JPH0644642B2 - 発光ダイオードアレイヘッドの製造方法 - Google Patents

発光ダイオードアレイヘッドの製造方法

Info

Publication number
JPH0644642B2
JPH0644642B2 JP1178209A JP17820989A JPH0644642B2 JP H0644642 B2 JPH0644642 B2 JP H0644642B2 JP 1178209 A JP1178209 A JP 1178209A JP 17820989 A JP17820989 A JP 17820989A JP H0644642 B2 JPH0644642 B2 JP H0644642B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
diode array
wiring
array element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1178209A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02174274A (ja
Inventor
リー ジョン‐ボーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH02174274A publication Critical patent/JPH02174274A/ja
Publication of JPH0644642B2 publication Critical patent/JPH0644642B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K15/00Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
    • G06K15/02Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
    • G06K15/12Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24101Connecting bonding areas at the same height
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体デバイスにおける発光ダイオードアレイ
ヘッドの製造方法に係るもので、特に発光ダイオードア
レイをセラミック等の基板に組み立てるについて、アレ
イ素子の個別電極と外部配線を、一つ一つ金線(gold wi
re)で連結することなしに、簡単に連結し得る発光ダイ
オードアレイヘッドの製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
昨今、コンピユーターの情報処理能力が増大して行くの
につれて、その出力機器であるプリンタに高速化、高画
質化、多機能化等が要求されつつある。そして、このよ
うな要求のために発光ダイオードによるプリンティング
システムが実用化され、またそこにおける発光ダイオー
ドアレイも高出力、高集積化が進行しつつある。
このように、高画質を実現するための発光ダイオードの
アレイ方式は発光ダイオードの高集積化で達成される。
ところが、発光ダイオードアレイはセラミック基板上に
組み立てられるのが大部分であり、この組立て工程が大
変難しいものであることはよく知られている。
第3図は従来の一般的な発光ダイオードアレイの一部分
を示した図である。
第3図において、符号1はGaAs基板であり、2はG
aAsP薄膜であり、3は絶縁膜であり、4は亜鉛の拡
散された領域であり、5は発光ダイオードのP型個別電
極であり、6はn型共通電極であり、7は発光面であ
る。
そして、n型共通電極6と発光ダイオードのP型個別電
極5とに電圧を印加すると、発光面7を通じて光が放出
される。
第4図に示すように、発光ダイオードアレイはP型個別
電極5が発光面7の上方に位置し、n型共通電極6は基
板側に位置している。
第4図を参照すると、共通電極配線14と外部配線12
とが形成されたセラミック基板11に発光ダイオードア
レイ13を組み立てるに際して、発光素子の共通電極6
はセラミック基板11の共通電極配線14と接続され、
各発光素子の個別電極5は一つ一つ金線(gold wire)1
5で外部配線12と連結される。しかし、このように金
線で連結する場合、一般的な印刷仕様である240DP
I(Dot Per Inch)の密度でA4用紙を印刷するためには
総数2048個の金線連結が必要であり、またさらに高
画質である400DPIの密度で4A用紙を印刷するた
めには3584個の金線連結が必要である。しかも、金
線間の間隔は100μm程度である。したがって、製作
上の困難性及び歩留りの低下という問題が避けられな
い。
〔発明が解決しようとする課題〕
したがって、本発明の目的は、セラミック基板上に発光
ダイオードアレイを形成するについて、発光ダイオード
アレイ素子の個別電極と外部配線の電気的な連結のため
の配線を簡単に形成し得る発光ダイオードアレイヘッド
の製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記のような目的を達成するために本発明による発光ダ
イオードアレイの製造方法は、発光ダイオードアレイ素
子の厚さ程度の溝が形成されたセラミック基板上に1次
配線及び外部配線を形成する第1工程と、セラミック基
板に形成された溝に発光ダイオードアレイ素子を接着す
る第2工程と、セラミック基板と発光ダイオードアレイ
素子の上部の全面に絶縁膜を形成する第3工程と、外部
配線及び発光ダイオードアレイ素子の個別電極が現われ
るようにエッチングして接続窓を形成する第4工程と、
及び個別電極と外部配線とを電気的に連結する2次配線
を形成する第5工程からなることを特徴としている。
〔実施例〕
以下、本発明を添付図面を参照して詳細に説明する。
第1図は、第3図と同様の一般的な発光ダイオードアレ
イ素子をもって製作された本発明による発光ダイオード
アレイヘッドの平面図である。
この発光ダイオードアレイヘッドは、セラミック基板2
0の中央に一列に配列された多数個の発光面7と、この
発光面7と同数の個別電極を含む発光ダイオードアレイ
素子26と、セラミック基板20に発光面7と同数で配
列された外部配線22と、及び各発光ダイオードの個別
電極と外部電極22とを各々のコンタクト31、32を
通じて電気的に連結する2次配線34とで構成されてい
る。
第2図(A)〜(E)は、第1図中のA−A線に沿う断
面図で、本発明の1実施例による発光ダイオードアレイ
ヘッドの製造工程を示すものである。
以下、第2図(A)〜(E)に基づいて発光ダイオード
アレイヘッドの製造方法を詳細に説明する。
第2図(A)は、後述する発光ダイオードアレイ素子2
6の厚さと同じ深さの溝21が形成されたセラミック基
板26上に例えばアルミニウムのような金属を真空蒸着
等の方法を利用して10μm程度の厚さで形成した後、
通常の写真蝕刻方法で共通電極として利用される一次配
線24及び外部配線22を形成した状態である。
第2図(B)は、個別電極5が上向となるように発光ダ
イオードアレイ素子26を溝21にエポキシ樹脂で接着
した状態である。
その後、シリコン基板20及び発光ダイオードアレイ素
子26の上部にSOG(Spin on Glass)のような粘性の
小さい不導体の物質を塗布することによりセラミック基
板20と発光ダイオードアレイ素子26との間を空間2
8を埋めると共に表面を平坦化させた後、400℃で1
0分程度加熱して3μm程度の絶縁膜30を形成した状
態が第2図(C)である。
その次に、発光ダイオードアレイ素子26の個別電極5
と外部配線22とが形成されている部分に通常の写真蝕
刻工程で接触窓31、32を形成すると、第2図(D)
のようになる。
その次に、第2図(D)の状態の基板の上部の全面に例
えばアルミニウムのような金属膜を真空蒸着等の方法で
2μm程度に形成することにより、接触窓31、32を
通じて個別電極5と外部配線22とを電気的に連結した
後、必要のない部分を通常の写真蝕刻工程で除去して2
次配線34を形成すると、第2図(E)のようになる。
上記のように形成された発光ダイオードアレイヘッド
は、外部配線22及び共通電極として利用される1次配
線24に電圧を印加すると、個別発光ダイオードに電流
が流れるようになって発光面7から光を発するようにな
る。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明による発光ダイ
オードアレイヘッドの製造方法は、セラミック基板上の
外部電極と発光ダイオードアレイ素子の個別電極との間
に配線するについて、一つ一つ金線で結せずに、金属を
塗布した後にエッチングを施して同時に多数の配線を形
成するようにしているので、発光ダイオードアレイヘッ
ドの組立てが容易になり、且つ機械的接触によって配線
連結が破損される危険がなくなり信頼性を大幅に向上さ
せ得るという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による発光ダイオードアレイヘッドの平
面図、 第2図(A)〜(E)は第1図中のA−A線に沿う断面
図で、本発明による発光ダイオードアレイヘッドの製造
工程図、 第3図は従来の一般的な発光ダイオードアレイの概略斜
視図、そして 第4図は従来の一般的な発光ダイオードアレイヘッドの
組立て図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】発光ダイオードアレイヘッドの製造方法に
    於いて、 発光ダイオードアレイ素子26の厚さ程度の溝21が形
    成されたセラミック基板20上に外部配線22と共通電
    極に利用される一次配線24とを形成する第1工程と、 溝21に発光ダイオードアレイ素子26を接着する第2
    工程と、 セラミック基板20及び発光ダイオードアレイ素子26
    の上部の全面に絶縁膜30を形成する第3工程と、 発光ダイオードアレイ素子26の個別電極5及び外部配
    線22が現われるように絶縁膜30を選択的にエッチン
    グして接触窓31、32を形成する第4工程と、及び 形成された接触窓31、32を通じて個別電極5と外部
    配線22とを電気的に連結する2次配線34を形成する
    第5工程とからなることを特徴とする発光ダイオードア
    レイヘッドの製造方法。
JP1178209A 1988-12-12 1989-07-12 発光ダイオードアレイヘッドの製造方法 Expired - Fee Related JPH0644642B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880016530A KR910006706B1 (ko) 1988-12-12 1988-12-12 발광다이오드 어레이 헤드의 제조방법
KR88-16530 1988-12-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02174274A JPH02174274A (ja) 1990-07-05
JPH0644642B2 true JPH0644642B2 (ja) 1994-06-08

