JP2595803B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は混成集積回路装置に関し、特に半導体ベアチ
ップを樹脂封止した混成集積回路装置に関する。
ップを樹脂封止した混成集積回路装置に関する。
従来、リードフレーム上に絶縁エリアを設け、その上
に所定の配線が施されたプリント配線基板を貼り付け、
プリント配線基板上の所定の位置に半導体素子等をベア
チップ状態にて搭載し、ベアチップとプリント配線基板
間およびプリント配線基板とリードフレーム間を金線に
てワイヤボンディング法により接続し、トランスファモ
ールド法にて樹脂封止した構造をもつトランスファモー
ルド型の混成集積回路装置(COMPACT)がある(例え
ば、最新ハイブリッドテクロノロジー、第215頁〜第219
頁、工業調査会、電子材料編集部、モールド型のハイブ
リッドIC、第1回マイクロエレクトロニクスシンポジウ
ム論文集、ISHM JAPAN)。
に所定の配線が施されたプリント配線基板を貼り付け、
プリント配線基板上の所定の位置に半導体素子等をベア
チップ状態にて搭載し、ベアチップとプリント配線基板
間およびプリント配線基板とリードフレーム間を金線に
てワイヤボンディング法により接続し、トランスファモ
ールド法にて樹脂封止した構造をもつトランスファモー
ルド型の混成集積回路装置(COMPACT)がある(例え
ば、最新ハイブリッドテクロノロジー、第215頁〜第219
頁、工業調査会、電子材料編集部、モールド型のハイブ
リッドIC、第1回マイクロエレクトロニクスシンポジウ
ム論文集、ISHM JAPAN)。
この従来の混成集積回路装置は、リードフレーム上に
プリント配線基板を貼り付け、このプリント配線基板上
に所定の半導体素子をベアチップ状態にて搭載している
が、リードフレームの下部へベアチップを搭載するのは
困難であるため、リードフレームの下部は、トランスフ
ァモールド封止された樹脂と接触する構造となってお
り、混成集積回路装置の高集積化、高密度化を難しくし
ているという問題点があった。
プリント配線基板を貼り付け、このプリント配線基板上
に所定の半導体素子をベアチップ状態にて搭載している
が、リードフレームの下部へベアチップを搭載するのは
困難であるため、リードフレームの下部は、トランスフ
ァモールド封止された樹脂と接触する構造となってお
り、混成集積回路装置の高集積化、高密度化を難しくし
ているという問題点があった。
本発明の目的は、高集積化、高密度化が容易な混成集
積回路装置を提供することにある。
積回路装置を提供することにある。
本発明の混成集積回路装置は、少なくとも2つの半導
体ベアチップを搭載した所定の配線が施されたプリント
配線基板を片面に貼り付けた第1のリードフレームと、
少なくとも2つの半導体ベアチップを搭載した所定の配
線が施されたプリント配線基板を片面に張り付けた第2
のリードフレームとを有し、前記第1のリードフレーム
面と前記第2のリードフレーム面とを接触させ重ね合わ
せて樹脂封止したことを特徴とする。
体ベアチップを搭載した所定の配線が施されたプリント
配線基板を片面に貼り付けた第1のリードフレームと、
少なくとも2つの半導体ベアチップを搭載した所定の配
線が施されたプリント配線基板を片面に張り付けた第2
のリードフレームとを有し、前記第1のリードフレーム
面と前記第2のリードフレーム面とを接触させ重ね合わ
せて樹脂封止したことを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
第1図に示すように、リードフレーム1a上にプリント
配線基板2aを貼り付け、プリント配線基板2a上に2つの
半導体ベアチップ3aをダイボンディングして搭載し、さ
らに、金線4aにてワイヤボンディングして、半導体ベア
チップ3aとプリント配線基板2a間およびプリント配線基
板2aとリードフレーム1a間を接続する。
配線基板2aを貼り付け、プリント配線基板2a上に2つの
半導体ベアチップ3aをダイボンディングして搭載し、さ
らに、金線4aにてワイヤボンディングして、半導体ベア
チップ3aとプリント配線基板2a間およびプリント配線基
板2aとリードフレーム1a間を接続する。
一方、リードフレーム1b上にプリント配線基板2bを貼
り付け、プリント配線基板2b上に2つの半導体ベアチッ
プ3bをダイボンディングして搭載し、さらに、金線5bに
てワイヤボンディングして半導体ベアチップ3bとプリン
ト配線基板2b間およびプリント配線基板2bとリードフレ
ーム1b間を接続する。
り付け、プリント配線基板2b上に2つの半導体ベアチッ
プ3bをダイボンディングして搭載し、さらに、金線5bに
てワイヤボンディングして半導体ベアチップ3bとプリン
ト配線基板2b間およびプリント配線基板2bとリードフレ
ーム1b間を接続する。
次に、リードフレーム1aとリードフレーム1bをそれぞ
れプリント配線基板2a,2bを貼り付けていない面で重ね
合わせ、樹脂5をトランスファモールド法にて封止する
ことにより、本実施例の高密度で高集積された混成集積
回路装置が得られる。
れプリント配線基板2a,2bを貼り付けていない面で重ね
合わせ、樹脂5をトランスファモールド法にて封止する
ことにより、本実施例の高密度で高集積された混成集積
回路装置が得られる。
さらに、図示しないが、半導体ベアチップ3aの代わり
に、受動素子である表面実装部品タイプのチップコンデ
ンサを搭載することによっても高密度で高集積された混
成集積回路装置が得られる。
に、受動素子である表面実装部品タイプのチップコンデ
ンサを搭載することによっても高密度で高集積された混
成集積回路装置が得られる。
以上説明したように本発明は、リードフレームの上下
に半導体ベアチップを搭載することにより、従来に比べ
て約2倍の高密度化、高集積化が可能となるという効果
を有する。
に半導体ベアチップを搭載することにより、従来に比べ
て約2倍の高密度化、高集積化が可能となるという効果
を有する。
第1図は、本発明の一実施例の断面図である。 1a,1b……リードフレーム、2a,2b……プリント配線基
板、3a,3b……半導体ベアチップ、4a,4b……金線、5…
…樹脂。
板、3a,3b……半導体ベアチップ、4a,4b……金線、5…
…樹脂。
Claims (1)
- 【請求項1】少なくとも2つの半導体ベアチップを搭載
した所定の配線が施されたプリント配線基板を片面に貼
り付けた第1のリードフレームと、少なくとも2つの半
導体ベアチップを搭載した所定の配線が施されたプリン
ト配線基板を片面に張り付けた第2のリードフレームと
を有し、前記第1のリードフレーム面と前記第2のリー
ドフレーム面とを接触させ重ね合わせて樹脂封止したこ
とを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2284898A JP2595803B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2284898A JP2595803B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04159765A JPH04159765A (ja) | 1992-06-02 |
JP2595803B2 true JP2595803B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=17684478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2284898A Expired - Lifetime JP2595803B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2595803B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101231296B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2013-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 인텔리전트 파워 모듈 |
JP5305538B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2013-10-02 | 本田技研工業株式会社 | スロットル装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028256A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP2284898A patent/JP2595803B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04159765A (ja) | 1992-06-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040816 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20041015 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050415 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |