JP2859036B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JP2859036B2 JP2859036B2 JP16129692A JP16129692A JP2859036B2 JP 2859036 B2 JP2859036 B2 JP 2859036B2 JP 16129692 A JP16129692 A JP 16129692A JP 16129692 A JP16129692 A JP 16129692A JP 2859036 B2 JP2859036 B2 JP 2859036B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- metal substrate
- external lead
- wall
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置に関
し、詳細には、シリコンゲル充填型の混成集積回路装置
に関する。
し、詳細には、シリコンゲル充填型の混成集積回路装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の混成集積回路装置は、図９に示す
ように、略箱形状のケース材（６０）、外部リード（８
０）、集積回路素子（８２）等を固着、搭載する第１の
絶縁金属基板（７０）、主として、絶縁性向上のために
使用される第２の絶縁金属基板（９０）から構成され
る。
ように、略箱形状のケース材（６０）、外部リード（８
０）、集積回路素子（８２）等を固着、搭載する第１の
絶縁金属基板（７０）、主として、絶縁性向上のために
使用される第２の絶縁金属基板（９０）から構成され
る。
【０００３】ケース材（６０）は第１の絶縁金属基板
（７０）の周辺部に当接する壁体（６２）を備える。外
部リードが導出される方向に形成される壁体（６２）の
１つには、図９に示すように、シリコンゲル導入孔（６
４）が形成される。また、通常、ケース材（６０）の長
手方向端部に段部が形成され、この段部に、混成集積回
路装置を図示しない放熱板に結合するネジのための孔が
形成される。このケース材（６０）は、例えばファイバ
グラス・レインホースＰＥＴ（ＦＲＰＥＴ）を射出成形
して得られる。
（７０）の周辺部に当接する壁体（６２）を備える。外
部リードが導出される方向に形成される壁体（６２）の
１つには、図９に示すように、シリコンゲル導入孔（６
４）が形成される。また、通常、ケース材（６０）の長
手方向端部に段部が形成され、この段部に、混成集積回
路装置を図示しない放熱板に結合するネジのための孔が
形成される。このケース材（６０）は、例えばファイバ
グラス・レインホースＰＥＴ（ＦＲＰＥＴ）を射出成形
して得られる。
【０００４】第１および第２の絶縁金属基板（７０）
（９０）には放熱特性および加工性を考慮して略２ｍｍ
厚のアルミニウムが使用され、絶縁性の向上のためにそ
の表面が陽極酸化処理される。第１の絶縁金属基板（７
０）は矩形であり、混成集積回路装置が略完成した時点
で、数単位乃至十数単位の混成集積回路基板から単位混
成集積回路装置のサイズに分割プレスされる。また、第
２の絶縁金属基板（９０）はケース材（６０）と略同一
の平面形状であり、これを第１の絶縁金属基板（７０）
に接着する接着層（９２）が図示しない放熱板と第１の
絶縁金属基板（７０）間の絶縁に寄与する。
（９０）には放熱特性および加工性を考慮して略２ｍｍ
厚のアルミニウムが使用され、絶縁性の向上のためにそ
の表面が陽極酸化処理される。第１の絶縁金属基板（７
０）は矩形であり、混成集積回路装置が略完成した時点
で、数単位乃至十数単位の混成集積回路基板から単位混
成集積回路装置のサイズに分割プレスされる。また、第
２の絶縁金属基板（９０）はケース材（６０）と略同一
の平面形状であり、これを第１の絶縁金属基板（７０）
に接着する接着層（９２）が図示しない放熱板と第１の
絶縁金属基板（７０）間の絶縁に寄与する。
【０００５】外部リード用パッド（７４）、ダイボンド
パッド（７６）、ワイアボンディングパッド（７８）お
よび導電路（図示しない）は、ポリイミド樹脂等の接着
性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μｍ厚の銅箔との
クラッド材を温度１５０℃〜１７０℃、１平方センチメ
ートル当り５０〜１００Ｋｇの圧力で第１の絶縁金属基
板（７０）にホットプレスした後、その銅箔をホトエッ
チングする等して所定パターンに形成される。なお、前
記熱硬化性絶縁樹脂はこのホットプレス工程で完全硬化
して略３５μｍ厚の絶縁層（７２）となる。
パッド（７６）、ワイアボンディングパッド（７８）お
よび導電路（図示しない）は、ポリイミド樹脂等の接着
性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μｍ厚の銅箔との
クラッド材を温度１５０℃〜１７０℃、１平方センチメ
ートル当り５０〜１００Ｋｇの圧力で第１の絶縁金属基
板（７０）にホットプレスした後、その銅箔をホトエッ
チングする等して所定パターンに形成される。なお、前
記熱硬化性絶縁樹脂はこのホットプレス工程で完全硬化
して略３５μｍ厚の絶縁層（７２）となる。
【０００６】集積回路素子（８２）等の半導体素子およ
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子（８２）は銀ペースト等により第１の絶縁金属基
板（７０）のダイボンドパッド（７６）に固着され、チ
ップコンデンサあるいはチップ抵抗、外部リード（８
０）等の異型部品は所定のパッドに半田固着される。こ
れら回路素子および部品は所定のパッド（７４）（７
６）（７８）上にスクリーン印刷したソルダーペースト
に一時的に付着させた後、リフローして完全固着され
る。この第１の絶縁金属基板（７０）の周辺部は、エポ
キシ含浸ポリエステル不織布を接着シートとして、ケー
ス材（６０）の壁体（６２）に加熱圧着（１２５℃、８
時間）され、搭載回路素子が封止される。
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子（８２）は銀ペースト等により第１の絶縁金属基
板（７０）のダイボンドパッド（７６）に固着され、チ
ップコンデンサあるいはチップ抵抗、外部リード（８
０）等の異型部品は所定のパッドに半田固着される。こ
れら回路素子および部品は所定のパッド（７４）（７
６）（７８）上にスクリーン印刷したソルダーペースト
に一時的に付着させた後、リフローして完全固着され
る。この第１の絶縁金属基板（７０）の周辺部は、エポ
キシ含浸ポリエステル不織布を接着シートとして、ケー
ス材（６０）の壁体（６２）に加熱圧着（１２５℃、８
時間）され、搭載回路素子が封止される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上の様に構成される
混成集積回路装置においては、外部リード（８０）を固
着パッド上に半田固着する場合、外部リード（８０）の
先端部に約３００〜３５０℃に加熱された半田ごてを圧
接しリードとパッド間に介在された半田を溶融し外部リ
ード（８０）をパッド上に固着していた。
混成集積回路装置においては、外部リード（８０）を固
着パッド上に半田固着する場合、外部リード（８０）の
先端部に約３００〜３５０℃に加熱された半田ごてを圧
接しリードとパッド間に介在された半田を溶融し外部リ
ード（８０）をパッド上に固着していた。
【０００８】リード固着時に平均粒径約０．１〜０．３
ｍｍの半田ボールが周辺に飛び散るために、パッド周辺
には、図１０に示すように、オーバーコート膜（１０
０）が形成される。従って、半田ボール（１０２）はオ
ーバーコート膜（１００）上に飛び散ることになる。し
かし、パッド周辺には、上述したようにケース材（６
０）の壁体（６２）と基板（７０）とが接着剤を介して
固着一体化されるため、壁体（６２）と基板（７０）と
の間に介在された半田ボール（１０２）は、図１１に示
す如く、押しつぶされ隣接する導電路（１０３）をまた
ぐように配置される。この場合、上述したオーバーコー
ト膜（１００）が介在されているためショート不良は直
ちに発生しない場合が多く、経時変化と供に導電路（１
０３）のエッヂ部でオーバーコート膜（１００）が断線
し隣接する導電路（１０３）（１０３）がショートする
という課題がある。
ｍｍの半田ボールが周辺に飛び散るために、パッド周辺
には、図１０に示すように、オーバーコート膜（１０
０）が形成される。従って、半田ボール（１０２）はオ
ーバーコート膜（１００）上に飛び散ることになる。し
かし、パッド周辺には、上述したようにケース材（６
０）の壁体（６２）と基板（７０）とが接着剤を介して
固着一体化されるため、壁体（６２）と基板（７０）と
の間に介在された半田ボール（１０２）は、図１１に示
す如く、押しつぶされ隣接する導電路（１０３）をまた
ぐように配置される。この場合、上述したオーバーコー
ト膜（１００）が介在されているためショート不良は直
ちに発生しない場合が多く、経時変化と供に導電路（１
０３）のエッヂ部でオーバーコート膜（１００）が断線
し隣接する導電路（１０３）（１０３）がショートする
という課題がある。
【０００９】かかる課題を解消するためには、外部リー
ドを固着した後、即ち、半田ボール発生後に基板表面を
洗浄することで解消することは可能であるが、基板上に
チップ状の素子を搭載するものにあっては上述した洗浄
工程を行うことができないため、半田ボールを取除くこ
とは困難である。また、従来例で示した混成集積回路装
置をヒートサイクル試験すると、図９の矢印で示すよう
に、ケース材（６０）の端部が上方に湾曲し、また、熱
硬化性樹脂（９６）と第１の絶縁金属基板（７０）との
固着が完全である場合にはこの湾曲は僅少であることも
知られた。
ドを固着した後、即ち、半田ボール発生後に基板表面を
洗浄することで解消することは可能であるが、基板上に
チップ状の素子を搭載するものにあっては上述した洗浄
工程を行うことができないため、半田ボールを取除くこ
とは困難である。また、従来例で示した混成集積回路装
置をヒートサイクル試験すると、図９の矢印で示すよう
に、ケース材（６０）の端部が上方に湾曲し、また、熱
硬化性樹脂（９６）と第１の絶縁金属基板（７０）との
固着が完全である場合にはこの湾曲は僅少であることも
知られた。
【００１０】そして、外部リード（８０）固着領域に充
填されるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂（９６）とケー
ス材（６０）との接着強度が極めて高いのに対し、シリ
コンゲル（９４）と他の材料の接着強度が低いため、外
部リード（８０）固着部にシリコンゲル（９４）が付着
する場合には、ケース材（６０）の湾曲に応じて、熱硬
化性樹脂（９６）および外部リード（８０）が第１の絶
縁金属基板（７０）から持ち上げられ、やがて、パッド
（７４）の剥離に至るという課題がある。
填されるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂（９６）とケー
ス材（６０）との接着強度が極めて高いのに対し、シリ
コンゲル（９４）と他の材料の接着強度が低いため、外
部リード（８０）固着部にシリコンゲル（９４）が付着
する場合には、ケース材（６０）の湾曲に応じて、熱硬
化性樹脂（９６）および外部リード（８０）が第１の絶
縁金属基板（７０）から持ち上げられ、やがて、パッド
（７４）の剥離に至るという課題がある。
【００１１】なお、外部リード（８０）固着部にシリコ
ンゲル（９４）が付着する理由は、従来の混成集積回路
装置では、ゾル状態のシリコンを外部リード（８０）の
固着部から注入するため、注入パイプの外壁を濡らすシ
リコンゾルが外部リード（８０）固着部に付着するため
である。また、注入するシリコンゾルの流動性が高いた
め、図９に示すように、外部リード（８０）のための電
極パターンを浸透して、外部リード（８０）固着部をシ
リコンゾルで濡らすためであり、さらにまた、シリコン
ゾルを高圧注入する場合に飛散するシリコンゾルが外部
リード（８０）固着部に付着するためである。
ンゲル（９４）が付着する理由は、従来の混成集積回路
装置では、ゾル状態のシリコンを外部リード（８０）の
固着部から注入するため、注入パイプの外壁を濡らすシ
リコンゾルが外部リード（８０）固着部に付着するため
である。また、注入するシリコンゾルの流動性が高いた
め、図９に示すように、外部リード（８０）のための電
極パターンを浸透して、外部リード（８０）固着部をシ
リコンゾルで濡らすためであり、さらにまた、シリコン
ゾルを高圧注入する場合に飛散するシリコンゾルが外部
リード（８０）固着部に付着するためである。
【００１２】この発明は上述した課題に鑑みてなされた
もので、この発明の目的は、半田ボールを残在させた状
態でケース材固着に生ずる半田ボールによるショート不
良を防止できる混成集積回路装置を提供することにあ
る。
もので、この発明の目的は、半田ボールを残在させた状
態でケース材固着に生ずる半田ボールによるショート不
良を防止できる混成集積回路装置を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するため、この発明に係わる混成集積回路装
置は、絶縁金属基板に形成した回路パターン上に複数の
集積回路素子および外部リード端子を固着、搭載した集
積回路基板と、集積回路素子搭載領域と外部リード端子
固着領域とを分割する壁体を少なくとも備える略枠形状
の樹脂製ケース材と、集積回路素子搭載空間に充填され
るシリコンゲルと、外部リード端子導出辺の空間に充填
される熱硬化性樹脂とを具備し、壁体の底面部は基板表
面と非当接状態に配置され、その非当接領域に接着性樹
脂を介在させたことを特徴としている。
目的を達成するため、この発明に係わる混成集積回路装
置は、絶縁金属基板に形成した回路パターン上に複数の
集積回路素子および外部リード端子を固着、搭載した集
積回路基板と、集積回路素子搭載領域と外部リード端子
固着領域とを分割する壁体を少なくとも備える略枠形状
の樹脂製ケース材と、集積回路素子搭載空間に充填され
るシリコンゲルと、外部リード端子導出辺の空間に充填
される熱硬化性樹脂とを具備し、壁体の底面部は基板表
面と非当接状態に配置され、その非当接領域に接着性樹
脂を介在させたことを特徴としている。
【００１４】また、この発明に係わる混成集積回路装置
は、絶縁金属基板に形成した回路パターン上に複数の集
積回路素子および外部リード端子を固着、搭載した集積
回路基板と、集積回路素子搭載領域と外部リード端子固
着領域とを分割し外部リード端子固着パッド近傍に配置
された壁体を少なくとも備え且つシリコンゲルと熱硬化
性樹脂の充填のための開口部を同一方向に形成した略枠
形状の樹脂製ケース材と、集積回路素子搭載空間に充填
されるシリコンゲルと、外部リード端子導出辺の空間に
充填される熱硬化性樹脂とを具備し、壁体の底面部は基
板表面と非当接状態に配置され、壁体の底面部または／
および基板上にチクソ性の大きい接着性樹脂が設けら
れ、その接着性樹脂で非当接領域を密接したことを特徴
としている。
は、絶縁金属基板に形成した回路パターン上に複数の集
積回路素子および外部リード端子を固着、搭載した集積
回路基板と、集積回路素子搭載領域と外部リード端子固
着領域とを分割し外部リード端子固着パッド近傍に配置
された壁体を少なくとも備え且つシリコンゲルと熱硬化
性樹脂の充填のための開口部を同一方向に形成した略枠
形状の樹脂製ケース材と、集積回路素子搭載空間に充填
されるシリコンゲルと、外部リード端子導出辺の空間に
充填される熱硬化性樹脂とを具備し、壁体の底面部は基
板表面と非当接状態に配置され、壁体の底面部または／
および基板上にチクソ性の大きい接着性樹脂が設けら
れ、その接着性樹脂で非当接領域を密接したことを特徴
としている。
【００１５】
【作用】以上のように構成される混成集積回路装置にお
いては、外部リード端子固着時に半田ボールがケース材
の壁体と基板間に飛び散ったとしても、それらの両者は
非当接状にあるため半田ボールが加圧により変形するこ
とがない。また、非当接領域には接着性樹脂が介在され
シリコンゲルが外部リード固着領域に流出することはな
い。
いては、外部リード端子固着時に半田ボールがケース材
の壁体と基板間に飛び散ったとしても、それらの両者は
非当接状にあるため半田ボールが加圧により変形するこ
とがない。また、非当接領域には接着性樹脂が介在され
シリコンゲルが外部リード固着領域に流出することはな
い。
【００１６】さらに、ケース材に集積回路素子搭載領域
と外部リード固着領域を分割する壁体を形成し、シリコ
ンゲルと熱硬化性樹脂の充填のための開口部が同一方向
に形成されていることにより、シリコンゾルの飛散等に
よる外部リード固着部の汚染の問題はない。
と外部リード固着領域を分割する壁体を形成し、シリコ
ンゲルと熱硬化性樹脂の充填のための開口部が同一方向
に形成されていることにより、シリコンゾルの飛散等に
よる外部リード固着部の汚染の問題はない。
【００１７】
【実施例】以下に図１〜図８に示した実施例に基づいて
本発明を説明する。図１および図２を参照すると、デュ
アルインライン・パッケージの混成集積回路装置を例示
する実施例は、枠（１２）内に一対の壁体（１４）を備
え、この壁体（１４）により絶縁金属基板（３０）上の
領域を集積回路素子搭載領域（１６）と外部リード固着
領域（１８）とに分割するケース材（１０）、集積回路
素子（４６）等の半導体素子、外部リード（４４）等を
固着、搭載する第１の絶縁金属基板（３０）、主として
絶縁性向上のために使用される第２の絶縁金属基板（５
０）、集積回路素子搭載領域（１６）に充填されるシリ
コンゲル（５６）、このシリコンゲル（５６）上部およ
び外部リード固着領域（１８）に充填される熱硬化性樹
脂（５８）からなる。
本発明を説明する。図１および図２を参照すると、デュ
アルインライン・パッケージの混成集積回路装置を例示
する実施例は、枠（１２）内に一対の壁体（１４）を備
え、この壁体（１４）により絶縁金属基板（３０）上の
領域を集積回路素子搭載領域（１６）と外部リード固着
領域（１８）とに分割するケース材（１０）、集積回路
素子（４６）等の半導体素子、外部リード（４４）等を
固着、搭載する第１の絶縁金属基板（３０）、主として
絶縁性向上のために使用される第２の絶縁金属基板（５
０）、集積回路素子搭載領域（１６）に充填されるシリ
コンゲル（５６）、このシリコンゲル（５６）上部およ
び外部リード固着領域（１８）に充填される熱硬化性樹
脂（５８）からなる。
【００１８】耐候性等の向上のために充填されるシリコ
ンゲル（５６）は図示しないポンプ等により、ゾル状態
で一対の壁（１４）て形成された集積回路素子搭載領域
（１６）の所定の深さまで注入され、注入後に熱処理し
てゲル化される。本実施例によれば、その際、集積回路
素子搭載領域（１６）の面積が大きい理由、および集積
回路素子搭載領域（１６）と外部リード固着領域（１
８）間に分離のための壁体（１４）が形成されている理
由のため、シリコンゾル注入パイプの外部リード固着領
域（１８）への接近が回避され、シリコンゾル注入パイ
プ外壁のシリコンゾルが外部リード固着領域（１８）に
付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リード固着領域
（１８）に付着する問題が生じない。また、図２に示す
ように、ケース材（１０）の枠（１２）および壁（１
４）の上部を厚肉にした実施例は熱硬化性樹脂（５８）
とケース材（１０）の結合が良好である利点を有する。
ンゲル（５６）は図示しないポンプ等により、ゾル状態
で一対の壁（１４）て形成された集積回路素子搭載領域
（１６）の所定の深さまで注入され、注入後に熱処理し
てゲル化される。本実施例によれば、その際、集積回路
素子搭載領域（１６）の面積が大きい理由、および集積
回路素子搭載領域（１６）と外部リード固着領域（１
８）間に分離のための壁体（１４）が形成されている理
由のため、シリコンゾル注入パイプの外部リード固着領
域（１８）への接近が回避され、シリコンゾル注入パイ
プ外壁のシリコンゾルが外部リード固着領域（１８）に
付着する問題、飛散シリコンゾルが外部リード固着領域
（１８）に付着する問題が生じない。また、図２に示す
ように、ケース材（１０）の枠（１２）および壁（１
４）の上部を厚肉にした実施例は熱硬化性樹脂（５８）
とケース材（１０）の結合が良好である利点を有する。
【００１９】そして、熱硬化性樹脂（５８）を前記シリ
コンゲル（５６）上部および一対の外部リード固着領域
（１８）に充填し、熱処理して図１の構造が完成する。
図３乃至図８を参照して実施例をさらに詳細に説明す
る。図３はケース材（１０）の斜視図であり、図示され
ているように、ケース材（１０）は混成集積回路装置を
放熱板に結合するネジのための孔（２２）を備え、例え
ばファイバグラス・レインホースＰＥＴ（ＦＲＰＥＴ）
を略枠状に射出成形して得られる。
コンゲル（５６）上部および一対の外部リード固着領域
（１８）に充填し、熱処理して図１の構造が完成する。
図３乃至図８を参照して実施例をさらに詳細に説明す
る。図３はケース材（１０）の斜視図であり、図示され
ているように、ケース材（１０）は混成集積回路装置を
放熱板に結合するネジのための孔（２２）を備え、例え
ばファイバグラス・レインホースＰＥＴ（ＦＲＰＥＴ）
を略枠状に射出成形して得られる。
【００２０】そして、ケース材（１０）に形成された壁
体（１４）の底面部は第１の絶縁金属基板（３０）表面
と当接しないように形成されているため、ケース材（１
０）と第１の絶縁金属基板（３０）とが一体化されたと
き、壁体（１４）と基板（３０）間は非当接状態にある
ことから所定間隔の空間部が形成されることになる。こ
の空間部は外部リード端子（４４）が固着される側の基
板周端辺に形成され、リード端子が形成されない基板面
はケース材と当接される。
体（１４）の底面部は第１の絶縁金属基板（３０）表面
と当接しないように形成されているため、ケース材（１
０）と第１の絶縁金属基板（３０）とが一体化されたと
き、壁体（１４）と基板（３０）間は非当接状態にある
ことから所定間隔の空間部が形成されることになる。こ
の空間部は外部リード端子（４４）が固着される側の基
板周端辺に形成され、リード端子が形成されない基板面
はケース材と当接される。
【００２１】図４は本実施例に適合する第１の絶縁金属
基板（３０）の斜視図である。第１の絶縁金属基板（３
０）には放熱特性および加工性を考慮して略２ｍｍ厚の
アルミニウムが使用され、絶縁性の向上のためにその表
面が陽極酸化処理される。この絶縁金属基板（３０）は
混成集積回路装置が略完成した時点で、数単位乃至十数
単位の混成集積回路基板から単位混成集積回路装置のサ
イズに分割プレスされる。
基板（３０）の斜視図である。第１の絶縁金属基板（３
０）には放熱特性および加工性を考慮して略２ｍｍ厚の
アルミニウムが使用され、絶縁性の向上のためにその表
面が陽極酸化処理される。この絶縁金属基板（３０）は
混成集積回路装置が略完成した時点で、数単位乃至十数
単位の混成集積回路基板から単位混成集積回路装置のサ
イズに分割プレスされる。
【００２２】外部リード用パッド（３８）、ワイアボン
ディングパッド（４０）、ダイボンドパッド（４２）お
よび導電路（図示しない）は、ポリイミド樹脂等の接着
性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μｍ厚の銅箔との
クラッド材を温度１５０℃〜１７０℃、１平方センチメ
ートル当り５０〜１００Ｋｇの圧力で第１の絶縁金属基
板（３０）にホットプレスした後、その銅箔をホトエッ
チングする等して所定パターンに形成される。なお、前
記熱硬化性樹脂はこのホットプレス工程で完全硬化して
略３５μｍ厚の絶縁層となる（図２の符号（３２）参
照）。
ディングパッド（４０）、ダイボンドパッド（４２）お
よび導電路（図示しない）は、ポリイミド樹脂等の接着
性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μｍ厚の銅箔との
クラッド材を温度１５０℃〜１７０℃、１平方センチメ
ートル当り５０〜１００Ｋｇの圧力で第１の絶縁金属基
板（３０）にホットプレスした後、その銅箔をホトエッ
チングする等して所定パターンに形成される。なお、前
記熱硬化性樹脂はこのホットプレス工程で完全硬化して
略３５μｍ厚の絶縁層となる（図２の符号（３２）参
照）。
【００２３】集積回路素子（４６）等の半導体素子およ
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子（４６）は銀ペースト等によりダイボンドパッド
（４２）に固着れ、チップコンデンサ、あるいはチップ
抵抗等の異型部品は所定のパッドに半田固着される。こ
れら回路素子は所定のパッド（４０）（４２）上にスク
リーン印刷したソルダーペーストに一時的に付着させた
後、リフローして完全固着される。
びその他の回路素子にはチップ部品が使用され、集積回
路素子（４６）は銀ペースト等によりダイボンドパッド
（４２）に固着れ、チップコンデンサ、あるいはチップ
抵抗等の異型部品は所定のパッドに半田固着される。こ
れら回路素子は所定のパッド（４０）（４２）上にスク
リーン印刷したソルダーペーストに一時的に付着させた
後、リフローして完全固着される。
【００２４】そして、最後に、固着パッド（３８）に外
部リード端子（４４）が半田固着される。この外部リー
ド端子（４４）は、図５に示す如く、リード端子（４
４）の先端部に約３００〜３５０℃に加熱された半田ご
て（１）を数秒間圧接してパッド（３８）上にあらかじ
め形成された半田（２）を溶融させてパッド（３８）上
にリード端子（４４）が半田固着される。半田ごて
（１）をリード端子（４４）上に圧接したとき、半田
（２）から半田ボール（３）が周辺近傍の導電路（４）
上等に飛散し表面に付着する。しかし、パッド（３８）
の周辺近傍にはあらかじめオーバーコート膜（５）がス
クリーン印刷により形成されているために、実際には、
上述した半田ボール（３）はオーバーコート膜（５）上
に付着残在する。
部リード端子（４４）が半田固着される。この外部リー
ド端子（４４）は、図５に示す如く、リード端子（４
４）の先端部に約３００〜３５０℃に加熱された半田ご
て（１）を数秒間圧接してパッド（３８）上にあらかじ
め形成された半田（２）を溶融させてパッド（３８）上
にリード端子（４４）が半田固着される。半田ごて
（１）をリード端子（４４）上に圧接したとき、半田
（２）から半田ボール（３）が周辺近傍の導電路（４）
上等に飛散し表面に付着する。しかし、パッド（３８）
の周辺近傍にはあらかじめオーバーコート膜（５）がス
クリーン印刷により形成されているために、実際には、
上述した半田ボール（３）はオーバーコート膜（５）上
に付着残在する。
【００２５】図１を参照すると、前記したケース材（１
０）と第１の絶縁金属基板（３０）とを図示するように
重ね、第１の絶縁金属基板（３０）の周辺部とケース材
（１０）の枠（１２）が、シリコン樹脂により仮接着さ
れる。この際、上述したように、ケース材（１０）の壁
体（１４）の底面部と第１の絶縁金属基板（３０）表面
とは、非当接状態に配置されているため、両者間を固着
したとき所定の空間部が形成される。従って、半田ボー
ル（３）が仮に壁体（１４）の領域に飛散したとしても
半田ボール（３）は図７に示す如く、空間部内に配置さ
れることになる。
０）と第１の絶縁金属基板（３０）とを図示するように
重ね、第１の絶縁金属基板（３０）の周辺部とケース材
（１０）の枠（１２）が、シリコン樹脂により仮接着さ
れる。この際、上述したように、ケース材（１０）の壁
体（１４）の底面部と第１の絶縁金属基板（３０）表面
とは、非当接状態に配置されているため、両者間を固着
したとき所定の空間部が形成される。従って、半田ボー
ル（３）が仮に壁体（１４）の領域に飛散したとしても
半田ボール（３）は図７に示す如く、空間部内に配置さ
れることになる。
【００２６】ところで、集積回路素子搭載領域（１６）
には、上述したように、シリコンゾルが注入されるた
め、壁体（１４）と基板（３０）間に形成された空間に
は接着性樹脂（５７）が介在されるため、シリコンゾル
が外部リード固着領域（１８）に流出しない。例えば、
図７に示す如く、壁体（１４）の底面及び基板（３０）
の表面上にチクソ性の比較的大きいシリコン樹脂（５
７）（５７）を塗布すれば、ケース材（１０）と基板
（３０）とを一体化したとき、シリコン樹脂（５７）
（５７）が接着して非当接領域空間を密接状態にする。
従って、シリコンゾルを集積回路素子搭載領域（１６）
に注入してもゾルは外部リード固着領域（１８）に流出
することはない。
には、上述したように、シリコンゾルが注入されるた
め、壁体（１４）と基板（３０）間に形成された空間に
は接着性樹脂（５７）が介在されるため、シリコンゾル
が外部リード固着領域（１８）に流出しない。例えば、
図７に示す如く、壁体（１４）の底面及び基板（３０）
の表面上にチクソ性の比較的大きいシリコン樹脂（５
７）（５７）を塗布すれば、ケース材（１０）と基板
（３０）とを一体化したとき、シリコン樹脂（５７）
（５７）が接着して非当接領域空間を密接状態にする。
従って、シリコンゾルを集積回路素子搭載領域（１６）
に注入してもゾルは外部リード固着領域（１８）に流出
することはない。
【００２７】一方、半田ボール（３）は、上述したよう
に空間部に配置されるために、シリコン樹脂（５７）で
被覆されると共に、ケース材（１０）と基板（３０）と
を接着一体化したときでも、半田ボール（３）は壁体
（１４）によって押しつぶされることなく、そのままの
状態で壁体（１４）と基板（３０）間に残在する。壁体
（１４）と基板（３０）との非当接領域の大きさは半田
ボール（３）の大きさよりも若干大きめに形成すればよ
い。具体的には、半田ボール（３）の平均粒径が０．１
〜０．３ｍｍ位であることから約０．５〜１．０ｍｍ位
が好ましい。あまりその領域が大きすぎるとシリコン樹
脂（５７）での密接が困難になるため半田ボールの径と
シリコン樹脂（５７）のチクソ性を考慮してその大きさ
が選択される。
に空間部に配置されるために、シリコン樹脂（５７）で
被覆されると共に、ケース材（１０）と基板（３０）と
を接着一体化したときでも、半田ボール（３）は壁体
（１４）によって押しつぶされることなく、そのままの
状態で壁体（１４）と基板（３０）間に残在する。壁体
（１４）と基板（３０）との非当接領域の大きさは半田
ボール（３）の大きさよりも若干大きめに形成すればよ
い。具体的には、半田ボール（３）の平均粒径が０．１
〜０．３ｍｍ位であることから約０．５〜１．０ｍｍ位
が好ましい。あまりその領域が大きすぎるとシリコン樹
脂（５７）での密接が困難になるため半田ボールの径と
シリコン樹脂（５７）のチクソ性を考慮してその大きさ
が選択される。
【００２８】図８は主として絶縁性向上のために使用さ
れる第２の絶縁金属基板（５０）の斜視図である。第２
の絶縁金属基板（５０）は第１の絶縁金属基板（３０）
と同一の素材であり、ケース材（１０）の放熱板に結合
するネジのための孔（２２）に対応する位置に孔（５
４）が形成される。この第２の絶縁金属基板（５０）は
シリコン樹脂（図２の符号（５２）参照）によってケー
ス材（１０）の枠（１２）に結合される。そして、この
接着に使用されたシリコン樹脂が第１の絶縁金属基板
（３０）と図示しない放熱板間の絶縁性能を向上させ
る。
れる第２の絶縁金属基板（５０）の斜視図である。第２
の絶縁金属基板（５０）は第１の絶縁金属基板（３０）
と同一の素材であり、ケース材（１０）の放熱板に結合
するネジのための孔（２２）に対応する位置に孔（５
４）が形成される。この第２の絶縁金属基板（５０）は
シリコン樹脂（図２の符号（５２）参照）によってケー
ス材（１０）の枠（１２）に結合される。そして、この
接着に使用されたシリコン樹脂が第１の絶縁金属基板
（３０）と図示しない放熱板間の絶縁性能を向上させ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上に詳述した如く、本発明に依れば、
外部リード端子固着時に半田ボールがケース材の壁体と
基板間に飛散ったとしても、それら両者は非当接状にあ
るため半田ボールが加圧により変形することがない。そ
の結果、半田ボールによるシュート不良を皆無にするこ
とができ信頼性面で優れた混成集積回路装置を提供する
ことができる。
外部リード端子固着時に半田ボールがケース材の壁体と
基板間に飛散ったとしても、それら両者は非当接状にあ
るため半田ボールが加圧により変形することがない。そ
の結果、半田ボールによるシュート不良を皆無にするこ
とができ信頼性面で優れた混成集積回路装置を提供する
ことができる。
【００３０】また、ケース材に集積回路素子搭載領域と
外部リード固着領域を分割する壁体を形成し、シリコン
ゲルと熱硬化性樹脂の充填のための開口部が同一方向に
形成されていることにより、シリコンゾルの飛散等によ
る外部リード固着部の汚染の問題はない。この結果、過
酷なヒートサイクルが加えられる場合にも、パッドの剥
離を生じない高信頼のシリコンゲル充填型の混成集積回
路装置を提供することができる。
外部リード固着領域を分割する壁体を形成し、シリコン
ゲルと熱硬化性樹脂の充填のための開口部が同一方向に
形成されていることにより、シリコンゾルの飛散等によ
る外部リード固着部の汚染の問題はない。この結果、過
酷なヒートサイクルが加えられる場合にも、パッドの剥
離を生じない高信頼のシリコンゲル充填型の混成集積回
路装置を提供することができる。
【図１】本発明を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】ケース材の斜視図である。
【図４】第１の絶縁金属基板の斜視図である。
【図５】半田ボール発生を示す断面図である。
【図６】ケース材と第１の金属基板とを一体化した斜視
図である。
図である。
【図７】半田ボールが非当接領域内に収納されることを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】第２の絶縁金属基板を示す斜視図である。
【図９】従来例を示す断面図である。
【図１０】半田ボールが飛散された状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図１１】半田ボールによって隣接する導電路がショー
トすることを示す断面図である。
トすることを示す断面図である。
３ 半田ボール １０ ケース材 １２ 壁体 １６ 集積回路素子搭載領域 １８ 外部リード固着領域 ３０ 第１の絶縁金属基板 ３２ 絶縁層 ３８ 外部リード用パッド ４０ ワイアボンディングパッド ４２ ダイボンドパッド ４４ 外部リード端子 ４６ 集積回路素子 ５０ 第２の絶縁金属基板 ５２ 絶縁層 ５６ シリコンゲル ５７ シリコン接着剤 ５８ 熱硬化性樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 回路パターン上に複数の集積回路素子お
よび外部リード端子を固着、搭載した絶縁金属基板と、 前記集積回路素子の搭載領域と前記外部リード端子の固
着領域とを分割する壁体を少なくとも備える略枠形状の
樹脂製ケース材と、 前記集積回路素子の搭載領域および前記外部リード端子
の固着領域に充填される樹脂とを具備し、 前記絶縁金属基板の電気的接続に使用される半田が、溶
融時に前記壁体の底面部に飛散しても、前記飛散した半
田が押しつぶされない間隔で、前記壁体の底面部と前記
絶縁金属基板表面との間に非当接領域を形成し、前記非
当接領域に接着性樹脂を介在させたことを特徴とする混
成集積回路装置。 - 【請求項２】 回路パターン上に複数の集積回路素子お
よび外部リード端子を固着、搭載した絶縁金属基板と、 前記集積回路素子の搭載領域と前記外部リード端子の固
着領域とを分割する壁体を少なくとも備える略枠形状の
樹脂製ケース材とを具備し、 前記壁体の底面部と前記絶縁金属基板との間に非当接領
域を形成し、前記壁体の底面部または／および前記非当
接領域に対応する前記絶縁金属基板上にチクソ性の大き
い接着性樹脂を設けたことを特徴とする混成集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16129692A JP2859036B2 (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16129692A JP2859036B2 (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065739A JPH065739A (ja) | 1994-01-14 |
| JP2859036B2 true JP2859036B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=15732416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16129692A Expired - Lifetime JP2859036B2 (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2859036B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3122546U (ja) * | 2006-04-05 | 2006-06-15 | 雅博 長勢 | 建屋壁体への配管構造 |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP16129692A patent/JP2859036B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065739A (ja) | 1994-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2698278B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP3228339B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000277649A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH1116949A (ja) | Ａｃｆ接合構造 | |
| JPH0997815A (ja) | フリップチップ接合方法およびそれにより得られる半導体パッケージ | |
| JP3743716B2 (ja) | フレキシブル配線基板及び半導体素子の実装方法 | |
| JP2859036B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| KR940027134A (ko) | 반도체집적회로장치의 제조방법 | |
| JPH06163746A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2798861B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2854192B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2975782B2 (ja) | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH0951018A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001068604A (ja) | 固定樹脂、異方性導電樹脂、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JPH0451582A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2752286B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP3096510B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS63284831A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH06268094A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP3176325B2 (ja) | 実装構造体とその製造方法 | |
| JP2637684B2 (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JPH0613499A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH1084055A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2822987B2 (ja) | 電子回路パッケージ組立体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081204 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091204 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101204 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101204 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111204 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 14 |