. | An optical guide matrix for a dot-matrix luminous display |
-
1988
- 1988-12-12 KR KR1019880016530A patent/KR910006706B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-05-30 US US07/358,161 patent/US4936808A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-02 NL NL8901403A patent/NL192359C/nl not_active IP Right Cessation
- 1989-06-06 FR FR8907465A patent/FR2641394B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-12 JP JP1178209A patent/JPH0644642B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-17 DE DE3923633A patent/DE3923633C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-24 GB GB8926626A patent/GB2225897B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8926626D0 (en) | 1990-01-17 |
FR2641394A1 (fr) | 1990-07-06 |
JPH02174274A (ja) | 1990-07-05 |
KR900011053A (ko) | 1990-07-11 |
GB2225897B (en) | 1992-12-23 |
DE3923633C2 (de) | 1994-12-22 |
GB2225897A (en) | 1990-06-13 |
DE3923633A1 (de) | 1990-06-13 |
FR2641394B1 (fr) | 1994-01-07 |
NL8901403A (nl) | 1990-07-02 |
NL192359B (nl) | 1997-02-03 |
NL192359C (nl) | 1997-06-04 |
US4936808A (en) | 1990-06-26 |
KR910006706B1 (ko) | 1991-08-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080608 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |