JPS60136788A - Led平面パネルデイスプレイの製作法 - Google Patents

Led平面パネルデイスプレイの製作法

Info

Publication number
JPS60136788A
JPS60136788A JP58245893A JP24589383A JPS60136788A JP S60136788 A JPS60136788 A JP S60136788A JP 58245893 A JP58245893 A JP 58245893A JP 24589383 A JP24589383 A JP 24589383A JP S60136788 A JPS60136788 A JP S60136788A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
led
flat panel
panel display
insulator substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58245893A
Other languages
English (en)
Inventor
倉田 一峰
辻河 秀雄
寛 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Nippon Victor KK
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Nippon Victor KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd, Nippon Victor KK filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP58245893A priority Critical patent/JPS60136788A/ja
Priority to DE19843447452 priority patent/DE3447452A1/de
Publication of JPS60136788A publication Critical patent/JPS60136788A/ja
Priority to US06/908,929 priority patent/US4775645A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0062Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/028Dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、LED平面パネルディスプレイに関する。
(従来技術と問題点) LED平面パネルディスプレイとしては、多数のLED
ランプが予め定められたピッチで所要の2次元的な配列
パターンとなるように行方向と列方向とに配列さハるよ
うにして構成されたもの、あるいは、多数のL[!l’
lチップがセラミック基板上に予め定められたピッチで
所要の2次元的な配列パターンとなるように行方向と列
方向とに配列されるようにして構成されたものなどが従
来から知られている。
しかしながら、前記した従来の1.Erl平面パネルデ
ィスプレイは、材料費が高いために完成品がコスト高に
なったり、また、発光素子のピッチを1ml11以下に
することが困難であるなどの問題点があった・ (問題点を解決するための手段) 本発明は、予め定められたピッチで所要の2次元的な配
列パターンとなるように行方向と列方向とに電極が配列
される如きLEDウェハーの裏面と、絶縁体基板上に構
成させた導電層とを導電的に接着させる工程と、前記の
工程によって絶縁体基板とLEDウェハーとが一体的に
なされた状態の中間製品に対して、前記したLEDウェ
ハーの2次元的な電極の配列パターンにおける電極配列
の一方の方向について、L E Dウェハーの表面側よ
り絶縁体基板に達するような切込溝を形成させる工程と
、前記した工程において形成された切込溝の方向と直交
する方向について絶縁体基板とLEDウェハーとが一体
的になされた状態の中間製品に対して、LEDウェハー
におけるPN接合部よりは深く、かつ絶縁基板には達し
ない深さの切込溝を1.EDウェハーの表面側より形成
させる工程とを備えたLEr)平面パネルディスプレイ
の製作法を提供して前述した問題点を解消するものであ
る。
(実施例) 以下、添付図面を参照しながら、本発明のLED平面パ
ネルディスプレイの製作法にっ、いて、その具体的な内
容を説明する。
第1図は1本発明のLErl平面パネルディスプレイの
製作法に従って、LEII平面パネルディスプレイを製
作する場合の各工程の内容の理解を助けるための図であ
る。
まず、第1図の(、)は、少なくとも一つの面に導電N
2が設けられている絶縁体基板1の側面図であって、前
記の絶縁体基板1としては、例えば一つの面に導電層2
が設けられているセラミック基板1が用いられてよい。
以下の実施例の説明において、前記した絶縁体基板lは
大きさが25.4GIlX25.4n+mXO,6a+
mで、それの一つの面に導電層2が設けられている如き
セラミック基板1であるとされている。
また、第1図の(b)は、GaPの1.HDウェハー3
のP型詰晶面4に、金合金(AuBe)によって直径が
100μmの電極5.訃・・を397μmのピッチで直
交する二方向に形成させた状態とし、また、それのN型
詰晶面には金合金(AuSi )によって電極6を形成
させた状態としたG a PのLEDウェハー3の側面
図である。
次に、前^1した第1図の(a)に示されるセラミック
基板1に設けら扛ている導電層2上に導電性ペースト7
を塗布しく第1図の(c))、次いでそのペースト7.
1−に第1図の(b)に示すGaPのL[!Dウェハー
3における電極6を圧接させ(第1図の(d))た状態
としてオーブン内で150℃で加熱して、前記した導電
性ペースト7を硬化させて、第1Ui4の(a)に示さ
れているセラミック基板lに設けられている導電層2と
、第1図の(b)に示されているG a Pの1.HD
ウェハー3における電極6とを。
前記した導電性ペースト7によって導電的に接着させる
(第1図の(d))、前記した導電性ペースト7は、気
泡を含まない状態で均一な厚さに塗布することが必要と
される。
上記した説明においては、第1図の(、)に示されてい
るセラミック基板11″−設けられている感電層2と、
第1bAの(b)に示されているGaPのLErlウェ
ハー3におけるiit極6とを、導電性ペースト7によ
って感電的に接着させるものとしているが、第1図の(
a)に示されているセラミック基板lに設けられている
導電層2と、第1図の(b)に示されているGaPのL
IIOウェハー3における電極6との導電的な接着が、
他の導電的な接着手段1例えばキロ゛1、共晶合金など
を用いた接着手段を適用して行なわれてもよい。
次に、第1図の(d)に示されている状態の中間製品、
すなわち、セラミック基板1とGaPの1、E11ウェ
ハー3とが一体的になされた状hvの中間製品に対して
、前記したGaPの1.EDウェハーコ3の2次元的な
電極の配列パターンにおける電極611列の一方の方向
について、切断機(例えば回転円盤型の切断機)を用い
てGaPのLr1Dウエハー3 (7) 表面側よりセ
ラミック基板1に達するJ:うな切込i#8が、第1図
の(t」)に示されている中間製品に形成さ4(る(第
1図の(f))。
次いで、第1図の(f)に示さ九ている状態の中間製品
、すなわら、GaPの1J4Dつ:Cバー3の表面側よ
りセラミック基板1に達するような切込溝8が形成され
ている状態の中間製品に対して、前記した工程において
施こされた切込溝8の方向と直交する方向について、G
aPの[、EDウェハー3の表面側よりG a PのL
EDウェハー3におけるPN接合部よりは深く、かつ、
セラミック基板1には達しない深さの切込溝9が、切断
機(例えば、回転円盤型の切断機)によって第1図の(
f)の中間製品に形成される(第1図の(g))− 前記した工程において切断機によって形成されるべき切
込溝9は、前記のようにGaPのLEDウェハー3の表
面側よりGaPのLEDウェハー3におけるPN接合部
よりは深く、かつ、セラミック基板1には達しない深さ
の範囲の深さならば、任意の深さとなされてもよいが、
前記した切込溝9の深さの選定に当っては、加工性にお
いて優れているような深さとなされることが望ましい。
第1図の(gl)及び第1 [4の(g2)は、前記し
た工程において形成されるべき切込溝9の深さの範囲を
例示する図であり、第1図の(gl )及び第1図の(
g2)におけるPNはPN接合部を示している。
前記のように、GaPのLEDウェハー3の2次元的な
電極の配列パターンにおける電極配列の一方の方向につ
いて、第1図の(f)に示されているよウニ、GaPの
LEDウェハー3の表面側よりセラミック基板1に達す
るような切込溝8が形成され。
また、切込溝8の方向と直交する方向については。
第1図の(g)に示されているように、GaPのLIE
Dウェハー3の表面側からGaPのLEDウェハー3に
おけるPN接合部よりは深く、かつセラミック基板1に
は達しないような深さの切込溝9が形成されることによ
って、GaPのLEDウェハー3には電極5.訃・・の
−個づつと対応してそれぞれ実質的に一素子づつに分離
された状態の多数のLED素子が、予め定められた配列
パターンに従った行列を構成するようになされる。
そして、GaPのLEDウェハー3に構成されている前
記の個々のLED素子は、切込溝8の延長する方向(第
1図の(f)において紙面に直交する方向、あるいは、
第1図の(g)において紙面の左右方向)については電
極6側において共通接続されている状態となされており
、また、GaPのLEDウェハー3に構成されている前
記の個々のLED素子は、切込溝9の延長する方向(第
1図の(f)において紙面の左右方向、あるいは第1図
の(g)において紙面に直交する方向)については電気
的に互に分離されている状態になされている。
G a PのLEr)ウェハー3に前記のようにして構
成されている多数の1.[!D素子(既述した数値例で
は、直交する二方向について、それぞtcピッチが39
7μ髄で配列されている多数の1、ED−J4子)は、
前記した互に直交している切込溝8,9によって互に分
離されているから、個々のLEDで発光された光が結晶
内を伝わって他のLED @子に光のにじみを生じさせ
るようなことは起こらない。
第2図は、前記のようにGaPのLEDウェハー3番:
構成された個々の1.f!D素子における電極5.5・
・・を、切込溝9の延長する方向(第1図の(f)にお
いて紙面の左右方向、あるいは第1図の(g)において
紙面に直交する方向)に1例えばワイヤボンダを用いて
互に接続線to、io・・・で接続した状態のものを示
している。
これまでに説明した実施例では、1.HDウェハーとし
てGaPのLEDウェハー3を用いるとしているが、本
発明の実施に当って使用するLEDウェハー3としては
G a A s PのLEDウェハー、GaAlAsの
LEDウェハー、GaAgのLUrlウェハー、その他
のLErlウェハーなどが用いられてもよい。また、既
述した実施例においては、P型詰晶面に電極パターンを
形成しているが、N型結晶面に電極パターンを形成させ
るようにしてもよく、さらに、P型詰晶面とN型結晶面
との両面に、電極パターンを形成させるようにしてもよ
く、さらにまた、セラミック基板1に設けられている感
電層2が、電極のパターンに対応したパターンを示す状
態のものとなされていてもよい。
また、本発明の実施に当っては1周知のメサ技術、ある
いはプレーナ技術の適用によって、予め定められた配列
パターンに従い多数のLED素子が行列に配列された状
態のLEロウエバーが使用されてもよいし、切込溝8,
9を形成させる加工手段としては、既述のように回転円
盤型の切断機を用いる他に、レーザを用いたり、フォト
リソグラフィ法を適用したり、ワイヤーソーを用いたり
することができることはいうまでもない。
(効果) 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明のLED平面パネルディスプレイの製作法は、予め定
められたピッチで所要の2次元的な配列パターンとなる
ように行方向と列方向とに電極が配列される如きLED
ウェハーの裏面と、絶縁体基板上に構成させた導電層と
を導電的に接着させる工程と、前記の工程によって絶縁
体基板とL E Dウェハーとが一体的になされた状態
の中間製品に対して、前記したLEDウェハーの2次元
的な電極の配列パターンにおける電極配列の一方の方向
について、LEDウェハーの表面側より絶縁体基板に達
するような切込溝を形成させる工程と、前記した工程に
おいて形成された切込溝の方向と直交する方向について
、絶縁体基板とLEDウェハーとが一体的になされた状
態の中間製品に対して、LEDウェハーにおけるPN接
合部よりは深く、かつ、絶縁基板には達しない深さの切
込WをLEDつ!バーの表面側より形成させる工程とを
備えたものであるから、[、HDウェハーに形成させる
電極パターンのピッチが、そのままLf!Dウェハーに
形成されるLED @子のピッチとなるから、LEDウ
ェハーに形成させる電極パターンのピッチを変えること
によって1.lEDウェハーに形成されるLED :#
子のピッチを任意に変えることができ、LED素子が高
い密度で配列されているL E n平面パネルディスプ
レイを容易に製作することができ、したがって、本発明
のLED平面パネルディスプレイの製作法によれば、既
述した従来のL E n平面パネルディスプレイで生じ
ていた問題点のない偏れたt、 E n平面パネルディ
スプレイを安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のLED平面パネルディスプレイの製
作法の各工程の説明に使用される図、第2図はLED平
面パネルディスプレイの一部の斜視図である。 1・・・絶縁体基板、2・・・導電層、3・・・G a
 PのLEDウェハー、4・・・1)型結晶面、5,6
・・・電極、7・・・心電性ペース]−18,9・・・
切込溝、10・・・接続線、特許出願人 H本ビクター
株式会社 代 理 人 弁理士 今 間 孝 生。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 予め定められたピッチで所要の2次元的な配列パターン
    となるように行方向と列方向とに電極が配列される如き
    L E nウェハーの裏面と、絶縁体基板上に構成させ
    た感電層とを導電的に接着させる工程と、前記の工程に
    よって絶縁体基板とLEDウェハーとが一体的になされ
    た状態の中間製品に対して、前記したL E nウェハ
    ーの2次元的な電極の配列パターンにおける電極配列の
    一方の方向について、L E nウェハーの表面側より
    絶縁体基板に達するような切込溝を形成させる工程と、
    前記した工程において形成された切込溝の方向と直交す
    る方向について、絶縁体基板とLEDウェハーとが一体
    的になされた状態の中間製品に対して、L E nウェ
    ハーにおけるPN接合部よりは深く、かつ、絶McJ#
    L板には達しない深さの切込溝をL E nウェハーの
    表面側より形成させる工程とを備えたLED平面パネル
    ディスプレイの製作法
JP58245893A 1983-12-26 1983-12-26 Led平面パネルデイスプレイの製作法 Pending JPS60136788A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58245893A JPS60136788A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 Led平面パネルデイスプレイの製作法
DE19843447452 DE3447452A1 (de) 1983-12-26 1984-12-27 Ebene lichtemittierende dioden-tafelanzeige und verfahren zu deren herstellung
US06/908,929 US4775645A (en) 1983-12-26 1986-09-15 Method of producing a flat LED panel display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58245893A JPS60136788A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 Led平面パネルデイスプレイの製作法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60136788A true JPS60136788A (ja) 1985-07-20

Family

ID=17140378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58245893A Pending JPS60136788A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 Led平面パネルデイスプレイの製作法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4775645A (ja)
JP (1) JPS60136788A (ja)
DE (1) DE3447452A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62160563U (ja) * 1986-03-31 1987-10-13
JP2005516419A (ja) * 2002-01-28 2005-06-02 クリー インコーポレイテッド 発光ダイオードのクラスタ実装
JP2008529297A (ja) * 2005-01-26 2008-07-31 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 直列接続された複数の発光セルを有する発光装置及びそれを製造する方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3808667A1 (de) * 1988-03-15 1989-10-05 Siemens Ag Montageverfahren zur herstellung von led-zeilen
JP2780981B2 (ja) * 1988-06-27 1998-07-30 三菱電機株式会社 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法
US5094970A (en) * 1988-11-07 1992-03-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making a light emitting diode array
JPH02127053A (ja) * 1988-11-07 1990-05-15 Mitsubishi Electric Corp Ledアレイ
KR910006706B1 (ko) * 1988-12-12 1991-08-31 삼성전자 주식회사 발광다이오드 어레이 헤드의 제조방법
US5179035A (en) * 1989-09-15 1993-01-12 U.S. Philips Corporation Method of fabricating two-terminal non-linear devices
US5102824A (en) * 1990-11-05 1992-04-07 California Institute Of Technology Method of manufacturing a distributed light emitting diode flat-screen display for use in televisions
US5294815A (en) * 1991-07-29 1994-03-15 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitting device with terraced structure
DE4228274C2 (de) * 1992-08-26 1996-02-29 Siemens Ag Verfahren zur Kontaktierung von auf einem Träger angeordneten elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5449926A (en) * 1994-05-09 1995-09-12 Motorola, Inc. High density LED arrays with semiconductor interconnects
DE19715093C2 (de) * 1997-04-11 1999-05-27 Hermann Stahl Gmbh Träger zum mechanischen Halten und elektrischen Verbinden elektronischer Bauelemente, insbesondere von Leuchtdioden, sowie Verfahren zum elektrisch leitenden Verbinden der Bauelemente auf einem Träger
WO2003012884A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-13 Nam-Young Kim Display system
WO2003017320A1 (en) * 2001-08-21 2003-02-27 Nam-Young Kim Lamp utilizing a light emitted diode
KR100459076B1 (ko) * 2002-03-09 2004-12-03 주식회사 엘지이아이 발광 다이오드를 이용한 면 광원
TWI302038B (en) * 2004-07-07 2008-10-11 Epistar Corp Light emitting diode having an adhesive layer and heat paths
DE102005009060A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
TWI331406B (en) * 2005-12-14 2010-10-01 Advanced Optoelectronic Tech Single chip with multi-led
KR101428088B1 (ko) * 2008-08-12 2014-08-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS566292A (en) * 1979-06-28 1981-01-22 Sanyo Electric Co Led display device
JPS58125877A (ja) * 1982-01-21 1983-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子配列体の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1589119A1 (de) * 1966-12-09 1970-09-10 Ceskoslovenska Akademie Ved Halbleitereinrichtung zur Abbildung eines elektrischen informationstragenden Signals
US3900864A (en) * 1973-05-17 1975-08-19 Bell Telephone Labor Inc Monolithic led displays
GB1532286A (en) * 1976-10-07 1978-11-15 Elliott Bros Manufacture of electro-luminescent display devices
US4236296A (en) * 1978-10-13 1980-12-02 Exxon Research & Engineering Co. Etch method of cleaving semiconductor diode laser wafers
US4275404A (en) * 1979-10-05 1981-06-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Monolithic opto-isolator
DE3009985A1 (de) * 1980-03-14 1981-09-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Montageverfahren zur herstellung von leuchtdiodenzeilen
US4538342A (en) * 1984-06-15 1985-09-03 At&T Bell Laboratories Forming platinum contacts to in-based group III-V compound devices
JPH102590A (ja) * 1996-06-14 1998-01-06 Matsushita Refrig Co Ltd 空気調和機

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS566292A (en) * 1979-06-28 1981-01-22 Sanyo Electric Co Led display device
JPS58125877A (ja) * 1982-01-21 1983-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子配列体の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62160563U (ja) * 1986-03-31 1987-10-13
JP2005516419A (ja) * 2002-01-28 2005-06-02 クリー インコーポレイテッド 発光ダイオードのクラスタ実装
JP2008529297A (ja) * 2005-01-26 2008-07-31 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 直列接続された複数の発光セルを有する発光装置及びそれを製造する方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE3447452A1 (de) 1985-07-11
US4775645A (en) 1988-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60136788A (ja) Led平面パネルデイスプレイの製作法
JP5515721B2 (ja) 熱電変換モジュールの製造方法
JP3195720B2 (ja) 多色led素子およびその多色led素子を用いたled表示装置、並びに多色led素子の製造方法
JPH0644642B2 (ja) 発光ダイオードアレイヘッドの製造方法
US20160111390A1 (en) Method for manufacturing electronic devices
JP2000058594A (ja) 半導体装置とその製造方法
JP2948412B2 (ja) 側面発光型の半導体発光素子を製造する方法
JPS61198690A (ja) 発光ダイオ−ド表示素子
JPH03160768A (ja) 同じ電子部品のアレーで混成回路装置を作製する方法
JP3139613B2 (ja) 表面実装型半導体発光装置及びその製造方法
JPH11346004A (ja) チップ型半導体のパッケージ構造および製造方法
JPH11330314A (ja) 半導体装置の製造方法及びその構造、該方法に用いるリードフレーム
JPS5850582A (ja) 発光ダイオ−ドを用いたデイスプレイ装置
JPH0793338B2 (ja) ミニモールド型ledの製造方法
JPH01258458A (ja) ウェーハ集積型集積回路
US5917237A (en) Semiconductor integrated circuit device and lead frame therefor
WO2021261061A1 (ja) 電子部品及び電子部品の製造方法
JPH01150379A (ja) 発光装置
JPS61234588A (ja) 光半導体素子用サブマウント
JPS61198689A (ja) 発光ダイオ−ド表示素子の製造方法
JPS5939726Y2 (ja) 固定表示装置
JP4987632B2 (ja) 半導体素子の製造方法、サブマウントの製造方法及び電子部品
JPS59177978A (ja) マルチチヤンネル型半導体光結合装置
JPS6156385A (ja) ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法
JPS6113378B2 (ja)