JPS5817646A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子を薄板状の絶縁性基板の一生面
にダイポンディングし、その後ワイヤポンディングした
後に半導体素子とポンティング部分をポツティング樹脂
にJ−9封止する構造の半導体装置の製造方法に関する
ものである。
にダイポンディングし、その後ワイヤポンディングした
後に半導体素子とポンティング部分をポツティング樹脂
にJ−9封止する構造の半導体装置の製造方法に関する
ものである。
絶縁基板としては、例えばガラスエポキシ基板。
セラミック基板、ポリイミド基板等があるが、この発明
は上記いずれの基板にも適用できるものであるから、−
例としてガラスエポキシ基板の半導体装mを例にとり以
下説明を行う。
は上記いずれの基板にも適用できるものであるから、−
例としてガラスエポキシ基板の半導体装mを例にとり以
下説明を行う。
第1図、第2図に絶縁基板上に半導体素子を塔載し、ダ
イポンアイング、ワイヤボンティングまで終了した従来
の半導体装置の一例の斜視図および断面図ン示す。この
図で、1は絶縁基板、2は金属導体(リード配線)、3
は半導体素子ケダイボンデイングするダイポンディング
パッド、4は半導体素子、5は前記半導体素子4上の電
極とリード配線2とを結線する極細金属ワイヤ、6はダ
イポンディング樹脂である。
イポンアイング、ワイヤボンティングまで終了した従来
の半導体装置の一例の斜視図および断面図ン示す。この
図で、1は絶縁基板、2は金属導体(リード配線)、3
は半導体素子ケダイボンデイングするダイポンディング
パッド、4は半導体素子、5は前記半導体素子4上の電
極とリード配線2とを結線する極細金属ワイヤ、6はダ
イポンディング樹脂である。
ワイヤポンディングまで完了した半導体装置はボンディ
ング部分ケ保護するために熱硬化性のボッティング樹脂
1をポツティングして封止する。
ング部分ケ保護するために熱硬化性のボッティング樹脂
1をポツティングして封止する。
第3図にポツティングし1こものの断面な示す、1この
ときポツティンダ直後のポツティング樹脂1はいまだ硬
化されていないため流動性があって半導体素子4の周囲
に広かつて流れ出す傾向がある。
ときポツティンダ直後のポツティング樹脂1はいまだ硬
化されていないため流動性があって半導体素子4の周囲
に広かつて流れ出す傾向がある。
第3図に示すようにポツティングの周縁部(A部)カ広
カッチ、本来、樹脂が被覆されてはいけないリード配@
2までボッティング樹脂1が流れることがある。
カッチ、本来、樹脂が被覆されてはいけないリード配@
2までボッティング樹脂1が流れることがある。
このようなボッティング樹脂7の流出を防止し、樹脂が
所定の領域にのみボッティングされるような方策として
、本発明者は樹脂の流れ止め用にエポキシ樹脂な含浸さ
せたりμス材から所定の枠状のシートを切り出し、ボッ
ティングした個所の周囲部にこのシートを貼9つける方
法を先に提案した。第4図によりこの方法を説明する。
所定の領域にのみボッティングされるような方策として
、本発明者は樹脂の流れ止め用にエポキシ樹脂な含浸さ
せたりμス材から所定の枠状のシートを切り出し、ボッ
ティングした個所の周囲部にこのシートを貼9つける方
法を先に提案した。第4図によりこの方法を説明する。
第4図において、8は流れ止めのシートであり、他は#
I1図と同じである。
I1図と同じである。
第5図は第4図の絶縁基[1にボッティング樹□
MVl 7 i’にボッティングしたものである。ボッ
ティング樹脂Tは流れ止めシート8によって流れが止ま
って形状の一定した封止構造な得ることができる。
ティング樹脂Tは流れ止めシート8によって流れが止ま
って形状の一定した封止構造な得ることができる。
しかしながらこの方法では次に述べるような欠点があっ
た。第1K、流れ止めのシート8は板状のシートから所
定の大きさのみを打ち抜いて作るために不要な部分が多
(、材料的な収率(歩留り)が悪く、かつ材料自体の価
格も高価であること。
た。第1K、流れ止めのシート8は板状のシートから所
定の大きさのみを打ち抜いて作るために不要な部分が多
(、材料的な収率(歩留り)が悪く、かつ材料自体の価
格も高価であること。
第2に、シート8′4を基板状に精度よ(貼り付ける作
業が困難であり、作業能率が悪いこと。
業が困難であり、作業能率が悪いこと。
この発明は、上記の欠点を解消するためになされたもの
で、半導体素子を絶縁基板にダイポンディングする工程
で、ダイボンティング樹脂をダイポンディングパッドに
塗布する際にこのダイボンティング樹脂を用いて流れ止
めの樹@V同時にスクリーン印刷するようにしたもので
ある。以下、この発明について説明する。
で、半導体素子を絶縁基板にダイポンディングする工程
で、ダイボンティング樹脂をダイポンディングパッドに
塗布する際にこのダイボンティング樹脂を用いて流れ止
めの樹@V同時にスクリーン印刷するようにしたもので
ある。以下、この発明について説明する。
第6図〜第8図はこの発明の一実施例を示すものである
。
。
第6図において、9は前記タイポンディングパッド3に
塗布されたダイボンディング樹脂である。
塗布されたダイボンディング樹脂である。
10は前記ダイポンディング樹脂9と同時に同じ樹脂で
スクリーン印刷されたボッティング樹脂1の流れ止めの
ダムである。第7図は第6図の断面馨示す。
スクリーン印刷されたボッティング樹脂1の流れ止めの
ダムである。第7図は第6図の断面馨示す。
ダイボンティング樹脂9およびダム10を印刷後、半導
体素子4をタイポンディングパッド3に接着させてから
適当な熱処理を行うと、各部の樹脂は硬化する。この後
、第8図に示すようにワイヤボンディングを実施し、ポ
ツティング樹脂7をポツティングする。
体素子4をタイポンディングパッド3に接着させてから
適当な熱処理を行うと、各部の樹脂は硬化する。この後
、第8図に示すようにワイヤボンディングを実施し、ポ
ツティング樹脂7をポツティングする。
実験の結果によれは、ダム10の厚みは20μm〜10
0μmであれは充分に流れ止めの効果をあげることがわ
かった。
0μmであれは充分に流れ止めの効果をあげることがわ
かった。
この発明の効果を、従来の第4図に示す枠状シート貼り
付は法に比較すると、枠状のシート8が不要となり、安
価なダイボンティング樹脂9が使用でき、かつ枠状のシ
ート8を貼り付ける作業が不要になる。また、スクリー
ン印刷法によりダイボンティング樹脂Sの塗布と同時に
流れ止め樹脂を塗布することにより作業時間が短縮され
、また、スクリーン印刷では印刷箇所の位置決めが容易
に実施できるため、流れ止めのダム100基板上への印
刷の位置の精度が良いという利点な肩fる。
付は法に比較すると、枠状のシート8が不要となり、安
価なダイボンティング樹脂9が使用でき、かつ枠状のシ
ート8を貼り付ける作業が不要になる。また、スクリー
ン印刷法によりダイボンティング樹脂Sの塗布と同時に
流れ止め樹脂を塗布することにより作業時間が短縮され
、また、スクリーン印刷では印刷箇所の位置決めが容易
に実施できるため、流れ止めのダム100基板上への印
刷の位置の精度が良いという利点な肩fる。
ダイボンディングおよび流れ止めVこ塗布する樹脂が絶
縁性のものである場合は、絶縁基板1iC対する配慮は
必要としない。半導体素子4の夷面と絶縁基板1のタイ
ポンディングパッド3との間’r電気的に同電位とする
必要のある場合はタイボンティング樹脂9は導電性の樹
脂を使用する1、このとき、絶縁基板1に対しては特別
の配慮が必要となる。第6図においてこれを説明すると
、導電のダム10によってリード配[12がすべて短絡
することになり電気的に機能しない。このときは絶縁基
板1上のダム10を塗布するべき位置にあるリード配1
12上に絶縁コート層(例えば、ソルダーンジスト等)
を設け、その上にダム10を形成すればよい。ダム10
が絶縁物の場合においてもこの方法乞とってもよい。第
9図において、11は絶縁コート層である。
縁性のものである場合は、絶縁基板1iC対する配慮は
必要としない。半導体素子4の夷面と絶縁基板1のタイ
ポンディングパッド3との間’r電気的に同電位とする
必要のある場合はタイボンティング樹脂9は導電性の樹
脂を使用する1、このとき、絶縁基板1に対しては特別
の配慮が必要となる。第6図においてこれを説明すると
、導電のダム10によってリード配[12がすべて短絡
することになり電気的に機能しない。このときは絶縁基
板1上のダム10を塗布するべき位置にあるリード配1
12上に絶縁コート層(例えば、ソルダーンジスト等)
を設け、その上にダム10を形成すればよい。ダム10
が絶縁物の場合においてもこの方法乞とってもよい。第
9図において、11は絶縁コート層である。
以上詳細に説明したよ5にこの発明は、タイホンディン
グ樹脂を塗布する際にボッティング樹脂の流れ止めのタ
ムグ形成し、その彼にボンデイング樹脂で封止を行うよ
うにしfこので、工程がきわめて簡単になる利点を有す
る。
グ樹脂を塗布する際にボッティング樹脂の流れ止めのタ
ムグ形成し、その彼にボンデイング樹脂で封止を行うよ
うにしfこので、工程がきわめて簡単になる利点を有す
る。
第1図〜第5図は従来の半導体装置の製造工程図で、第
1図は斜視図、第2図、第3図は第1図の断面図、第4
図は斜視図、第5図は第4図の断面図、第6図〜第8図
はこの発明の一実施例を示す製造工程図で、第6図は平
面図、第7図、第8図は第6図の断面図、第9図はこの
発明の他の実施例を示す断面図である。 図中、1は絶縁基板、2はリード配線、3はダイポンデ
ィングパッド、4は半導体素子、5は極細金属ワイヤ、
7はポツティング樹脂、9はダイポンディング樹脂、1
Gはダムである。なお、図中の同一符号は同一または相
当部分を示す。 代理、人 葛 野 信 −(外1名) 第1図 第2図 第3vA 4 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図
1図は斜視図、第2図、第3図は第1図の断面図、第4
図は斜視図、第5図は第4図の断面図、第6図〜第8図
はこの発明の一実施例を示す製造工程図で、第6図は平
面図、第7図、第8図は第6図の断面図、第9図はこの
発明の他の実施例を示す断面図である。 図中、1は絶縁基板、2はリード配線、3はダイポンデ
ィングパッド、4は半導体素子、5は極細金属ワイヤ、
7はポツティング樹脂、9はダイポンディング樹脂、1
Gはダムである。なお、図中の同一符号は同一または相
当部分を示す。 代理、人 葛 野 信 −(外1名) 第1図 第2図 第3vA 4 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図
Claims (1)
- 薄板状の絶縁基板の一生面に半導体素子なダイホンディ
ングおよびワイヤポンディングした後に前記半導体素子
のポンディング部分に液状樹脂をポンディングして樹脂
封止する半導体装置の製造方法において、前記半導体素
子をタイポンディングするためにダイポンディングパッ
ドにダイポンディング樹脂を塗布する際にあわせて半導
体素子をポンディングした後、樹脂封止するためのポツ
ティング樹脂が所定の区域以外に流れ出すのを防ぐため
にポンティング樹脂の流れ止めのダムを前記ダイホンデ
ィング搭樹脂にて同時に形成する工程を含むことt%黴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11666381A JPS5817646A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11666381A JPS5817646A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5817646A true JPS5817646A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14692808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11666381A Pending JPS5817646A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
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1981
- 1981-07-24 JP JP11666381A patent/JPS5817646A/ja active Pending
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