JP2010050395A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010050395A
JP2010050395A JP2008215473A JP2008215473A JP2010050395A JP 2010050395 A JP2010050395 A JP 2010050395A JP 2008215473 A JP2008215473 A JP 2008215473A JP 2008215473 A JP2008215473 A JP 2008215473A JP 2010050395 A JP2010050395 A JP 2010050395A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
heat sink
resin frame
wiring pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008215473A
Other languages
English (en)
Inventor
Shingo Sudo
進吾 須藤
Tatsuo Ota
達雄 太田
Hiroshi Yoshida
博 吉田
Nobutake Taniguchi
信剛 谷口
Kenichi Hayashi
建一 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2008215473A priority Critical patent/JP2010050395A/ja
Publication of JP2010050395A publication Critical patent/JP2010050395A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/40227—Connecting the strap to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221—Strap and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】半導体装置の外形を大きくすることなく、樹脂パッケージが硬化する時の放熱板の反りを抑制することができる半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】この発明に係る半導体装置は、放熱板６と、放熱板６の上面に固着された絶縁層１２と、絶縁層１２の上面に形成された配線パターン層９と、配線パターン層９上に実装された半導体素子４、５と、放熱板６上面の外周部に設けられた樹脂枠１３とを備えている。更に、放熱板６の少なくとも一部、絶縁層１２、配線パターン層９、半導体素子４、５、及び樹脂枠１３は、熱可塑性樹脂により成形された樹脂パッケージ１で包囲されている。
【選択図】図２

Description

この発明は、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールド法により得られる樹脂パッケージを備えた半導体装置、及びその製造方法に関するものである。
半導体装置のパッケージの形成方法については，熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールド法と、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールド法との２種類に大別される。トランスファーモールド法では熱硬化反応する間放置する必要があるのと比べて、インジェクションモールド法では単に冷却すればよいのみであるため、成形時間が半分以下に短縮され、また、熱を加えれば再利用ができるためリサイクル性に優れているという利点がある。
一方、このような半導体装置では、パッケージを構成する樹脂の線膨張率が、これに被われる放熱板や半導体チップなどの部品の線膨張率よりも大きいことに起因して、樹脂パッケージが硬化、熱収縮する際に反りが生じるという問題がある。このため、樹脂パッケージ内で封止された絶縁層が破壊されるか、あるいは放熱板と外部ヒートシンクとの間に間隙が生じ、放熱性の低下を招くことがあった。
インジェクションモールド法では、発熱密度の高い半導体装置においても使用可能な耐熱性を有するように、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）を用い、強度を保持するためガラス繊維をはじめとするフィラーが配合される。ガラス繊維は、繊維の配向方向に対しては線膨張率が小さく、繊維の配向方向と直交する方向に対しては線膨張率が大きいという特性があるが、ガラス繊維はモールド時の樹脂の充填方向に平行に配向されるため、半導体素子は樹脂の充填方向に対して直角方向に線膨張率が大きく、従って同方向への熱変形が特に大きいこととなる。
このような問題を解決するために、放熱板の線膨張率よりも小さな線膨張率を有する導電性リード板を、樹脂パッケージの線膨張率が最大となる、樹脂の充填方向に直角方向に沿って延ばし、この方向の剛性を上げることによって、反りの低減を図っていた（例えば、特許文献１参照）。
特開２００７−１７３２７２号公報（第５−８頁、第１−６図）
このような構成の半導体装置においては、外部端子数が増える場合や、回路が複雑になるなど、比較的大きな放熱板を必要とする半導体装置の場合には、それに伴って放熱板の反りも大きくなる。しかし、導電性リード板と半導体素子間の接合を長期間の繰り返しの熱応力に耐える信頼性の高いものとするためには、導電性リード板を柔構造とする必要があり、導電性リード板の厚みには制約があるため、これによる反りの抑制にも限界があった。
本発明は、上記に示したような問題点を解決するためになされたもので、樹脂パッケージが硬化する時の放熱板の反りを抑制することができる半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、放熱板と、放熱板の上面に固着された絶縁層と、絶縁層の上面に形成された配線パターン層と、配線パターン層上に実装された半導体素子と、放熱板上面の外周部に設けられた樹脂枠とを備えている。更に、放熱板の少なくとも一部、絶縁層、配線パターン層、半導体素子、及び樹脂枠は、熱可塑性樹脂により成形された樹脂パッケージで包囲されている。
この発明に係る半導体装置によれば、放熱板上面の外周部に樹脂枠を設けて、樹脂パッケージを硬化する前に放熱板の剛性をあげておくことができるので、樹脂パッケージ硬化時の樹脂の熱収縮による放熱板の反りを低減することができる。
実施の形態１．
図１は本実施の形態１に係る半導体装置の外形図を、図２は図１のＩ−Ｉ方向の断面図を各々示す。
半導体装置は例えばガラス繊維を配合する事によって強度を向上させたガラス繊維強化のＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）からなる樹脂パッケージ１により外形を形成し、電力を入出力するための外部電極として外部端子２と制御用の信号端子３が樹脂パッケージ１の表面に設けられている。
この半導体装置は、表面にゲート電極とエミッタ電極を有し、裏面にコレクタ電極を有する縦型の半導体素子であるＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）４や、表面にアノード電極を有し裏面にカソード電極を有する縦型の半導体素子であるＦＷＤｉ（フリーホイールダイオード）５を備えている。これら半導体素子からの発熱を、半導体装置の最下面に設けられた放熱板６を介して、この放熱板６に接するように配置された外部のヒートシンク（図示せず）に伝熱するために、樹脂パッケージ１には半導体装置と外部ヒートシンクとのネジ締結用の穴７が形成されており、更に放熱板６と外部ヒートシンクの間にはシリコーングリースなどの伝熱補助部材（図示せず）を介在させて伝熱効率の向上を図っている。
この実施の形態においては、放熱板６としては、例えばアルミニウムを基材とする高熱伝導材料により縦４０ｍｍ×横６０ｍｍ、厚さ２ｍｍの形状を有するものを使用している。また、ＩＧＢＴ４は縦７．５ｍｍ×横９ｍｍ、厚さが２５０μｍのものを、ＦＷＤｉ５は縦４ｍｍ×横９ｍｍ，厚さ２５０μｍのものを各々使用している。これらの半導体素子は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕなどを基材とするはんだ８によって裏面は半導体装置の回路を構成する厚さ０．３ｍｍの銅からなる配線パターン層９のパターンに接続され、表面のエミッタ電極およびアノード電極は厚さ０．３ｍｍの銅よりなる配線部材であるリード１０を用いて、前記パターンに接続されている。
また、ＩＧＢＴ４のゲート電極はアルミワイヤ１１で配線パターン層９のパターンと接続されている。図２では示さないが、外部端子２など外部に導出される端子はそれぞれはんだ付けなどによって、前記パターンと接続されている。配線パターン層９は、例えばシリカやアルミナ、窒化アルミニウムなどの絶縁体よりなる熱伝導フィラーを混合したエポキシを基材とする絶縁層１２上に形成され、この絶縁層１２は接着剤も兼ねているため放熱板６に固着されて、配線パターン層９、絶縁層１２、放熱板６により回路基板を構成している。
配線パターン層９の外側であって、放熱板６の外縁内側の領域は、半導体装置内部の各配線、電極と外部との沿面放電を防止するために予め設けられたスペースである。ここに、幅１．５ｍｍ、高さ３ｍｍのＰＰＳからなる樹脂枠１３が、例えばエポキシ接着剤（図示せず）で固着されており、樹脂枠１３で囲まれた領域内部には熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂１４が充填されている。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。放熱板６、絶縁層１２、パターン９からなる回路基板に外部端子２、信号端子３、ＩＧＢＴ４、ＦＷＤｉ５、リード１０をはんだ付けした後、超音波ワイヤボンダを用いてアルミワイヤ１１を配線し，樹脂枠１３をエポキシ接着剤（図示せず）により固着する。その後エポキシ樹脂１４を樹脂枠１３内にディスペンサ（液体定量吐出装置）などを用いて充填し、１５０℃１時間加熱することで固化させる。
射出成形機の金型に放熱板６の下面を露出させるために、下面が金型面と接触するように搭載し、金型内に樹脂パッケージ１を構成するＰＰＳを３００℃以上の溶融状態で充填し、冷却・固化させ、樹脂パッケージ１の所定位置に予め配置されたナットにより外部端子２を固定して半導体装置が完成する。
ここで、エポキシ樹脂１４を樹脂枠１３内に充填するのは、以下の理由による。
樹脂パッケージ１の樹脂を射出成形する時に、高さが高い樹脂枠１３を設けたため、樹脂枠１３と放熱板６との高低差が生じ、樹脂枠１３を乗り越えて流れる樹脂パッケージ１の樹脂が、樹脂枠１３と放熱板６との間の空気を巻き込んでボイドが発生することがある。ボイドができると半導体装置が温度サイクルなど繰り返しの応力を受けた時に、このボイドが基点となって樹脂パッケージ１の剥離が進展し，耐湿性や絶縁特性などが低下する恐れがある。
そこで、樹脂枠１３の内部にエポキシ樹脂１４を充填し、前記高低差を小さくすることにより、発生するボイドを抑制することができる。種々実験を行った結果、ボイドの発生を防ぐためには、樹脂枠１３の高さの半分以上まで充填することが望ましい。
また、エポキシ樹脂１４は図３に示すように樹脂枠１３にぬれ，フィレット状となり、特に樹脂枠１３近傍においては、放熱板６中央から樹脂枠１３に向かって高くなっている形状が射出成形時に空気を巻き込み難く、好適である。
以上説明してきた本実施の形態に係る半導体装置の奏する効果について、以下に説明を行う。
まず、樹脂枠１３を放熱板６の外周部に固定し、樹脂パッケージ１を硬化する前に放熱板６の剛性を上げておくことができるので、樹脂パッケージ１が硬化する時に樹脂の熱収縮による放熱板６の反りを低減することができる。この反りの低減を更に効果的にするためには、放熱板６の主面に平行な方向の樹脂枠１３の線膨張率を、放熱板６の線膨張率とほぼ等しいか、それ以下にしておくことが望ましい。
また、放熱板６の外周部の全周に一体として形成された樹脂枠１３を配置することにより、樹脂パッケージ１に設けられた穴７を利用してボルトにより外部ヒートシンクと半導体装置とを締結させた時、この締結力を最も反りが大きくなる放熱板６の外周部に作用させることができるため、効果的に反りを矯正することができる。この反りの低減を更に効果的にするためには、樹脂枠１３の弾性率を樹脂パッケージ１よりも大きい材料を選定する方が望ましい。
樹脂枠１３の外周部に存在する樹脂パッケージ１の樹脂は、射出成形時には図４の矢印に示すように成型用金型１６と樹脂枠１３に挟まれた比較的狭い領域を樹脂枠１３の外周に沿って流れ、繊維も樹脂枠１３に沿って放熱板６の主面に平行に配向される。従って、この領域の樹脂パッケージ１については、放熱板６の主面に平行な方向の熱収縮率は小さくなるため、更に反りを低減する効果を発揮することができる。
樹脂枠１３は、配線パターン層９の外側で放熱板６の外縁内側の領域に設けられた沿面放電を防止するためのスペースに設けられているため、半導体装置の外形寸法を大きくすることもない。前述した理由により、樹脂枠１３としては、幅を広く、放熱板６からの高さを高くして剛性を上げた方が反りを低減するには効果的である。しかし、半導体装置を大きくしないようにするためには、樹脂枠１３の幅を予め定められた沿面距離である２ｍｍ〜３ｍｍ以下とする必要がある。
また、樹脂枠１３の内部に充填されたエポキシ樹脂１４が固化し、放熱板６、樹脂枠１３、熱硬化性樹脂１４が一体として剛性が増すことにより、また放熱板６の上部の樹脂パッケージ１の厚みが薄くなることにより、樹脂パッケージ１が硬化する時の反りが更に低減される。反りの抑制効果を最大限に発揮するためには、放熱板１３と同じ高さ程度のエポキシ樹脂１４を充填することが望ましい。エポキシ樹脂１４の線膨張率は、ＰＰＳに配合されたガラス繊維の配向方向と直交方向の線膨張率よりも小さい材料を選定する方が望ましい。
また、エポキシ樹脂１４の充填により、樹脂パッケージ１の樹脂注入時の樹脂の流動抵抗により細いワイヤが倒れたり、断線したりするのを防ぎ、更に射出成形時の静水圧により半導体素子が破壊されるのを防ぐという効果もある。
以上述べた反りの低減の効果を検証するために行った実験結果を以下に示す。樹脂枠１３を取り付けた場合と取り付けなかった場合の各々について、放熱板６に所定の熱量を供給した時の放熱板６と外部ヒートシンクとの温度差を測定し、放熱板６と外部ヒートシンク間に介在するグリースの平均厚、すなわち放熱板の反り量の平均値を、グリースの熱伝導率から算出した結果を図５に示す。樹脂枠１３を取り付けたことによって、グリース厚が２０％〜２５％程度薄くなった。
半導体素子であるＩＧＢＴ４やＦＷＤｉ５から外部ヒートシンクに至る伝熱回路において、グリースは全熱抵抗の４０％程度を占める場合もあり、また放熱板６や絶縁層１２自体の熱伝導率を大きく向上させることは非常に困難であるため、このグリースの厚みを低減することは半導体装置の放熱特性を改善するのに大きく寄与することとなる。
特許文献１に示された半導体装置では、リード１０を利用して剛性を上げるため、これを樹脂パッケージ１の線膨張率が最大となる半導体装置の短辺方向に沿って配置しなければならないという制約があった。これに対して、本実施の形態ではこのような制約がなくなるため、図６に示すように長辺方向に沿ってリード１０を配置することや、図７に示す外形形状を有する半導体装置の設計も可能であり、設計の自由度が増し、複雑な配線設計も可能となるという利点がある。
実施の形態２．
図８は本実施の形態に係る半導体装置の断面図であり、断面は図１におけるＩ−Ｉと同じ部位である。
実施の形態１においては、エポキシ樹脂を基材とする絶縁層１２を使用していたが、本実施の形態では、これに替えてアルミナ１５を使用している点が異なっている。０．５ｍｍ厚のアルミナ１５の上面には、０．２５ｍｍ厚の配線パターン層９が設けられており、下面ははんだ８により厚さ４ｍｍの銅からなる放熱板６に接合されている。
また、実施の形態１においては、絶縁層１２の上に樹脂枠１３が設けられていたが、本実施の形態においては、樹脂枠１３はアルミナ１５よりも外側に配置され、放熱板６に直接固着されている点が異なっている。これは、実施の形態１に示されたような構成だと、射出成形時の樹脂の成形圧力がアルミナ１５の外縁部に作用してアルミナ１５が割れる恐れがあるのに対し、本実施の形態のように樹脂枠１３の内側にアルミナ１５を配置してあれば、エポキシ樹脂１４によってアルミナ１５を含めて樹脂枠１３内の構成品が被われるため、上記のように外縁部に圧力が作用することがないためである。
上記以外の構成については、実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の奏する効果について、以下に説明を行う。
本実施の形態に係る半導体装置は、実施の形態１と同様に樹脂枠１３を備えており、この樹脂枠内部をエポキシ樹脂１４で充填したため、実施の形態１と同じ効果を奏する。
また、アルミナ１５はエポキシ樹脂に比べて高い絶縁性能を有するため、半導体装置として優れた耐電圧性能を備えることができる。熱伝導係数についても、エポキシ樹脂と比較すると大きな値を有するため、更に放熱特性が良好な半導体装置を得ることができる。このような性能は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）だけでなく、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等のセラミック材料も同様に有するため、本実施の形態における半導体装置に適用可能である。
アルミナ１５は放熱板６に比べて線膨張率が小さく、アルミナ１５と放熱板６とをはんだ付けした場合には、放熱板６の下面が凹となるように反りが発生する。ここで、本実施の形態では、アルミナ１５よりも線膨張率の大きいエポキシ樹脂１４を放熱板６の厚さ以上に充填し、これが熱収縮することによって、上記の反りとは反対側に放熱板６を反らせるため、一連の製作プロセスを通じて放熱板６の反りを相殺して低減することができるという効果がある。
実施の形態３．
図９は本実施の形態に係る半導体装置の断面図であり、断面は図１におけるＩ−Ｉと同じ部位である。
本実施の形態の特徴は、実施の形態１に示した半導体装置の樹脂枠１３の外周面に凹凸形状を設けて１３ａとしたことである。また、この樹脂枠１３ａの材料は、樹脂パッケージ１の樹脂と同じＰＰＳである。
上記以外の構成については、実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の奏する効果について、以下に説明を行う。
樹脂パッケージ１の樹脂が樹脂枠１３ａの凹凸形状に嵌り合う形状に成形され、樹脂パッケージ１の硬化収縮時に樹脂パッケージ１と樹脂枠１３ａがその界面において滑ることがないため、互いに離れて隙間が開くように変形することを防止することができる。更に、半導体装置外部から内部に至る隙間の経路も長くなるため、水分の侵入を抑制することができる。
以上より、特に外部からの水分が侵入することにより端子の腐食や絶縁特性の劣化が問題となる屋外設置の高温高湿度環境下で使用する半導体装置に対しては、優れた耐湿性並びに絶縁性能を得ることができる。
また、本実施の形態では、樹脂枠１３ａを樹脂パッケージ１と同じ材料であるＰＰＳで構成しているため、樹脂パッケージ１を射出成形する場合には３００℃近い高温の樹脂が充填されることにより、図１０に示すように、特に樹脂枠１３ａの外周面の尖った凸部が融解して樹脂パッケージ１との融着部１７が形成される。従って、樹脂パッケージ１の一部と樹脂枠１３ａが一体化されるため、両者の剛性が合さって更に反りを低減することができる。
上記の場合には、半導体装置外部から内部半導体素子にいたる隙間の経路が閉塞されるため、耐湿性及び絶縁性能を尚一層改善することができる。
本実施の形態では、樹脂枠１３ａの下面は絶縁層１２の上面に固着されていれば、図１０に示すように樹脂枠１３ａの外周面に形成された凸部のみを放熱板６の外縁からはみ出すようにすることもできる。この場合には樹脂パッケージ１と外部ヒートシンクとを締結するボルトの締め付け力を、実施の形態１と比較して更に外側に作用させることが可能となるため、放熱板６の反りをより効果的に矯正することが可能となる。
実施の形態４．
図１１は本実施の形態に係る半導体装置の断面図であり、断面は図１におけるＩ−Ｉと同じ部位である。本実施の形態では、外周面が凹凸形状を有する樹脂枠１３ｂの製作方法に特徴があるため以下この点について説明を行い、それ以外の構成については、実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。
ＩＧＢＴ４等の半導体素子を回路基板の配線パターン層９のパターンにはんだ付で固定した後、比較的高粘度（例えば、常温でおよそ６００Ｐａ・ｓ）を有する液状のエポキシ樹脂を、ニードルを取り付けたディスペンサにて断面略円形の棒状体に成形し、放熱板６の外周部に沿って絶縁層１２上に配置する。この実施の形態では、例えば内径１．２５ｍｍのニードルを取り付けたディスペンサを使用している。更にこれを３段積み重ねることにより高さ３．５ｍｍ、幅１．５ｍｍの樹脂枠１３ｂを形成する。この時、図１２に示すように多段塗布により、各段の間にはおよそ０．３ｍｍの凹部が形成されている。
その後、樹脂枠１３ｂの内部の領域に低粘度（例えば、常温でおよそ６０Ｐａ・ｓ）を有する液状のエポキシ樹脂を絶縁層１２より２ｍｍの高さまで充填し、１５０℃で１時間加熱硬化させて、射出成形により樹脂パッケージ１を形成して半導体装置が完成する。
樹脂枠１３ｂの外周面が、棒状体によって凸状に、隣接する棒状体間の隙間部で凹部に、各々形成されることとなるため、実施の形態３と同様に、耐湿性並びに絶縁性能が優れた半導体装置を得ることができる。
また、ニードルを取り付けたディスペンサを用いて、断面略円形の棒状体を積み重ねて樹脂枠１３ｂを形成するため、樹脂枠１３の幅、高さ、及び、放熱板６への取付部の形状を任意に形成でき、多品種小量生産に適した製造方法を得ることができる。
本発明の実施の形態１による半導体装置の外形図である。 本発明の実施の形態１による半導体装置の断面図である。 本発明の実施の形態１による半導体装置の部分断面図である。 本発明の実施の形態１における樹脂パッケージの樹脂の流れを説明する図である。 本発明の実施の形態１による樹脂枠がある場合とない場合のグリース厚の差を示した図である。 本発明の実施の形態１による別の半導体装置の内部構造図である。 本発明の実施の形態１による別の半導体装置の外形図である。 本発明の実施の形態２による半導体装置の断面図である。 本発明の実施の形態３による半導体装置の断面図である。 本発明の実施の形態３による半導体装置の部分断面図である。 本発明の実施の形態４による半導体装置の断面図である。 本発明の実施の形態４による半導体装置の部分断面図である。
符号の説明
１ 樹脂パッケージ
４ ＩＧＢＴ
５ ＦＷＤｉ
６ 放熱板
９ 配線パターン層
１２ 絶縁層
１３ 樹脂枠
１３ａ 樹脂枠
１３ｂ 樹脂枠
１４ エポキシ樹脂
１５ アルミナ

Claims (8)

  1. 放熱板と、
    この放熱板の上面に固着された絶縁層と、
    この絶縁層の上面に形成された配線パターン層と、
    この配線パターン層上に実装された半導体素子と、
    前記放熱板の上面の外周部に設けられた樹脂枠と、
    前記放熱板の少なくとも一部、前記絶縁層、配線パターン層、半導体素子、及び樹脂枠を包囲するように熱可塑性樹脂により成形された樹脂パッケージと、
    を備えた半導体装置。
  2. 樹脂枠は、放熱板の外周部の全周に一体として形成されて配置されたことを特徴とする
    請求項１に記載の半導体装置。
  3. 樹脂枠の内部に熱硬化性樹脂を充填したことを特徴とする
    請求項２に記載の半導体装置。
  4. 樹脂枠は、外周面が凹凸形状を有することを特徴とする
    請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 樹脂枠は、樹脂パッケージと同一材料であることを特徴とする
    請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  6. 絶縁層は、セラミックからなることを特徴とする
    請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  7. 配線パターン層が上面に形成された絶縁層を放熱板の上面に固着させる第１の工程と、
    前記配線パターン層に半導体素子を実装する第２の工程と、
    前記放熱板の上面の外周部に、棒状体に成形された熱硬化性樹脂を積み重ね、これを硬化して一体化することにより樹脂枠を形成する第３の工程と、
    前記放熱板の少なくとも一部、絶縁層、配線パターン層、半導体素子、及び樹脂枠を包囲するように熱可塑性樹脂により成形する樹脂パッケージを形成する第４の工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
  8. 配線パターン層が上面に形成された絶縁層を放熱板の上面に固着させる第１の工程と、
    前記配線パターン層に半導体素子を実装する第２の工程と、
    前記放熱板の上面の外周部に樹脂枠を形成する第３の工程と、
    前記樹脂枠の内部に熱硬化性樹脂を充填し、硬化する第４の工程と、
    前記放熱板の少なくとも一部、絶縁層、配線パターン層、半導体素子、及び樹脂枠を包囲するように熱可塑性樹脂により成形する樹脂パッケージを形成する第５の工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
JP2008215473A 2008-08-25 2008-08-25 半導体装置およびその製造方法 Pending JP2010050395A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008215473A JP2010050395A (ja) 2008-08-25 2008-08-25 半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008215473A JP2010050395A (ja) 2008-08-25 2008-08-25 半導体装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010050395A true JP2010050395A (ja) 2010-03-04

Family

ID=42067224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008215473A Pending JP2010050395A (ja) 2008-08-25 2008-08-25 半導体装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010050395A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151164A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
EP2814058A3 (en) * 2013-06-14 2015-05-06 Renesas Electronics Corporation A semiconductor device and an electronic device
WO2016067414A1 (ja) * 2014-10-30 2016-05-06 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2017059619A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 富士電機株式会社 半導体装置
JP2018029141A (ja) * 2016-08-18 2018-02-22 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置製造方法
JP2022006924A (ja) * 2020-06-25 2022-01-13 株式会社 日立パワーデバイス パワーモジュール
JP2023527378A (ja) * 2020-06-12 2023-06-28 無錫利普思半導体有限公司 パワー半導体モジュール

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06140534A (ja) * 1992-10-23 1994-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JPH06334070A (ja) * 1993-05-27 1994-12-02 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JPH10209338A (ja) * 1997-01-22 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体回路装置とその製造方法
JP2003124401A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Nippon Avionics Co Ltd モジュールおよびその製造方法
JP2007173272A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06140534A (ja) * 1992-10-23 1994-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JPH06334070A (ja) * 1993-05-27 1994-12-02 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JPH10209338A (ja) * 1997-01-22 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体回路装置とその製造方法
JP2003124401A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Nippon Avionics Co Ltd モジュールおよびその製造方法
JP2007173272A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151164A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
EP2814058A3 (en) * 2013-06-14 2015-05-06 Renesas Electronics Corporation A semiconductor device and an electronic device
WO2016067414A1 (ja) * 2014-10-30 2016-05-06 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPWO2016067414A1 (ja) * 2014-10-30 2017-04-27 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2017059619A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 富士電機株式会社 半導体装置
JP2018029141A (ja) * 2016-08-18 2018-02-22 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置製造方法
JP2023527378A (ja) * 2020-06-12 2023-06-28 無錫利普思半導体有限公司 パワー半導体モジュール
JP7482259B2 (ja) 2020-06-12 2024-05-13 無錫利普思半導体有限公司 パワー半導体モジュール
JP2022006924A (ja) * 2020-06-25 2022-01-13 株式会社 日立パワーデバイス パワーモジュール
JP7489241B2 (ja) 2020-06-25 2024-05-23 株式会社 日立パワーデバイス パワーモジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9171773B2 (en) Semiconductor device
JP6233507B2 (ja) パワー半導体モジュールおよび複合モジュール
JP4455488B2 (ja) 半導体装置
JP6164364B2 (ja) 半導体装置
US10163752B2 (en) Semiconductor device
US9524929B2 (en) Semiconductor module package and method of manufacturing the same
JP2010050395A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5071719B2 (ja) 電力用半導体装置
JP2007305702A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2005191071A (ja) 半導体装置
JP2008263210A (ja) 電力用半導体装置
JP2020098885A (ja) 半導体装置
JP4967701B2 (ja) 電力半導体装置
US20150270201A1 (en) Semiconductor module package and method of manufacturing the same
JP2016181536A (ja) パワー半導体装置
JP6360035B2 (ja) 半導体装置
JP2012209470A (ja) 半導体装置、半導体装置モジュール及び半導体装置の製造方法
JP5368492B2 (ja) パワー半導体装置
US10886186B2 (en) Semiconductor package system
JP6907670B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5062189B2 (ja) 半導体装置の実装構造
JP6771581B2 (ja) 半導体モジュール及び半導体装置
CN116705721A (zh) 半导体装置
JP2009277959A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2010141034A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100908

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120327

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20120330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130306

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131217