JP3070544B2 - ボール・グリッド・アレイ型半導体装置 - Google Patents
ボール・グリッド・アレイ型半導体装置Info
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- JP3070544B2 JP3070544B2 JP9282211A JP28221197A JP3070544B2 JP 3070544 B2 JP3070544 B2 JP 3070544B2 JP 9282211 A JP9282211 A JP 9282211A JP 28221197 A JP28221197 A JP 28221197A JP 3070544 B2 JP3070544 B2 JP 3070544B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特に
ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置に関
する。
ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の小型軽量化は著し
く、特に携帯電話に代表される携帯型電子機器に用いら
れる半導体装置として、特開平７−３２１１５７号公報
に開示されているような装置がある。この装置は、図７
のように配線パターン２を有する電気絶縁基板３の片面
に外部端子７を有し、反対面を半導体素子１の電極端子
８を有する面に張合わせ、半導体素子１の電極端子８と
電気絶縁基板３の配線パターン２とを電気的に接続した
構造を有している。４はソルダーレジストである。以下
この装置をファインピッチＢＧＡという。このようなフ
ァインピッチＢＧＡの外部端子は、電気絶縁基板上の電
極パッドに球状またはペレット状の金属ロー材を仮付け
したり、あるいは、金属ロー材を粉末状にし、フラック
スと混ぜペースト状にし、電極パッドにスクリーン印刷
し、その後金属ロー材の融点以上の温度でリフローする
ことで接着し、かつ形状を整えたものである。金属ロー
材には、共晶半田が多く用いられているが、球状の高融
点半田を共晶半田でコーティングしたものや球状の高融
点半田を共晶半田のペーストで接着するものもある。
く、特に携帯電話に代表される携帯型電子機器に用いら
れる半導体装置として、特開平７−３２１１５７号公報
に開示されているような装置がある。この装置は、図７
のように配線パターン２を有する電気絶縁基板３の片面
に外部端子７を有し、反対面を半導体素子１の電極端子
８を有する面に張合わせ、半導体素子１の電極端子８と
電気絶縁基板３の配線パターン２とを電気的に接続した
構造を有している。４はソルダーレジストである。以下
この装置をファインピッチＢＧＡという。このようなフ
ァインピッチＢＧＡの外部端子は、電気絶縁基板上の電
極パッドに球状またはペレット状の金属ロー材を仮付け
したり、あるいは、金属ロー材を粉末状にし、フラック
スと混ぜペースト状にし、電極パッドにスクリーン印刷
し、その後金属ロー材の融点以上の温度でリフローする
ことで接着し、かつ形状を整えたものである。金属ロー
材には、共晶半田が多く用いられているが、球状の高融
点半田を共晶半田でコーティングしたものや球状の高融
点半田を共晶半田のペーストで接着するものもある。
【０００３】従来、外部端子に球状の共晶半田を用いた
半導体装置には、ファインピッチＢＧＡ以外には、プラ
スチック・ボール・グリッド・アレイ（以下、Ｐ・ＢＧ
Ａという）といわれるものがある。Ｐ・ＢＧＡの場合、
外部端子は、ピッチが１ｍｍまたは１．２７ｍｍと比較
的に広く、外部端子である球状の共晶半田も直径０．７
ｍｍ〜０．９ｍｍと大きく、しかも共晶半田であるた
め、リフロー時に外部端子部分が完全に溶融し、半田の
表面張力に基づくセルフアライメントが働くため、基板
に実装する場合の位置合わせ精度はさほど必要なく、ま
た、実装後、はんだ接合部に加わるＰ・ＢＧＡと基板と
の熱膨張率の差から生じる熱ストレスは基板とＰ・ＢＧ
Ａ基体とのギャップが大きいほど小さくなるが、Ｐ・Ｂ
ＧＡの場合、このギャップが十分あり、基板とＰ・ＢＧ
Ａ基体との熱膨張率の差から生じる熱ストレスを外部端
子であるはんだボールに十分に吸収でき、この結果、高
い信頼性が得られるという特徴があった。
半導体装置には、ファインピッチＢＧＡ以外には、プラ
スチック・ボール・グリッド・アレイ（以下、Ｐ・ＢＧ
Ａという）といわれるものがある。Ｐ・ＢＧＡの場合、
外部端子は、ピッチが１ｍｍまたは１．２７ｍｍと比較
的に広く、外部端子である球状の共晶半田も直径０．７
ｍｍ〜０．９ｍｍと大きく、しかも共晶半田であるた
め、リフロー時に外部端子部分が完全に溶融し、半田の
表面張力に基づくセルフアライメントが働くため、基板
に実装する場合の位置合わせ精度はさほど必要なく、ま
た、実装後、はんだ接合部に加わるＰ・ＢＧＡと基板と
の熱膨張率の差から生じる熱ストレスは基板とＰ・ＢＧ
Ａ基体とのギャップが大きいほど小さくなるが、Ｐ・Ｂ
ＧＡの場合、このギャップが十分あり、基板とＰ・ＢＧ
Ａ基体との熱膨張率の差から生じる熱ストレスを外部端
子であるはんだボールに十分に吸収でき、この結果、高
い信頼性が得られるという特徴があった。
【０００４】これに対し、ファインピッチＢＧＡの外部
端子のピッチは、０．４ｍｍ〜０．８ｍｍ、外部端子の
大きさが０．１ｍｍ〜０．４ｍｍであり、基板に実装す
る場合の位置精度に高いレベルに要求されていた。ま
た、実装後基板とファインピッチＢＧＡ基体とのギャッ
プが狭くなり、かつファインピッチＢＧＡの場合外形サ
イズが半導体素子の外形サイズに近いため、全体の熱膨
張率が半導体素子の基材であるシリコンの影響を強く受
け、Ｐ・ＢＧＡと比べ小さくなり、基板との熱膨張率の
差が大きくなり、実装信頼性が低下するという問題があ
る。
端子のピッチは、０．４ｍｍ〜０．８ｍｍ、外部端子の
大きさが０．１ｍｍ〜０．４ｍｍであり、基板に実装す
る場合の位置精度に高いレベルに要求されていた。ま
た、実装後基板とファインピッチＢＧＡ基体とのギャッ
プが狭くなり、かつファインピッチＢＧＡの場合外形サ
イズが半導体素子の外形サイズに近いため、全体の熱膨
張率が半導体素子の基材であるシリコンの影響を強く受
け、Ｐ・ＢＧＡと比べ小さくなり、基板との熱膨張率の
差が大きくなり、実装信頼性が低下するという問題があ
る。
【０００５】このため、特開平８−２３６６５４号公報
に開示されているように実装前に、はんだボールの周辺
部を樹脂で覆う方法や、実装後基板とファインピッチＢ
ＧＡの基体間に樹脂を充填する方法（以下アンダーフィ
ルという）を用いて実装の信頼性を確保していた。
に開示されているように実装前に、はんだボールの周辺
部を樹脂で覆う方法や、実装後基板とファインピッチＢ
ＧＡの基体間に樹脂を充填する方法（以下アンダーフィ
ルという）を用いて実装の信頼性を確保していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記方法に
よるときに生ずる第１の問題点は、特開平８−２３６６
５４号公報に開示されているように実装前に、はんだボ
ールの周辺部を樹脂で覆う方法では、ファインピッチＢ
ＧＡのはんだボール周辺部を樹脂覆うことが極めて困難
であるということである。
よるときに生ずる第１の問題点は、特開平８−２３６６
５４号公報に開示されているように実装前に、はんだボ
ールの周辺部を樹脂で覆う方法では、ファインピッチＢ
ＧＡのはんだボール周辺部を樹脂覆うことが極めて困難
であるということである。
【０００７】その理由は、ファインピッチＢＧＡの外部
端子ピッチは、０．４ｍｍ〜０．８ｍｍであり、外部端
子であるはんだボールの大きさが０．１ｍｍ〜０．４ｍ
ｍと小さいため、ポッティングや印刷では十分な精度が
得られず、本来樹脂が付着してはならない部分、例えば
はんだボールを搭載する電極パッド等にも樹脂が付着し
てしまうためである。
端子ピッチは、０．４ｍｍ〜０．８ｍｍであり、外部端
子であるはんだボールの大きさが０．１ｍｍ〜０．４ｍ
ｍと小さいため、ポッティングや印刷では十分な精度が
得られず、本来樹脂が付着してはならない部分、例えば
はんだボールを搭載する電極パッド等にも樹脂が付着し
てしまうためである。
【０００８】第２の問題点は、アンダーフィルを施した
場合は、実装後半導体装置に不具合が見つかった場合、
リペアーが困難であるということである。
場合は、実装後半導体装置に不具合が見つかった場合、
リペアーが困難であるということである。
【０００９】その理由は、樹脂が実装基板とファインピ
ッチＢＧＡ基体に接着されているため、リペアーする場
合、まず樹脂を除去しなければならないが、実装基板に
ダメージを与えず除去する方法がないからである。
ッチＢＧＡ基体に接着されているため、リペアーする場
合、まず樹脂を除去しなければならないが、実装基板に
ダメージを与えず除去する方法がないからである。
【００１０】本発明の目的は、ファインピッチＢＧＡの
実装後、基板とファインピッチＢＧＡ基体との熱膨張率
の差から生じる熱ストレスによる影響から外部端子であ
るはんだボールの破壊を防ぎ、高い信頼性が得られるよ
うにしたボール・グリッド・アレイ型半導体装置を提供
することにある。
実装後、基板とファインピッチＢＧＡ基体との熱膨張率
の差から生じる熱ストレスによる影響から外部端子であ
るはんだボールの破壊を防ぎ、高い信頼性が得られるよ
うにしたボール・グリッド・アレイ型半導体装置を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための課題】前記目的を達成するた
め、本発明に係るボール・グリッド・アレイ型半導体装
置は、配線パターンを有する電気絶縁基板の搭載パッド
に、はんだボールを接続して外部端子とする構造のボー
ル・グリッド・アレイ型半導体装置において、はんだボ
ール搭載部に貫通孔を有する電気絶縁シートを前記電気
絶縁基板に塗布されたソルダーレジストに貼付け、前記
貫通孔は前記ソルダーレジストの開口部が形成する電極
パッドよりも大きく、かつソルダーレジストの開口部と
重なった位置にあり、半田ボールから成る外部端子は前
記貫通孔内で電極パッドよりも大きな径を有することを
特徴とするボール・グリッド・アレイ型半導体装置。
め、本発明に係るボール・グリッド・アレイ型半導体装
置は、配線パターンを有する電気絶縁基板の搭載パッド
に、はんだボールを接続して外部端子とする構造のボー
ル・グリッド・アレイ型半導体装置において、はんだボ
ール搭載部に貫通孔を有する電気絶縁シートを前記電気
絶縁基板に塗布されたソルダーレジストに貼付け、前記
貫通孔は前記ソルダーレジストの開口部が形成する電極
パッドよりも大きく、かつソルダーレジストの開口部と
重なった位置にあり、半田ボールから成る外部端子は前
記貫通孔内で電極パッドよりも大きな径を有することを
特徴とするボール・グリッド・アレイ型半導体装置。
【００１２】また、電気絶縁シートの厚さは、５０μｍ
以上である。
以上である。
【００１３】また、ボール・グリッド・アレイ型半導体
装置は基板に実装され、外部端子のはんだボールは、電
気絶縁シートの貫通孔の形状と、実装基板にできる球状
のはんだとを合わせた形状となって実装高さを増大させ
るものである。
装置は基板に実装され、外部端子のはんだボールは、電
気絶縁シートの貫通孔の形状と、実装基板にできる球状
のはんだとを合わせた形状となって実装高さを増大させ
るものである。
【００１４】また前記電気絶縁シートは前記貫通孔以外
に、空気抜き用貫通孔を有するものである。
に、空気抜き用貫通孔を有するものである。
【００１５】外部端子搭載面に貼り付けたはんだボール
搭載部に貫通孔を有した電気絶縁シートにより、ファイ
ンピッチＢＧＡを基板に実装した場合、はんだ接合部の
形状は、単純な球状にはならず、電気絶縁シートの貫通
孔の径より横に広がらないため、貫通孔の形状と貫通孔
の下（実装基板側）にできる球状のはんだと合わせた形
状、たとえばだるまのような形状になり、結果的に高さ
方向に大きくなるため、基板とファインピッチＢＧＡ間
の距離が大きくなり、ファインピッチＢＧＡの実装後、
接合部に生じる基板とファインピッチＢＧＡ基体との熱
膨張率の差から生じる熱ストレスを緩和できる。
搭載部に貫通孔を有した電気絶縁シートにより、ファイ
ンピッチＢＧＡを基板に実装した場合、はんだ接合部の
形状は、単純な球状にはならず、電気絶縁シートの貫通
孔の径より横に広がらないため、貫通孔の形状と貫通孔
の下（実装基板側）にできる球状のはんだと合わせた形
状、たとえばだるまのような形状になり、結果的に高さ
方向に大きくなるため、基板とファインピッチＢＧＡ間
の距離が大きくなり、ファインピッチＢＧＡの実装後、
接合部に生じる基板とファインピッチＢＧＡ基体との熱
膨張率の差から生じる熱ストレスを緩和できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図１を参照して詳細に説明する。図１において、ファイ
ンピッチＢＧＡは、配線パターンを有する電気絶縁基板
３の一面に外部端子７を有し、反対面が半導体素子１の
電極８を有する面に張合わされている。半導体素子１の
電極８と電気絶縁基板３の配線パターン２とは、電気的
に接続されている。本発明は、外部端子７は、搭載パッ
ドに、はんだボールを接続し、はんだボール搭載部に貫
通孔を有する電気絶縁シート６を接着剤５で搭載パッド
の周辺のソルダーレジスト４上に貼り付けたものであ
る。
図１を参照して詳細に説明する。図１において、ファイ
ンピッチＢＧＡは、配線パターンを有する電気絶縁基板
３の一面に外部端子７を有し、反対面が半導体素子１の
電極８を有する面に張合わされている。半導体素子１の
電極８と電気絶縁基板３の配線パターン２とは、電気的
に接続されている。本発明は、外部端子７は、搭載パッ
ドに、はんだボールを接続し、はんだボール搭載部に貫
通孔を有する電気絶縁シート６を接着剤５で搭載パッド
の周辺のソルダーレジスト４上に貼り付けたものであ
る。
【００１７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１８】図１は、本発明の実施例を示す概略断面図
である。
である。
【００１９】図１において、ポリイミド樹脂製の電気絶
縁基板３の一面には、図示を省略しているがポリイミド
系熱可塑性樹脂の接着剤が貼付けてある。電気絶縁基板
３は厚さが２０〜３０μｍ、接着剤の層の厚さは、５〜
１０μｍであり、その厚さは、接着すべき半導体素子１
とほぼ同じ厚さにしてある。
縁基板３の一面には、図示を省略しているがポリイミド
系熱可塑性樹脂の接着剤が貼付けてある。電気絶縁基板
３は厚さが２０〜３０μｍ、接着剤の層の厚さは、５〜
１０μｍであり、その厚さは、接着すべき半導体素子１
とほぼ同じ厚さにしてある。
【００２０】半導体素子１の電極８と、電気絶縁基板３
の配線パターン２とに熱と荷重と超音波とを加えて両者
を接続し、その後、３００℃前後の熱と１Ｋｇ／ｃｍ2
の荷重を加えて半導体素子１と電気絶縁基板３とを接着
する。配線パータンは圧延銅箔をエッチングし、電解銅
めっきを施すことにより形成している。なお、配線パタ
ーン２の外部端子７側に外部端子７を搭載する部分（以
下、電極パッドという）を除いてソルダーレジスト４と
して厚さ１０〜１５μｍのポリイミド樹脂を塗布してい
る。
の配線パターン２とに熱と荷重と超音波とを加えて両者
を接続し、その後、３００℃前後の熱と１Ｋｇ／ｃｍ2
の荷重を加えて半導体素子１と電気絶縁基板３とを接着
する。配線パータンは圧延銅箔をエッチングし、電解銅
めっきを施すことにより形成している。なお、配線パタ
ーン２の外部端子７側に外部端子７を搭載する部分（以
下、電極パッドという）を除いてソルダーレジスト４と
して厚さ１０〜１５μｍのポリイミド樹脂を塗布してい
る。
【００２１】ソルダーレジスト４の上には、電極パッド
部に電極パッド部より大きい開口部を有するポリイミド
樹脂製の絶縁シート６を熱硬化性ポリイミド樹脂性の接
着剤５を用いて接着している。絶縁シート６の厚さは５
０μｍ以上、特に９５〜１０５μｍであり、電極パッド
の大きさは直径１７５〜１８５μｍ、絶縁シート６の電
極パッド部の開口径は、直径２９０〜３１０μｍ、接着
剤５の厚さは、１０〜２０μｍである。なお、絶縁シー
ト６を接着するとき、電極パッド部に接着剤５が流れ込
まないように接着剤５の量（厚さ）、電極パッドの大き
さに対する絶縁シート６の電極パッド部の開口径を決定
する。
部に電極パッド部より大きい開口部を有するポリイミド
樹脂製の絶縁シート６を熱硬化性ポリイミド樹脂性の接
着剤５を用いて接着している。絶縁シート６の厚さは５
０μｍ以上、特に９５〜１０５μｍであり、電極パッド
の大きさは直径１７５〜１８５μｍ、絶縁シート６の電
極パッド部の開口径は、直径２９０〜３１０μｍ、接着
剤５の厚さは、１０〜２０μｍである。なお、絶縁シー
ト６を接着するとき、電極パッド部に接着剤５が流れ込
まないように接着剤５の量（厚さ）、電極パッドの大き
さに対する絶縁シート６の電極パッド部の開口径を決定
する。
【００２２】その後、外部端子７としてボール状のＳｎ
とＰｂの共晶はんだを電極パッド部に載せてこれをリフ
ローすることにより接続している。
とＰｂの共晶はんだを電極パッド部に載せてこれをリフ
ローすることにより接続している。
【００２３】本実施例のサンプルと従来例のサンプルを
基板に実装し、温度サイクル試験を行った結果を表１に
示す。表１の結果から分るように本実施例を適用するこ
とで大幅に寿命が伸び、実装信頼性が向上することが分
る。
基板に実装し、温度サイクル試験を行った結果を表１に
示す。表１の結果から分るように本実施例を適用するこ
とで大幅に寿命が伸び、実装信頼性が向上することが分
る。
【００２４】
【表１】
【００２５】なお、実装基板はＦＲ−４といわれるガラ
ス布・エポキシ樹脂製で、厚さ０．８ｍｍの両面基板で
ある。電極パッドサイズは、直径０．３ｍｍ、ピッチが
０．５ｍｍ、予備はんだとして実装基板側の電極パッド
に一定量（直径０．２ｍｍの球相当）のはんだを供給し
ている。温度サイクルは−２０℃〜１２５℃の条件で行
っている。なお図２に示すようにソルダーレジスト４と
絶縁シート６との間に隙間（フクレ等）が生じないよう
に、空気抜き用に電極パッドに対応する開口部以外にも
直径０．０５〜０．１ｍｍの空気抜き用貫通孔１２を設
けることができる。
ス布・エポキシ樹脂製で、厚さ０．８ｍｍの両面基板で
ある。電極パッドサイズは、直径０．３ｍｍ、ピッチが
０．５ｍｍ、予備はんだとして実装基板側の電極パッド
に一定量（直径０．２ｍｍの球相当）のはんだを供給し
ている。温度サイクルは−２０℃〜１２５℃の条件で行
っている。なお図２に示すようにソルダーレジスト４と
絶縁シート６との間に隙間（フクレ等）が生じないよう
に、空気抜き用に電極パッドに対応する開口部以外にも
直径０．０５〜０．１ｍｍの空気抜き用貫通孔１２を設
けることができる。
【００２６】本発明によれば、ファインピッチＢＧＡを
実装後、実装基板との実装高を高く出来る。
実装後、実装基板との実装高を高く出来る。
【００２７】本実施例のファインピッチＢＧＡを実装し
た場合の概略断面図を図３に示し、比較のため、従来の
ファインピッチＢＧＡを実装した場合の概略断面図を図
４に示す。
た場合の概略断面図を図３に示し、比較のため、従来の
ファインピッチＢＧＡを実装した場合の概略断面図を図
４に示す。
【００２８】本発明によれば、図３に示すとおり、外部
端子７の搭載面に貼り付けたはんだボール搭載部に貫通
孔を有する電気絶縁シート６を用いてファインピッチＢ
ＧＡを基板に実装した場合に、はんだボールの形状は、
単純な球状にはならず、電気絶縁シート６の貫通孔の径
より横に広がらないため、貫通孔の形状と貫通孔の下
（実装基板側）にできる球状のはんだと合わせてだるま
のような形状になり、結果的に高さ方向に大きくなるた
め、図４の従来例に比して実装基板９とファインピッチ
ＢＧＡ間の距離が大きくなる。図３のｈ１が本実施例の
実装高、図４のｈ２が従来の実装高である。本実施例の
実装高ｈ１が０．１７ｍｍに対し、従来例の実装高ｈ２
が０．０９ｍｍである。
端子７の搭載面に貼り付けたはんだボール搭載部に貫通
孔を有する電気絶縁シート６を用いてファインピッチＢ
ＧＡを基板に実装した場合に、はんだボールの形状は、
単純な球状にはならず、電気絶縁シート６の貫通孔の径
より横に広がらないため、貫通孔の形状と貫通孔の下
（実装基板側）にできる球状のはんだと合わせてだるま
のような形状になり、結果的に高さ方向に大きくなるた
め、図４の従来例に比して実装基板９とファインピッチ
ＢＧＡ間の距離が大きくなる。図３のｈ１が本実施例の
実装高、図４のｈ２が従来の実装高である。本実施例の
実装高ｈ１が０．１７ｍｍに対し、従来例の実装高ｈ２
が０．０９ｍｍである。
【００２９】また、本発明によれば、ファインピッチＢ
ＧＡを実装後、はんだ接合部の熱ストレスを分散でき
る。
ＧＡを実装後、はんだ接合部の熱ストレスを分散でき
る。
【００３０】本実施例のファインピッチＢＧＡを実装し
た場合の概略部分断面図を図５に示し、比較のため、従
来のファインピッチＢＧＡを実装した場合の概略部分断
面図を図６に示す。
た場合の概略部分断面図を図５に示し、比較のため、従
来のファインピッチＢＧＡを実装した場合の概略部分断
面図を図６に示す。
【００３１】通常、ファインピッチＢＧＡの電極パッド
サイズは、実装基板の電極サイズより小さく、実装後熱
ストレスで破損する場合はファインピッチＢＧＡ側の電
極パッド部ａである。
サイズは、実装基板の電極サイズより小さく、実装後熱
ストレスで破損する場合はファインピッチＢＧＡ側の電
極パッド部ａである。
【００３２】しかし、本実施例によるときには、外部端
子のはんだボールの途中を絶縁シート６が押えているた
め、この部分ｂでも熱ストレスが発生し、ファインピッ
チＢＧＡ側の電極パッド部ａに加わる熱ストレスを減少
できるためである。従来例では、はんだ接合部の途中が
押えられないため、電極パッド部ａには大きな熱ストレ
スが加えられる。
子のはんだボールの途中を絶縁シート６が押えているた
め、この部分ｂでも熱ストレスが発生し、ファインピッ
チＢＧＡ側の電極パッド部ａに加わる熱ストレスを減少
できるためである。従来例では、はんだ接合部の途中が
押えられないため、電極パッド部ａには大きな熱ストレ
スが加えられる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ファイン
ピッチＢＧＡを実装基板に実装後、接合部の信頼性が向
上し、ファインピッチＢＧＡと実装基板の間にアンダー
フィルを施さなくとも十分な信頼性が得られる。
ピッチＢＧＡを実装基板に実装後、接合部の信頼性が向
上し、ファインピッチＢＧＡと実装基板の間にアンダー
フィルを施さなくとも十分な信頼性が得られる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す部分拡大図である。
【図３】本発明の実施例の効果を説明するための概略断
面図である。
面図である。
【図４】比較のために示した従来例の概略断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施例の効果を説明するための部分拡
大断面図である。
大断面図である。
【図６】比較のために示した従来例の部分拡大断面図で
ある。
ある。
【図７】本発明の従来例を示す概略断面図である。
１ 半導体素子 ２ 配線パターン ３ 電気絶縁基板 ４ ソルダーレジスト ５ 接着剤 ６ 絶縁シート ７ 外部端子 ８ 電極 ９ 実装基板 １０ 配線パータン １１ ソルダーレジスト １２ 空気抜き用貫通孔 ｈ１，ｈ２ 実装高を示す記号 ａ，ｂ 接合部の場所を示す記号 ｄ１，ｄ２，ｄ３ 接合部の直径を示す記号
Claims (4)
- 【請求項１】 配線パターンを有する電気絶縁基板の搭
載パッドに、はんだボールを接続して外部端子とする構
造のボール・グリッド・アレイ型半導体装置において、はんだボール搭載部に貫通孔を有する電気絶縁シートを
前記電気絶縁基板に塗布されたソルダーレジストに貼付
け 、前記貫通孔は前記ソルダーレジストの開口部が形成する
電極パッドよりも大きく、かつソルダーレジストの開口
部と重なった位置にあり 、半田ボールから成る外部端子は前記貫通孔内で電極パッ
ドよりも大きな径を有する ことを特徴とするボール・グ
リッド・アレイ型半導体装置。 - 【請求項２】 電気絶縁シートの厚さは、５０μｍ以上
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のボール・グリッド・ア
レイ型半導体装置は基板に実装され、 外部端子のはんだボールは、電気絶縁シートの貫通孔の
形状と、実装基板にできる球状のはんだとを合わせた形
状となって実装高さを増大させるものであることを特徴
とするボール・グリッド・アレイ型半導体装置。 - 【請求項４】 前記電気絶縁シートは前記貫通孔以外
に、空気抜き用貫通孔を有することを特徴とする請求項
１に記載のボール・グリッド・アレイ型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282211A JP3070544B2 (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | ボール・グリッド・アレイ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282211A JP3070544B2 (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | ボール・グリッド・アレイ型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121520A JPH11121520A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3070544B2 true JP3070544B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=17649518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9282211A Expired - Lifetime JP3070544B2 (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | ボール・グリッド・アレイ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3070544B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4152596B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2008-09-17 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | ハンダ合金、ハンダボール及びハンダバンプを有する電子部材 |
| JP2007027576A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2010040599A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体モジュールおよび半導体装置 |
-
1997
- 1997-10-15 JP JP9282211A patent/JP3070544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11121520A (ja) | 1999-04-30 |
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