JPS6334281Y2 - - Google Patents
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- JPS6334281Y2 JPS6334281Y2 JP1981001247U JP124781U JPS6334281Y2 JP S6334281 Y2 JPS6334281 Y2 JP S6334281Y2 JP 1981001247 U JP1981001247 U JP 1981001247U JP 124781 U JP124781 U JP 124781U JP S6334281 Y2 JPS6334281 Y2 JP S6334281Y2
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体装置に関し、その目的とすると
ころは配線板等への取付け接続工数の低減および
信頼性を改善するようにしたものである。
ころは配線板等への取付け接続工数の低減および
信頼性を改善するようにしたものである。
従来、半導体装置は第1図、第2図に示すよう
に金属リードフレーム1a,1b,1cに接続用
貴金属層2a,2b,2cを設け、貴金属層2b
にチツプマウント用導電材料3を加熱圧着させた
後、その上に半導体チツプ7をマウントし、ボン
デイングワイヤー4a,4b(金線アルミ線等)
を金属リードフレーム1a,1c上の貴金属層2
a,2bおよび半導体チツプ7のアルミ配線部5
a,5bに熱圧着等の方法で接続し、その後リー
ドフレーム1a,1b,1cの外部接続用端子部
を除いてモールド樹脂6によりこれらを包装して
構成されていた。
に金属リードフレーム1a,1b,1cに接続用
貴金属層2a,2b,2cを設け、貴金属層2b
にチツプマウント用導電材料3を加熱圧着させた
後、その上に半導体チツプ7をマウントし、ボン
デイングワイヤー4a,4b(金線アルミ線等)
を金属リードフレーム1a,1c上の貴金属層2
a,2bおよび半導体チツプ7のアルミ配線部5
a,5bに熱圧着等の方法で接続し、その後リー
ドフレーム1a,1b,1cの外部接続用端子部
を除いてモールド樹脂6によりこれらを包装して
構成されていた。
しかしながら、この従来の構成では半導体装置
を電気回路に使用するためには回路用配線板上に
金属リードフレーム1a,1b,1cを半田付け
等によつて取り付けるための回路用配線板に孔や
半田付けのための加工工程が必要であり、さらに
包装用のモールド樹脂6で半導体チツプ7の表面
が覆われているためそのモールド樹脂6の選定の
良否により、チツプ7の表面が汚染され、アルミ
配線部5a,5bに腐蝕が発生しやすく、これは
モールド樹脂6と半導体チツプ7の境界部に水分
が集中することにより、さらに促進されることに
なり、また、モールド樹脂6の熱膨張時にボンデ
イングワイヤー4a,4bに応力が加わり、チツ
プ7の表面およびリードフレーム1a,1cの部
分でボンデイング外れが生じやすいものであつ
た。
を電気回路に使用するためには回路用配線板上に
金属リードフレーム1a,1b,1cを半田付け
等によつて取り付けるための回路用配線板に孔や
半田付けのための加工工程が必要であり、さらに
包装用のモールド樹脂6で半導体チツプ7の表面
が覆われているためそのモールド樹脂6の選定の
良否により、チツプ7の表面が汚染され、アルミ
配線部5a,5bに腐蝕が発生しやすく、これは
モールド樹脂6と半導体チツプ7の境界部に水分
が集中することにより、さらに促進されることに
なり、また、モールド樹脂6の熱膨張時にボンデ
イングワイヤー4a,4bに応力が加わり、チツ
プ7の表面およびリードフレーム1a,1cの部
分でボンデイング外れが生じやすいものであつ
た。
本考案はこのような従来の欠点を解消したもの
であり、以下その一実施例について第3図、第4
図を用いて説明する。
であり、以下その一実施例について第3図、第4
図を用いて説明する。
フレキシブル配線板21の表面にチツプマウン
ト用およびワイヤーボンデイング用の導電体層2
2a,22b,22cをエツチング法等により形
成し、これらの表面にボンデイング用およびチツ
プマウント用の貴金属メツキ層23a,23b,
23cを形成する。またこのフレキシブル配線板
21の裏面には補強用金属箔29をあらかじめ設
けておく。前記フレキシブル配線板21の表面に
つぎに封止包装用の樹脂ケース24を接着するた
めの半硬化状態の樹脂層25を印刷法等により形
成する。
ト用およびワイヤーボンデイング用の導電体層2
2a,22b,22cをエツチング法等により形
成し、これらの表面にボンデイング用およびチツ
プマウント用の貴金属メツキ層23a,23b,
23cを形成する。またこのフレキシブル配線板
21の裏面には補強用金属箔29をあらかじめ設
けておく。前記フレキシブル配線板21の表面に
つぎに封止包装用の樹脂ケース24を接着するた
めの半硬化状態の樹脂層25を印刷法等により形
成する。
一方、半導体チツプ26をチツプマウント用導
電材料27をはさんでフレキシブル配線板21上
の導電体層22bに熱圧着等により接着し、さら
にボンデイングワイヤー28a,28bを導電体
層22a,22cと半導体チツプ26の配線部3
0a,30bに接続し、封止包装用の樹脂ケース
24を樹脂層25によつてフレキシブル配線板2
1に圧着加熱して封止包装したものである。以上
のような構成によれば、まず半導体装置の回路へ
の接続はフレキシブル配線板21を回路の配線板
の一部分として作成しておけば接続が不用であ
り、また封止包装用の樹脂ケース24およびその
接着用樹脂25の選定は樹脂が半導体チツプ26
の表面に直接接触しないため、そのチツプ26の
表面が汚染されにくく、さらに中空であるため、
水分がチツプ26の表面に集中しにくいことから
選定が比較的容易であり、信頼性(耐湿性)も高
水準となるものである。さらにボンデイングワイ
ヤー28a,28bの接続部の強度もそのボンデ
イングワイヤー28a,28bに直接樹脂が接触
しないので応力が加わらず、信頼性の高いものと
なる。一方、フレキシブル配線板の裏面に補強用
金属箔29を設けているため、そのフレキシブル
配線板21から応力が加わることもないものであ
る。
電材料27をはさんでフレキシブル配線板21上
の導電体層22bに熱圧着等により接着し、さら
にボンデイングワイヤー28a,28bを導電体
層22a,22cと半導体チツプ26の配線部3
0a,30bに接続し、封止包装用の樹脂ケース
24を樹脂層25によつてフレキシブル配線板2
1に圧着加熱して封止包装したものである。以上
のような構成によれば、まず半導体装置の回路へ
の接続はフレキシブル配線板21を回路の配線板
の一部分として作成しておけば接続が不用であ
り、また封止包装用の樹脂ケース24およびその
接着用樹脂25の選定は樹脂が半導体チツプ26
の表面に直接接触しないため、そのチツプ26の
表面が汚染されにくく、さらに中空であるため、
水分がチツプ26の表面に集中しにくいことから
選定が比較的容易であり、信頼性(耐湿性)も高
水準となるものである。さらにボンデイングワイ
ヤー28a,28bの接続部の強度もそのボンデ
イングワイヤー28a,28bに直接樹脂が接触
しないので応力が加わらず、信頼性の高いものと
なる。一方、フレキシブル配線板の裏面に補強用
金属箔29を設けているため、そのフレキシブル
配線板21から応力が加わることもないものであ
る。
以上の説明より明らかなように本考案によれ
ば、半導体装置の接続工数の低減および信頼性の
向上を十分かつ容易に実現することができるもの
である。
ば、半導体装置の接続工数の低減および信頼性の
向上を十分かつ容易に実現することができるもの
である。
第1図は従来例を示す側断面図、第2図は同上
面透視図、第3図は本考案の一実施例を示す側断
面図、第4図はその上面透視図である。 21……フレキシブル配線板、22a,22
b,22c……導電体層、24……樹脂ケース、
25……樹脂層、26……半導体チツプ、28
a,28b……ボンデイングワイヤー、29……
補強用金属箔。
面透視図、第3図は本考案の一実施例を示す側断
面図、第4図はその上面透視図である。 21……フレキシブル配線板、22a,22
b,22c……導電体層、24……樹脂ケース、
25……樹脂層、26……半導体チツプ、28
a,28b……ボンデイングワイヤー、29……
補強用金属箔。
Claims (1)
- 表面上に半導体チツプマウント用およびワイヤ
ーボンデイング用の導電体が形成されかつ裏面に
補強用金属箔が形成されたフレキシブル配線板
と、前記半導体チツプマウント用の導電体上にマ
ウントされた半導体チツプと、前記半導体チツプ
と前記ワイヤーボンデイング用の導電体を接続し
て配置されたボンデイングワイヤーと、前記半導
体チツプマウント用およびワイヤーボンデイング
用の導電体、半導体チツプおよびボンデイングワ
イヤーを覆い囲む形状の中空を有しかつ接着用樹
脂を介して前記フレキシブル配線板の表面上に取
付けられた樹脂ケースとを備えてなる半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981001247U JPS6334281Y2 (ja) | 1981-01-07 | 1981-01-07 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981001247U JPS6334281Y2 (ja) | 1981-01-07 | 1981-01-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57115253U JPS57115253U (ja) | 1982-07-16 |
JPS6334281Y2 true JPS6334281Y2 (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=29799735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1981001247U Expired JPS6334281Y2 (ja) | 1981-01-07 | 1981-01-07 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6334281Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5106528B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-12-26 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ、及び電子装置 |
-
1981
- 1981-01-07 JP JP1981001247U patent/JPS6334281Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57115253U (ja) | 1982-07-16 |
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