JPS6050346B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6050346B2 JPS6050346B2 JP55049833A JP4983380A JPS6050346B2 JP S6050346 B2 JPS6050346 B2 JP S6050346B2 JP 55049833 A JP55049833 A JP 55049833A JP 4983380 A JP4983380 A JP 4983380A JP S6050346 B2 JPS6050346 B2 JP S6050346B2
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- semiconductor device
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法にかかり、特にヒートシ
ンクを有する軸脂封止型の半導体装置の製造方法に関す
る。
ンクを有する軸脂封止型の半導体装置の製造方法に関す
る。
従来のこの種の半導体装置の製造方法は、第１図に示す
ようにリードフレーム１１のアイランド部１２に半導体
素子１４をマウントし、該半導体素子１４とリードフレ
ーム１１のリード部１３を金属細線１５て接続している
。
ようにリードフレーム１１のアイランド部１２に半導体
素子１４をマウントし、該半導体素子１４とリードフレ
ーム１１のリード部１３を金属細線１５て接続している
。
そしてこのように半導体素子を実装したリードフレーム
の裏面に、第２図に示すように金属製ヒートシンク２１
を電気絶縁から成る接着剤２２て接着し、その後、この
ヒートシンクを有するリードフレームを樹脂により封止
したものであつた。ところが、上述の半導体装置の製造
方法には以下のような欠点があつた。
の裏面に、第２図に示すように金属製ヒートシンク２１
を電気絶縁から成る接着剤２２て接着し、その後、この
ヒートシンクを有するリードフレームを樹脂により封止
したものであつた。ところが、上述の半導体装置の製造
方法には以下のような欠点があつた。
すなわち、このような樹脂封止型半導体装置においては
、一枚のリードフレームは同時に封止されるため多数の
半導体装置が同時に封止されているにもかかわらず、ヒ
ートシンクの取付作業は、それぞれの半導体素子に対し
て１個づつ取付作業を行なわなければならなかつた。従
つてヒートシンクを取付けるために費す時間が長くなり
、半導体装置の製造能率を低下させるという欠点があつ
た。本発明は上述のような欠点を除去し、ヒートシンク
付の樹脂封止型半導体装置を大量生産するためになされ
た半導体装置の製造方法である。
、一枚のリードフレームは同時に封止されるため多数の
半導体装置が同時に封止されているにもかかわらず、ヒ
ートシンクの取付作業は、それぞれの半導体素子に対し
て１個づつ取付作業を行なわなければならなかつた。従
つてヒートシンクを取付けるために費す時間が長くなり
、半導体装置の製造能率を低下させるという欠点があつ
た。本発明は上述のような欠点を除去し、ヒートシンク
付の樹脂封止型半導体装置を大量生産するためになされ
た半導体装置の製造方法である。
すなわち、本発明は、半導体素子を実装したリードフレ
ームの裏面にヒートシンクを有する構造の半導体装置の
製造方法において、半導体素子を実装した一連のリード
フレームの裏面に、枠体内部にヒートシンクを有する一
連のヒートシンクフレームを重ねて前記前記リードフレ
ームと前記ヒートシンクフレームを同時に樹脂で封止し
たことを特徴とする半導体装置の製造方法てある。これ
は、第３図に示すようにたとえば半導体素子を実装した
リードフレーム３１の下にヒートシンクフレーム３２を
重ねて同時に樹脂封止する方法である。ここでヒートシ
ンクフレームとは、ノα鈑、Ａｌ板等をプレス又はエッ
チング等によつて成形した第４図に示すような金属板で
あり、枠体部４３、ヒートシンク部４１および支持部４
３から成つている。さらに必要に応じて枠体部４３に位
置合せ用の印４４等を設けてもよい。７ 以下実施例に
より本発明を説明する。
ームの裏面にヒートシンクを有する構造の半導体装置の
製造方法において、半導体素子を実装した一連のリード
フレームの裏面に、枠体内部にヒートシンクを有する一
連のヒートシンクフレームを重ねて前記前記リードフレ
ームと前記ヒートシンクフレームを同時に樹脂で封止し
たことを特徴とする半導体装置の製造方法てある。これ
は、第３図に示すようにたとえば半導体素子を実装した
リードフレーム３１の下にヒートシンクフレーム３２を
重ねて同時に樹脂封止する方法である。ここでヒートシ
ンクフレームとは、ノα鈑、Ａｌ板等をプレス又はエッ
チング等によつて成形した第４図に示すような金属板で
あり、枠体部４３、ヒートシンク部４１および支持部４
３から成つている。さらに必要に応じて枠体部４３に位
置合せ用の印４４等を設けてもよい。７ 以下実施例に
より本発明を説明する。
ます第４図に示すようなヒートシンクフレームを作成す
る。このヒートシンクフレームは封入する際にリードフ
レームの裏面に接触しリード間をショートさせることが
あるので、該ヒートシンクフレームのヒートシンク部４
１のリードフレームに接触する側の面には電気絶縁体で
あるポリミドを数μｍ程度の厚さでコーティングした。
一部に位置合せ用の穴４４を設けておく。該情４４は第
３図に示すようにヒートシンクフレームとリードフレー
ムの位置合せを行うためのものであり、この位置合せに
より、リードフレームのアイランドを支えているリード
とヒートシンクフレームの支持部４２が重なるように設
計してある。なお、この位置合せ用の穴４４は封入時の
封入金型との位置合せもできるように設計されている。
このようなヒートシンクフレームを第５図に示すように
重ねて、同時に樹脂封止を行うと、一連のヒートシンク
付半導体装置が封止される。
る。このヒートシンクフレームは封入する際にリードフ
レームの裏面に接触しリード間をショートさせることが
あるので、該ヒートシンクフレームのヒートシンク部４
１のリードフレームに接触する側の面には電気絶縁体で
あるポリミドを数μｍ程度の厚さでコーティングした。
一部に位置合せ用の穴４４を設けておく。該情４４は第
３図に示すようにヒートシンクフレームとリードフレー
ムの位置合せを行うためのものであり、この位置合せに
より、リードフレームのアイランドを支えているリード
とヒートシンクフレームの支持部４２が重なるように設
計してある。なお、この位置合せ用の穴４４は封入時の
封入金型との位置合せもできるように設計されている。
このようなヒートシンクフレームを第５図に示すように
重ねて、同時に樹脂封止を行うと、一連のヒートシンク
付半導体装置が封止される。
すなわち、第５図では枠体部５６、ヒートシンク部５１
を具備するヒートシンクフレームと、半導体素子５４を
ポリイミド層５２を介して塔載し、金属細線５５で接続
したリード５７とを重ねて、樹脂５３でモールドしてい
る。次に、該封止された半導体装置からヒートシンクフ
レーム枠体部５６を−取りはずす。この作業は、従来の
樹脂封止型半導体装置リードフレームから枠体を取りは
すす作業と同様に、リードフレームのアイランドを支え
ているリードを切断する。この際、ヒートシンクフレー
ムの支持部は、前述したようにアイランドを＝支えてい
るリードと重ねｔれているので同時に切断される。この
ようにしてヒートシンクフレームの枠体部は切断された
後、半導体装置から分離する。その後の作業は、従来の
半導体装置の製造方法と同様に、リードフレームのリー
ドを切り離してリードを折曲げればよい。
を具備するヒートシンクフレームと、半導体素子５４を
ポリイミド層５２を介して塔載し、金属細線５５で接続
したリード５７とを重ねて、樹脂５３でモールドしてい
る。次に、該封止された半導体装置からヒートシンクフ
レーム枠体部５６を−取りはずす。この作業は、従来の
樹脂封止型半導体装置リードフレームから枠体を取りは
すす作業と同様に、リードフレームのアイランドを支え
ているリードを切断する。この際、ヒートシンクフレー
ムの支持部は、前述したようにアイランドを＝支えてい
るリードと重ねｔれているので同時に切断される。この
ようにしてヒートシンクフレームの枠体部は切断された
後、半導体装置から分離する。その後の作業は、従来の
半導体装置の製造方法と同様に、リードフレームのリー
ドを切り離してリードを折曲げればよい。
以上のような製造方法によれば短い作業時間でヒートシ
ンク付の樹脂封止型半導体装置を大量生産することがで
きる。
ンク付の樹脂封止型半導体装置を大量生産することがで
きる。
″図面の簡単な説明
第１図は半導体素子を実装したリードフレーム、第２図
は従来のヒートシンク付半導体装置の説明図、第３図は
本発明による半導体装置の製造方法の説明図、第４図は
ヒートシンクフレーム、第５図は本発明による半導体装
置の製造方法の説明図である。
は従来のヒートシンク付半導体装置の説明図、第３図は
本発明による半導体装置の製造方法の説明図、第４図は
ヒートシンクフレーム、第５図は本発明による半導体装
置の製造方法の説明図である。
尚、図において、１１，３１，５７・・・・・・リード
フレーム、１２・・・・・リードフレームのアイランド
部、１３はリード、１４，５４・・・・・・半導体素子
、１５，５５・ ・・金属細線、２１・・・・・・ヒー
トシンク、２２・・・・・・接着材、３２・・・・・・
ヒートシンクフレーム、４１，５１・・・・・・ヒート
シンクフレームのヒートシンク部、４２・・・・・・ヒ
ートシンクフレームのヒートシンク支持部、４３，５６
・・・・・・ヒートシンクフレーム枠体部、４４・・・
・・位置合せ用の穴、５２・・・・・ポリイミド層、５
３・・・・・・樹脂である。
フレーム、１２・・・・・リードフレームのアイランド
部、１３はリード、１４，５４・・・・・・半導体素子
、１５，５５・ ・・金属細線、２１・・・・・・ヒー
トシンク、２２・・・・・・接着材、３２・・・・・・
ヒートシンクフレーム、４１，５１・・・・・・ヒート
シンクフレームのヒートシンク部、４２・・・・・・ヒ
ートシンクフレームのヒートシンク支持部、４３，５６
・・・・・・ヒートシンクフレーム枠体部、４４・・・
・・位置合せ用の穴、５２・・・・・ポリイミド層、５
３・・・・・・樹脂である。
Claims (1)
- １ 半導体素子を塔載したリードフレームの裏面にヒー
トシンクを有する構造の半導体装置の製造方法において
、前記半導体素子を塔載した一連のリードフレームの裏
面に、枠体内部にヒートシンクを有する一連のヒートシ
ンクフレームを重ねて、前記リードフレームと前記ヒー
トシンクフレームとを同時に樹脂で封止したことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55049833A JPS6050346B2 (ja) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55049833A JPS6050346B2 (ja) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56146263A JPS56146263A (en) | 1981-11-13 |
| JPS6050346B2 true JPS6050346B2 (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=12842076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55049833A Expired JPS6050346B2 (ja) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050346B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5895654U (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-29 | 日本電気株式会社 | 電力集積回路用パツケ−ジ |
| WO1983003712A1 (en) * | 1982-04-05 | 1983-10-27 | Motorola Inc | A self-positioning heat spreader |
| JP2651427B2 (ja) * | 1988-04-22 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2517691B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1996-07-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2971637B2 (ja) * | 1991-06-17 | 1999-11-08 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
-
1980
- 1980-04-16 JP JP55049833A patent/JPS6050346B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56146263A (en) | 1981-11-13 |
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