JPS6214698Y2 - - Google Patents
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- JPS6214698Y2 JPS6214698Y2 JP1558481U JP1558481U JPS6214698Y2 JP S6214698 Y2 JPS6214698 Y2 JP S6214698Y2 JP 1558481 U JP1558481 U JP 1558481U JP 1558481 U JP1558481 U JP 1558481U JP S6214698 Y2 JPS6214698 Y2 JP S6214698Y2
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor element
- circuit board
- mold
- mold release
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は樹脂封止型半導体装置として導体パタ
ーン基板、又は金属基板の一部分に離型材を設け
た後トランスフアーモールドする樹脂封止型半導
体装置に関する。
ーン基板、又は金属基板の一部分に離型材を設け
た後トランスフアーモールドする樹脂封止型半導
体装置に関する。
従来の樹脂封止型半導体装置の実施例を第１図
に示す。第１図で回路基板１（ガラスエポキシ樹
脂基板）に接着されている半導体素子４は、その
電極例えば５，６とこの基板上に設けられている
リード２，３とボンデイングワイヤ７，８で接続
されている。半導体素子４、ボンデイングワイヤ
７，８を外部環境から保護するためアセンブル全
体を熱硬化性樹脂１１でトランスフアーモールド
する。
に示す。第１図で回路基板１（ガラスエポキシ樹
脂基板）に接着されている半導体素子４は、その
電極例えば５，６とこの基板上に設けられている
リード２，３とボンデイングワイヤ７，８で接続
されている。半導体素子４、ボンデイングワイヤ
７，８を外部環境から保護するためアセンブル全
体を熱硬化性樹脂１１でトランスフアーモールド
する。
半導体素子のパツケージングに使用しているト
ランスフアーモルドは、モールド後の外観が良
く、作業が簡単で工数が少なく、シール特性に優
れ、信頼性が高いが、反面バリ性が発生する為、
バリ取り処理が必要である。
ランスフアーモルドは、モールド後の外観が良
く、作業が簡単で工数が少なく、シール特性に優
れ、信頼性が高いが、反面バリ性が発生する為、
バリ取り処理が必要である。
現在バリ取りはホーニングで行なつている。
導体パターン基板、金属基板（リード）上に発
生するバリはホーニングだけでは取り去ることが
難しく、バリが残つていると後工程にいろいろな
問題が発生する。第１に検査を行なう場合、接触
不良を起こして良品を不良品と判定する恐れがあ
る。第２にはハンダ付けがしにくくなる。第３に
バリを取り去る為の工程が必要であるという欠点
があつた。
生するバリはホーニングだけでは取り去ることが
難しく、バリが残つていると後工程にいろいろな
問題が発生する。第１に検査を行なう場合、接触
不良を起こして良品を不良品と判定する恐れがあ
る。第２にはハンダ付けがしにくくなる。第３に
バリを取り去る為の工程が必要であるという欠点
があつた。
本考案はこのような欠点を除き、改良された樹
脂封止型半導体装置を提供するものである。以下
図面第２図を用いて実施例について述べる。回路
基板１に接着されている半導体素子４（半導体素
子をダイアタツチパツドにエポキシ系硬化性接着
剤を用いて固定する）は、その電極例えば５，６
と、この基板上に設けられているリード（素子の
ボンデイングパツド）２，３とボンデイングワイ
ヤー（細い金線）７，８を用いて電気的に接続す
る。リード２，３の表面一部分に離型材９，１０
（ワツクス系、シリコン系、ポリビニルアルコー
ル系）を印刷した後、硬化させる。すなわち、前
記離型材９，１０は、回路基板１とリード上でト
ランスフアーモールド外形を含むエリアに印刷さ
れている。その後従来通り、トランスフアーモー
ルドする。このとき、トランスフアーモールド用
型で前記離型材はクランプされるが、離型材は上
記のようにワツクス系・シリコン系等の材質の弾
性により、トランスフアーモールド金型との間に
すき間が生じないことからシール効果があり、バ
リも発生がなくなる。このようにして形成された
樹脂封止型半導体装置は、導体パターン基板、金
属基板の一部分に離型材を設けた後トランスフア
ーモールドするから、バリを防ぐことができ、歩
留り、能率、信頼性の向上等の効果を有する。
脂封止型半導体装置を提供するものである。以下
図面第２図を用いて実施例について述べる。回路
基板１に接着されている半導体素子４（半導体素
子をダイアタツチパツドにエポキシ系硬化性接着
剤を用いて固定する）は、その電極例えば５，６
と、この基板上に設けられているリード（素子の
ボンデイングパツド）２，３とボンデイングワイ
ヤー（細い金線）７，８を用いて電気的に接続す
る。リード２，３の表面一部分に離型材９，１０
（ワツクス系、シリコン系、ポリビニルアルコー
ル系）を印刷した後、硬化させる。すなわち、前
記離型材９，１０は、回路基板１とリード上でト
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れている。その後従来通り、トランスフアーモー
ルドする。このとき、トランスフアーモールド用
型で前記離型材はクランプされるが、離型材は上
記のようにワツクス系・シリコン系等の材質の弾
性により、トランスフアーモールド金型との間に
すき間が生じないことからシール効果があり、バ
リも発生がなくなる。このようにして形成された
樹脂封止型半導体装置は、導体パターン基板、金
属基板の一部分に離型材を設けた後トランスフア
ーモールドするから、バリを防ぐことができ、歩
留り、能率、信頼性の向上等の効果を有する。
第１図は従来の実施例を示す断面図、第２図は
本考案による樹脂封止型半導体装置の実施例を示
す断面図である。 １……回路基板、２，３……リード、４……半
導体素子、５，６……電極、７，８……ボンデイ
ングワイヤー、９，１０……離型材、１１……熱
硬化性樹脂。
本考案による樹脂封止型半導体装置の実施例を示
す断面図である。 １……回路基板、２，３……リード、４……半
導体素子、５，６……電極、７，８……ボンデイ
ングワイヤー、９，１０……離型材、１１……熱
硬化性樹脂。
Claims (1)
- 導体パターンを形成した回路基板と、この回路
基板に搭載した半導体素子とからなり、この半導
体素子を樹脂熱加圧成形することにより構成され
るものにおいて、前記回路基板および回路リード
パターン上で前記半導体樹脂封止外形を含むエリ
アにワツクス系、シリコン系、ポリビニルアルコ
ール系の材料からなる離型材を設けたことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1558481U JPS6214698Y2 (ja) | 1981-02-06 | 1981-02-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1558481U JPS6214698Y2 (ja) | 1981-02-06 | 1981-02-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57130436U JPS57130436U (ja) | 1982-08-14 |
| JPS6214698Y2 true JPS6214698Y2 (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=29813577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1558481U Expired JPS6214698Y2 (ja) | 1981-02-06 | 1981-02-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214698Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-02-06 JP JP1558481U patent/JPS6214698Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57130436U (ja) | 1982-08-14 |
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