JP2948412B2 - 側面発光型の半導体発光素子を製造する方法 - Google Patents

側面発光型の半導体発光素子を製造する方法

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JP2948412B2 JP4116305A JP11630592A JP2948412B2 JP 2948412 B2 JP2948412 B2 JP 2948412B2 JP 4116305 A JP4116305 A JP 4116305A JP 11630592 A JP11630592 A JP 11630592A JP 2948412 B2 JP2948412 B2 JP 2948412B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、側面を発光するように
した発光ダイオード又は半導体レーザ等の半導体発光素
子を製造する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、この種の側面発光型の半導体発
光素子1は、例えば、実開昭63−188967号公報
又は実開昭64−8759号公報等に記載され、且つ、
図1〜図4に示すように、基板2の上面に、少なくとも
一対のリード電極パターン3,4を形成し、その一方の
リード電極パターン3の上面に、半導体発光チップ5を
マウントしたのち、この半導体発光チップ5と他方のリ
ード電極パターン4との間を、金属線6にてワイヤーボ
ンディングし、次いで、前記基板2の上面に、少なくと
も一つの側面に開口部7aを備えて成る非透明体製のカ
バー体7を、前記半導体発光チップ5及び金属線6を覆
うように装着し、このカバー体7の内部に、透明な合成
樹脂8を充填して、半導体発光チップ5及び金属線6の
部分を密封し、この透明合成樹脂8のうち前記カバー体
7の開口部7a箇所における露出面8aから光を発射す
ると言う構成している。なお、符号9は、一方のリード
電極パターン3に対する接続用端子を、符号10は、他
方のリード電極パターン4に対する接続用端子を各々示
す。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、前記
した側面発光型の半導体発光素子1を製造するに際して
は、基板2及びカバー体7を製造すること、基板2の上
面にカバー体7を固着すること、このカバー体7の内部
に透明合成樹脂8を充填することの各工程を、半導体発
光素子1の一個ずつについて行うと共に、前記透明合成
樹脂8における露出面8aを平面状に仕上げることの工
程をも、半導体発光素子1の一個ずつについて行うよう
にしているから、生産性がきわめて低くて、製造コスト
が大幅にアップすると言う問題があった。
【0004】本発明は、前記した各工程を複数個の半導
体発光素子について同時に行うようにすることによっ
て、生産性の向上を図ることを技術的課題とするもので
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「一つの半導体発光素子を構成する基
板の複数個を一体的に連接して成る基板用素材板には、
前記各基板の箇所の各々にリード電極パターンを形成す
ると共に半導体発光チップをマウントする一方、一つの
半導体発光素子を構成するカバー体の複数個を一体的に
連接したカバー体用素材板には、前記各カバー体の箇所
の各々に凹所を形成し、この各凹所内に液状の合成樹脂
を充填し、次いで、前記基板用素材板及び前記カバー体
用素材板を、これらを互いに重ね合わせ接合して前記
状の合成樹脂を硬化したのち、一つの半導体発光素子ご
とに、前記硬化した合成樹脂の一部がカバー体外に露出
するように切断する。」という方法を採用した。
【0006】
【作 用】このようにすると、一つの半導体発光素子
を構成する基板、及び同じく一つの半導体発光素子を構
成するカバー体を製造すること、前記基板の上面にカバ
ー体を固着すること、このカバー体の内部に液体の合成
樹脂を充填することの各工程を、複数個の基板を一体的
に連接した基板用素材板と、複数個のカバー体を一体的
に連接したカバー体用素材板によって、半導体発光素子
の複数個ずつについて行うことができると共に、前記硬
化した合成樹脂における露出面を平面状に仕上げること
の工程を、基板用素材板及びカバー体用素材板を一つの
半導体発光素子ごと切断することで同時に行うことがで
きる。
【0007】
【発明の効果】従って、本発明によると、側面発光型の
半導体発光素子を製造する場合において、その生産性を
大幅にアップすることができ、製造コストの低減を達成
できる効果を有する。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を、前記図1〜図4に
示す構造の側面発光型半導体発光素子1を製造する場合
に適用した図面(図5〜図15)について説明する。
【0009】図5及び図6において符号Aは、複数枚の
基板2を縦方向及び横方向に並べて一体的に連接して成
る絶縁体製の基板用素材板を示す。但し、この場合にお
いて、上から第1列目における各基板2と第2列目にお
ける各基板2とは互いに相対向し、第2列目の各基板2
と第3列目の各基板2とは背中合わせになるようにして
配列されている。
【0010】また、前記基板用素材板Aには、縦横に並
べた各基板2のコーナーの部分に、貫通孔A1 が穿設さ
れている。更にまた、符号A2 は、各基板2を縦方向に
区分する縦切断線を、符号A3 は、各基板2を横方向に
区分する横切断線を示す。
【0011】そして、この基板用素材板Aの表面には、
各基板2の箇所の各々に、図7及び図8に示すように、
リード電極パターン3,4を形成すると共に、その各貫
通孔A1 の内面に、接続用端子9,10を構成するため
にスルーホール状の電極膜11を形成する。
【0012】次いで、図9及び図10に示すように、前
記各一方のリード電極パターン3の各々に対して半導体
発光チップ5をマウントしたのち、この各半導体発光チ
ップ5と他方のリード電極パターン4との各々間を、金
属線6にてワイヤーボンディングする。
【0013】一方、図11〜図13において符号Bは、
複数個のカバー体7を縦方向及び横方向に並べて一体的
に連接して成る非透明合成樹脂製のカバー体用素材板を
示し、このカバー体用素材板Bには、各カバー体7の箇
所の各々に、凹所B1 が形成されている。但し、この場
合において、上から第1列目における各カバー体7の凹
所B1 と第2列目における各カバー体7の凹所B1 とは
連続している。また、符号B2 は、各カバー体7を縦方
向に区分する縦切断線を、符号B3 は、各カバー体7を
横方向に区分する横切断線を示す。
【0014】そして、前記カバー体用素材板Bを、その
各凹所B1 を上向きにした状態で、各凹所B1 内の各々
に、図14に示すように、エポキシ樹脂等の透明合成樹
脂8を液体の状態で充填する一方、前記基板用素材板A
を、下向きの状態にして、前記カバー体用素材板Bに対
して重ね合わせることにより、前記基板用素材板Aと前
記カバー体用素材板Bとを、図15及び図16に示すよ
うに、一体的に接合すると共に、前記液状の状態で充填
した透明合成樹脂8を硬化させる。
【0015】この場合において、基板用素材板Aとカバ
ー体用素材板Bとの一体的な接合は、その両者を接着剤
にて貼り合わせるようにしても良いが、前記カバー体用
素材板Bにおける各凹所B1 内に充填したエポキシ樹脂
等の透明合成樹脂8を、液体のままで接着剤として貼り
合わせるようにしても良いのである。
【0016】次いで、前記のように一体的に接合した基
板用素材板Aと前記カバー体用素材板Bとを、その各々
における縦切断線A2 ,B2 及び横切断線A3 ,B3
沿って薄い刃カッターC等にて、一つの半導体発光素子
1ごとに切断するのであり、この切断により、硬化した
透明合成樹脂8における一部がカバー体7外に露出し、
露出面8aになるから、前記図1〜図4に示すような半
導体発光素子1の複数個を同時に製造することができる
のである。
【0017】なお、前記カバー体用素材板Bの表裏両面
のうち凹所B1 を設けない裏面には、当該カバー体用素
材板Bにおける各縦切断線B2 及び各横切断線B3 の箇
所に、切断用溝B2 ′,B3 ′を、前記縦切断線B2
び横切断線B3 に沿って延びるように予め形成するよう
にしても良いのである。また、前記各凹所B1 の内面
に、半導体発光チップ5からの光を、硬化した透明合成
樹脂8における一側面8aに向かうようにした光の反射
膜を形成するようにしても良いのである。
【0018】更にまた、前記実施例は、基板用素材板A
における第1列目の各基板2と第2列目の各基板2を相
対向するように配設することによって、カバー体用素材
板Bの第1列目における各カバー体7の凹所B1 と第2
列目におけるカバー体7の凹所B1 とを連通するように
構成した場合を示したが、本発明はこれに限らず、基板
用素材板Aにおける各基板2を同じ向きに配設する一
方、カバー体用素材板Bの各カバー体7における凹所B
1 を、各カバー体7の各々について独立した形態にし、
切断に際して、各凹所B1 内に液状で充填して硬化した
透明合成樹脂8の一部がカバー体7の外に露出するよう
に切断すると言う構成にしても良いのである。
【0019】加えて、前記実施例は、側面発光型の発光
ダイオードを製造する場合であったが、本発明は、側面
発光型の半導体レーザ等のようなその他の発光素子の製
造にも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】側面発光型半導体発光素子の縦断正面図であ
る。
【図2】図1のII−II視断面図である。
【図3】図1の平面図である。
【図4】図1のIV−IV視平面図である。
【図5】基板用素材板の平面図である。
【図6】図5のVI−VI視断面図である。
【図7】基板用素材板の表面にリード電極パターンを形
成したときの平面図である。
【図8】図7のVIII−VIII視断面図である。
【図9】基板用素材板の表面に半導体発光チップをマウ
ントしたのちワイヤーボンディングしたときの平面図で
ある。
【図10】図9のX−X視断面図である。
【図11】カバー体用素材板の平面図である。
【図12】図11のXII −XII 視断面図である。
【図13】図11のXIII−XIII視断面図である。
【図14】カバー用素材板における各凹所内に透明合成
樹脂を充填したときの断面図である。
【図15】基板用素材板とカバー用素材板とを接合した
ときにおける前記図13と同じ箇所の断面図である。
【図16】基板用素材板とカバー用素材板とを接合した
ときにおける前記図12と同じ箇所の断面図である。
【符号の説明】
1 側面発光型半導体発光素子 2 基板 3,4 リード電極パターン 5 半導体発光チップ 6 金属線 7 カバー体 8 透明合成樹脂 8a 透明合成樹脂の一側面 A 基板用素材板 A1 貫通孔 B カバー体用素材板 B1 凹所 A2 ,B2 縦切断線 A3 ,B3 横切断線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 33/00

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一つの半導体発光素子を構成する基板の複
    数個を一体的に連接して成る基板用素材板には、前記各
    基板の箇所の各々にリード電極パターンを形成すると共
    に半導体発光チップをマウントする一方、一つの半導体
    発光素子を構成するカバー体の複数個を一体的に連接し
    たカバー体用素材板には、前記各カバー体の箇所の各々
    に凹所を形成し、この各凹所内に液状の合成樹脂を充填
    し、次いで、前記基板用素材板及び前記カバー体用素材
    板を、これらを互いに重ね合わせ接合して前記液状の
    成樹脂を硬化したのち、一つの半導体発光素子ごとに、
    前記硬化した合成樹脂の一部がカバー体外に露出するよ
    うに切断することを特徴とする側面発光型の半導体発光
    素子を製造する方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087973A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Sharp Corp 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法
JP2005217369A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Three M Innovative Properties Co 発光ダイオード装置用接着シート及び発光ダイオード装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094157A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Sharp Corp チップ部品型発光ダイオードおよびその製造方法
KR100772774B1 (ko) * 2000-04-24 2007-11-01 로무 가부시키가이샤 측면발광반도체 발광장치 및 그 제조방법
JP2002170998A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2002344030A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Stanley Electric Co Ltd 横方向発光型面実装led及びその製造方法
JP4006578B2 (ja) * 2002-03-22 2007-11-14 サンユレック株式会社 2側面発光型ledの製造方法
JP4034241B2 (ja) * 2003-06-27 2008-01-16 日本ライツ株式会社 光源装置および光源装置の製造方法
JP4739842B2 (ja) * 2005-07-25 2011-08-03 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
JP2009246353A (ja) * 2008-03-10 2009-10-22 Opt Link Co Ltd Led低背光源装置及びled低背光源装置の製造方法
JP2015133369A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 アピックヤマダ株式会社 光デバイス及び光デバイスの製造方法
JP6592902B2 (ja) * 2014-03-28 2019-10-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102016101942B4 (de) * 2016-02-04 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung
CN108987548A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制作方法、平面光源模组
KR101936048B1 (ko) * 2017-07-25 2019-04-04 주식회사 에이유이 측면 발광 반사형 led 모듈 및 이를 이용한 반사 발광 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087973A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Sharp Corp 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法
JP2005217369A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Three M Innovative Properties Co 発光ダイオード装置用接着シート及び発光ダイオード装置
US7646088B2 (en) 2004-02-02 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Adhesive sheet for light-emitting diode device and light-emitting diode device
US7973403B2 (en) 2004-02-02 2011-07-05 3M Innovative Properties Company Adhesive sheet for light-emitting diode device and light-emitting diode device

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