Family

ID=19280066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1178209A Expired - Fee Related JPH0644642B2 (ja) 1988-12-12 1989-07-12 発光ダイオードアレイヘッドの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4936808A (ja)
JP (1) JPH0644642B2 (ja)
KR (1) KR910006706B1 (ja)
DE (1) DE3923633C2 (ja)
FR (1) FR2641394B1 (ja)
GB (1) GB2225897B (ja)
NL (1) NL192359C (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3323324B2 (ja) * 1993-06-18 2002-09-09 株式会社リコー 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
JPH07202263A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Ricoh Co Ltd 端面発光型発光ダイオード、アレイ状光源、側面受光型受光素子、受発光素子、端面発光型発光ダイオードアレイ状光源
JP3194423B2 (ja) * 1996-05-30 2001-07-30 キヤノン株式会社 画像形成装置
US6011575A (en) * 1996-09-10 2000-01-04 Konica Corporation Image forming apparatus with line-shaped image exposure means
GB2329756A (en) * 1997-09-25 1999-03-31 Univ Bristol Assemblies of light emitting diodes
US6200134B1 (en) 1998-01-20 2001-03-13 Kerr Corporation Apparatus and method for curing materials with radiation
WO2001024259A2 (en) * 1999-09-30 2001-04-05 Alpha Industries, Inc. Semiconductor packaging
US6867499B1 (en) 1999-09-30 2005-03-15 Skyworks Solutions, Inc. Semiconductor packaging
US6415505B1 (en) * 1999-11-15 2002-07-09 Amkor Technology, Inc. Micromachine package fabrication method
US7320593B2 (en) 2000-03-08 2008-01-22 Tir Systems Ltd. Light emitting diode light source for curing dental composites
EP2298229A1 (en) 2002-07-25 2011-03-23 Jonathan S. Dahm Method and apparatus for using light emitting diodes for curing
US7182597B2 (en) 2002-08-08 2007-02-27 Kerr Corporation Curing light instrument
AU2003298561A1 (en) * 2002-08-23 2004-05-13 Jonathan S. Dahm Method and apparatus for using light emitting diodes
US7239337B2 (en) * 2002-11-13 2007-07-03 Oki Data Corporation Combined semiconductor apparatus with thin semiconductor films
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
US7540634B2 (en) 2004-06-15 2009-06-02 Henkel Corporation High power LED electro-optic assembly
DE102004047061B4 (de) 2004-09-28 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102004050371A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
KR101047683B1 (ko) * 2005-05-17 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
US8113830B2 (en) * 2005-05-27 2012-02-14 Kerr Corporation Curing light instrument
US8047686B2 (en) * 2006-09-01 2011-11-01 Dahm Jonathan S Multiple light-emitting element heat pipe assembly
DE102008025318A1 (de) * 2008-05-27 2009-12-10 Setrinx S.A.R.L. Leuchtchip und Leuchtvorrichtung mit einem solchen
US9072572B2 (en) 2009-04-02 2015-07-07 Kerr Corporation Dental light device
US9066777B2 (en) 2009-04-02 2015-06-30 Kerr Corporation Curing light device
US20110089531A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Interposer Based Monolithic Microwave Integrate Circuit (iMMIC)
US9048392B2 (en) 2010-04-23 2015-06-02 Cree, Inc. Light emitting device array assemblies and related methods
EP2506370B1 (en) 2011-03-30 2015-10-28 Huawei Technologies Co., Ltd. A submount arrangement for VCSELs
US20140001622A1 (en) * 2012-06-27 2014-01-02 Infineon Technologies Ag Chip packages, chip arrangements, a circuit board, and methods for manufacturing chip packages
US20140015405A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-16 Elementech International Co., Ltd. Light emitting diode module
US20140048824A1 (en) * 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
JP6024957B2 (ja) * 2012-09-24 2016-11-16 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
CN103594462A (zh) * 2013-11-07 2014-02-19 昆山开威电子有限公司 Led集成封装结构及其封装方法
EP3561870A4 (en) * 2016-12-23 2020-11-25 Lumens Co., Ltd. MICRO-LED MODULE AND ITS MANUFACTURING PROCESS

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3290539A (en) * 1963-09-16 1966-12-06 Rca Corp Planar p-nu junction light source with reflector means to collimate the emitted light
US3914137A (en) * 1971-10-06 1975-10-21 Motorola Inc Method of manufacturing a light coupled monolithic circuit by selective epitaxial deposition
US3860424A (en) * 1971-12-30 1975-01-14 Bell Telephone Labor Inc Led display
US3936694A (en) * 1973-12-28 1976-02-03 Sony Corporation Display structure having light emitting diodes
US3964157A (en) * 1974-10-31 1976-06-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of mounting semiconductor chips
JPS5429239B2 (ja) * 1974-12-04 1979-09-21
US4040078A (en) * 1976-05-11 1977-08-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Opto-isolators and method of manufacture
US4165474A (en) * 1977-12-27 1979-08-21 Texas Instruments Incorporated Optoelectronic displays using uniformly spaced arrays of semi-sphere light-emitting diodes
US4241277A (en) * 1979-03-01 1980-12-23 Amp Incorporated LED Display panel having bus conductors on flexible support
FR2491714A1 (fr) * 1980-10-06 1982-04-09 Radiotechnique Compelec Dispositif semi-conducteur a diodes electroluminescentes localisees et son procede de fabrication
GB2115198A (en) * 1982-02-19 1983-09-01 British Steel Corp Improvements in or relating to visual display instrument component assemblies
JPS6089988A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Toshiba Corp 複写機用ledアレイ光源
JPS60136788A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 日本ビクター株式会社 Led平面パネルデイスプレイの製作法
US4611886A (en) * 1983-12-29 1986-09-16 At&T Bell Laboratories Integrated optical circuit package
JPS6129562A (ja) * 1984-07-20 1986-02-10 Sanyo Electric Co Ltd 印字用発光ダイオ−ド
WO1986002045A1 (en) * 1984-09-27 1986-04-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical printing head for optical printing apparatus
EP0206176B1 (en) * 1985-06-28 1992-01-02 Takiron Co. Ltd. An optical guide matrix for a dot-matrix luminous display

Also Published As

Publication number Publication date
GB8926626D0 (en) 1990-01-17
FR2641394A1 (fr) 1990-07-06
JPH02174274A (ja) 1990-07-05
KR900011053A (ko) 1990-07-11
GB2225897B (en) 1992-12-23
DE3923633C2 (de) 1994-12-22
GB2225897A (en) 1990-06-13
DE3923633A1 (de) 1990-06-13
FR2641394B1 (fr) 1994-01-07
NL8901403A (nl) 1990-07-02
NL192359B (nl) 1997-02-03
NL192359C (nl) 1997-06-04
US4936808A (en) 1990-06-26
KR910006706B1 (ko) 1991-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0644642B2 (ja) 発光ダイオードアレイヘッドの製造方法
JP3195720B2 (ja) 多色led素子およびその多色led素子を用いたled表示装置、並びに多色led素子の製造方法
JPH0752779B2 (ja) 発光ダイオードアレイ
US20050029529A1 (en) Light-emitting diode array
JP3824497B2 (ja) 発光素子アレイ
EP0872898B1 (en) Led array
US5045895A (en) Light emitting diode array with electrodes
JPH0828551B2 (ja) アレイレーザ
JP3681236B2 (ja) 半導体装置
JPH0531955A (ja) 半導体発光装置
US20030071267A1 (en) Light-emitting thyristor matrix array
JPS63274563A (ja) 光プリンタヘッド用モノリシック発光素子アレイ
JP2001257380A (ja) 発光ダイオードアレイ及びその製造方法
JP2006351777A (ja) 発光ダイオードアレイおよび発光ダイオードアレイの製造方法
JP2001077431A (ja) 発光素子アレイ
JPH08330633A (ja) 半導体発光装置
KR910003277B1 (ko) 발광다이오우드 어레이의 제조방법
JP3623092B2 (ja) 光プリンタヘッド
JP2838473B2 (ja) 半導体発光装置
JPH04313283A (ja) 半導体デバイスとicチップの実装方法
JP2604574B2 (ja) 光プリンタヘツド
JP3634962B2 (ja) 光プリンタヘッド
JP4292651B2 (ja) Ledアレイチップ及びその製造方法
KR920000329B1 (ko) 발광소자 어레이
KR910008217B1 (ko) 광프린터의 기록헤드

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080608

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090608

Year of fee payment: 15

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees