JPH10242385A - 電力用混合集積回路装置 - Google Patents
電力用混合集積回路装置Info
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- JPH10242385A JPH10242385A JP4338997A JP4338997A JPH10242385A JP H10242385 A JPH10242385 A JP H10242385A JP 4338997 A JP4338997 A JP 4338997A JP 4338997 A JP4338997 A JP 4338997A JP H10242385 A JPH10242385 A JP H10242385A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力用半導体装置を製造するときの工程およ
び部品数を削減する。 【解決手段】 半導体チップ２３およびこの半導体チッ
プにボンディングワイヤ３０で接続した導体パターンを
有するベース板２２を備える。このベース板２２の電子
部品実装部をモールド樹脂２６で封止し、このモールド
樹脂２６に形成した凹陥部３１内に制御用基板２７を収
容する。前記凹陥部３１内に制御用基板２７が埋没する
ように封止樹脂２８を充填した。
び部品数を削減する。 【解決手段】 半導体チップ２３およびこの半導体チッ
プにボンディングワイヤ３０で接続した導体パターンを
有するベース板２２を備える。このベース板２２の電子
部品実装部をモールド樹脂２６で封止し、このモールド
樹脂２６に形成した凹陥部３１内に制御用基板２７を収
容する。前記凹陥部３１内に制御用基板２７が埋没する
ように封止樹脂２８を充填した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、二つの基板を内蔵
した電力用混合集積回路装置に関するものである。
した電力用混合集積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワーモジュールなどの電力用混
合集積回路装置は、電力用半導体チップを実装した第１
の基板と、制御回路を搭載した第２の基板とを間隔をお
いて対向するように配設し、これら両基板を樹脂封止す
る構造を採っている。この種の従来の電力用混合集積回
路装置を図２によって説明する。
合集積回路装置は、電力用半導体チップを実装した第１
の基板と、制御回路を搭載した第２の基板とを間隔をお
いて対向するように配設し、これら両基板を樹脂封止す
る構造を採っている。この種の従来の電力用混合集積回
路装置を図２によって説明する。
【０００３】図２は従来の電力用混合集積回路装置を示
す断面図である。同図において、符号１は従来の電力用
混合集積回路装置を示す。この電力用混合集積回路装置
１は、電力用半導体チップ２を搭載した金属製ベース板
３の上部に枠状の合成樹脂製ケース４を接着し、このケ
ース４内に制御用基板５を配設した状態でシリコンゲル
６とエポキシ樹脂７を充填している。
す断面図である。同図において、符号１は従来の電力用
混合集積回路装置を示す。この電力用混合集積回路装置
１は、電力用半導体チップ２を搭載した金属製ベース板
３の上部に枠状の合成樹脂製ケース４を接着し、このケ
ース４内に制御用基板５を配設した状態でシリコンゲル
６とエポキシ樹脂７を充填している。
【０００４】前記半導体チップ２は、メタライズにより
導体パターンを形成したセラミック製絶縁基板８に実装
し、この絶縁基板８を介して前記ベース板３上に搭載し
ている。また、半導体チップ２の表面電極は、ボンディ
ングワイヤ９によって絶縁基板８上の導体パターンに接
続している。前記導体パターンに、外部接続用端子１０
および複数の中継用端子１１を半田付けしている。この
中継用端子１１を介して前記制御用基板５を前記導体パ
ターンに接続している。
導体パターンを形成したセラミック製絶縁基板８に実装
し、この絶縁基板８を介して前記ベース板３上に搭載し
ている。また、半導体チップ２の表面電極は、ボンディ
ングワイヤ９によって絶縁基板８上の導体パターンに接
続している。前記導体パターンに、外部接続用端子１０
および複数の中継用端子１１を半田付けしている。この
中継用端子１１を介して前記制御用基板５を前記導体パ
ターンに接続している。
【０００５】前記外部接続用端子１０は、シリコンゲル
６およびエポキシ樹脂７を貫通して先端部が上方に導出
している。また、前記中継用端子１１は、下端を前記導
体パターンに固着するとともに、シリコンゲル６を貫通
して上方へ延びる先端部に制御用基板５を接続してい
る。この制御用基板５は、ガラス繊維入りエポキシ基板
本体５ａに制御用電子部品５ｂを実装することによって
形成している。
６およびエポキシ樹脂７を貫通して先端部が上方に導出
している。また、前記中継用端子１１は、下端を前記導
体パターンに固着するとともに、シリコンゲル６を貫通
して上方へ延びる先端部に制御用基板５を接続してい
る。この制御用基板５は、ガラス繊維入りエポキシ基板
本体５ａに制御用電子部品５ｂを実装することによって
形成している。
【０００６】このように構成した従来の電力用混合集積
回路装置１を製造するには、先ず、ベース板３上に絶縁
基板８を搭載し、この絶縁基板８上に半導体チップ２を
実装する。そして、半導体チップ２にワイヤボンディン
グを施すとともに、外部接続用端子１０および中継用端
子１１を絶縁基板８に実装する。次に、中継用端子１１
の上端部に制御用基板５を接続し、ベース板３にケース
４を接着してこのケース４内にシリコンゲル６を注入す
る。
回路装置１を製造するには、先ず、ベース板３上に絶縁
基板８を搭載し、この絶縁基板８上に半導体チップ２を
実装する。そして、半導体チップ２にワイヤボンディン
グを施すとともに、外部接続用端子１０および中継用端
子１１を絶縁基板８に実装する。次に、中継用端子１１
の上端部に制御用基板５を接続し、ベース板３にケース
４を接着してこのケース４内にシリコンゲル６を注入す
る。
【０００７】シリコンゲル６は、ボンディングワイヤ９
および外部接続用端子１０の下部屈曲部１０ａが埋没す
るように注入した状態で加熱してキュアさせる。その
後、ケース内４であってシリコンゲル６の上側に制御用
基板５が埋没するように溶融状態のエポキシ樹脂を注入
する。しかる後、ベース板３およびケース４を含む装置
全体を加熱して前記エポキシ樹脂を固化させることによ
って、電力用混合集積回路装置１の製造工程が終了す
る。
および外部接続用端子１０の下部屈曲部１０ａが埋没す
るように注入した状態で加熱してキュアさせる。その
後、ケース内４であってシリコンゲル６の上側に制御用
基板５が埋没するように溶融状態のエポキシ樹脂を注入
する。しかる後、ベース板３およびケース４を含む装置
全体を加熱して前記エポキシ樹脂を固化させることによ
って、電力用混合集積回路装置１の製造工程が終了す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述したよ
うに構成した従来の電力用混合集積回路装置１は、ベー
ス３にケース４を組付けることによって筐体を形成し、
この筐体内に２種類の樹脂材料を注入するので、製造す
るための工程および部品数が多くなるという問題があっ
た。
うに構成した従来の電力用混合集積回路装置１は、ベー
ス３にケース４を組付けることによって筐体を形成し、
この筐体内に２種類の樹脂材料を注入するので、製造す
るための工程および部品数が多くなるという問題があっ
た。
【０００９】また、この電力用混合集積回路装置１は、
制御用基板５を中継用端子１１に接続するのに時間がか
かり過ぎるという問題があった。これは、中継用端子１
１の下端のみをベース板３側に固定しているため、中継
用端子１１の上端部に制御用基板５を接続するときに中
継用端子１１が曲がってしまうことがないように作業を
慎重に行わなければならないからである。
制御用基板５を中継用端子１１に接続するのに時間がか
かり過ぎるという問題があった。これは、中継用端子１
１の下端のみをベース板３側に固定しているため、中継
用端子１１の上端部に制御用基板５を接続するときに中
継用端子１１が曲がってしまうことがないように作業を
慎重に行わなければならないからである。
【００１０】本発明はこのような問題点を解消するため
になされたもので、電力用半導体装置を製造するときの
工程および部品数を削減するとともに、二つの基板を簡
単に接続することができるようにすることを目的とす
る。
になされたもので、電力用半導体装置を製造するときの
工程および部品数を削減するとともに、二つの基板を簡
単に接続することができるようにすることを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る電力用混合
集積回路装置は、半導体チップおよびこの半導体チップ
にボンディングワイヤで接続した導体パターンを有する
第１の基板と、この第１の基板の電子部品実装部を封止
するモールド樹脂と、前記第１の基板に間隔をおいて対
向するように配設した第２の基板とを備え、前記モール
ド樹脂に第２の基板収容用凹陥部を形成するとともに、
この凹陥部内に前記第２の基板が埋没するように封止樹
脂を充填したものである。
集積回路装置は、半導体チップおよびこの半導体チップ
にボンディングワイヤで接続した導体パターンを有する
第１の基板と、この第１の基板の電子部品実装部を封止
するモールド樹脂と、前記第１の基板に間隔をおいて対
向するように配設した第２の基板とを備え、前記モール
ド樹脂に第２の基板収容用凹陥部を形成するとともに、
この凹陥部内に前記第２の基板が埋没するように封止樹
脂を充填したものである。
【００１２】本発明によれば、第１の基板の電子部品を
封止するモールド樹脂が第２の基板を封止するためのケ
ースになるから、従来のものに較べて合成樹脂製ケース
およびシリコン樹脂が不要になる。
封止するモールド樹脂が第２の基板を封止するためのケ
ースになるから、従来のものに較べて合成樹脂製ケース
およびシリコン樹脂が不要になる。
【００１３】他の発明に係る電力用混合集積回路装置
は、上述した発明に係る電力用混合集積回路装置におい
て、第１の基板にモールド樹脂の第２の基板収容用凹陥
部内に臨む中継用端子をモールド樹脂を貫通するように
立設し、この中継用端子の先端部に第２の基板を接続し
たものである。
は、上述した発明に係る電力用混合集積回路装置におい
て、第１の基板にモールド樹脂の第２の基板収容用凹陥
部内に臨む中継用端子をモールド樹脂を貫通するように
立設し、この中継用端子の先端部に第２の基板を接続し
たものである。
【００１４】中継用端子は、第２の基板の近傍となる部
分まで樹脂材によって支持されるから、中継用端子の一
端のみを固定して他端に第２の基板を接続する従来の構
造を採る場合に較べ、中継用端子を強固に支持すること
ができる。このため、第２の基板を接続するときに中継
用端子が曲がってしまうことはない。
分まで樹脂材によって支持されるから、中継用端子の一
端のみを固定して他端に第２の基板を接続する従来の構
造を採る場合に較べ、中継用端子を強固に支持すること
ができる。このため、第２の基板を接続するときに中継
用端子が曲がってしまうことはない。
【００１５】さらに他の発明に係る電力用混合集積回路
装置は、上述した発明に係る電力用混合集積回路装置に
おいて、第１の基板に実装する半導体チップを大電力用
半導体チップとしたものである。
装置は、上述した発明に係る電力用混合集積回路装置に
おいて、第１の基板に実装する半導体チップを大電力用
半導体チップとしたものである。
【００１６】本発明に係る電力用混合集積回路装置は、
相対的に太いボンディングワイヤを使用することから、
成形時に発生する熱応力または動作中の半導体チップが
発する熱で第１の基板およびモールド樹脂に応力が生じ
ても、ボンディングワイヤが切断したり、接合部が剥離
してしまうことはない。
相対的に太いボンディングワイヤを使用することから、
成形時に発生する熱応力または動作中の半導体チップが
発する熱で第１の基板およびモールド樹脂に応力が生じ
ても、ボンディングワイヤが切断したり、接合部が剥離
してしまうことはない。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電力用混合集
積回路装置を図１によって詳細に説明する。図１は本発
明に係る電力用混合集積回路装置の断面図である。図１
において、符号２１はこの実施の形態による電力用混合
集積回路装置を示す。この電力用混合集積回路装置２１
は、第１の基板としてのベース板２２と、このベース板
２２上に実装した大電力用半導体チップ２３、電源用コ
ネクタ２４および中継用コネクタ２５と、前記ベース板
２２上の電子部品を封止するためのモールド樹脂２６
と、第２基板としての制御用基板２７と、この制御用基
板２７を封止するための封止樹脂２８などから構成して
いる。
積回路装置を図１によって詳細に説明する。図１は本発
明に係る電力用混合集積回路装置の断面図である。図１
において、符号２１はこの実施の形態による電力用混合
集積回路装置を示す。この電力用混合集積回路装置２１
は、第１の基板としてのベース板２２と、このベース板
２２上に実装した大電力用半導体チップ２３、電源用コ
ネクタ２４および中継用コネクタ２５と、前記ベース板
２２上の電子部品を封止するためのモールド樹脂２６
と、第２基板としての制御用基板２７と、この制御用基
板２７を封止するための封止樹脂２８などから構成して
いる。
【００１８】前記ベース板２２は、アルミニウム合金製
の板からなる基板２９の上面に絶縁被膜を介して導体パ
ターンを設けることによって形成している。この導体パ
ターンは、前記絶縁被膜上に銅箔層を設け、予め定めた
回路の形状にエッチングによって形成している。前記半
導体チップ２３は、前記導体パターンに半田付けし、表
面電極をボンディングワイヤ３０によって導体パターン
のボンディングパッドに接続している。このボンディン
グワイヤ３０は、半導体チップ２３が大電力用であるた
め、相対的に太いものを使用している。
の板からなる基板２９の上面に絶縁被膜を介して導体パ
ターンを設けることによって形成している。この導体パ
ターンは、前記絶縁被膜上に銅箔層を設け、予め定めた
回路の形状にエッチングによって形成している。前記半
導体チップ２３は、前記導体パターンに半田付けし、表
面電極をボンディングワイヤ３０によって導体パターン
のボンディングパッドに接続している。このボンディン
グワイヤ３０は、半導体チップ２３が大電力用であるた
め、相対的に太いものを使用している。
【００１９】前記電源用コネクタ２４および中継用コネ
クタ２５は、複数の端子２４ａ，２５ａと、この端子２
４ａ，２５ａを保持する合成樹脂製絶縁ブロック２４
ｂ，２５ｂとから構成している。この実施の形態では、
インサート成形によって端子２４ａ，２５ａと絶縁ブロ
ック２４ｂ，２５ｂとが一体をなすように形成してい
る。前記端子２４ａ，２５ａは、それぞれ断面Ｌ字形に
形成し、横方向（ベース板２２の主面と平行な方向）に
延びる下辺を基板２２の導体パターンに半田付けすると
ともに、縦方向に延びる上辺の端部を絶縁ブロック２４
ｂ，２５ｂより上方へ突出させている。電源用コネクタ
２４の端子２４ａの突出側端部には図示してない電源用
配線を接続する。また、中継用コネクタ２５の端子２５
ａの突出側端部には、前記制御用基板２７を接続してい
る。
クタ２５は、複数の端子２４ａ，２５ａと、この端子２
４ａ，２５ａを保持する合成樹脂製絶縁ブロック２４
ｂ，２５ｂとから構成している。この実施の形態では、
インサート成形によって端子２４ａ，２５ａと絶縁ブロ
ック２４ｂ，２５ｂとが一体をなすように形成してい
る。前記端子２４ａ，２５ａは、それぞれ断面Ｌ字形に
形成し、横方向（ベース板２２の主面と平行な方向）に
延びる下辺を基板２２の導体パターンに半田付けすると
ともに、縦方向に延びる上辺の端部を絶縁ブロック２４
ｂ，２５ｂより上方へ突出させている。電源用コネクタ
２４の端子２４ａの突出側端部には図示してない電源用
配線を接続する。また、中継用コネクタ２５の端子２５
ａの突出側端部には、前記制御用基板２７を接続してい
る。
【００２０】前記モールド樹脂２６は、図示してないモ
ールド金型を使用してベース板２２上に成形し、ベース
板２２上の半導体チップ２３、ボンディングワイヤ３０
および導体パターンなどを封止している。前記モールド
金型は、ベース板２２が上方から嵌合する下金型と、モ
ールド樹脂２６を成形するためのキャビティを形成した
上金型とから構成している。
ールド金型を使用してベース板２２上に成形し、ベース
板２２上の半導体チップ２３、ボンディングワイヤ３０
および導体パターンなどを封止している。前記モールド
金型は、ベース板２２が上方から嵌合する下金型と、モ
ールド樹脂２６を成形するためのキャビティを形成した
上金型とから構成している。
【００２１】また、モールド樹脂２６のベース板２２側
となる下部は、前記電源用コネクタ２４の絶縁ブロック
２４ｂの一部と、前記中継用コネクタ２５の絶縁ブロッ
ク２５ｂの略全てが埋没するように成形し、上部は、制
御用基板２７を収容するための凹陥部３１が形成される
ように成形している。モールド樹脂２６をこのように成
形することによって、中継用コネクタ２５の周囲がモー
ルド樹脂２６で囲まれ、端子２５ａをベース板２２に対
して強固に固定することができる。
となる下部は、前記電源用コネクタ２４の絶縁ブロック
２４ｂの一部と、前記中継用コネクタ２５の絶縁ブロッ
ク２５ｂの略全てが埋没するように成形し、上部は、制
御用基板２７を収容するための凹陥部３１が形成される
ように成形している。モールド樹脂２６をこのように成
形することによって、中継用コネクタ２５の周囲がモー
ルド樹脂２６で囲まれ、端子２５ａをベース板２２に対
して強固に固定することができる。
【００２２】前記凹陥部３１は、制御用基板２７の幅お
よび長さより大きい開口寸法をもって上方へ向けて開口
しており、底部には中継用コネクタ２５の端子２５ａを
通すための穴３２を形成している。この穴３２は、モー
ルド金型の上金型に設けた突起を中継用コネクタ２５の
絶縁ブロック２５ｂの上面に圧接することによって形成
している。なお、この突起には、端子２５ａを収容する
ための穴を形成している。
よび長さより大きい開口寸法をもって上方へ向けて開口
しており、底部には中継用コネクタ２５の端子２５ａを
通すための穴３２を形成している。この穴３２は、モー
ルド金型の上金型に設けた突起を中継用コネクタ２５の
絶縁ブロック２５ｂの上面に圧接することによって形成
している。なお、この突起には、端子２５ａを収容する
ための穴を形成している。
【００２３】前記制御用基板２７は、ガラス繊維入りエ
ポキシ基板２７ａの上面に導体パターンを形成し、この
導体パターンに表面実装型半導体装置やチップ型抵抗な
どのリード付実装部品２７ｂおよび表面実装部品２７ｃ
を半田付けすることによって形成している。この制御用
基板２７の一側部に前記中継用コネクタ２５の端子２５
ａを貫通させて半田付けするとともに、他側部に信号用
コネクタ３３の端子３３ａを半田付けしている。この実
施の形態では、制御用基板２７を前記凹陥部３１の底面
に支承させた状態で前記端子２５ａを半田付けしてい
る。
ポキシ基板２７ａの上面に導体パターンを形成し、この
導体パターンに表面実装型半導体装置やチップ型抵抗な
どのリード付実装部品２７ｂおよび表面実装部品２７ｃ
を半田付けすることによって形成している。この制御用
基板２７の一側部に前記中継用コネクタ２５の端子２５
ａを貫通させて半田付けするとともに、他側部に信号用
コネクタ３３の端子３３ａを半田付けしている。この実
施の形態では、制御用基板２７を前記凹陥部３１の底面
に支承させた状態で前記端子２５ａを半田付けしてい
る。
【００２４】制御用基板２７を封止する封止樹脂２７
は、この実施の形態ではエポキシ樹脂に較べて価格が安
いポリウレタン樹脂を採用し、凹陥部３１内に開口付近
まで充填している。このように封止樹脂２７を凹陥部３
１内に充填することによって、制御用基板２７が封止樹
脂２７内に埋没して封止される。なお、この封止樹脂２
７の材料はポリウレタン樹脂に限定されることはなく、
従来周知の樹脂封止材料であればどのようなものでも使
用することができる。
は、この実施の形態ではエポキシ樹脂に較べて価格が安
いポリウレタン樹脂を採用し、凹陥部３１内に開口付近
まで充填している。このように封止樹脂２７を凹陥部３
１内に充填することによって、制御用基板２７が封止樹
脂２７内に埋没して封止される。なお、この封止樹脂２
７の材料はポリウレタン樹脂に限定されることはなく、
従来周知の樹脂封止材料であればどのようなものでも使
用することができる。
【００２５】次に、このように構成した電力用混合集積
回路装置２１を製造する手順を説明する。先ず、ベース
板２２に半導体チップ２３を実装するとともにワイヤボ
ンディングを施し、さらに、このベース板２２に電源用
コネクタ２４および中継用コネクタ２４を実装する。そ
して、このベース板２２をモールド金型に装填し、モー
ルド樹脂２６を成形する。このようにモールド成形を実
施することによって、ベース板２２上の半導体チップ２
３やボンディングワイヤ３０などが封止されるととも
に、凹陥部３１が形成される。
回路装置２１を製造する手順を説明する。先ず、ベース
板２２に半導体チップ２３を実装するとともにワイヤボ
ンディングを施し、さらに、このベース板２２に電源用
コネクタ２４および中継用コネクタ２４を実装する。そ
して、このベース板２２をモールド金型に装填し、モー
ルド樹脂２６を成形する。このようにモールド成形を実
施することによって、ベース板２２上の半導体チップ２
３やボンディングワイヤ３０などが封止されるととも
に、凹陥部３１が形成される。
【００２６】モールド金型からベース板２２を封止樹脂
２６とともに離型させた後、制御用基板２７を凹陥部３
１内に挿入し、中継用コネクタ２５の端子２５ａを制御
用基板２７の図示してない接続穴に挿通させる。これと
ともに、制御用基板２７を凹陥部３１の底面に支承させ
る。そして、制御用基板２７に前記端子２５ａを半田付
けする。なお、この半田付けを行う以前に、信号用コネ
クタ３３の端子３３ａを制御用基板２７に半田付けして
おく。しかる後、溶融状態の封止樹脂２８を凹陥部３１
内に注入し、固化させることによって、この電力用混合
集積回路装置２１の製造工程が終了する。
２６とともに離型させた後、制御用基板２７を凹陥部３
１内に挿入し、中継用コネクタ２５の端子２５ａを制御
用基板２７の図示してない接続穴に挿通させる。これと
ともに、制御用基板２７を凹陥部３１の底面に支承させ
る。そして、制御用基板２７に前記端子２５ａを半田付
けする。なお、この半田付けを行う以前に、信号用コネ
クタ３３の端子３３ａを制御用基板２７に半田付けして
おく。しかる後、溶融状態の封止樹脂２８を凹陥部３１
内に注入し、固化させることによって、この電力用混合
集積回路装置２１の製造工程が終了する。
【００２７】したがって、この電力用混合集積回路装置
２１は、ベース板２２上の半導体チップ２３、ボンディ
ングワイヤ３０などを封止するモールド樹脂２６が制御
用基板２７を封止するためのケースになるから、従来の
ものに較べて合成樹脂製ケースおよびシリコン樹脂が不
要になる。
２１は、ベース板２２上の半導体チップ２３、ボンディ
ングワイヤ３０などを封止するモールド樹脂２６が制御
用基板２７を封止するためのケースになるから、従来の
ものに較べて合成樹脂製ケースおよびシリコン樹脂が不
要になる。
【００２８】また、ベース板２２と制御用基板２７とを
接続する中継用コネクタ２５の端子２５ａは、制御用基
板２７の近傍となる部分まで絶縁ブロック２５ｂとモー
ルド樹脂２６とによって支持されるから、この端子の一
端のみを固定して他端に第２の基板を接続する従来の構
造を採る場合に較べ、端子２５ａを強固に支持すること
ができる。このため、制御用基板２７を接続するときに
端子２５ａが曲がってしまうことはない。
接続する中継用コネクタ２５の端子２５ａは、制御用基
板２７の近傍となる部分まで絶縁ブロック２５ｂとモー
ルド樹脂２６とによって支持されるから、この端子の一
端のみを固定して他端に第２の基板を接続する従来の構
造を採る場合に較べ、端子２５ａを強固に支持すること
ができる。このため、制御用基板２７を接続するときに
端子２５ａが曲がってしまうことはない。
【００２９】さらに、この電力用混合集積回路装置２１
は、ベース板２２に実装する半導体チップ２３を大電力
用のものとし、ボンディングワイヤ３０を相対的に太い
ものを使用しているので、成形時に発生する熱応力また
は動作中の半導体チップ２３が発する熱でベース板２２
やモールド樹脂２６に応力が生じても、ボンディングワ
イヤ３０が切断したり接合部が剥離してしまうことはな
い。
は、ベース板２２に実装する半導体チップ２３を大電力
用のものとし、ボンディングワイヤ３０を相対的に太い
ものを使用しているので、成形時に発生する熱応力また
は動作中の半導体チップ２３が発する熱でベース板２２
やモールド樹脂２６に応力が生じても、ボンディングワ
イヤ３０が切断したり接合部が剥離してしまうことはな
い。
【００３０】加えて、この実施の形態で示したように、
封止樹脂２８の材料としてポリウレタン樹脂を採用する
と、この樹脂材料は熱可塑性であり、固化させるときに
加熱を必要としないので、この電力用混合集積回路装置
２１を製造する上で実施する加熱処理はモールド樹脂２
６を固化させるときだけでよい。したがって、図２で示
した従来のものを製造する場合に較べて熱処理工程も削
減できるので、より一層のコストダウンを図ることがで
きる。
封止樹脂２８の材料としてポリウレタン樹脂を採用する
と、この樹脂材料は熱可塑性であり、固化させるときに
加熱を必要としないので、この電力用混合集積回路装置
２１を製造する上で実施する加熱処理はモールド樹脂２
６を固化させるときだけでよい。したがって、図２で示
した従来のものを製造する場合に較べて熱処理工程も削
減できるので、より一層のコストダウンを図ることがで
きる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電力
用混合集積回路装置は、半導体チップおよびこの半導体
チップにボンディングワイヤで接続した導体パターンを
有する第１の基板と、この第１の基板の電子部品実装部
を封止するモールド樹脂と、前記第１の基板に間隔をお
いて対向するように配設した第２の基板とを備え、前記
モールド樹脂に第２の基板収容用凹陥部を形成するとと
もに、この凹陥部内に前記第２の基板が埋没するように
封止樹脂を充填したため、第１の基板の電子部品を封止
するモールド樹脂が第２の基板を封止するためのケース
を形成するから、従来のものに較べて合成樹脂製ケース
およびシリコン樹脂が不要になる。
用混合集積回路装置は、半導体チップおよびこの半導体
チップにボンディングワイヤで接続した導体パターンを
有する第１の基板と、この第１の基板の電子部品実装部
を封止するモールド樹脂と、前記第１の基板に間隔をお
いて対向するように配設した第２の基板とを備え、前記
モールド樹脂に第２の基板収容用凹陥部を形成するとと
もに、この凹陥部内に前記第２の基板が埋没するように
封止樹脂を充填したため、第１の基板の電子部品を封止
するモールド樹脂が第２の基板を封止するためのケース
を形成するから、従来のものに較べて合成樹脂製ケース
およびシリコン樹脂が不要になる。
【００３２】したがって、本発明によれば、製造工程お
よび部品数を削減することができ、電力用混合集積回路
装置を安価に提供することができる。
よび部品数を削減することができ、電力用混合集積回路
装置を安価に提供することができる。
【００３３】他の発明に係る電力用混合集積回路装置
は、上述した発明に係る電力用混合集積回路装置におい
て、第１の基板にモールド樹脂の第２の基板収容用凹陥
部内に臨む中継用端子をモールド樹脂を貫通するように
立設し、この中継用端子の先端部に第２の基板を接続し
たため、中継用端子は、第２の基板の近傍となる部分ま
で樹脂材によって支持されるから、中継用端子の一端の
みを固定して他端に第２の基板を接続する従来の構造を
採る場合に較べ、中継用端子を強固に支持することがで
きる。
は、上述した発明に係る電力用混合集積回路装置におい
て、第１の基板にモールド樹脂の第２の基板収容用凹陥
部内に臨む中継用端子をモールド樹脂を貫通するように
立設し、この中継用端子の先端部に第２の基板を接続し
たため、中継用端子は、第２の基板の近傍となる部分ま
で樹脂材によって支持されるから、中継用端子の一端の
みを固定して他端に第２の基板を接続する従来の構造を
採る場合に較べ、中継用端子を強固に支持することがで
きる。
【００３４】したがって、第２の基板を接続するときに
中継用端子が曲がってしまうことはないから、この作業
が簡単で、従来に較べて作業時間を短縮することができ
る。
中継用端子が曲がってしまうことはないから、この作業
が簡単で、従来に較べて作業時間を短縮することができ
る。
【００３５】さらに他の発明に係る電力用混合集積回路
装置は、上述した発明に係る電力用混合集積回路装置に
おいて、第１の基板に実装する半導体チップを大電力用
半導体チップとしたため、本発明に係る電力用混合集積
回路装置は、相対的に太いボンディングワイヤを使用す
ることから、成形時に発生する熱応力または動作中の半
導体チップが発する熱で第１の基板およびモールド樹脂
に応力が生じても、ボンディングワイヤが切断したり接
合部が剥離してしまうことはない。したがって、信頼性
が高い電力用混合集積回路装置を提供することができ
る。
装置は、上述した発明に係る電力用混合集積回路装置に
おいて、第１の基板に実装する半導体チップを大電力用
半導体チップとしたため、本発明に係る電力用混合集積
回路装置は、相対的に太いボンディングワイヤを使用す
ることから、成形時に発生する熱応力または動作中の半
導体チップが発する熱で第１の基板およびモールド樹脂
に応力が生じても、ボンディングワイヤが切断したり接
合部が剥離してしまうことはない。したがって、信頼性
が高い電力用混合集積回路装置を提供することができ
る。
【図１】 本発明に係る電力用混合集積回路装置の断面
図である。
図である。
【図２】 従来の電力用混合集積回路装置を示す断面図
である。
である。
２１…電力用混合集積回路装置、２２…ベース板、２３
…電力用半導体チップ、２５…中継用コネクタ、２５ａ
…端子、２６…モールド樹脂、２７…制御用基板、２８
…封止樹脂、３０…ボンディングワイヤ、３１…凹陥
部。
…電力用半導体チップ、２５…中継用コネクタ、２５ａ
…端子、２６…モールド樹脂、２７…制御用基板、２８
…封止樹脂、３０…ボンディングワイヤ、３１…凹陥
部。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップを実装するとともにこの半
導体チップの電極と導体パターンとをボンディングワイ
ヤで接続した第１の基板と、この第１の基板の電子部品
実装部を封止するモールド樹脂と、前記第１の基板に間
隔をおいて対向するように配設した第２の基板とを備
え、前記モールド樹脂に前記第２の基板を収容する凹陥
部を形成するとともに、この凹陥部内に前記第２の基板
が埋没するように封止樹脂を充填したことを特徴とする
電力用混合集積回路装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電力用混合集積回路装置
において、第１の基板にモールド樹脂の第２の基板収容
用凹陥部内に臨む中継用端子をモールド樹脂を貫通する
ように立設し、この中継用端子の先端部に第２の基板を
接続したことを特徴とする電力用混合集積回路装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の電力用混
合集積回路装置において、第１の基板に実装する半導体
チップを大電力用半導体チップとしたことを特徴とする
電力用混合集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338997A JPH10242385A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 電力用混合集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338997A JPH10242385A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 電力用混合集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242385A true JPH10242385A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12662450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4338997A Pending JPH10242385A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 電力用混合集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242385A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000091499A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム |
| WO2000074445A1 (de) * | 1999-05-31 | 2000-12-07 | Tyco Electronics Logistics Ag | Intelligentes leistungsmodul in sandwich-bauweise |
| JP2002325467A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Yaskawa Electric Corp | インバータ装置 |
| JP2002343905A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 樹脂モールドされた回路装置 |
| EP1406303A1 (en) * | 2001-07-09 | 2004-04-07 | Daikin Industries, Ltd. | Power module and air conditioner |
| US7119437B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-10-10 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Electronic substrate, power module and motor driver |
| JP2009111288A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2016149836A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
| JP6462192B1 (ja) * | 2018-04-10 | 2019-01-30 | 新電元工業株式会社 | 電力変換装置および電力変換装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP4338997A patent/JPH10242385A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000091499A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム |
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| US6646884B1 (en) | 1999-05-31 | 2003-11-11 | Tyco Electronics Logistics Ag | Sandwich-structured intelligent power module |
| JP4691819B2 (ja) * | 2001-04-25 | 2011-06-01 | 株式会社安川電機 | インバータ装置 |
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| EP1406303A4 (en) * | 2001-07-09 | 2007-12-12 | Daikin Ind Ltd | POWER MODULE AND AIR CONDITIONER |
| EP1406303A1 (en) * | 2001-07-09 | 2004-04-07 | Daikin Industries, Ltd. | Power module and air conditioner |
| US7119437B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-10-10 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Electronic substrate, power module and motor driver |
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| JP2016149836A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
| JP6462192B1 (ja) * | 2018-04-10 | 2019-01-30 | 新電元工業株式会社 | 電力変換装置および電力変換装置の製造方法 |
| WO2019198141A1 (ja) * | 2018-04-10 | 2019-10-17 | 新電元工業株式会社 | 電力変換装置および電力変換装置の製造方法 |
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