JPS60136788A - Ｌｅｄ平面パネルデイスプレイの製作法 - Google Patents

Ｌｅｄ平面パネルデイスプレイの製作法

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JPS60136788A
JPS60136788A JP58245893A JP24589383A JPS60136788A JP S60136788 A JPS60136788 A JP S60136788A JP 58245893 A JP58245893 A JP 58245893A JP 24589383 A JP24589383 A JP 24589383A JP S60136788 A JPS60136788 A JP S60136788A
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Japan
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wafer
led
flat panel
panel display
insulator substrate
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倉田　一峰
辻河　秀雄
寛 中村
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Victor Company of Japan Ltd
Nippon Victor KK
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Victor Company of Japan Ltd
Nippon Victor KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ＬＥＤ平面パネルディスプレイに関する。
（従来技術と問題点） ＬＥＤ平面パネルディスプレイとしては、多数のＬＥＤ
ランプが予め定められたピッチで所要の２次元的な配列
パターンとなるように行方向と列方向とに配列さハるよ
うにして構成されたもの、あるいは、多数のＬ［！ｌ’
ｌチップがセラミック基板上に予め定められたピッチで
所要の２次元的な配列パターンとなるように行方向と列
方向とに配列されるようにして構成されたものなどが従
来から知られている。
しかしながら、前記した従来の１．Ｅｒｌ平面パネルデ
ィスプレイは、材料費が高いために完成品がコスト高に
なったり、また、発光素子のピッチを１ｍｌ１１以下に
することが困難であるなどの問題点があった・ （問題点を解決するための手段） 本発明は、予め定められたピッチで所要の２次元的な配
列パターンとなるように行方向と列方向とに電極が配列
される如きＬＥＤウェハーの裏面と、絶縁体基板上に構
成させた導電層とを導電的に接着させる工程と、前記の
工程によって絶縁体基板とＬＥＤウェハーとが一体的に
なされた状態の中間製品に対して、前記したＬＥＤウェ
ハーの２次元的な電極の配列パターンにおける電極配列
の一方の方向について、Ｌ　Ｅ　Ｄウェハーの表面側よ
り絶縁体基板に達するような切込溝を形成させる工程と
、前記した工程において形成された切込溝の方向と直交
する方向について絶縁体基板とＬＥＤウェハーとが一体
的になされた状態の中間製品に対して、ＬＥＤウェハー
におけるＰＮ接合部よりは深く、かつ絶縁基板には達し
ない深さの切込溝を１．ＥＤウェハーの表面側より形成
させる工程とを備えたＬＥｒ）平面パネルディスプレイ
の製作法を提供して前述した問題点を解消するものであ
る。
（実施例） 以下、添付図面を参照しながら、本発明のＬＥＤ平面パ
ネルディスプレイの製作法にっ、いて、その具体的な内
容を説明する。
第１図は１本発明のＬＥｒｌ平面パネルディスプレイの
製作法に従って、ＬＥＩＩ平面パネルディスプレイを製
作する場合の各工程の内容の理解を助けるための図であ
る。
まず、第１図の（、）は、少なくとも一つの面に導電Ｎ
２が設けられている絶縁体基板１の側面図であって、前
記の絶縁体基板１としては、例えば一つの面に導電層２
が設けられているセラミック基板１が用いられてよい。
以下の実施例の説明において、前記した絶縁体基板ｌは
大きさが２５．４ＧＩｌＸ２５．４ｎ＋ｍＸＯ，６ａ＋
ｍで、それの一つの面に導電層２が設けられている如き
セラミック基板１であるとされている。
また、第１図の（ｂ）は、ＧａＰの１．ＨＤウェハー３
のＰ型詰晶面４に、金合金（ＡｕＢｅ）によって直径が
１００μｍの電極５．訃・・を３９７μｍのピッチで直
交する二方向に形成させた状態とし、また、それのＮ型
詰晶面には金合金（ＡｕＳｉ　）によって電極６を形成
させた状態としたＧ　ａ　ＰのＬＥＤウェハー３の側面
図である。
次に、前＾１した第１図の（ａ）に示されるセラミック
基板１に設けら扛ている導電層２上に導電性ペースト７
を塗布しく第１図の（ｃ））、次いでそのペースト７．
１−に第１図の（ｂ）に示すＧａＰのＬ［！Ｄウェハー
３における電極６を圧接させ（第１図の（ｄ））た状態
としてオーブン内で１５０℃で加熱して、前記した導電
性ペースト７を硬化させて、第１Ｕｉ４の（ａ）に示さ
れているセラミック基板ｌに設けられている導電層２と
、第１図の（ｂ）に示されているＧ　ａ　Ｐの１．ＨＤ
ウェハー３における電極６とを。
前記した導電性ペースト７によって導電的に接着させる
（第１図の（ｄ））、前記した導電性ペースト７は、気
泡を含まない状態で均一な厚さに塗布することが必要と
される。
上記した説明においては、第１図の（、）に示されてい
るセラミック基板１１″−設けられている感電層２と、
第１ｂＡの（ｂ）に示されているＧａＰのＬＥｒｌウェ
ハー３におけるｉｉｔ極６とを、導電性ペースト７によ
って感電的に接着させるものとしているが、第１図の（
ａ）に示されているセラミック基板ｌに設けられている
導電層２と、第１図の（ｂ）に示されているＧａＰのＬ
ＩＩＯウェハー３における電極６との導電的な接着が、
他の導電的な接着手段１例えばキロ゛１、共晶合金など
を用いた接着手段を適用して行なわれてもよい。
次に、第１図の（ｄ）に示されている状態の中間製品、
すなわち、セラミック基板１とＧａＰの１、Ｅ１１ウェ
ハー３とが一体的になされた状ｈｖの中間製品に対して
、前記したＧａＰの１．ＥＤウェハーコ３の２次元的な
電極の配列パターンにおける電極６１１列の一方の方向
について、切断機（例えば回転円盤型の切断機）を用い
てＧａＰのＬｒ１Ｄウエハー３　（７）　表面側よりセ
ラミック基板１に達するＪ：うな切込ｉ＃８が、第１図
の（ｔ」）に示されている中間製品に形成さ４（る（第
１図の（ｆ））。
次いで、第１図の（ｆ）に示さ九ている状態の中間製品
、すなわら、ＧａＰの１Ｊ４Ｄつ：Ｃバー３の表面側よ
りセラミック基板１に達するような切込溝８が形成され
ている状態の中間製品に対して、前記した工程において
施こされた切込溝８の方向と直交する方向について、Ｇ
ａＰの［、ＥＤウェハー３の表面側よりＧ　ａ　ＰのＬ
ＥＤウェハー３におけるＰＮ接合部よりは深く、かつ、
セラミック基板１には達しない深さの切込溝９が、切断
機（例えば、回転円盤型の切断機）によって第１図の（
ｆ）の中間製品に形成される（第１図の（ｇ））− 前記した工程において切断機によって形成されるべき切
込溝９は、前記のようにＧａＰのＬＥＤウェハー３の表
面側よりＧａＰのＬＥＤウェハー３におけるＰＮ接合部
よりは深く、かつ、セラミック基板１には達しない深さ
の範囲の深さならば、任意の深さとなされてもよいが、
前記した切込溝９の深さの選定に当っては、加工性にお
いて優れているような深さとなされることが望ましい。
第１図の（ｇｌ）及び第１　［４の（ｇ２）は、前記し
た工程において形成されるべき切込溝９の深さの範囲を
例示する図であり、第１図の（ｇｌ　）及び第１図の（
ｇ２）におけるＰＮはＰＮ接合部を示している。
前記のように、ＧａＰのＬＥＤウェハー３の２次元的な
電極の配列パターンにおける電極配列の一方の方向につ
いて、第１図の（ｆ）に示されているよウニ、ＧａＰの
ＬＥＤウェハー３の表面側よりセラミック基板１に達す
るような切込溝８が形成され。
また、切込溝８の方向と直交する方向については。
第１図の（ｇ）に示されているように、ＧａＰのＬＩＥ
Ｄウェハー３の表面側からＧａＰのＬＥＤウェハー３に
おけるＰＮ接合部よりは深く、かつセラミック基板１に
は達しないような深さの切込溝９が形成されることによ
って、ＧａＰのＬＥＤウェハー３には電極５．訃・・の
−個づつと対応してそれぞれ実質的に一素子づつに分離
された状態の多数のＬＥＤ素子が、予め定められた配列
パターンに従った行列を構成するようになされる。
そして、ＧａＰのＬＥＤウェハー３に構成されている前
記の個々のＬＥＤ素子は、切込溝８の延長する方向（第
１図の（ｆ）において紙面に直交する方向、あるいは、
第１図の（ｇ）において紙面の左右方向）については電
極６側において共通接続されている状態となされており
、また、ＧａＰのＬＥＤウェハー３に構成されている前
記の個々のＬＥＤ素子は、切込溝９の延長する方向（第
１図の（ｆ）において紙面の左右方向、あるいは第１図
の（ｇ）において紙面に直交する方向）については電気
的に互に分離されている状態になされている。
Ｇ　ａ　ＰのＬＥｒ）ウェハー３に前記のようにして構
成されている多数の１．［！Ｄ素子（既述した数値例で
は、直交する二方向について、それぞｔｃピッチが３９
７μ髄で配列されている多数の１、ＥＤ−Ｊ４子）は、
前記した互に直交している切込溝８，９によって互に分
離されているから、個々のＬＥＤで発光された光が結晶
内を伝わって他のＬＥＤ　＠子に光のにじみを生じさせ
るようなことは起こらない。
第２図は、前記のようにＧａＰのＬＥＤウェハー３番：
構成された個々の１．ｆ！Ｄ素子における電極５．５・
・・を、切込溝９の延長する方向（第１図の（ｆ）にお
いて紙面の左右方向、あるいは第１図の（ｇ）において
紙面に直交する方向）に１例えばワイヤボンダを用いて
互に接続線ｔｏ、ｉｏ・・・で接続した状態のものを示
している。
これまでに説明した実施例では、１．ＨＤウェハーとし
てＧａＰのＬＥＤウェハー３を用いるとしているが、本
発明の実施に当って使用するＬＥＤウェハー３としては
Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　ＰのＬＥＤウェハー、ＧａＡｌＡｓの
ＬＥＤウェハー、ＧａＡｇのＬＵｒｌウェハー、その他
のＬＥｒｌウェハーなどが用いられてもよい。また、既
述した実施例においては、Ｐ型詰晶面に電極パターンを
形成しているが、Ｎ型結晶面に電極パターンを形成させ
るようにしてもよく、さらに、Ｐ型詰晶面とＮ型結晶面
との両面に、電極パターンを形成させるようにしてもよ
く、さらにまた、セラミック基板１に設けられている感
電層２が、電極のパターンに対応したパターンを示す状
態のものとなされていてもよい。
また、本発明の実施に当っては１周知のメサ技術、ある
いはプレーナ技術の適用によって、予め定められた配列
パターンに従い多数のＬＥＤ素子が行列に配列された状
態のＬＥロウエバーが使用されてもよいし、切込溝８，
９を形成させる加工手段としては、既述のように回転円
盤型の切断機を用いる他に、レーザを用いたり、フォト
リソグラフィ法を適用したり、ワイヤーソーを用いたり
することができることはいうまでもない。
（効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明のＬＥＤ平面パネルディスプレイの製作法は、予め定
められたピッチで所要の２次元的な配列パターンとなる
ように行方向と列方向とに電極が配列される如きＬＥＤ
ウェハーの裏面と、絶縁体基板上に構成させた導電層と
を導電的に接着させる工程と、前記の工程によって絶縁
体基板とＬ　Ｅ　Ｄウェハーとが一体的になされた状態
の中間製品に対して、前記したＬＥＤウェハーの２次元
的な電極の配列パターンにおける電極配列の一方の方向
について、ＬＥＤウェハーの表面側より絶縁体基板に達
するような切込溝を形成させる工程と、前記した工程に
おいて形成された切込溝の方向と直交する方向について
、絶縁体基板とＬＥＤウェハーとが一体的になされた状
態の中間製品に対して、ＬＥＤウェハーにおけるＰＮ接
合部よりは深く、かつ、絶縁基板には達しない深さの切
込ＷをＬＥＤつ！バーの表面側より形成させる工程とを
備えたものであるから、［、ＨＤウェハーに形成させる
電極パターンのピッチが、そのままＬｆ！Ｄウェハーに
形成されるＬＥＤ　＠子のピッチとなるから、ＬＥＤウ
ェハーに形成させる電極パターンのピッチを変えること
によって１．ｌＥＤウェハーに形成されるＬＥＤ　：＃
子のピッチを任意に変えることができ、ＬＥＤ素子が高
い密度で配列されているＬ　Ｅ　ｎ平面パネルディスプ
レイを容易に製作することができ、したがって、本発明
のＬＥＤ平面パネルディスプレイの製作法によれば、既
述した従来のＬ　Ｅ　ｎ平面パネルディスプレイで生じ
ていた問題点のない偏れたｔ、　Ｅ　ｎ平面パネルディ
スプレイを安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明のＬＥＤ平面パネルディスプレイの製
作法の各工程の説明に使用される図、第２図はＬＥＤ平
面パネルディスプレイの一部の斜視図である。 １・・・絶縁体基板、２・・・導電層、３・・・Ｇ　ａ
　ＰのＬＥＤウェハー、４・・・１）型結晶面、５，６
・・・電極、７・・・心電性ペース］−１８，９・・・
切込溝、１０・・・接続線、特許出願人　Ｈ本ビクター
株式会社 代　理　人　弁理士　今　間　孝　生。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 予め定められたピッチで所要の２次元的な配列パターン
    となるように行方向と列方向とに電極が配列される如き
    Ｌ　Ｅ　ｎウェハーの裏面と、絶縁体基板上に構成させ
    た感電層とを導電的に接着させる工程と、前記の工程に
    よって絶縁体基板とＬＥＤウェハーとが一体的になされ
    た状態の中間製品に対して、前記したＬ　Ｅ　ｎウェハ
    ーの２次元的な電極の配列パターンにおける電極配列の
    一方の方向について、Ｌ　Ｅ　ｎウェハーの表面側より
    絶縁体基板に達するような切込溝を形成させる工程と、
    前記した工程において形成された切込溝の方向と直交す
    る方向について、絶縁体基板とＬＥＤウェハーとが一体
    的になされた状態の中間製品に対して、Ｌ　Ｅ　ｎウェ
    ハーにおけるＰＮ接合部よりは深く、かつ、絶ＭｃＪ＃
    Ｌ板には達しない深さの切込溝をＬ　Ｅ　ｎウェハーの
    表面側より形成させる工程とを備えたＬＥＤ平面パネル
    ディスプレイの製作法
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