JPS6353691B2 - - Google Patents
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- JPS6353691B2 JPS6353691B2 JP58157452A JP15745283A JPS6353691B2 JP S6353691 B2 JPS6353691 B2 JP S6353691B2 JP 58157452 A JP58157452 A JP 58157452A JP 15745283 A JP15745283 A JP 15745283A JP S6353691 B2 JPS6353691 B2 JP S6353691B2
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- JP
- Japan
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- resin
- substrate
- bubbles
- chip
- air bubbles
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置において、基板の表面に半導体チツ
プを直付けし、これを樹脂でコーテイングした構
成はよく知られている。第１図は従来例の断面図
を示し、１はセラミツク等の基板、２は集積回路
その他の半導体チツプ（以下単にチツプと言
う。）、３はリード、４は基板１上の導体、５は封
止用の樹脂である。このような構成の半導体装置
は次のようにして製作される。すなわち基板１の
表面に銀又は金のペースト６を印刷し、その上に
チツプ２をのせて加熱する。この加熱によつてチ
ツプ２と基板１とが接着され、基板１上に取り付
けられる。次にチツプ２と導体４とをリード３で
ワイヤボンデイングで接続する。そのあと封止用
の樹脂５を滴下して薄く（たとえば1.5mm程度）
塗布してこれを硬化する。
プを直付けし、これを樹脂でコーテイングした構
成はよく知られている。第１図は従来例の断面図
を示し、１はセラミツク等の基板、２は集積回路
その他の半導体チツプ（以下単にチツプと言
う。）、３はリード、４は基板１上の導体、５は封
止用の樹脂である。このような構成の半導体装置
は次のようにして製作される。すなわち基板１の
表面に銀又は金のペースト６を印刷し、その上に
チツプ２をのせて加熱する。この加熱によつてチ
ツプ２と基板１とが接着され、基板１上に取り付
けられる。次にチツプ２と導体４とをリード３で
ワイヤボンデイングで接続する。そのあと封止用
の樹脂５を滴下して薄く（たとえば1.5mm程度）
塗布してこれを硬化する。
ところでこのような方法で製作する場合、ペー
スト６に含まれている空気によつて樹脂内に気泡
が生ずることがある。この気泡はチツプ２の下面
から硬化時の加熱によつて空気が浮上してでてく
る。このような気泡が樹脂５内にとどまつている
ようなことがあると、半導体装置の動作中、チツ
プ２からの熱によつて気泡が膨張することがあ
り、その膨張時リード３に触れてこれを押圧して
これを切断してしまうことがある。
スト６に含まれている空気によつて樹脂内に気泡
が生ずることがある。この気泡はチツプ２の下面
から硬化時の加熱によつて空気が浮上してでてく
る。このような気泡が樹脂５内にとどまつている
ようなことがあると、半導体装置の動作中、チツ
プ２からの熱によつて気泡が膨張することがあ
り、その膨張時リード３に触れてこれを押圧して
これを切断してしまうことがある。
このような気泡の発生を防止するため、従来で
は樹脂５を塗布したあと基板もろとも脱泡するこ
とが考えられる。しかし樹脂５は防湿性が充分維
持できる程度に、たとえば1.5mm程度の厚みに塗
布しているので、脱泡時の真空度を相当上げなけ
ればならない。又このような厚み部分を通過して
上表面から外部に出るのを嫌つて、これより薄い
樹脂側面より泡が外部にでることがある。このよ
うな部分から泡が出ると、そのときの圧力によつ
て樹脂が外側に広がることがある。ところが封止
されたチツプに接近して外部接続端子が設置され
ているようなとき、この接続端子が、広がつた樹
脂で覆われてしまうことがあると、もはやこの接
続端子を用いて外部への接続が不可能となつてし
まう。
は樹脂５を塗布したあと基板もろとも脱泡するこ
とが考えられる。しかし樹脂５は防湿性が充分維
持できる程度に、たとえば1.5mm程度の厚みに塗
布しているので、脱泡時の真空度を相当上げなけ
ればならない。又このような厚み部分を通過して
上表面から外部に出るのを嫌つて、これより薄い
樹脂側面より泡が外部にでることがある。このよ
うな部分から泡が出ると、そのときの圧力によつ
て樹脂が外側に広がることがある。ところが封止
されたチツプに接近して外部接続端子が設置され
ているようなとき、この接続端子が、広がつた樹
脂で覆われてしまうことがあると、もはやこの接
続端子を用いて外部への接続が不可能となつてし
まう。
この発明は封止用の樹脂の広がりを何ら生ずる
ことなく、泡の発生を防止して半導体装置を製作
することを目的とする。
ことなく、泡の発生を防止して半導体装置を製作
することを目的とする。
この発明は、樹脂の塗布にあたり、最初に薄く
塗布しておいてから、この樹脂が硬化しない程度
に加熱して、チツプの下面から泡を出させて、こ
の泡を塗布した樹脂の上表面まで浮き上がらせて
おき、そのままの状態で基板ごと脱泡させ、つい
でさきに塗布した樹脂の表面に再び樹脂を塗布し
て樹脂全体の厚みが防湿性を維持できる程度の厚
みとなるようにし、最後に両樹脂を硬化すること
を特徴とする。
塗布しておいてから、この樹脂が硬化しない程度
に加熱して、チツプの下面から泡を出させて、こ
の泡を塗布した樹脂の上表面まで浮き上がらせて
おき、そのままの状態で基板ごと脱泡させ、つい
でさきに塗布した樹脂の表面に再び樹脂を塗布し
て樹脂全体の厚みが防湿性を維持できる程度の厚
みとなるようにし、最後に両樹脂を硬化すること
を特徴とする。
このような工程によると、最初に塗布した樹脂
は薄い（たとえば最終の樹脂の厚みが1.5mm程度
としたとき0.7〜0.9mm程度）ので、これをこれが
硬化しない程度の温度で加熱したとき、チツプの
下面から出てきた気泡はその樹脂の上表面近くま
で簡単に浮上するようになる。ここで基板ごと脱
泡すれば、それ程真空度を高めなくとも簡単に外
部に脱泡していく。このとき気泡はすでに樹脂の
上表面近くまで浮上しているので、脱泡時も樹脂
の上表面から外部に脱泡していくようになり、樹
脂の側面から脱泡していくことはほとんどない。
したがつて脱泡時樹脂が広がるといつたことは充
分阻止されるようになる。
は薄い（たとえば最終の樹脂の厚みが1.5mm程度
としたとき0.7〜0.9mm程度）ので、これをこれが
硬化しない程度の温度で加熱したとき、チツプの
下面から出てきた気泡はその樹脂の上表面近くま
で簡単に浮上するようになる。ここで基板ごと脱
泡すれば、それ程真空度を高めなくとも簡単に外
部に脱泡していく。このとき気泡はすでに樹脂の
上表面近くまで浮上しているので、脱泡時も樹脂
の上表面から外部に脱泡していくようになり、樹
脂の側面から脱泡していくことはほとんどない。
したがつて脱泡時樹脂が広がるといつたことは充
分阻止されるようになる。
使用する樹脂としては、ジヤンクシヨン コー
テイング レジン（JCR）として一般に使用され
ているシリコン系の樹脂を使用すればよい。この
とき最初に塗布する樹脂として粘度の低いものが
望ましい。粘度が低いほど気泡が上表面まで浮き
上がりやすくなる。気泡を浮き上がらせるための
加熱は、基板の下面から加熱するようにすると、
チツプの下面から気泡が出やすくなる。そのため
この加熱のためにはホツトプレートが好適で、こ
の上に基板をのせて加熱するようにすればよい。
テイング レジン（JCR）として一般に使用され
ているシリコン系の樹脂を使用すればよい。この
とき最初に塗布する樹脂として粘度の低いものが
望ましい。粘度が低いほど気泡が上表面まで浮き
上がりやすくなる。気泡を浮き上がらせるための
加熱は、基板の下面から加熱するようにすると、
チツプの下面から気泡が出やすくなる。そのため
この加熱のためにはホツトプレートが好適で、こ
の上に基板をのせて加熱するようにすればよい。
この発明の実施例方法を第２図、第３図によつ
て説明する。なお第１図と同じ符号を付した部分
は同一又は対応する部分を示す。チツプ２はたと
えばセラミツク製の基板１上に銀ベースト６を介
して取付けられ、リード３のワイヤボンデイング
によつて導体４と接続される。ここまでは第１図
に示す製造法と異なるところではない。この発明
にしたがい、チツプ２を含んで基板１の表面に第
２図に示すように基板５１を薄く塗布する。そし
てこれを下面から加熱する。樹脂５１の硬化温度
がたとえば150℃であるとすれば、80〜100℃程度
に加熱する。この加熱によつてチツプ２の下面か
ら、ペースト６に含まれていた空気による気泡が
出てくる。この気泡を樹脂５１の表面５１Ａ近く
まで浮上させる。この状態で基板１ごと脱泡処理
する。このとき気泡が樹脂の表面５１Ａから外部
に抜け出ていくのが目視で確認できる。
て説明する。なお第１図と同じ符号を付した部分
は同一又は対応する部分を示す。チツプ２はたと
えばセラミツク製の基板１上に銀ベースト６を介
して取付けられ、リード３のワイヤボンデイング
によつて導体４と接続される。ここまでは第１図
に示す製造法と異なるところではない。この発明
にしたがい、チツプ２を含んで基板１の表面に第
２図に示すように基板５１を薄く塗布する。そし
てこれを下面から加熱する。樹脂５１の硬化温度
がたとえば150℃であるとすれば、80〜100℃程度
に加熱する。この加熱によつてチツプ２の下面か
ら、ペースト６に含まれていた空気による気泡が
出てくる。この気泡を樹脂５１の表面５１Ａ近く
まで浮上させる。この状態で基板１ごと脱泡処理
する。このとき気泡が樹脂の表面５１Ａから外部
に抜け出ていくのが目視で確認できる。
このあと第３図に示すように樹脂５１の表面に
更に樹脂５１と同一又は同系の樹脂５２を塗布
し、両樹脂５１，５２の塗布厚の和が所望の厚み
（たとえば1.5mm）となるようにする。そして両樹
脂を加熱して硬化させる。以上によつて所望の半
導体装置が製造されることになる。
更に樹脂５１と同一又は同系の樹脂５２を塗布
し、両樹脂５１，５２の塗布厚の和が所望の厚み
（たとえば1.5mm）となるようにする。そして両樹
脂を加熱して硬化させる。以上によつて所望の半
導体装置が製造されることになる。
以上詳述したようにこの発明によれば、封止用
の樹脂の周囲が広がることのないように確実に脱
泡することができ、しかも所望の厚みの樹脂によ
る封止が可能となり、信頼性の高い製品が製造で
きるといつた効果を奏する。
の樹脂の周囲が広がることのないように確実に脱
泡することができ、しかも所望の厚みの樹脂によ
る封止が可能となり、信頼性の高い製品が製造で
きるといつた効果を奏する。
第１図は従来例の断面図、第２図、第３図はこ
の発明の実施例工程を説明するための断面図であ
る。 １……基板、２……半導体チツプ、３……リー
ド、４……導体、５１，５２……樹脂、６……ペ
ースト。
の発明の実施例工程を説明するための断面図であ
る。 １……基板、２……半導体チツプ、３……リー
ド、４……導体、５１，５２……樹脂、６……ペ
ースト。
Claims (1)
- １ 基板の表面に半導体チツプを取付け、前記半
導体チツプと前記基板上の導体とをリードで接続
してから、前記半導体チツプを含んで前記基板の
表面に封止用の樹脂を塗布し、ついで前記樹脂が
硬化しない程度に加熱して気泡を前記樹脂の表面
近くまで浮上させ、次に前記基板を脱泡処理して
前記気泡を前記樹脂の表面から外部に放散せし
め、次に前記樹脂の表面に更に封止用の樹脂を塗
布して前記両樹脂の塗布厚の和が防湿性を維持し
得る程度の厚みとなるようにし、そのあと前記両
樹脂を硬化してなる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157452A JPS6049634A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157452A JPS6049634A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049634A JPS6049634A (ja) | 1985-03-18 |
| JPS6353691B2 true JPS6353691B2 (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=15649964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157452A Granted JPS6049634A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049634A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136534A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP5258825B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-08-07 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置及びその製造方法 |
| JP6163009B2 (ja) * | 2013-05-13 | 2017-07-12 | アオイ電子株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58157452A patent/JPS6049634A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6049634A (ja) | 1985-03-18 |
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