JP2975782B2 - 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 - Google Patents
混成集積回路装置およびこれに用いるケース材Info
- Publication number
- JP2975782B2 JP2975782B2 JP28605692A JP28605692A JP2975782B2 JP 2975782 B2 JP2975782 B2 JP 2975782B2 JP 28605692 A JP28605692 A JP 28605692A JP 28605692 A JP28605692 A JP 28605692A JP 2975782 B2 JP2975782 B2 JP 2975782B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- external lead
- case material
- case
- side plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路装置に関
し、詳細には、シリコンゲル充填型で外部リード端子が
水平方向に導出される混成集積回路装置に関する。
し、詳細には、シリコンゲル充填型で外部リード端子が
水平方向に導出される混成集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の混成集積回路装置は、図３に示す
ように、略箱形状のケース材（６０）、外部リード（８
０）、集積回路素子（８２）等を固着、搭載する第１の
絶縁金属基板（７０）、主として、絶縁性向上のために
使用される第２の絶縁金属基板（９０）から構成され
る。
ように、略箱形状のケース材（６０）、外部リード（８
０）、集積回路素子（８２）等を固着、搭載する第１の
絶縁金属基板（７０）、主として、絶縁性向上のために
使用される第２の絶縁金属基板（９０）から構成され
る。
【０００３】ケース材（６０）は第１の絶縁金属基板
（７０）の周辺部に当接する壁体（６２）を備える。外
部リードが導出される方向に形成される壁体（６２）の
１つには、図３に示すように、シリコンゲル導入孔（６
４）が形成される。また、通常、ケース材（６０）の長
手方向端部に段部が形成され、この段部に、混成集積回
路装置を図示しない放熱板に結合するネジのための孔が
形成される。このケース材（６０）は、例えばファイバ
グラス・レインホースＰＥＴ（ＦＲＰＥＴ）を射出成形
して得られる。
（７０）の周辺部に当接する壁体（６２）を備える。外
部リードが導出される方向に形成される壁体（６２）の
１つには、図３に示すように、シリコンゲル導入孔（６
４）が形成される。また、通常、ケース材（６０）の長
手方向端部に段部が形成され、この段部に、混成集積回
路装置を図示しない放熱板に結合するネジのための孔が
形成される。このケース材（６０）は、例えばファイバ
グラス・レインホースＰＥＴ（ＦＲＰＥＴ）を射出成形
して得られる。
【０００４】第１および第２の絶縁金属基板（７０）
（９０）には放熱特性および加工性を考慮して略２ｍｍ
厚のアルミニウムが使用され、絶縁性の向上のためにそ
の表面が陽極酸化処理される。第１の絶縁金属基板（７
０）は矩形であり、混成集積回路装置が略完成した時点
で、数単位乃至十数単位の混成集積回路装置基板から単
位混成集積回路装置のサイズに分割プレスされる。ま
た、第２の絶縁金属基板（９０）はケース材（６０）と
略同一の平面形状であり、これを第１の絶縁金属基板
（７０）に接着する接着層（９２）が図示しない放熱板
と第１の絶縁金属基板（７０）間の絶縁に寄与する。
（９０）には放熱特性および加工性を考慮して略２ｍｍ
厚のアルミニウムが使用され、絶縁性の向上のためにそ
の表面が陽極酸化処理される。第１の絶縁金属基板（７
０）は矩形であり、混成集積回路装置が略完成した時点
で、数単位乃至十数単位の混成集積回路装置基板から単
位混成集積回路装置のサイズに分割プレスされる。ま
た、第２の絶縁金属基板（９０）はケース材（６０）と
略同一の平面形状であり、これを第１の絶縁金属基板
（７０）に接着する接着層（９２）が図示しない放熱板
と第１の絶縁金属基板（７０）間の絶縁に寄与する。
【０００５】外部リード用パッド（７４）、ダイボンド
パッド（７６）、ワイアボンディングパッド（７８）お
よび導電路（図示しない）は、ポリイミド樹脂等の接着
性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μｍ厚の銅箔との
クラッド材を温度１５０℃〜１７０℃、１平方センチメ
ートル当り５０〜１００Ｋｇの圧力で第１の絶縁金属基
板（７０）にホットプレスした後、その銅箔をホトエッ
チングする等して所定パターンに形成される。なお、前
記熱硬化性絶縁樹脂はこのホットプレス工程で完全硬化
して略３５μｍ厚の絶縁層（７２）となる。
パッド（７６）、ワイアボンディングパッド（７８）お
よび導電路（図示しない）は、ポリイミド樹脂等の接着
性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μｍ厚の銅箔との
クラッド材を温度１５０℃〜１７０℃、１平方センチメ
ートル当り５０〜１００Ｋｇの圧力で第１の絶縁金属基
板（７０）にホットプレスした後、その銅箔をホトエッ
チングする等して所定パターンに形成される。なお、前
記熱硬化性絶縁樹脂はこのホットプレス工程で完全硬化
して略３５μｍ厚の絶縁層（７２）となる。
【０００６】集積回路素子（８２）等の半導体素子およ
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子（８２）は銀ペースト等により第１の絶縁金属基
板（７０）のダイボンドパッド（７６）に固着され、チ
ップコンデンサあるいはチップ抵抗、外部リード（８
０）等の異型部品は所定のパッドに半田固着される。こ
れら回路素子および部品は所定のパッド（７４）（７
６）（７８）上にスクリーン印刷したソルダーペースト
に一時的に付着させた後、リフローして完全固着され
る。この第１の絶縁金属基板（７０）の周辺部は、エポ
キシ含浸ポリエステル不繊布を接着シートとして、ケー
ス材（６０）の壁体（６２）に加熱圧着（１２５℃、８
時間）され、搭載回路素子が封止される。
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子（８２）は銀ペースト等により第１の絶縁金属基
板（７０）のダイボンドパッド（７６）に固着され、チ
ップコンデンサあるいはチップ抵抗、外部リード（８
０）等の異型部品は所定のパッドに半田固着される。こ
れら回路素子および部品は所定のパッド（７４）（７
６）（７８）上にスクリーン印刷したソルダーペースト
に一時的に付着させた後、リフローして完全固着され
る。この第１の絶縁金属基板（７０）の周辺部は、エポ
キシ含浸ポリエステル不繊布を接着シートとして、ケー
ス材（６０）の壁体（６２）に加熱圧着（１２５℃、８
時間）され、搭載回路素子が封止される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は特に信頼性が
要求され、特殊なヒートサイクル試験が行われるシリコ
ンゲル充填型の混成集積回路装置に発生することがある
外部リード（８０）のためのパッド（７４）の剥離の原
因の解明の過程で成されたものである。即ち、発明者の
研究により、樹脂製のケース材（６０）で封止した混成
集積回路装置をヒートサイクル試験すると、図３の矢印
で示すようにケース材（６０）の端部が上方に湾曲する
ことが知られた。また、熱硬化性樹脂（９６）と第１の
絶縁金属基板（７０）との固着が完全である場合にはこ
の湾曲は僅少であることも知られた。
要求され、特殊なヒートサイクル試験が行われるシリコ
ンゲル充填型の混成集積回路装置に発生することがある
外部リード（８０）のためのパッド（７４）の剥離の原
因の解明の過程で成されたものである。即ち、発明者の
研究により、樹脂製のケース材（６０）で封止した混成
集積回路装置をヒートサイクル試験すると、図３の矢印
で示すようにケース材（６０）の端部が上方に湾曲する
ことが知られた。また、熱硬化性樹脂（９６）と第１の
絶縁金属基板（７０）との固着が完全である場合にはこ
の湾曲は僅少であることも知られた。
【０００８】そして、外部リード（８０）固着領域に充
填されるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂（９６）とケー
ス材（６０）との接着強度が極めて高いに対し、シリコ
ンゲル（９４）と他の材料の接着強度が低いため、外部
リード（８０）固着部にシリコンゲル（９４）が付着す
る場合には、ケース材（６０）の湾曲に応じて、熱硬化
性樹脂（９６）および外部リード（８０）が第１の絶縁
金属基板（７０）から持ち上げられ、やがて、パッド
（７４）の剥離に至ることが解明された。
填されるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂（９６）とケー
ス材（６０）との接着強度が極めて高いに対し、シリコ
ンゲル（９４）と他の材料の接着強度が低いため、外部
リード（８０）固着部にシリコンゲル（９４）が付着す
る場合には、ケース材（６０）の湾曲に応じて、熱硬化
性樹脂（９６）および外部リード（８０）が第１の絶縁
金属基板（７０）から持ち上げられ、やがて、パッド
（７４）の剥離に至ることが解明された。
【０００９】なお、外部リード（８０）固着部にシリコ
ンゲル（９４）が付着する理由は、従来の混成集積回路
装置では、ゾル状態のシリコンを外部リード（８０）の
固着部から注入するため、注入パイプの外壁を濡らすシ
リコンゾルが外部リード（８０）固着部に付着するため
である。また、注入するシリコンゾルの流動性が高いた
め、図３に示すように、外部リード（８０）のための電
極パターンを浸透して、外部リード（８０）固着部をシ
リコンゾルで濡らすためであり、さらにまた、シリコン
ゾルを高圧注入する場合に飛散するシリコンゾルが外部
リード（８０）固着部に付着するためである。
ンゲル（９４）が付着する理由は、従来の混成集積回路
装置では、ゾル状態のシリコンを外部リード（８０）の
固着部から注入するため、注入パイプの外壁を濡らすシ
リコンゾルが外部リード（８０）固着部に付着するため
である。また、注入するシリコンゾルの流動性が高いた
め、図３に示すように、外部リード（８０）のための電
極パターンを浸透して、外部リード（８０）固着部をシ
リコンゾルで濡らすためであり、さらにまた、シリコン
ゾルを高圧注入する場合に飛散するシリコンゾルが外部
リード（８０）固着部に付着するためである。
【００１０】この発明は上述した課題に鑑みて為された
ものであり、この発明の目的は、過酷なヒートサイクル
が加えられる場合にもパッドの剥離を生じない高信頼性
を得ることおよび水平方向に導出された外部リード端子
固着部の補強のための熱硬化性樹脂の充填・硬化を同時
に行えることが可能な混成集積回路装置を提供する事で
ある。
ものであり、この発明の目的は、過酷なヒートサイクル
が加えられる場合にもパッドの剥離を生じない高信頼性
を得ることおよび水平方向に導出された外部リード端子
固着部の補強のための熱硬化性樹脂の充填・硬化を同時
に行えることが可能な混成集積回路装置を提供する事で
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するため、この発明に係わる混成集積回路装
置は、絶縁金属基板上の一主面に形成した回路パターン
上に複数の集積回路素子および外部リード端子を水平方
向に導出するように固着、搭載した集積回路基板と、そ
の集積回路基板に当接され、集積回路素子搭載領域を囲
み、且つ、外部リード端子固着領域との境界で区画する
枠状の樹脂製のケース材と、外部リード固着領域に所定
の空間を形成するためにケース材と一体化され、且つ外
部リード端子の下方側に配置される側板部材とから構成
された混成集積回路装置の集積回路素子搭載領域内にシ
リコンゲル、熱硬化性樹脂を順次積層し、ケース材と側
板部材で形成された外部リード固着領域空間内に熱硬化
性樹脂を充填することを特徴としている。
目的を達成するため、この発明に係わる混成集積回路装
置は、絶縁金属基板上の一主面に形成した回路パターン
上に複数の集積回路素子および外部リード端子を水平方
向に導出するように固着、搭載した集積回路基板と、そ
の集積回路基板に当接され、集積回路素子搭載領域を囲
み、且つ、外部リード端子固着領域との境界で区画する
枠状の樹脂製のケース材と、外部リード固着領域に所定
の空間を形成するためにケース材と一体化され、且つ外
部リード端子の下方側に配置される側板部材とから構成
された混成集積回路装置の集積回路素子搭載領域内にシ
リコンゲル、熱硬化性樹脂を順次積層し、ケース材と側
板部材で形成された外部リード固着領域空間内に熱硬化
性樹脂を充填することを特徴としている。
【００１２】
【作用】以上のように構成される混成集積回路装置にお
いては、ケース材により集積回路素子搭載領域と外部リ
ード固着領域が区画成形されることにより、シリコンゾ
ル注入パイプの外部リード固着領域への接近を回避し、
シリコンゾル注入パイプ外壁のシリコンゾルが外部リー
ド固着領域に付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リ
ード固着領域に付着する問題を解決することができる。
いては、ケース材により集積回路素子搭載領域と外部リ
ード固着領域が区画成形されることにより、シリコンゾ
ル注入パイプの外部リード固着領域への接近を回避し、
シリコンゾル注入パイプ外壁のシリコンゾルが外部リー
ド固着領域に付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リ
ード固着領域に付着する問題を解決することができる。
【００１３】また、枠状ケース材が集積回路素子搭載領
域と外部リード固着領域を区画するために形成し、シリ
コンゲルと熱硬化性樹脂の充填のための開口部を単一方
向に形成することにより、シリコンゾルの飛散等による
外部リード固着部の汚染の問題が解決されると共に、シ
リコンゾル注入と熱硬化性樹脂の充填を単一治具上で行
うことが可能になる。
域と外部リード固着領域を区画するために形成し、シリ
コンゲルと熱硬化性樹脂の充填のための開口部を単一方
向に形成することにより、シリコンゾルの飛散等による
外部リード固着部の汚染の問題が解決されると共に、シ
リコンゾル注入と熱硬化性樹脂の充填を単一治具上で行
うことが可能になる。
【００１４】さらに、外部リード端子固着領域空間を形
成するための側板部材は個別単体部品であるために、水
平方向に導出される外部リード端子を用いた混成集積回
路装置であっても、リード端子の固着部品を樹脂で被覆
することができる。
成するための側板部材は個別単体部品であるために、水
平方向に導出される外部リード端子を用いた混成集積回
路装置であっても、リード端子の固着部品を樹脂で被覆
することができる。
【００１５】
【実施例】以下に、図１及び図２に示した実施例に基づ
いて本発明を説明する。図１は本発明の混成集積回路装
置を示す断面図であり、図２はケース材を示す平面図で
ある。図１を参照すると、デュアルインライン・パッケ
ージの混成集積回路装置を例示する実施例は、枠状の壁
体（１４）を備え、この壁体（１４）により絶縁金属基
板（３０）上の領域を集積回路素子搭載領域（１６）と
外部リード固着領域（１８）とに区画するケース材（１
０）、集積回路素子（４６）等の半導体素子、外部リー
ド（４４）等を固着、搭載する第１の絶縁金属基板（３
０）、主として絶縁性向上のために使用される第２の絶
縁金属基板（５０）、外部リード固着領域（１８）に空
間を形成する側板部材（１２）、集積回路素子搭載領域
（１６）に充填されるシリコンゲル（５８）、このシリ
コンゲル（５８）上部および外部リード固着領域（１
８）に充填される熱硬化性樹脂（５６）からなる。
いて本発明を説明する。図１は本発明の混成集積回路装
置を示す断面図であり、図２はケース材を示す平面図で
ある。図１を参照すると、デュアルインライン・パッケ
ージの混成集積回路装置を例示する実施例は、枠状の壁
体（１４）を備え、この壁体（１４）により絶縁金属基
板（３０）上の領域を集積回路素子搭載領域（１６）と
外部リード固着領域（１８）とに区画するケース材（１
０）、集積回路素子（４６）等の半導体素子、外部リー
ド（４４）等を固着、搭載する第１の絶縁金属基板（３
０）、主として絶縁性向上のために使用される第２の絶
縁金属基板（５０）、外部リード固着領域（１８）に空
間を形成する側板部材（１２）、集積回路素子搭載領域
（１６）に充填されるシリコンゲル（５８）、このシリ
コンゲル（５８）上部および外部リード固着領域（１
８）に充填される熱硬化性樹脂（５６）からなる。
【００１６】耐候性等の向上のために充填されるシリコ
ンゲル（５８）は図示しないポンプ等により、ゾル状態
で枠状の壁体（１４）で形成された集積回路素子搭載領
域（１６）の所定の深さまで注入され、注入後に熱処理
してゲル化される。本実施例によれば、その際、集積回
路素子搭載領域（１６）の面積が大きい理由、および集
積回路素子搭載領域（１６）と外部リード固着領域（１
８）間に分離のための壁体（１４）が形成されている理
由のため、シリコンゾル注入パイプの外部リード固着領
域（１８）への接近が回避され、シリコンゾル注入パイ
プ外壁のシリコンゾルが外部リード固着領域（１８）に
付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リード固着領域
（１８）に付着する問題が生じない。
ンゲル（５８）は図示しないポンプ等により、ゾル状態
で枠状の壁体（１４）で形成された集積回路素子搭載領
域（１６）の所定の深さまで注入され、注入後に熱処理
してゲル化される。本実施例によれば、その際、集積回
路素子搭載領域（１６）の面積が大きい理由、および集
積回路素子搭載領域（１６）と外部リード固着領域（１
８）間に分離のための壁体（１４）が形成されている理
由のため、シリコンゾル注入パイプの外部リード固着領
域（１８）への接近が回避され、シリコンゾル注入パイ
プ外壁のシリコンゾルが外部リード固着領域（１８）に
付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リード固着領域
（１８）に付着する問題が生じない。
【００１７】そして、熱硬化性樹脂（５８）を前記シリ
コンゲル（５８）上部および一対の外部リード固着領域
（１８）に充填し、熱処理して図１の構造が完成する。
図２を参照して本実施例を更に詳細に説明する。ケース
材（１０）は図２に示す如く、略枠状に形成される。こ
のケース材は例えばファイバグラス・レインホースＰＥ
Ｔ（ＦＲＰＥＴ）等の絶縁樹脂材料を用いて射出成形し
て形成される。
コンゲル（５８）上部および一対の外部リード固着領域
（１８）に充填し、熱処理して図１の構造が完成する。
図２を参照して本実施例を更に詳細に説明する。ケース
材（１０）は図２に示す如く、略枠状に形成される。こ
のケース材は例えばファイバグラス・レインホースＰＥ
Ｔ（ＦＲＰＥＴ）等の絶縁樹脂材料を用いて射出成形し
て形成される。
【００１８】ケース材（１０）は外部リード固着領域
（１８）と集積回路素子搭載領域（１６）とを分割する
ための壁体（１４）が設けられている。ケース材（１
０）は、壁体（１４）が外部リード端子固着パッドの近
傍に配置されることから、図２に示す如く、略Ｉ型状に
形成されている。このケース材（１０）の壁体（１４）
が設けられたケース材（１０）の周端部には個別単体部
品である絶縁樹脂製の側体部材（１２）が当接配置され
る。この側体部材（１２）を配置することで外部リード
端子固着領域（１８）に空間を形成することが可能とな
る。
（１８）と集積回路素子搭載領域（１６）とを分割する
ための壁体（１４）が設けられている。ケース材（１
０）は、壁体（１４）が外部リード端子固着パッドの近
傍に配置されることから、図２に示す如く、略Ｉ型状に
形成されている。このケース材（１０）の壁体（１４）
が設けられたケース材（１０）の周端部には個別単体部
品である絶縁樹脂製の側体部材（１２）が当接配置され
る。この側体部材（１２）を配置することで外部リード
端子固着領域（１８）に空間を形成することが可能とな
る。
【００１９】ところで、第１の絶縁金属基板（３０）に
は放熱特性および加工性を考慮して略２ｍｍ厚のアルミ
ニウムが使用され、絶縁性の向上のためにその表面が陽
極酸化処理される。この絶縁金属基板（３０）は混成集
積回路装置が略完成した時点で、数単位乃至数十単位の
混成集積回路基板から単位混成集積回路装置のサイズに
分割プレスされる。
は放熱特性および加工性を考慮して略２ｍｍ厚のアルミ
ニウムが使用され、絶縁性の向上のためにその表面が陽
極酸化処理される。この絶縁金属基板（３０）は混成集
積回路装置が略完成した時点で、数単位乃至数十単位の
混成集積回路基板から単位混成集積回路装置のサイズに
分割プレスされる。
【００２０】外部リード用パッド、ワイアボンディング
パッド、ダイボンドパッドおよび導電路は、ポリイミド
樹脂等の接着性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μｍ
厚の銅箔とのクラッド材を温度１５０℃〜１７０℃、１
平方センチメートル当り５０〜１００Ｋｇの圧力で第１
の絶縁金属基板（３０）にホットプレスした後、その銅
箔をホトエッチングする等して所定パターンに形成され
る。なお、前記熱硬化性絶縁樹脂はこのホットプレス工
程で完全硬化して略３５μｍ厚の絶縁層となる。
パッド、ダイボンドパッドおよび導電路は、ポリイミド
樹脂等の接着性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μｍ
厚の銅箔とのクラッド材を温度１５０℃〜１７０℃、１
平方センチメートル当り５０〜１００Ｋｇの圧力で第１
の絶縁金属基板（３０）にホットプレスした後、その銅
箔をホトエッチングする等して所定パターンに形成され
る。なお、前記熱硬化性絶縁樹脂はこのホットプレス工
程で完全硬化して略３５μｍ厚の絶縁層となる。
【００２１】集積回路素子（４６）等の半導体素子およ
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子（４６）は銀ペースト等によりダイボンドパッド
に固着され、チップコンデンサ、あるいはチップ抵抗等
の異型部品は所定のパッドに半田固着される。これら回
路素子は所定のパッド上にスクリーン印刷したソルダー
ペーストに一時的に付着させた後、リフローして完全固
着される。
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子（４６）は銀ペースト等によりダイボンドパッド
に固着され、チップコンデンサ、あるいはチップ抵抗等
の異型部品は所定のパッドに半田固着される。これら回
路素子は所定のパッド上にスクリーン印刷したソルダー
ペーストに一時的に付着させた後、リフローして完全固
着される。
【００２２】そして、固着パッドに既製品である水平方
向に導出する外部リード端子（４４）が半田固着され
る。この外部リード端子（４４）は、リード端子（４
４）の先端部に約３００〜３５０°Ｃに加熱された半田
ごてを数秒間圧接してパッド上にあらかじめ形成された
半田を溶融させてパッド上にリード端子（４４）が半田
固着される。
向に導出する外部リード端子（４４）が半田固着され
る。この外部リード端子（４４）は、リード端子（４
４）の先端部に約３００〜３５０°Ｃに加熱された半田
ごてを数秒間圧接してパッド上にあらかじめ形成された
半田を溶融させてパッド上にリード端子（４４）が半田
固着される。
【００２３】次に、前記したケース材（１０）と第１の
絶縁金属基板（３０）の一主面上に配置し、第１の絶縁
金属基板（３０）の周辺部とケース材（１０）の壁体
（１４）が、シリコン樹脂により仮接着される。第１の
基板（３０）とケース材（１０）を一体化した後、上述
した如き、ケース材（１０）の周端部に側板部材（１
２）を挿入し、第１の基板（３０）の反主面に第２の絶
縁金属基板（５０）がシリコン樹脂を介して密接配置さ
れる。第２の基板（５０）はケース材（１０）と略同一
の大きさで形成され、側板部材（１２）は第２の基板
（５０）の周端辺に配置されることになる。側板部材
（１２）はケース材（１０）に設けられた溝に挿入する
ことでケース材（１０）と保持されることになる。側板
部材（１２）を個別単体部品とする必要性は、例えば、
ケース材（１０）と側板部材（１２）とが一体化したケ
ース材を用いる場合、外部リード端子を垂直方向に導出
するタイプのものでは使用できるものの、リード端子を
水平方向に導出させるタイプでは両者を一体化したケー
ス材を用いることができないためである。
絶縁金属基板（３０）の一主面上に配置し、第１の絶縁
金属基板（３０）の周辺部とケース材（１０）の壁体
（１４）が、シリコン樹脂により仮接着される。第１の
基板（３０）とケース材（１０）を一体化した後、上述
した如き、ケース材（１０）の周端部に側板部材（１
２）を挿入し、第１の基板（３０）の反主面に第２の絶
縁金属基板（５０）がシリコン樹脂を介して密接配置さ
れる。第２の基板（５０）はケース材（１０）と略同一
の大きさで形成され、側板部材（１２）は第２の基板
（５０）の周端辺に配置されることになる。側板部材
（１２）はケース材（１０）に設けられた溝に挿入する
ことでケース材（１０）と保持されることになる。側板
部材（１２）を個別単体部品とする必要性は、例えば、
ケース材（１０）と側板部材（１２）とが一体化したケ
ース材を用いる場合、外部リード端子を垂直方向に導出
するタイプのものでは使用できるものの、リード端子を
水平方向に導出させるタイプでは両者を一体化したケー
ス材を用いることができないためである。
【００２４】ところで、第２の絶縁金属基板（５０）は
第１の絶縁金属基板（３０）と同一の素材であり、ケー
ス材（１０）の放熱板に結合するネジのための孔に対応
する位置に孔が形成される。この第２の絶縁金属基板
（５０）は上記したようにシリコン樹脂によってケース
材（１０）、第１の基板（３０）および側板部材（１
２）と結合される。そして、この接着に使用されたシリ
コン樹脂（５２）が第１の絶縁金属基板（３０）と図示
しない放熱板間の絶縁性能を向上させる。
第１の絶縁金属基板（３０）と同一の素材であり、ケー
ス材（１０）の放熱板に結合するネジのための孔に対応
する位置に孔が形成される。この第２の絶縁金属基板
（５０）は上記したようにシリコン樹脂によってケース
材（１０）、第１の基板（３０）および側板部材（１
２）と結合される。そして、この接着に使用されたシリ
コン樹脂（５２）が第１の絶縁金属基板（３０）と図示
しない放熱板間の絶縁性能を向上させる。
【００２５】ケース材（１０）、側板部材（１２）、第
１の基板（３０）および第２の基板（５０）を一体化す
ることで集積回路素子搭載領域（１６）と外部リード端
子領域（１８）が区画されて形成される。集積回路素子
搭載領域（１６）には、上述したようにシリコンゾルが
注入されて熱処理を行なってシリコンゲル（５８）が形
成される。そして、外部リード端子固着領域（１８）の
空間およびシリコンゲル（５８）上に熱硬化性樹脂（５
６）が充填され、リード端子の補強が行われる。
１の基板（３０）および第２の基板（５０）を一体化す
ることで集積回路素子搭載領域（１６）と外部リード端
子領域（１８）が区画されて形成される。集積回路素子
搭載領域（１６）には、上述したようにシリコンゾルが
注入されて熱処理を行なってシリコンゲル（５８）が形
成される。そして、外部リード端子固着領域（１８）の
空間およびシリコンゲル（５８）上に熱硬化性樹脂（５
６）が充填され、リード端子の補強が行われる。
【００２６】
【発明の効果】以上に詳述した如く、本発明に依れば、
枠状のケース材で集積回路素子搭載領域と外部リード固
着領域を分割形成したため、シリコンゾル注入パイプの
外部リード固着領域へ接近するおそれが少なく、シリコ
ンゾル注入パイプ外壁のシリコンゾルが外部リード固着
領域に付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リード固
着領域に付着する問題が生じない。この結果、過酷なヒ
ートサイクルが加えられる場合にも、パッドの剥離を生
じない高信頼のシリコンゲル充填型の混成集積回路装置
を提供することができる。
枠状のケース材で集積回路素子搭載領域と外部リード固
着領域を分割形成したため、シリコンゾル注入パイプの
外部リード固着領域へ接近するおそれが少なく、シリコ
ンゾル注入パイプ外壁のシリコンゾルが外部リード固着
領域に付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リード固
着領域に付着する問題が生じない。この結果、過酷なヒ
ートサイクルが加えられる場合にも、パッドの剥離を生
じない高信頼のシリコンゲル充填型の混成集積回路装置
を提供することができる。
【００２７】また、本発明に依れば、シリコンゲルと熱
硬化性樹脂の充填のための開口部を単一方向に形成する
ことにより、シリコンゾルの飛散等による外部リード固
着部の汚染の問題が解決されると共に、シリコンゾル注
入と熱硬化性樹脂の充填を単一治具上で行うことが可能
になる。その結果、作業時間を著しく短縮することがで
き、生産性を著しく向上させることができる。
硬化性樹脂の充填のための開口部を単一方向に形成する
ことにより、シリコンゾルの飛散等による外部リード固
着部の汚染の問題が解決されると共に、シリコンゾル注
入と熱硬化性樹脂の充填を単一治具上で行うことが可能
になる。その結果、作業時間を著しく短縮することがで
き、生産性を著しく向上させることができる。
【００２８】さらに、本発明に依れば、個別単体部品で
ある側板部材をケース材と一体化させることにより、既
製品である水平方向導出用の外部リード端子を用いるこ
とができる。その結果、従来構造、即ち、外部リード端
子が水平方向に導出した混成集積回路装置を提供するこ
とができる。
ある側板部材をケース材と一体化させることにより、既
製品である水平方向導出用の外部リード端子を用いるこ
とができる。その結果、従来構造、即ち、外部リード端
子が水平方向に導出した混成集積回路装置を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の混成集積回路装置を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例に用いられるケース材および側
板部材を示す平面図である。
板部材を示す平面図である。
【図３】従来の混成集積回路装置を示す断面図である。
１０ ケース材 １２ 側板部材 １６ 集積回路素子搭載領域 １８ 外部リード固着領域 ３０ 第１の絶縁金属基板 ３２ 絶縁層 ４４ 外部リード端子 ４６ 集積回路素子 ５０ 第２の絶縁金属基板 ５２ 絶縁層（シリコン樹脂） ５６ 熱硬化性樹脂 ５８ シリコンゲル
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも表面が絶縁処理された第１の
絶縁性基板上に形成した回路パターン上に、複数の集積
回路素子および水平方向に導出する外部リード端子を固
着、搭載した集積回路基板と、前記 集積回路基板の一主面上に当接され、集積回路素子
搭載領域を囲み、且つ外部リード端子固着領域との境界
で区画する枠状の樹脂製のケース材と、前記第１の絶縁性基板 の反主面に接着された第２の絶縁
性基板と、 前記外部リード固着領域に所定の空間を形成するために
前記ケース材と一体化され、且つ前記第２の絶縁性基板
上に配置される側板部材とを具備し、 前記集積回路素子搭載領域内にシリコンゲル、熱硬化性
樹脂が積層され、前記ケース材と側板部材で形成された
外部リード固着領域空間内に熱硬化性樹脂を充填してな
ることを特徴とする混成集積回路装置。 - 【請求項２】 少なくとも表面が絶縁処理され、この表
面に形成された回路パターン上に複数の集積回路素子お
よび外部リード端子が固着、搭載された基板上で、集積
回路素子搭載領域を囲み、且つ外部リード端子固着領域
との境界で区画する枠状の樹脂製のケース材に於いて、 前記外部リード端子を垂直方向または水平方向に導出
し、且つ前記外部リード固着領域に空間を形成するた
め、前記ケース材と一体化される個別単体部品の側板部
材が取り付ける溝が設けられた事を特徴とするケース
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28605692A JP2975782B2 (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28605692A JP2975782B2 (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140534A JPH06140534A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2975782B2 true JP2975782B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=17699390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28605692A Expired - Fee Related JP2975782B2 (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2975782B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5536975B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2014-07-02 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置およびその製造方法 |
| JP2010050395A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP28605692A patent/JP2975782B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06140534A (ja) | 1994-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5834835A (en) | Semiconductor device having an improved structure for storing a semiconductor chip | |
| KR19990083550A (ko) | 수지밀봉형반도체장치및그제조방법,리드프레임 | |
| JP2004158753A (ja) | リードフレーム材及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
| US4864470A (en) | Mounting device for an electronic component | |
| JP2501953B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2975782B2 (ja) | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 | |
| JPH10242385A (ja) | 電力用混合集積回路装置 | |
| JPS60157243A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH06163746A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH0451582A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2798861B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2752286B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2854192B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS62123727A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2904154B2 (ja) | 半導体素子を含む電子回路装置 | |
| JP2859036B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS63284831A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JP3096510B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH06268094A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2503029B2 (ja) | 薄型構造の半導体装置の製造方法 | |
| JPH0613499A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS6334281Y2 (ja) | ||
| JP3409673B2 (ja) | 電子回路装置の組立方法 | |
| JPH0543485Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |