JP2000277649A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000277649A JP2000277649A JP11083895A JP8389599A JP2000277649A JP 2000277649 A JP2000277649 A JP 2000277649A JP 11083895 A JP11083895 A JP 11083895A JP 8389599 A JP8389599 A JP 8389599A JP 2000277649 A JP2000277649 A JP 2000277649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- solder
- bump
- substrate
- metal pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 その周囲に絶縁層７が形成されたバンプ用電
極５を有する基板１上に半導体チップ２を搭載すると共
に、母基板に実装するための複数のハンダバンプ６をバ
ンプ用電極５と電気的に接続して設けた半導体装置であ
って、ハンダバンプ６の内部に亀裂が少ない半導体装置
を提供する。 【解決手段】 バンプ用電極５とハンダバンプ６との間
に、絶縁層７より厚み方向に突出する厚みの金属パッド
８を設け、その金属パッド８を介してハンダバンプ６と
バンプ用電極５とを電気的に接続する。
極５を有する基板１上に半導体チップ２を搭載すると共
に、母基板に実装するための複数のハンダバンプ６をバ
ンプ用電極５と電気的に接続して設けた半導体装置であ
って、ハンダバンプ６の内部に亀裂が少ない半導体装置
を提供する。 【解決手段】 バンプ用電極５とハンダバンプ６との間
に、絶縁層７より厚み方向に突出する厚みの金属パッド
８を設け、その金属パッド８を介してハンダバンプ６と
バンプ用電極５とを電気的に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器等
に使用される半導体装置及びその製造方法に関するもの
である。
に使用される半導体装置及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高機能化に伴い、母基板に
実装するための外部端子の数は増大する傾向にある。そ
のため、半導体装置の１つの面にボール状の端子を格子
状に形成した、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）半導体
装置と呼ばれる半導体装置が検討されている。
実装するための外部端子の数は増大する傾向にある。そ
のため、半導体装置の１つの面にボール状の端子を格子
状に形成した、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）半導体
装置と呼ばれる半導体装置が検討されている。
【０００３】この半導体装置は、図５に示すように、配
線回路を有する基板１上に半導体チップ２が搭載される
と共に、その半導体チップ２と基板１がボンディングワ
イヤー３で電気的に接続されており、その基板１の半導
体チップ２を搭載した部分は、封止材４で封止されてい
る。また、基板１の表面には、半導体チップ２と電気的
に接続された複数のバンプ用電極５が形成されており、
そのバンプ用電極５にハンダバンプ６が接続されてい
る。そして、この半導体装置を母基板に実装するときに
は、ハンダバンプ６が溶融して、半導体装置と母基板の
電気的な接続を行うようになっている。なお、バンプ用
電極５の周囲には、ソルダーレジスト等を塗布すること
によって絶縁層７が形成されており、ハンダバンプ６が
溶融した際に、隣合うハンダバンプ６，６が接続しない
ようになっている。
線回路を有する基板１上に半導体チップ２が搭載される
と共に、その半導体チップ２と基板１がボンディングワ
イヤー３で電気的に接続されており、その基板１の半導
体チップ２を搭載した部分は、封止材４で封止されてい
る。また、基板１の表面には、半導体チップ２と電気的
に接続された複数のバンプ用電極５が形成されており、
そのバンプ用電極５にハンダバンプ６が接続されてい
る。そして、この半導体装置を母基板に実装するときに
は、ハンダバンプ６が溶融して、半導体装置と母基板の
電気的な接続を行うようになっている。なお、バンプ用
電極５の周囲には、ソルダーレジスト等を塗布すること
によって絶縁層７が形成されており、ハンダバンプ６が
溶融した際に、隣合うハンダバンプ６，６が接続しない
ようになっている。
【０００４】上記バンプ用電極５にハンダバンプ６を形
成する方法としては、予め球状に形成したハンダボール
をバンプ用電極５に接合する方法や、その周囲に絶縁層
７が形成されたバンプ用電極５を有する基板１上に、印
刷等によってハンダペーストを供給した後、加熱するこ
とにより、ハンダペーストをバンプ用電極５の部分で球
状に凝集させてハンダバンプ６を形成する方法が行われ
ている。
成する方法としては、予め球状に形成したハンダボール
をバンプ用電極５に接合する方法や、その周囲に絶縁層
７が形成されたバンプ用電極５を有する基板１上に、印
刷等によってハンダペーストを供給した後、加熱するこ
とにより、ハンダペーストをバンプ用電極５の部分で球
状に凝集させてハンダバンプ６を形成する方法が行われ
ている。
【０００５】しかし、この半導体装置は、バンプ用電極
５にハンダバンプ６を形成する際に、ハンダバンプ６の
内部に亀裂が発生する場合があり、電気的信頼性が低い
という問題があった。そのため、ハンダバンプの内部に
亀裂が少なく、信頼性の高い半導体装置が求められてい
る。
５にハンダバンプ６を形成する際に、ハンダバンプ６の
内部に亀裂が発生する場合があり、電気的信頼性が低い
という問題があった。そのため、ハンダバンプの内部に
亀裂が少なく、信頼性の高い半導体装置が求められてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、母基板に実装するためのハンダバンプを設けた半
導体装置であって、ハンダバンプの内部に亀裂が少ない
半導体装置を提供することにある。また、ハンダバンプ
の内部に亀裂が発生しにくい、半導体装置の製造方法を
提供することにある。
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、母基板に実装するためのハンダバンプを設けた半
導体装置であって、ハンダバンプの内部に亀裂が少ない
半導体装置を提供することにある。また、ハンダバンプ
の内部に亀裂が発生しにくい、半導体装置の製造方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、その周囲に絶縁層が形成されたバンプ用電極を有す
る基板上に半導体チップを搭載すると共に、母基板に実
装するための複数のハンダバンプをバンプ用電極と電気
的に接続して設けた半導体装置において、バンプ用電極
とハンダバンプとの間に、絶縁層より厚み方向に突出す
る厚みの金属パッドを備え、その金属パッドを介してハ
ンダバンプとバンプ用電極とが電気的に接続しているこ
とを特徴とする。
は、その周囲に絶縁層が形成されたバンプ用電極を有す
る基板上に半導体チップを搭載すると共に、母基板に実
装するための複数のハンダバンプをバンプ用電極と電気
的に接続して設けた半導体装置において、バンプ用電極
とハンダバンプとの間に、絶縁層より厚み方向に突出す
る厚みの金属パッドを備え、その金属パッドを介してハ
ンダバンプとバンプ用電極とが電気的に接続しているこ
とを特徴とする。
【０００８】上記金属パッドは、金属メッキにより形成
されてなると好ましく、特に銅メッキや、ハンダメッキ
により形成されてなると好ましい。
されてなると好ましく、特に銅メッキや、ハンダメッキ
により形成されてなると好ましい。
【０００９】本発明に係る半導体装置の製造方法は、そ
の周囲に絶縁層が形成されたバンプ用電極を有する基板
上に半導体チップを搭載すると共に、母基板に実装する
ための複数のハンダバンプをバンプ用電極と電気的に接
続して製造する半導体装置の製造方法において、ハンダ
バンプをバンプ用電極と電気的に接続する方法が、バン
プ用電極の表面に接して絶縁層より厚み方向に突出する
厚みの金属パッドを設けた後、その金属パッドに接する
ようにハンダバンプを設ける方法であることを特徴とす
る。
の周囲に絶縁層が形成されたバンプ用電極を有する基板
上に半導体チップを搭載すると共に、母基板に実装する
ための複数のハンダバンプをバンプ用電極と電気的に接
続して製造する半導体装置の製造方法において、ハンダ
バンプをバンプ用電極と電気的に接続する方法が、バン
プ用電極の表面に接して絶縁層より厚み方向に突出する
厚みの金属パッドを設けた後、その金属パッドに接する
ようにハンダバンプを設ける方法であることを特徴とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置を図面に
基づいて説明する。図１は本発明に係る半導体装置の一
実施の形態を説明する断面図である。また、図２は本発
明に係る半導体装置の製造方法の、一実施の形態を説明
する断面図であり、図３は本発明に係る半導体装置の製
造方法の、他の実施の形態を説明する断面図である。ま
た、図４は半導体装置を破断して示した要部拡大図であ
り、（ａ）は本発明に係る半導体装置を示し、（ｂ）は
従来の半導体装置を示す。
基づいて説明する。図１は本発明に係る半導体装置の一
実施の形態を説明する断面図である。また、図２は本発
明に係る半導体装置の製造方法の、一実施の形態を説明
する断面図であり、図３は本発明に係る半導体装置の製
造方法の、他の実施の形態を説明する断面図である。ま
た、図４は半導体装置を破断して示した要部拡大図であ
り、（ａ）は本発明に係る半導体装置を示し、（ｂ）は
従来の半導体装置を示す。
【００１１】本発明に係る半導体装置の一実施の形態
は、図１に示すような、配線回路を有する基板１上に半
導体チップ２が搭載されると共に、その半導体チップ２
と基板１がボンディングワイヤー３で電気的に接続され
ており、その基板１の半導体チップ２を搭載した部分
は、封止材４で封止されている半導体装置である。ま
た、基板１の表面には、半導体チップ２と電気的に接続
された複数のバンプ用電極５が形成されており、そのバ
ンプ用電極５の周囲には、絶縁層７が形成されている。
は、図１に示すような、配線回路を有する基板１上に半
導体チップ２が搭載されると共に、その半導体チップ２
と基板１がボンディングワイヤー３で電気的に接続され
ており、その基板１の半導体チップ２を搭載した部分
は、封止材４で封止されている半導体装置である。ま
た、基板１の表面には、半導体チップ２と電気的に接続
された複数のバンプ用電極５が形成されており、そのバ
ンプ用電極５の周囲には、絶縁層７が形成されている。
【００１２】バンプ用電極５は、配線回路を介して半導
体チップ２と電気的に接続されており、更にバンプ用電
極５には、ハンダバンプ６が接続されている。そして、
この半導体装置を母基板に実装するときには、ハンダバ
ンプ６が溶融して、半導体装置と母基板の電気的な接続
を行うようになっている。なお、バンプ用電極５の周囲
には絶縁層７が形成されているため、ハンダバンプ６が
溶融した際に、隣合うハンダバンプ６が接続しないよう
になっている。
体チップ２と電気的に接続されており、更にバンプ用電
極５には、ハンダバンプ６が接続されている。そして、
この半導体装置を母基板に実装するときには、ハンダバ
ンプ６が溶融して、半導体装置と母基板の電気的な接続
を行うようになっている。なお、バンプ用電極５の周囲
には絶縁層７が形成されているため、ハンダバンプ６が
溶融した際に、隣合うハンダバンプ６が接続しないよう
になっている。
【００１３】そして、バンプ用電極５とハンダバンプ６
との間には、絶縁層７より厚み方向に突出する厚みの金
属パッド８が形成されており、その金属パッド８を介し
てハンダバンプ６とバンプ用電極５とが電気的に接続さ
れている。
との間には、絶縁層７より厚み方向に突出する厚みの金
属パッド８が形成されており、その金属パッド８を介し
てハンダバンプ６とバンプ用電極５とが電気的に接続さ
れている。
【００１４】この半導体装置は、例えば図２に示すよう
な工程で製造されている。材料として、図２（ａ）に示
すような、その周囲に絶縁層７が形成されたバンプ用電
極５を有する基板１を用いる。そして、バンプ用電極５
の表面に、金属メッキを行ったり、金属片を接合する方
法により、図２（ｂ）に示すように、バンプ用電極５の
表面に金属パッド８を形成する。なおこの際、金属メッ
キを行う方法の場合には、バンプ用電極５の周囲に形成
された絶縁層７の厚みより、メッキ厚が厚くなるように
条件を調整することにより、絶縁層７より厚み方向に突
出する厚みの金属パッド８を形成する。また、金属片を
接合する方法の場合には、バンプ用電極５の周囲に形成
された絶縁層７の厚みより、厚みが厚い金属片を選択し
て接合することにより、絶縁層７より厚み方向に突出す
る厚みの金属パッド８を形成する。
な工程で製造されている。材料として、図２（ａ）に示
すような、その周囲に絶縁層７が形成されたバンプ用電
極５を有する基板１を用いる。そして、バンプ用電極５
の表面に、金属メッキを行ったり、金属片を接合する方
法により、図２（ｂ）に示すように、バンプ用電極５の
表面に金属パッド８を形成する。なおこの際、金属メッ
キを行う方法の場合には、バンプ用電極５の周囲に形成
された絶縁層７の厚みより、メッキ厚が厚くなるように
条件を調整することにより、絶縁層７より厚み方向に突
出する厚みの金属パッド８を形成する。また、金属片を
接合する方法の場合には、バンプ用電極５の周囲に形成
された絶縁層７の厚みより、厚みが厚い金属片を選択し
て接合することにより、絶縁層７より厚み方向に突出す
る厚みの金属パッド８を形成する。
【００１５】なお、金属メッキで金属パッド８を形成す
る方法の場合、一度に多数のバンプ用電極５の表面に金
属パッド８を形成することが可能なため、生産性が優れ
好ましく、金属片を接合する方法の場合、厚みが厚い金
属片を選択することにより、金属パッド８を確実に絶縁
層７より厚み方向に突出して形成でき好ましい。
る方法の場合、一度に多数のバンプ用電極５の表面に金
属パッド８を形成することが可能なため、生産性が優れ
好ましく、金属片を接合する方法の場合、厚みが厚い金
属片を選択することにより、金属パッド８を確実に絶縁
層７より厚み方向に突出して形成でき好ましい。
【００１６】金属パッド８が、絶縁層７より厚み方向に
突出する、その突起量としては、１００μｍ以下が好ま
しい。１００μｍを超える場合、実装に有効なハンダバ
ンプ６のサイズが小さくなるため、反った半導体装置を
母基板に実装する場合や、半導体装置を反った母基板に
実装する場合に、母基板と接続しないハンダバンプ６が
生じる場合が有る。
突出する、その突起量としては、１００μｍ以下が好ま
しい。１００μｍを超える場合、実装に有効なハンダバ
ンプ６のサイズが小さくなるため、反った半導体装置を
母基板に実装する場合や、半導体装置を反った母基板に
実装する場合に、母基板と接続しないハンダバンプ６が
生じる場合が有る。
【００１７】金属パッド８を形成する金属としては、特
に限定するものではないが、ハンダ濡れ性や絶縁層７と
の密着性が優れた金属が好ましい。上記金属メッキとし
て銅メッキを行った場合、得られる金属パッド８の導電
性が優れ好ましく、ハンダメッキを行った場合、ハンダ
バンプ６を形成した際に、金属パッド８とハンダバンプ
６が一体化するため、実装に有効なハンダバンプ６のサ
イズが大きくなり好ましい。また、銅メッキを行って形
成した銅パッドの表面に、ニッケルメッキを行った金属
パッド８の場合、導電性が優れると共に、ハンダ濡れ性
や絶縁層７との密着性が特に優れ好ましい。
に限定するものではないが、ハンダ濡れ性や絶縁層７と
の密着性が優れた金属が好ましい。上記金属メッキとし
て銅メッキを行った場合、得られる金属パッド８の導電
性が優れ好ましく、ハンダメッキを行った場合、ハンダ
バンプ６を形成した際に、金属パッド８とハンダバンプ
６が一体化するため、実装に有効なハンダバンプ６のサ
イズが大きくなり好ましい。また、銅メッキを行って形
成した銅パッドの表面に、ニッケルメッキを行った金属
パッド８の場合、導電性が優れると共に、ハンダ濡れ性
や絶縁層７との密着性が特に優れ好ましい。
【００１８】次いで、図２（ｃ）に示すように、基板１
の表面に半導体チップ２を装着した後、基板１表面の配
線回路と半導体チップ２をボンディングワイヤー３等で
接続し、次いで、半導体チップ２及びその周囲を、エポ
キシ樹脂等の封止材４でコーティングした後、樹脂を硬
化させて封止する。次いで、図２（ｄ）に示すように、
予め球状に形成したハンダボールを金属パッド８に接合
することにより、ハンダバンプ６を形成すると共に、ハ
ンダバンプ６とバンプ用電極５とを電気的に接続して半
導体装置を製造する。
の表面に半導体チップ２を装着した後、基板１表面の配
線回路と半導体チップ２をボンディングワイヤー３等で
接続し、次いで、半導体チップ２及びその周囲を、エポ
キシ樹脂等の封止材４でコーティングした後、樹脂を硬
化させて封止する。次いで、図２（ｄ）に示すように、
予め球状に形成したハンダボールを金属パッド８に接合
することにより、ハンダバンプ６を形成すると共に、ハ
ンダバンプ６とバンプ用電極５とを電気的に接続して半
導体装置を製造する。
【００１９】バンプ用電極５にハンダバンプ６を形成す
る方法としては、図３（ｄ）に示すように、バンプ用電
極５及びその周囲の絶縁層７の表面に、印刷等によって
ハンダペースト６１を供給した後、加熱することによ
り、図３（ｅ）に示すように、ハンダペースト６１をバ
ンプ用電極５の部分で球状に凝集させてハンダバンプ６
を形成するようにしても良い。ハンダボールをバンプ用
電極５に接合する方法の場合、バンプ用電極５の大きさ
がほぼ均一になり好ましく、ハンダペースト６１を供給
して形成する方法の場合、ハンダボールを形成する工程
が不要になるため、コスト的に優れ好ましい。
る方法としては、図３（ｄ）に示すように、バンプ用電
極５及びその周囲の絶縁層７の表面に、印刷等によって
ハンダペースト６１を供給した後、加熱することによ
り、図３（ｅ）に示すように、ハンダペースト６１をバ
ンプ用電極５の部分で球状に凝集させてハンダバンプ６
を形成するようにしても良い。ハンダボールをバンプ用
電極５に接合する方法の場合、バンプ用電極５の大きさ
がほぼ均一になり好ましく、ハンダペースト６１を供給
して形成する方法の場合、ハンダボールを形成する工程
が不要になるため、コスト的に優れ好ましい。
【００２０】なお、予め球状に形成したハンダボールを
用いてハンダバンプ６を形成する方法の場合、図４
（ｂ）に示すような、従来の金属パッド８を備えない半
導体装置の場合には、ハンダボールをバンプ用電極５に
接合する際に、ハンダを多少溶融させて、絶縁層７，７
とバンプ用電極５とによって形成される凹部にハンダを
侵入させる必要があるため、その際に絶縁層７の角部で
ハンダバンプ６の内部にストレスが発生し、ハンダバン
プ６の内部に亀裂Ａが発生しやすくなる。
用いてハンダバンプ６を形成する方法の場合、図４
（ｂ）に示すような、従来の金属パッド８を備えない半
導体装置の場合には、ハンダボールをバンプ用電極５に
接合する際に、ハンダを多少溶融させて、絶縁層７，７
とバンプ用電極５とによって形成される凹部にハンダを
侵入させる必要があるため、その際に絶縁層７の角部で
ハンダバンプ６の内部にストレスが発生し、ハンダバン
プ６の内部に亀裂Ａが発生しやすくなる。
【００２１】しかし、図４（ａ）に示すような、絶縁層
７より厚み方向に突出する厚みの金属パッド８を備えた
半導体装置の場合、絶縁層７，７とバンプ用電極５との
間に凹部が形成され無いため、ハンダバンプ６の内部に
ストレスが発生しにくく、ハンダバンプ６の内部に亀裂
が発生しにくくなる。
７より厚み方向に突出する厚みの金属パッド８を備えた
半導体装置の場合、絶縁層７，７とバンプ用電極５との
間に凹部が形成され無いため、ハンダバンプ６の内部に
ストレスが発生しにくく、ハンダバンプ６の内部に亀裂
が発生しにくくなる。
【００２２】また、ハンダペースト６１を供給してハン
ダバンプ６を形成する方法の場合も、図４（ｂ）に示す
ような、従来の金属パッド８を備えない半導体装置の場
合、ハンダペースト６１が球状に凝集する際に、絶縁層
７の角部でハンダバンプ６の内部にストレスが発生し、
ハンダバンプ６の内部に亀裂Ａが発生しやすくなるが、
図４（ａ）に示すような、絶縁層７より厚み方向に突出
する厚みの金属パッド８を備えた半導体装置の場合、絶
縁層７の角部が無いため、ハンダバンプ６の内部にスト
レスが発生しにくく、ハンダバンプの内部に亀裂が発生
しにくくなる。
ダバンプ６を形成する方法の場合も、図４（ｂ）に示す
ような、従来の金属パッド８を備えない半導体装置の場
合、ハンダペースト６１が球状に凝集する際に、絶縁層
７の角部でハンダバンプ６の内部にストレスが発生し、
ハンダバンプ６の内部に亀裂Ａが発生しやすくなるが、
図４（ａ）に示すような、絶縁層７より厚み方向に突出
する厚みの金属パッド８を備えた半導体装置の場合、絶
縁層７の角部が無いため、ハンダバンプ６の内部にスト
レスが発生しにくく、ハンダバンプの内部に亀裂が発生
しにくくなる。
【００２３】なお、上記の実施の形態の製造方法は、金
属パッド８を形成した後に、基板１に半導体チップ２を
搭載する実施の形態を説明したが、半導体チップ２を搭
載する工程の位置は特に限定するものではなく、金属パ
ッド８を形成する前や、ハンダバンプ６を形成した後で
も良い。
属パッド８を形成した後に、基板１に半導体チップ２を
搭載する実施の形態を説明したが、半導体チップ２を搭
載する工程の位置は特に限定するものではなく、金属パ
ッド８を形成する前や、ハンダバンプ６を形成した後で
も良い。
【００２４】また、本発明に用いられる基板１として
は、その周囲に絶縁層７が形成されたバンプ用電極５を
有する基板１であれば特に限定するものではなく、例え
ば、エポキシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹
脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエー
テル樹脂系等の熱硬化性樹脂や、これらの熱硬化性樹脂
に無機充填材等を配合したもののシートの片面又は両面
に金属箔が張られている板や、ガラス等の無機質繊維や
ポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機質繊維のクロ
ス、ペーパー等の基材を、上記熱硬化性樹脂等で接着
し、片面又は両面に金属箔が張られている板や、セラミ
ック板等の無機系の板を用いて、金属メッキを行った
後、所定の部分をエッチングしてバンプ用電極５等の配
線回路を形成した後、ソルダーレジスト等を塗布するこ
とによって絶縁層７を形成したもの、及び、金属箔が張
られていない板に金属メッキを行い、バンプ用電極５等
の配線回路を形成した後、ソルダーレジスト等を塗布す
ることによって絶縁層７を形成したもの等が挙げられ
る。なお、配線回路を形成する金属としては、電気的信
頼性より銅や、銅の表面に金めっき層を形成したものが
好ましい。
は、その周囲に絶縁層７が形成されたバンプ用電極５を
有する基板１であれば特に限定するものではなく、例え
ば、エポキシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹
脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエー
テル樹脂系等の熱硬化性樹脂や、これらの熱硬化性樹脂
に無機充填材等を配合したもののシートの片面又は両面
に金属箔が張られている板や、ガラス等の無機質繊維や
ポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機質繊維のクロ
ス、ペーパー等の基材を、上記熱硬化性樹脂等で接着
し、片面又は両面に金属箔が張られている板や、セラミ
ック板等の無機系の板を用いて、金属メッキを行った
後、所定の部分をエッチングしてバンプ用電極５等の配
線回路を形成した後、ソルダーレジスト等を塗布するこ
とによって絶縁層７を形成したもの、及び、金属箔が張
られていない板に金属メッキを行い、バンプ用電極５等
の配線回路を形成した後、ソルダーレジスト等を塗布す
ることによって絶縁層７を形成したもの等が挙げられ
る。なお、配線回路を形成する金属としては、電気的信
頼性より銅や、銅の表面に金めっき層を形成したものが
好ましい。
【００２５】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置は、バンプ用電
極とハンダバンプとの間に、絶縁層より厚み方向に突出
する厚みの金属パッドを備え、その金属パッドを介して
ハンダバンプとバンプ用電極とが電気的に接続している
ため、ハンダバンプの内部に亀裂が少ない半導体装置と
なる。
極とハンダバンプとの間に、絶縁層より厚み方向に突出
する厚みの金属パッドを備え、その金属パッドを介して
ハンダバンプとバンプ用電極とが電気的に接続している
ため、ハンダバンプの内部に亀裂が少ない半導体装置と
なる。
【００２６】本発明の請求項２に係る半導体装置は、上
記の効果に加え、一度に多数のバンプ用電極の表面に金
属パッドを形成することが可能となり、生産性が優れた
半導体装置となる。
記の効果に加え、一度に多数のバンプ用電極の表面に金
属パッドを形成することが可能となり、生産性が優れた
半導体装置となる。
【００２７】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ハ
ンダバンプをバンプ用電極と電気的に接続する方法が、
バンプ用電極の表面に接して絶縁層より厚み方向に突出
する厚みの金属パッドを設けた後、その金属パッドに接
するようにハンダバンプを設ける方法であるため、ハン
ダバンプの内部に亀裂が発生しにくい半導体装置を得る
ことが可能となる。
ンダバンプをバンプ用電極と電気的に接続する方法が、
バンプ用電極の表面に接して絶縁層より厚み方向に突出
する厚みの金属パッドを設けた後、その金属パッドに接
するようにハンダバンプを設ける方法であるため、ハン
ダバンプの内部に亀裂が発生しにくい半導体装置を得る
ことが可能となる。
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施の形態を説明
する断面図である。
する断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の、一実施
の形態を説明する断面図である。
の形態を説明する断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の、他の実
施の形態を説明する断面図である。
施の形態を説明する断面図である。
【図４】半導体装置を破断して示した要部拡大図であ
り、（ａ）は本発明に係る半導体装置を示し、（ｂ）は
従来の半導体装置を示す。
り、（ａ）は本発明に係る半導体装置を示し、（ｂ）は
従来の半導体装置を示す。
【図５】従来の半導体装置を説明する断面図である。
１ 基板 ２ 半導体チップ ３ ボンディングワイヤー ４ 封止材 ５ バンプ用電極 ６ ハンダバンプ ７ 絶縁層 ８ 金属パッド Ａ 亀裂
Claims (5)
- 【請求項１】 その周囲に絶縁層が形成されたバンプ用
電極を有する基板上に半導体チップを搭載すると共に、
母基板に実装するための複数のハンダバンプをバンプ用
電極と電気的に接続して設けた半導体装置において、バ
ンプ用電極とハンダバンプとの間に、絶縁層より厚み方
向に突出する厚みの金属パッドを備え、その金属パッド
を介してハンダバンプとバンプ用電極とが電気的に接続
していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 金属パッドが、金属メッキにより形成さ
れてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 金属パッドが、銅メッキにより形成され
てなることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半
導体装置。 - 【請求項４】 金属パッドが、ハンダメッキにより形成
されてなることを特徴とする請求項１又は請求項２記載
の半導体装置。 - 【請求項５】 その周囲に絶縁層が形成されたバンプ用
電極を有する基板上に半導体チップを搭載すると共に、
母基板に実装するための複数のハンダバンプをバンプ用
電極と電気的に接続して製造する半導体装置の製造方法
において、ハンダバンプをバンプ用電極と電気的に接続
する方法が、バンプ用電極の表面に接して絶縁層より厚
み方向に突出する厚みの金属パッドを設けた後、その金
属パッドに接するようにハンダバンプを設ける方法であ
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083895A JP2000277649A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083895A JP2000277649A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277649A true JP2000277649A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13815379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11083895A Pending JP2000277649A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277649A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002097877A1 (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | Infineon Technologies Ag | A method of packaging a semiconductor chip |
| JP2003007912A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP2008504696A (ja) * | 2004-06-25 | 2008-02-14 | テッセラ，インコーポレイテッド | ポストおよびパッドを有する部品 |
| US8531039B2 (en) | 2003-12-30 | 2013-09-10 | Tessera, Inc. | Micro pin grid array with pin motion isolation |
| US8580607B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
| US8604348B2 (en) | 2003-10-06 | 2013-12-10 | Tessera, Inc. | Method of making a connection component with posts and pads |
| US8641913B2 (en) | 2003-10-06 | 2014-02-04 | Tessera, Inc. | Fine pitch microcontacts and method for forming thereof |
| US8723318B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-05-13 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with dual or multiple-etched flip-chip connectors |
| US8853558B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-10-07 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
| US8884448B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-11-11 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with double post |
| US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US10535626B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-01-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US11973056B2 (en) | 2022-12-22 | 2024-04-30 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Methods for low temperature bonding using nanoparticles |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP11083895A patent/JP2000277649A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002097877A1 (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | Infineon Technologies Ag | A method of packaging a semiconductor chip |
| JP2003007912A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP4557461B2 (ja) * | 2001-06-26 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
| US8604348B2 (en) | 2003-10-06 | 2013-12-10 | Tessera, Inc. | Method of making a connection component with posts and pads |
| US8641913B2 (en) | 2003-10-06 | 2014-02-04 | Tessera, Inc. | Fine pitch microcontacts and method for forming thereof |
| US8531039B2 (en) | 2003-12-30 | 2013-09-10 | Tessera, Inc. | Micro pin grid array with pin motion isolation |
| JP2008504696A (ja) * | 2004-06-25 | 2008-02-14 | テッセラ，インコーポレイテッド | ポストおよびパッドを有する部品 |
| US8884448B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-11-11 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with double post |
| US8723318B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-05-13 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with dual or multiple-etched flip-chip connectors |
| US8580607B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
| US9030001B2 (en) | 2010-07-27 | 2015-05-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
| US9397063B2 (en) | 2010-07-27 | 2016-07-19 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
| US8853558B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-10-07 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
| US9496236B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-11-15 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
| US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US9818713B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-11-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US10535626B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-01-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US10886250B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-05 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US10892246B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-12 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US11710718B2 (en) | 2015-07-10 | 2023-07-25 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US11973056B2 (en) | 2022-12-22 | 2024-04-30 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Methods for low temperature bonding using nanoparticles |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1445995B1 (en) | Method of mounting an electronic component on a circuit board and system for carrying out the method | |
| US5773884A (en) | Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto | |
| GB2286084A (en) | Electronic package with thermally conductive support | |
| KR19990082715A (ko) | 반도체장치 | |
| JP2000332055A (ja) | フリップチップ実装構造及び実装方法 | |
| JP3593833B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000277649A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2011009372A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH1126631A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH1116949A (ja) | Ａｃｆ接合構造 | |
| JP3925752B2 (ja) | バンプ付き配線基板及び半導体パッケ−ジの製造法 | |
| JP4085572B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4035949B2 (ja) | 配線基板及びそれを用いた半導体装置、ならびにその製造方法 | |
| JP3225800B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005340393A (ja) | 小型実装モジュール及びその製造方法 | |
| JP3394479B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0831871A (ja) | 電子部品を表面実装する際に使用する界面封止用フィルム、及び電子部品の表面実装構造 | |
| JP3070544B2 (ja) | ボール・グリッド・アレイ型半導体装置 | |
| JPH11340352A (ja) | 実装構造体 | |
| JPH11163054A (ja) | 半導体装置の構造及びその製造方法 | |
| JP3337922B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3547270B2 (ja) | 実装構造体およびその製造方法 | |
| JP2000150577A (ja) | 配線基板とその製造方法、半導体装置、これらを用いた電気部品とその製造方法 | |
| TWI393197B (zh) | 晶片封裝 | |
| JP3598058B2 (ja) | 回路基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |